JP2629751B2 - ４，４’−ビス（フタルイミド）ジフェニルスルホン誘導体およびその製造方法 - Google Patents
４，４’−ビス（フタルイミド）ジフェニルスルホン誘導体およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、新規な4,4′−ビス（フタルイミド）ジフ
ェニルスルホン誘導体およびその製造方法に関する。
ェニルスルホン誘導体およびその製造方法に関する。
（従来の技術） 従来より合成高分子用難燃剤として、各種の含ハロゲ
ン系難燃剤、含リン系難燃剤、含リン含ハロゲン系難燃
剤、無機化合物等が知られている。しかし一般にこれら
の難燃剤は、耐候性、耐熱性に欠点のあるものが多い。
また高分子に配合した際に高分子の持っている機械的特
性の低下や電気的性質の低下を引き起こしたり、高分子
が着色する等高分子本来の性質を低下させていた。その
他、高分子成形時に難燃剤の熱分解により成型槽が腐食
される等の欠点を有していた。
ン系難燃剤、含リン系難燃剤、含リン含ハロゲン系難燃
剤、無機化合物等が知られている。しかし一般にこれら
の難燃剤は、耐候性、耐熱性に欠点のあるものが多い。
また高分子に配合した際に高分子の持っている機械的特
性の低下や電気的性質の低下を引き起こしたり、高分子
が着色する等高分子本来の性質を低下させていた。その
他、高分子成形時に難燃剤の熱分解により成型槽が腐食
される等の欠点を有していた。
（発明が解決しようとする問題点） 近年高耐熱性高分子が開発されるに従い、高分子が使
用される温度も上昇してきている。それらの高耐熱性高
分子を難燃化するには、高分子が使用される温度におい
ても、熱的に安定な難燃剤が必要となる。また、難燃剤
を配合した高分子を屋外で使用することを考えた場合、
耐光性の良い難燃剤が必要になる。そこで本発明の目的
は特に高耐熱性、高耐光性の難燃剤として有用な化合物
を提供することにある。
用される温度も上昇してきている。それらの高耐熱性高
分子を難燃化するには、高分子が使用される温度におい
ても、熱的に安定な難燃剤が必要となる。また、難燃剤
を配合した高分子を屋外で使用することを考えた場合、
耐光性の良い難燃剤が必要になる。そこで本発明の目的
は特に高耐熱性、高耐光性の難燃剤として有用な化合物
を提供することにある。
（問題を解決する為の手段） 本発明者は上記事情に鑑み、各種化合物を合成し、高
耐熱性および高耐光性を有する難燃剤として好適に使用
し得る新規化合物について鋭意検討した結果、特定のハ
ロゲン含有化合物が係る条件を満足することを見いだ
し、本発明に到達したのである。
耐熱性および高耐光性を有する難燃剤として好適に使用
し得る新規化合物について鋭意検討した結果、特定のハ
ロゲン含有化合物が係る条件を満足することを見いだ
し、本発明に到達したのである。
すなわち本発明は一般式（１） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ＝０〜４、ｌ＝０〜
４、ｍ＝０〜４、ｎ＝０〜４、の数、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＞
１）で表わされる4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェ
ニルスルホン誘導体、一般式（２） （式中Ｘはハロゲン原子を表わし、ｋ＝０〜４の数）で
表わされる無水フタル酸化合物と一般式（３） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｌ＝０〜４の数、ｍ＝
０〜４の数）で表わされる4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン化合物とを反応させることを特徴とする4,4′
−ビス（フタルイミド）ジフェニルスルホン誘導体の製
造方法、及び無水フタル酸と4,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホンとを反応して得られる4,4′−ビス（フタル
イミド）ジフェニルスルホンをハロゲン化することを特
徴とする4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニルスル
ホン誘導体の製造方法を提供するものである。
４、ｍ＝０〜４、ｎ＝０〜４、の数、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＞
１）で表わされる4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェ
