JP2627628B2 - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
- C09K19/12—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings at least two benzene rings directly linked, e.g. biphenyls
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は熱光学効果を利用した熱書込み型液晶表示装
置に用いる液晶組成物に係り、その特性として極めて狭
いネマチツク相を有し、かつ、融点の低いスメチツク相
を有することを特徴とした液晶組成物に関するものであ
る。
置に用いる液晶組成物に係り、その特性として極めて狭
いネマチツク相を有し、かつ、融点の低いスメチツク相
を有することを特徴とした液晶組成物に関するものであ
る。
昨今の液晶表示素子の進展は目覚しいものがあるが、
その主流はネマチツク液晶の応用に関するものが殆んど
である。その一方で、他の液晶相の特性を利用した異つ
た動作モードによる表示装置の研究も実用化に向けて盛
んに行われており、これらの中の一つのスメクチツクＡ
相の熱光学効果を利用した熱書込み投写装置がある。こ
のような装置の方式では、従来のTN型（ツイステツドネ
マチツク型）と比較して桁違いの大面積、大容量表示が
可能となる。
その主流はネマチツク液晶の応用に関するものが殆んど
である。その一方で、他の液晶相の特性を利用した異つ
た動作モードによる表示装置の研究も実用化に向けて盛
んに行われており、これらの中の一つのスメクチツクＡ
相の熱光学効果を利用した熱書込み投写装置がある。こ
のような装置の方式では、従来のTN型（ツイステツドネ
マチツク型）と比較して桁違いの大面積、大容量表示が
可能となる。
このような分野に用いられる液晶材料に要求される特
性としてつぎのようなことがあげられる。
性としてつぎのようなことがあげられる。
１） 広いスメクチツクＡ相を有すること（好ましくは
０〜−20℃以下までスメチツクＡ相を有すること。）。
０〜−20℃以下までスメチツクＡ相を有すること。）。
２） 極めて狭いネマチツク相を有すること。
３） 複屈折率が大きいこと。
４） 比熱・相転移エネルギーが小さいこと。
５） 誘電異方性が大きいこと。
これらの中では、とりわけ１）、２）、３）項が投与
画面などのコントラストなど表示品位をよくするために
重要と思われる。これらの特性を有する液晶材料として
は現在のところ単一化合物では見当らないため、種々の
液晶化合物の混合系が検討されている。これらの例とし
ては、つぎのような一般式で示される化合物の混合系が
ある。
画面などのコントラストなど表示品位をよくするために
重要と思われる。これらの特性を有する液晶材料として
は現在のところ単一化合物では見当らないため、種々の
液晶化合物の混合系が検討されている。これらの例とし
ては、つぎのような一般式で示される化合物の混合系が
ある。
その組成の例としては表１に示すようなものがある。
｛ここで、mp;融点（℃）、SN点；ヌメクチツク・ネマ
チツク転移点（℃）、NI点；ネマチツク・アイソトロピ
ツク移転点（℃）、NR;ネマチツクレンジ（℃）〔＝NI
点（℃）−SN点（℃）〕である。また組成の数字は式と
ｎの数を表す（例えばI8はｎ＝８の式Ｉの化合物を意味
する）。｝ 組成物ａでは、ネマチツクレンジが0.5℃と極めて狭
いが融点が24℃と高く室温付近であるため実験的として
はともかくも、実用的には使い難い材料である。一方、
組成物ｅ、ｆでは融点が−30℃、−32.7℃とからに低い
がネマチツクレンジが3.2℃、2.6℃と広くなつており必
ずしも満足するべきものではない。
チツク転移点（℃）、NI点；ネマチツク・アイソトロピ
