JP2634061B2 - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
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- JP2634061B2 JP2634061B2 JP63148990A JP14899088A JP2634061B2 JP 2634061 B2 JP2634061 B2 JP 2634061B2 JP 63148990 A JP63148990 A JP 63148990A JP 14899088 A JP14899088 A JP 14899088A JP 2634061 B2 JP2634061 B2 JP 2634061B2
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- image
- interference
- photoreceptor
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アルミニウムなどからなる導電性基体上に
光電変換機能を有する感光材料からなる感光層を設けた
感光体に対する画像潜像形成のための露光の波長がほぼ
780nmである電子写真装置に関する。
光電変換機能を有する感光材料からなる感光層を設けた
感光体に対する画像潜像形成のための露光の波長がほぼ
780nmである電子写真装置に関する。
電子写真用感光体は、一般にアルミニウム等の導電性
材料からなる基体上にCds,ZnO,Si,Se,Se−Te合金,Se−A
s合金，有機感光材料等の光電変換機能を有する感光材
料と積層したものである。製法は、円筒状，ベルト状あ
るいは板状の導電性基体に真空蒸着法，スパッタリング
法あるいは塗布法等により感光材料を積層させる。
材料からなる基体上にCds,ZnO,Si,Se,Se−Te合金,Se−A
s合金，有機感光材料等の光電変換機能を有する感光材
料と積層したものである。製法は、円筒状，ベルト状あ
るいは板状の導電性基体に真空蒸着法，スパッタリング
法あるいは塗布法等により感光材料を積層させる。
電子写真用感光体は、暗中で表面にコロナ放電により
電荷を受容し、原稿からの反射光やメモリからのレーザ
光などにより表面電荷による画像潜像を形成する。次い
で、画像潜像に対応する逆電荷をもつトナーと称する現
像剤を静電引力によって感光体表面に付着させ現像す
る。次に、普通紙をこの感光体表面にのせ、普通紙の上
からトナー電荷と逆極性のコロナ放電を行い、静電引力
によりトナーを紙の上に転写する。転写されたトナー、
すなわち画像は、熱転写ローラ等により紙の上に焼き付
けられる。一方、感光体上の残留電荷や残留トナーは、
光除電，コロナ放電による除電等により除去され、また
さらに残留したトナーは、プラスチック製あるいは毛製
のブレード，ブラシなどで機械的に除去される。
電荷を受容し、原稿からの反射光やメモリからのレーザ
光などにより表面電荷による画像潜像を形成する。次い
で、画像潜像に対応する逆電荷をもつトナーと称する現
像剤を静電引力によって感光体表面に付着させ現像す
る。次に、普通紙をこの感光体表面にのせ、普通紙の上
からトナー電荷と逆極性のコロナ放電を行い、静電引力
によりトナーを紙の上に転写する。転写されたトナー、
すなわち画像は、熱転写ローラ等により紙の上に焼き付
けられる。一方、感光体上の残留電荷や残留トナーは、
光除電，コロナ放電による除電等により除去され、また
さらに残留したトナーは、プラスチック製あるいは毛製
のブレード，ブラシなどで機械的に除去される。
上記のような電子写真用感光体の画像潜像の形成に用
いられる光は、白色光,He−Neレーザ光，半導体レーザ
光，発光ダイオード光等がある。ここで波長780nmの光
を発する半導体レーザを露光光源とする場合、感光材料
のセレン感光体や有機感光体はレーザ光が基体まで透過
し、基体表面での反射光が干渉光となり、これが画像に
再現され、例えば黒色画像に濃淡濃淡の縞模様が生じ、
画像濃度に悪影響を及ぼす。
いられる光は、白色光,He−Neレーザ光，半導体レーザ
光，発光ダイオード光等がある。ここで波長780nmの光
を発する半導体レーザを露光光源とする場合、感光材料
のセレン感光体や有機感光体はレーザ光が基体まで透過
し、基体表面での反射光が干渉光となり、これが画像に
再現され、例えば黒色画像に濃淡濃淡の縞模様が生じ、
画像濃度に悪影響を及ぼす。
この基体反射による干渉光は、基体表面の粗さや、微
細な波形形状により発生の仕方が決まる。
細な波形形状により発生の仕方が決まる。
本発明の課題は、上記の問題を解決し、感光体への画
像潜像形成のための露光光源として、例えば半導体レー
ザを用いほぼ780nmの波長の光を照射しても画像に基体
表面での反射光による干渉によって干渉縞の生ずること
のない電子写真用感光体装置を提供することにある。
像潜像形成のための露光光源として、例えば半導体レー
ザを用いほぼ780nmの波長の光を照射しても画像に基体
表面での反射光による干渉によって干渉縞の生ずること
のない電子写真用感光体装置を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明の電子写真装置は