ニルスルホン誘導体、一般式（２） （式中Ｘはハロゲン原子を表わし、ｋ＝０〜４の数）で
表わされる無水フタル酸化合物と一般式（３） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｌ＝０〜４の数、ｍ＝
０〜４の数）で表わされる4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン化合物とを反応させることを特徴とする4,4′
−ビス（フタルイミド）ジフェニルスルホン誘導体の製
造方法、及び無水フタル酸と4,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホンとを反応して得られる4,4′−ビス（フタル
イミド）ジフェニルスルホンをハロゲン化することを特
徴とする4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニルスル
ホン誘導体の製造方法を提供するものである。
本発明の一般式（１）で表わされる4,4′−ビス（フ
タルイミド）ジフェニルスルホン誘導体は新規化合物で
あり、分子内に少なくとも１個のハロゲン原子を有する
ものである。ハロゲンとしては臭素、塩素が好ましい。
タルイミド）ジフェニルスルホン誘導体は新規化合物で
あり、分子内に少なくとも１個のハロゲン原子を有する
ものである。ハロゲンとしては臭素、塩素が好ましい。
本発明の一般式（１）で表わされる化合物の具体例を
あげると、4,4′−ビス（ジブロモフタルイミド）ジフ
ェニルスルホン、4,4′−ビス（トリブロモフタルイミ
ド）ジフェニルスルホン、4,4′−ビス（テトラブロモ
フタルイミド）ジフェニルスルンホン、4,4′−ビス
（ジブロモフタルイミド）−2.2′−ジブロモジフェニ
ルスルホン、4,4′−ビス（ジブロモフタルイミド）−
2,2′,6,6′−テトラブロモジフェニルスルホン、4,4′
−ビス（テトラブロモフタルイミド）−2,2′,6,6′−
テトラブロモジフェニルスルホン、4,4′−ビス（ジク
ロロフタルイミド）−2,2′−ジブロモジフェニルスル
ホン、4,4′−ビス（ジクロロフタルイミド）−2,2′,
6,6′−テトラブロモジフェニルスルホン、4,4′−ビス
（テトラクロロフタルイミド）−2,2′,6,6′−テトラ
ブロモジフェニルスルホン、4,4′−ビス（ジブロモフ
タルイミド）−2,2′−ジクロロジフェニルスルホン、
4,4′−ビス（ジブロモフタルイミド）−2,2′,6,6′−
テトラクロロジフェニルスルホン、4,4′−ビス（テト
ラブロモフタルイミド）−2,2′,6,6′−テトラクロロ
ジフェニルスルホン、4,4′−ビス（ジクロロフタルイ
ミド）−2,2′−ジクロロジフェニルスルホン、4,4′−
ビス（ジクロロフタルイミド）−2,2′,6,6′−テトラ
クロロジフェニルスルホン、4,4′−ビス（テトラクロ
ロフタルイミド）2,2′,6,6′−テトラクロロジフェニ
ルスルホン、4,4′−ビス（ジクロフタルイミド）ジフ
ェニルスルホン、4,4′−ビス（トリクロロフタルイミ
ド）ジフェニルスルホン、4,4′−ビス（テトラクロロ
フタルイミド）ジフェニルスルホン等をあげることがで
きる。
あげると、4,4′−ビス（ジブロモフタルイミド）ジフ
ェニルスルホン、4,4′−ビス（トリブロモフタルイミ
ド）ジフェニルスルホン、4,4′−ビス（テトラブロモ
フタルイミド）ジフェニルスルンホン、4,4′−ビス
（ジブロモフタルイミド）−2.2′−ジブロモジフェニ
ルスルホン、4,4′−ビス（ジブロモフタルイミド）−
2,2′,6,6′−テトラブロモジフェニルスルホン、4,4′
−ビス（テトラブロモフタルイミド）−2,2′,6,6′−
テトラブロモジフェニルスルホン、4,4′−ビス（ジク
ロロフタルイミド）−2,2′−ジブロモジフェニルスル
ホン、4,4′−ビス（ジクロロフタルイミド）−2,2′,
6,6′−テトラブロモジフェニルスルホン、4,4′−ビス
（テトラクロロフタルイミド）−2,2′,6,6′−テトラ
ブロモジフェニルスルホン、4,4′−ビス（ジブロモフ
タルイミド）−2,2′−ジクロロジフェニルスルホン、
4,4′−ビス（ジブロモフタルイミド）−2,2′,6,6′−
テトラクロロジフェニルスルホン、4,4′−ビス（テト
ラブロモフタルイミド）−2,2′,6,6′−テトラクロロ
ジフェニルスルホン、4,4′−ビス（ジクロロフタルイ
ミド）−2,2′−ジクロロジフェニルスルホン、4,4′−
ビス（ジクロロフタルイミド）−2,2′,6,6′−テトラ
クロロジフェニルスルホン、4,4′−ビス（テトラクロ
ロフタルイミド）2,2′,6,6′−テトラクロロジフェニ
ルスルホン、4,4′−ビス（ジクロフタルイミド）ジフ
ェニルスルホン、4,4′−ビス（トリクロロフタルイミ
ド）ジフェニルスルホン、4,4′−ビス（テトラクロロ
フタルイミド）ジフェニルスルホン等をあげることがで
きる。
つぎに、本発明の4,4′−ビス（フタルイミド）ジフ
ェニルスルホン誘導体の製造方法について具体的に説明
する。製造法としては、無水フタル酸化合物と4,4′−
ジアミノジフェニルスルホン化合物とを反応させる方
法、無水フタル酸と4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ンの反応後にハロゲン化する方法があげられる。
ェニルスルホン誘導体の製造方法について具体的に説明
する。製造法としては、無水フタル酸化合物と4,4′−
ジアミノジフェニルスルホン化合物とを反応させる方
法、無水フタル酸と4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ンの反応後にハロゲン化する方法があげられる。
第一の方法である無水フタル酸化合物と4,4′−ジア
ミノジフェニルスルホン化合物とを反応させる方法にお
いては一般式（２） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ＝０〜４の数）で表
わされる無水フタル酸化合物、例えば無水フタル酸、２
−ブロモ無水フタル酸、３−ブロモ無水フタル酸、2,3
−ジブロモ無水フタル酸、2,4−ジブロモ無水フタル
酸、2,5−ジブロモ無水フタル酸、3,4−ジブロモ無水フ
タル酸、2,3,4−トリブロモ無水フタル酸、2,3,5−トリ
ブロモ無水フタル酸、2,3,4,5−テトラブロモ無水フタ
ル酸、２−クロロ無水フタル酸、３−クロロ無水フタル
酸、2,3−ジクロロ無水フタル酸、2,4−ジクロロ無水フ
タル酸、2,5−ジクロロ無水フタル酸、3,4−ジクロロ無
水フタル酸、2,3,4−トリクロロ無水フタル酸、2,3,5−
トリクロロ無水フタル酸、2,3,4,5−テトラクロロ無水
フタル酸等と一般式（３） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｌ＝０〜４の数、ｍ＝
０〜４の数）で表わされる4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン化合物、例えば4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、3,5,3′,5′−テトラブロモ−4,4′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、2,3,5,6,2′,3′,5′,6′−オク
タブロモ4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,5,
3′,5′−テトラクロル−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、2,3,5,6,2′,3′,5′,6′−オクタクロル−4,
4′−ジアミノジフェニルスルホン等を反応させ一般式
（１） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ＝０〜４、ｌ＝０〜
４、ｍ＝０〜４、ｎ＝０〜４、の数、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＞
１）で表わされる化合物を得るものである。
ミノジフェニルスルホン化合物とを反応させる方法にお
いては一般式（２） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ＝０〜４の数）で表
わされる無水フタル酸化合物、例えば無水フタル酸、２
−ブロモ無水フタル酸、３−ブロモ無水フタル酸、2,3
−ジブロモ無水フタル酸、2,4−ジブロモ無水フタル
酸、2,5−ジブロモ無水フタル酸、3,4−ジブロモ無水フ
タル酸、2,3,4−トリブロモ無水フタル酸、2,3,5−トリ
ブロモ無水フタル酸、2,3,4,5−テトラブロモ無水フタ
ル酸、２−クロロ無水フタル酸、３−クロロ無水フタル
酸、2,3−ジクロロ無水フタル酸、2,4−ジクロロ無水フ
タル酸、2,5−ジクロロ無水フタル酸、3,4−ジクロロ無
水フタル酸、2,3,4−トリクロロ無水フタル酸、2,3,5−
トリクロロ無水フタル酸、2,3,4,5−テトラクロロ無水
フタル酸等と一般式（３） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｌ＝０〜４の数、ｍ＝