画像潜像形成のための露光の波長がほぼ780nmであり、
感光体の導電性基体が （１） 最大高さ（Rmax） 0.4〜2.0μｍ （２） 表面うねり（Wc） 0.1〜0.6μｍ （３） 平均山間隔（Sm） ５〜30μｍ （４） 中心線平均粗さ（Ra） 0.1〜0.5μｍ （５） 十点平均粗さ（Rz） 0.3〜1.9μｍ の各条件を満足する表面を有するものとする。
画像潜像形成のための露光の波長がほぼ780nmであり、
感光体の導電性基体が （１） 最大高さ（Rmax） 0.4〜2.0μｍ （２） 表面うねり（Wc） 0.1〜0.6μｍ （３） 平均山間隔（Sm） ５〜30μｍ （４） 中心線平均粗さ（Ra） 0.1〜0.5μｍ （５） 十点平均粗さ（Rz） 0.3〜1.9μｍ の各条件を満足する表面を有するものとする。
基体表面が平滑になると乱反射が生せず、反射光の方
向が揃うため入射光との間にか干渉が起こる。従って表
面粗さの程度をあらわす各特性値に下限を設けてある程
度まで粗面化すると干渉の発生が防止できる。しかし、
粗面の程度が過大になると画像欠陥の発生の原因となる
ので各特性値には上限が設けられる。
向が揃うため入射光との間にか干渉が起こる。従って表
面粗さの程度をあらわす各特性値に下限を設けてある程
度まで粗面化すると干渉の発生が防止できる。しかし、
粗面の程度が過大になると画像欠陥の発生の原因となる
ので各特性値には上限が設けられる。
表面の粗さの程度の異なる50本のアルミニウム円筒基
体上にセレン系合金を同様に蒸着し、半導体レーザ光に
より黒色画像潜像を形成し、現像して表面の粗さと干渉
縞の発生率を調べた。第１図（ａ）は最大高さと干渉縞
発生率の関係を示し、0.35μｍより小さくなると濃淡濃
淡の干渉縞発生率が急上昇する。一方2.0μｍを超える
と、斜線を引いて示した画像欠陥発生領域に入る。従っ
て最大高さは0.4〜2.0μｍの範囲に限定される。第１図
（ｂ）は表面うねりWcと干渉縞発生率の関係を示し、表
面うねりが0.1μｍより小さくなると干渉縞発生率が高
くなり、0.1〜0.6μｍの範囲に限定されることがわか
る。第１図（ｃ）は平均山間隔Smと干渉縞発生率の関係
を示し、平均山間隔が５μｍより小さくすると干渉縞発
生率が上がり、５〜30μｍの範囲に限定されることがわ
かる。第１図（ｄ）は中心線平均粗さRaと干渉縞発生率
の関係を示し、中心線平均粗さRaが0.1μｍより小さく
なり、0.5μｍより大きくなると干渉縞発生率が上がる
ので、0.1〜0.5μｍの範囲に限定されることがわかる。
第１図（ｅ）は十点平均粗さRzと干渉縞発生率の関係を
示し、十点平均粗さRzが0.3μｍより小さくなると干渉
縞発生率が急増し、0.3〜1.9μｍの範囲に限定されるこ
とがわかる。
体上にセレン系合金を同様に蒸着し、半導体レーザ光に
より黒色画像潜像を形成し、現像して表面の粗さと干渉
縞の発生率を調べた。第１図（ａ）は最大高さと干渉縞
発生率の関係を示し、0.35μｍより小さくなると濃淡濃
淡の干渉縞発生率が急上昇する。一方2.0μｍを超える
と、斜線を引いて示した画像欠陥発生領域に入る。従っ
て最大高さは0.4〜2.0μｍの範囲に限定される。第１図
（ｂ）は表面うねりWcと干渉縞発生率の関係を示し、表
面うねりが0.1μｍより小さくなると干渉縞発生率が高
くなり、0.1〜0.6μｍの範囲に限定されることがわか
る。第１図（ｃ）は平均山間隔Smと干渉縞発生率の関係
を示し、平均山間隔が５μｍより小さくすると干渉縞発
生率が上がり、５〜30μｍの範囲に限定されることがわ
かる。第１図（ｄ）は中心線平均粗さRaと干渉縞発生率
の関係を示し、中心線平均粗さRaが0.1μｍより小さく
なり、0.5μｍより大きくなると干渉縞発生率が上がる
ので、0.1〜0.5μｍの範囲に限定されることがわかる。
第１図（ｅ）は十点平均粗さRzと干渉縞発生率の関係を
示し、十点平均粗さRzが0.3μｍより小さくなると干渉
縞発生率が急増し、0.3〜1.9μｍの範囲に限定されるこ
とがわかる。
本発明によれば、感光体の導電性基体の表面粗さの程
度を限定することにより、露光波長が780μｍ前後の場
合の感光層を透過後の基体表面での反射光を適宜散乱さ
せて干渉光とならぬようにし、画像に干渉縞が生ずるこ
とを防止すると共に画像欠陥の発生もない電子写真装置
を得ることができる。
度を限定することにより、露光波長が780μｍ前後の場
合の感光層を透過後の基体表面での反射光を適宜散乱さ
せて干渉光とならぬようにし、画像に干渉縞が生ずるこ
とを防止すると共に画像欠陥の発生もない電子写真装置
を得ることができる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は感光体の導電性基体表面の最大
高さ，表面うねり，平均山間隔，中心線平均粗さ，十点
平均粗さと画像の干渉縞発生率の関係をそれぞれ示す線
図である。
高さ，表面うねり，平均山間隔，中心線平均粗さ，十点
平均粗さと画像の干渉縞発生率の関係をそれぞれ示す線