０〜４の数）で表わされる4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン化合物、例えば4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、3,5,3′,5′−テトラブロモ−4,4′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、2,3,5,6,2′,3′,5′,6′−オク
タブロモ4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,5,
3′,5′−テトラクロル−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、2,3,5,6,2′,3′,5′,6′−オクタクロル−4,
4′−ジアミノジフェニルスルホン等を反応させ一般式
（１） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ＝０〜４、ｌ＝０〜
４、ｍ＝０〜４、ｎ＝０〜４、の数、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＞
１）で表わされる化合物を得るものである。
反応時の無水フタル酸化合物の割合は、4,4′−ジア
ミノジフェニルスルホン化合物に対して２倍モル以上で
あり、好ましくは２〜2.5倍モルである。
ミノジフェニルスルホン化合物に対して２倍モル以上で
あり、好ましくは２〜2.5倍モルである。
反応は、溶媒中で行うのが好ましく、少なくとも水と
共沸混合物を形成しうるベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン等のベンゼン系溶媒を単独または混
合して使用しうる。これらの溶媒の他にジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等の他の溶媒を併用しても何ら差し支えない。
共沸混合物を形成しうるベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン等のベンゼン系溶媒を単独または混
合して使用しうる。これらの溶媒の他にジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等の他の溶媒を併用しても何ら差し支えない。
反応温度としては、反応において生成する水を、水−
溶媒共沸混合物として除去しうる温度であればなんらさ
しつかえないが、50〜200℃好ましくは80〜160℃で行え
ば良い。反応時間も他の条件により適宜選択され特に制
限はないが、30分以上好ましくは１時間以上とすれば良
い。
溶媒共沸混合物として除去しうる温度であればなんらさ
しつかえないが、50〜200℃好ましくは80〜160℃で行え
ば良い。反応時間も他の条件により適宜選択され特に制
限はないが、30分以上好ましくは１時間以上とすれば良
い。
第二の方法は、無水フタル酸と4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルホンとを反応して得られる4,4′−ビス（フ
タルイミド）ジフェニルスルホンをハロゲン化する方法
である。
ェニルスルホンとを反応して得られる4,4′−ビス（フ
タルイミド）ジフェニルスルホンをハロゲン化する方法
である。
無水フタル酸は4,4′−ジアミノジフェニルスルホン
に対して２倍モル以上、好ましくは２〜2.5倍モルで、
少なくとも一種の水と共沸混合物を形成するベンゼン系
溶媒中で反応を行う。
に対して２倍モル以上、好ましくは２〜2.5倍モルで、
少なくとも一種の水と共沸混合物を形成するベンゼン系
溶媒中で反応を行う。
反応温度としては、反応において生成する水を水−溶
媒共沸混合物として除去しうる温度であればなんらさし
つかえないが、50〜200℃好ましくは80〜160℃で行えば
良い。反応時間も他の条件により適宜選択され特に制限
はないが、30分以上好ましくは１時間以上とすれば良
い。
媒共沸混合物として除去しうる温度であればなんらさし
つかえないが、50〜200℃好ましくは80〜160℃で行えば
良い。反応時間も他の条件により適宜選択され特に制限
はないが、30分以上好ましくは１時間以上とすれば良
い。
その後に4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニルス
ルホンをハロゲン化すれば良い。
ルホンをハロゲン化すれば良い。
ハロゲン化は、Br2、Cl2、BrCl等のハロゲン化試剤が
使用され、SbCl5、Fe等のハロゲン化触媒とBr2−CH2C
l2、SO3−H2SO4等の反応溶媒中で行われる。ハロゲン化
試剤量は、4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニルス
ルホンに対して50倍モル以下、反応温度は−50℃〜100
℃好ましくは−20℃〜50℃で１時間〜20時間反応させれ
ば良い。
使用され、SbCl5、Fe等のハロゲン化触媒とBr2−CH2C
l2、SO3−H2SO4等の反応溶媒中で行われる。ハロゲン化
試剤量は、4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニルス
ルホンに対して50倍モル以下、反応温度は−50℃〜100
℃好ましくは−20℃〜50℃で１時間〜20時間反応させれ
ば良い。
（効果） 本発明の新規化合物4,4′−ビス（フタルイミド）ジ
フェニルスルホン誘導体は融点の高い耐候性、耐熱性に
優れた高分子用難燃剤として有用である。
フェニルスルホン誘導体は融点の高い耐候性、耐熱性に
優れた高分子用難燃剤として有用である。
（実施例） 以下、実施例に従って本発明を更に詳しく説明するが
本発明はこれらのみによって限定されるものではない。
本発明はこれらのみによって限定されるものではない。
実施例 １ 塩化カルシウム管付き冷却コンデンサー、水分離器、
パワースターラーを装備した３の平底四つ口セパラブ
ルフラスコに、テトラブロモフタル酸無水物268.0g（57
7.9mmol）、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン71.8g
（289.0mmol）、ジメチルアセトアミド1100ml、エチル
ベンゼン500mlを順次添加した。次にオイルバス上で撹
はんしながら80℃まで昇温し、均一溶液とした。さらに
１時間かけて136℃まで昇温し、エチルベンゼン水共沸
条件として系内の生成水を除去した。水の留出に伴い結
晶が析出した。４時間後に水の留出が終了し、撹はんを
止め室温まで放冷した。析出した結晶をろ過し、ジメチ
ルアセトアミド200ml、イソプロピルアルコール500mlで
順次通洗後、乾燥（200℃×２時間）することにより淡
黄色の結晶を得た。結晶の融点は300℃以上であった。
得られた物質のIRスペクトルを測定したところ、1760cm
-1の酸無水物のＣ＝Ｏ伸縮振動が消失し、新たに1712cm
-1にフタルイミドのＣ＝Ｏ伸縮振動が生成したことによ
り、フタルイミド骨格が形成されたことがわかった。ま
た1340cm-1にＯ＝Ｓ＝Ｃの伸縮振動、1120cm-1にＯ＝Ｓ
＝Ｃの逆対称伸縮振動が見られた。また元素分析値はC:
29.6％、H:0.8％、Br:56.3％、N:2.5％（計算値C:29.51
％、H:0.71％、Br:56.09％、N:2.46％）であり一致して
いた。またTSK GEL G−1000H（東ソー株式会社）のカラ
ム（溶離液テトラヒドロフラン）により高速ゲル浸透ク
ロマトグラフィーによる分析で、純粋であることを確認
した。以上の事により、一般式（１）のＸがBr、ｋ＝ｎ
＝４、ｌ＝ｍ＝０の化合物が合成されたことを確認し
た。
パワースターラーを装備した３の平底四つ口セパラブ
ルフラスコに、テトラブロモフタル酸無水物268.0g（57
7.9mmol）、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン71.8g
（289.0mmol）、ジメチルアセトアミド1100ml、エチル
ベンゼン500mlを順次添加した。次にオイルバス上で撹
はんしながら80℃まで昇温し、均一溶液とした。さらに
１時間かけて136℃まで昇温し、エチルベンゼン水共沸
条件として系内の生成水を除去した。水の留出に伴い結
晶が析出した。４時間後に水の留出が終了し、撹はんを
止め室温まで放冷した。析出した結晶をろ過し、ジメチ
ルアセトアミド200ml、イソプロピルアルコール500mlで
順次通洗後、乾燥（200℃×２時間）することにより淡
黄色の結晶を得た。結晶の融点は300℃以上であった。
得られた物質のIRスペクトルを測定したところ、1760cm
-1の酸無水物のＣ＝Ｏ伸縮振動が消失し、新たに1712cm
-1にフタルイミドのＣ＝Ｏ伸縮振動が生成したことによ
り、フタルイミド骨格が形成されたことがわかった。ま
た1340cm-1にＯ＝Ｓ＝Ｃの伸縮振動、1120cm-1にＯ＝Ｓ
＝Ｃの逆対称伸縮振動が見られた。また元素分析値はC:
29.6％、H:0.8％、Br:56.3％、N:2.5％（計算値C:29.51
％、H:0.71％、Br:56.09％、N:2.46％）であり一致して