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−150755（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−240247（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−112049（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−139153（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】画像潜像形成のための露光の波長がほぼ78
0nmであり、感光体の導電性基体が （１） 最大高さ（Rmax） 0.4〜2.0μｍ （２） 表面うねり（Wc） 0.1〜0.6μｍ （３） 平均山間隔（Sm） ５〜30μｍ （４） 中心線平均粗さ（Ra） 0.1〜0.5μｍ （５） 十点平均粗さ（Rz） 0.3〜1.9μｍ の各条件を満足する表面を有することを特徴とする電子
写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148990A JP2634061B2 (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148990A JP2634061B2 (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 電子写真装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316752A JPH01316752A (ja) | 1989-12-21 |
| JP2634061B2 true JP2634061B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=15465234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63148990A Expired - Lifetime JP2634061B2 (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2634061B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240662A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-09 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH031157A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及び画像形成方法 |
| JP2627231B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1997-07-02 | 株式会社リコー | 電子写真感光体用基体及びその製造方法 |
| JP3157784B2 (ja) | 1998-08-19 | 2001-04-16 | 新潟日本電気株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| WO2004079455A1 (ja) | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | 電子写真感光体用基体、該基体の製造方法および該基体を用いた電子写真感光体 |
| JP6454988B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2019-01-23 | 株式会社リコー | 感光体、画像形成装置、及びカートリッジ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150755A (en) * | 1981-02-20 | 1981-11-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Manufacture of substrate for electrophotographic receptor |
| JPS58139153A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS60112049A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS60166956A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Canon Inc | 感光体及びそれを用いた画像形成方法 |
| JPS61240247A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-25 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63148990A patent/JP2634061B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01316752A (ja) | 1989-12-21 |
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