いた。またTSK GEL G−1000H（東ソー株式会社）のカラ
ム（溶離液テトラヒドロフラン）により高速ゲル浸透ク
ロマトグラフィーによる分析で、純粋であることを確認
した。以上の事により、一般式（１）のＸがBr、ｋ＝ｎ
＝４、ｌ＝ｍ＝０の化合物が合成されたことを確認し
た。
上記で得られた化合物の熱安定性を、TGAにより下記
条件で分析し結果を表１に示した。
条件で分析し結果を表１に示した。
Gas Air Gas flow 30.50ml/min Rate 10℃/min Hold 30min Temp rt〜500℃ ここで示した様に、極めて耐熱性の高い化合物が合成出
来た。
来た。
実施例 ２ 塩化カルシウム管付き冷却コンデンサー、水分離器、
パワースターラーを装備した200mlの四つ口フラスコ
に、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン9.30g（37.5mm
ol）と無水フタル酸11.1g（74.9mmol）とエチルベンゼ
ン20ml、ジメチルアセトアミド20mlを順次添加した。次
にオイルバス上で撹はんしながら80℃まで昇温し、均一
溶液とした。さらに１時間かけて150℃まで昇温しエチ
ルベンゼン水共沸条件とし、系内の生成水を除去した。
４時間後水の留出が終了した後エチルベンゼンをさらに
100ml加え、撹はんを止め室温まで放冷した。結晶をろ
過しエチルベンゼン100ml、四塩化炭素100mlで順次通洗
後、乾燥（140℃×２時間）することにより淡黄色の結
晶を得た。結晶の融点は300℃以上であった。得られた
物質のIRスペクトルを測定してみると、1765cm-1の酸無
水物のＣ＝Ｏ伸縮振動が消失し新たに1750cm-1にフタル
イミドのＣ＝Ｏ伸縮振動が生成しており、フタルイミド
骨格が形成されたと判断した。また1320cm-1にＯ＝Ｓ＝
Ｃの伸縮振動、1105cm-1にＯ＝Ｓ＝Ｏの逆対称伸縮振動
が見られた。また元素分析値はC:66.1％、H:3.3％、N:
5.6％（計算値C:66.14％、Ｈ＝3.17％、N:5.51％）であ
り一致していた。またTSK GEL G−1000H（東ソー株式会
社）のカラム（溶離液テトラヒドロフラン）による高速
ゲル浸透クロマトグラフィーによる分析で、純粋である
ことを確認した。
パワースターラーを装備した200mlの四つ口フラスコ
に、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン9.30g（37.5mm
ol）と無水フタル酸11.1g（74.9mmol）とエチルベンゼ
ン20ml、ジメチルアセトアミド20mlを順次添加した。次
にオイルバス上で撹はんしながら80℃まで昇温し、均一
溶液とした。さらに１時間かけて150℃まで昇温しエチ
ルベンゼン水共沸条件とし、系内の生成水を除去した。
４時間後水の留出が終了した後エチルベンゼンをさらに
100ml加え、撹はんを止め室温まで放冷した。結晶をろ
過しエチルベンゼン100ml、四塩化炭素100mlで順次通洗
後、乾燥（140℃×２時間）することにより淡黄色の結
晶を得た。結晶の融点は300℃以上であった。得られた
物質のIRスペクトルを測定してみると、1765cm-1の酸無
水物のＣ＝Ｏ伸縮振動が消失し新たに1750cm-1にフタル
イミドのＣ＝Ｏ伸縮振動が生成しており、フタルイミド
骨格が形成されたと判断した。また1320cm-1にＯ＝Ｓ＝
Ｃの伸縮振動、1105cm-1にＯ＝Ｓ＝Ｏの逆対称伸縮振動
が見られた。また元素分析値はC:66.1％、H:3.3％、N:
5.6％（計算値C:66.14％、Ｈ＝3.17％、N:5.51％）であ
り一致していた。またTSK GEL G−1000H（東ソー株式会
社）のカラム（溶離液テトラヒドロフラン）による高速
ゲル浸透クロマトグラフィーによる分析で、純粋である
ことを確認した。
上記で得られた4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェ
ニルスルホン1.0gにconc−H2SO44.0ml、SO38.0ml、Fe50
mg、ヨウ素1mgを順次添加した。その後Br23.6mlを40℃
で４時間かけて滴下した。40℃で２時間撹はんした後に
100℃に昇温しBr2とSO3を留去した。室温まで冷却した
後に200mlの水に加えた。生じた沈殿をろ過し、イソプ
ロピルアルコール50mlで洗浄し200℃で２時間乾燥する
ことで淡黄色の結晶を得た。得らた物質のIRスペクトル
を測定してみると、1712cm-1にフタルイミドのＣ＝Ｏ伸
縮振動、また1340cm-1にＯ＝Ｓ＝Ｏの伸縮振動、1120cm
-1にＯ＝Ｓ＝Ｏの逆対称伸縮振動が見られた。また元素
分析値はC:29.8％、H:0.9％、Br:54.1％、N:2.5％（計
算値C:29.51％、H:0.71％、Br:56.09％、N:2.46％）で
あり、4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニルスルホ
ン−分子当たり7.6個の臭素が導入されていた。またTSK
GEL G−1000H（東ソー株式会社）のカラム（溶離液テ
トラヒドロフラン）による高速ゲル浸透クロマトグラフ
ィーによる分析で、純粋であることを確認した。以上の
事より、一般式（１）のＸがBrでｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝7.6
の化合物が合成されたことを確認した。
ニルスルホン1.0gにconc−H2SO44.0ml、SO38.0ml、Fe50
mg、ヨウ素1mgを順次添加した。その後Br23.6mlを40℃
で４時間かけて滴下した。40℃で２時間撹はんした後に
100℃に昇温しBr2とSO3を留去した。室温まで冷却した
後に200mlの水に加えた。生じた沈殿をろ過し、イソプ
ロピルアルコール50mlで洗浄し200℃で２時間乾燥する
ことで淡黄色の結晶を得た。得らた物質のIRスペクトル
を測定してみると、1712cm-1にフタルイミドのＣ＝Ｏ伸
縮振動、また1340cm-1にＯ＝Ｓ＝Ｏの伸縮振動、1120cm
-1にＯ＝Ｓ＝Ｏの逆対称伸縮振動が見られた。また元素
分析値はC:29.8％、H:0.9％、Br:54.1％、N:2.5％（計
算値C:29.51％、H:0.71％、Br:56.09％、N:2.46％）で
あり、4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニルスルホ
ン−分子当たり7.6個の臭素が導入されていた。またTSK
GEL G−1000H（東ソー株式会社）のカラム（溶離液テ
トラヒドロフラン）による高速ゲル浸透クロマトグラフ
ィーによる分析で、純粋であることを確認した。以上の
事より、一般式（１）のＸがBrでｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝7.6
の化合物が合成されたことを確認した。
上記で得られた化合物の熱安定性を、実施例１に示し
た方法と同様な条件で分析した。結果は実施例１の場合
と同様であった。
た方法と同様な条件で分析した。結果は実施例１の場合
と同様であった。
Claims (3)
- 【請求項１】一般式（１） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ＝０〜４、ｌ＝０〜
４、ｍ＝０〜４、ｎ＝０〜４、の数、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＞
１）で表される4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニ
ルスルホン誘導体。 - 【請求項２】一般式（２） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ＝０〜４の数）で表
される無水フタル酸化合物と一般式（３） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｌ＝０〜４、ｍ＝０〜
４の数）で表される4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン化合物とを反応させることを特徴とする一般式（１） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ＝０〜４、ｌ＝０〜
４、ｍ＝０〜４、ｎ＝０〜４、の数、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＞
１）で表される4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニ
ルスルホン誘導体の製造方法。 - 【請求項３】無水フタル酸と4,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホンとを反応して得られる4,4′−ビス（フタル
イミド）ジフェニルスルホンをハロゲン化することを特
徴とする一般式（１） （式中Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ＝０〜４、ｌ＝０〜
４、ｍ＝０〜４、ｎ＝０〜４、の数、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＞
１）で表される4,4′−ビス（フタルイミド）ジフェニ
ルスルホン誘導体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308768A JP2629751B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | ４，４’−ビス（フタルイミド）ジフェニルスルホン誘導体およびその製造方法 |
| IL88582A IL88582A (en) | 1987-12-08 | 1988-12-05 | 4,4)-bis (phthalimido) diphenyl sulfone compounds, processes for their production and flame retardant polymer compositions containing them |
| DE3888473T DE3888473T2 (de) | 1987-12-08 | 1988-12-06 | 4,4'-Bis(phthalimid)diphenyl-sulfon-Derivate, Verfahren zu ihrer Herstellung und feuerhemmende Polymerzusammensetzungen, die sie enthalten. |
| EP88120362A EP0319916B1 (en) | 1987-12-08 | 1988-12-06 | 4,4'-Bis(phthalimid)diphenyl sulfone compounds, processes for their production and flame retardant polymer compositions containing them |
| CA000585265A CA1330563C (en) | 1987-12-08 | 1988-12-07 | "4,4'-bis(phthalimido)diphenyl sulfone compounds, processes for their production and flame retardant polymer compositions containing them |
| US07/281,045 US4940802A (en) | 1987-12-08 | 1988-12-08 | 4,4'-bis(phthalimido)diphenyl sulfone compounds, processes for their production and flame retardant polymer compositions containing them |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308768A JP2629751B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | ４，４’−ビス（フタルイミド）ジフェニルスルホン誘導体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149767A JPH01149767A (ja) | 1989-06-12 |
| JP2629751B2 true JP2629751B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=17985065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62308768A Expired - Lifetime JP2629751B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | ４，４’−ビス（フタルイミド）ジフェニルスルホン誘導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2629751B2 (ja) |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP62308768A patent/JP2629751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01149767A (ja) | 1989-06-12 |
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