ツク移転点（℃）、NR;ネマチツクレンジ（℃）〔＝NI
点（℃）−SN点（℃）〕である。また組成の数字は式と
ｎの数を表す（例えばI8はｎ＝８の式Ｉの化合物を意味
する）。｝ 組成物ａでは、ネマチツクレンジが0.5℃と極めて狭
いが融点が24℃と高く室温付近であるため実験的として
はともかくも、実用的には使い難い材料である。一方、
組成物ｅ、ｆでは融点が−30℃、−32.7℃とからに低い
がネマチツクレンジが3.2℃、2.6℃と広くなつており必
ずしも満足するべきものではない。
ネマチツクレンジは表示素子の書込み速度や表示コン
トラストに影響をおよぼす要因であり、ネマチツクレン
ジが広くなると書込みの速度の低下、コントラストの低
下に結びつく。すなわち、ネマチツクレンジが広いと熱
書込みの際に、等方性液体からネマチツク相を経て不透
明なスメクチツク相を形成させる過程において、ネマチ
ツク相で長い冷却時間を要することになり、書込み速度
を遅くする要因となる。一方、ネマチツク相状態である
時間が長くなると配向処理（垂直配向もしくはホモジニ
アス配向）した基板によつて、液晶が配向してしまい散
乱したスメクチツクＡ相が得られなくなりコントラスト
の低下の要因となる。
トラストに影響をおよぼす要因であり、ネマチツクレン
ジが広くなると書込みの速度の低下、コントラストの低
下に結びつく。すなわち、ネマチツクレンジが広いと熱
書込みの際に、等方性液体からネマチツク相を経て不透
明なスメクチツク相を形成させる過程において、ネマチ
ツク相で長い冷却時間を要することになり、書込み速度
を遅くする要因となる。一方、ネマチツク相状態である
時間が長くなると配向処理（垂直配向もしくはホモジニ
アス配向）した基板によつて、液晶が配向してしまい散
乱したスメクチツクＡ相が得られなくなりコントラスト
の低下の要因となる。
融点については、０℃以下であれば通常の用途には供
し得るものと思われる。それは、熱書込み型液晶表示装
置は屋内で使用されるため、０℃以下の環境下では通常
使用されないと考えられるからである。
し得るものと思われる。それは、熱書込み型液晶表示装
置は屋内で使用されるため、０℃以下の環境下では通常
使用されないと考えられるからである。
熱書込み用液晶組成物としては、前記組成物以外にも
特開昭60−144383、特開昭60−252686、特開昭61−2687
90などが知られているが、ネマチツクレンジが２℃以下
で融点が０℃以下を合わせもつ組成物は見当らない。
特開昭60−144383、特開昭60−252686、特開昭61−2687
90などが知られているが、ネマチツクレンジが２℃以下
で融点が０℃以下を合わせもつ組成物は見当らない。
本発明者らは上記従来技術の問題点を解決すべく鋭意
研究を重ねた結果、ネマチツクレンジが２℃以下で融点
が０℃以下の液晶組成物を得ることに成功した。すなわ
ち、本発明の目的は、熱書込み液晶表示素子用の液晶組
成物および該組成物を用いた液晶表示素子を提供するこ
とであり、更に詳しくは、その特性として極めて狭いネ
マチツクレンジを有し、かつ、融点の低い相転移を有す
る液晶組成物および該組成物を用いた熱書込み液晶表示
素子を提供することである。
研究を重ねた結果、ネマチツクレンジが２℃以下で融点
が０℃以下の液晶組成物を得ることに成功した。すなわ
ち、本発明の目的は、熱書込み液晶表示素子用の液晶組
成物および該組成物を用いた液晶表示素子を提供するこ
とであり、更に詳しくは、その特性として極めて狭いネ
マチツクレンジを有し、かつ、融点の低い相転移を有す
る液晶組成物および該組成物を用いた熱書込み液晶表示
素子を提供することである。
本発明の第一の発明の液晶組成物は、４−ｎ−オクチ
ル−４′−シアノビフエニル、４−ｎ−ドデシル−４′
−シアノビフエニルおよび、一般式 （ここで、R1は炭素数９、10もしくは11のアルキル基を
示す）で示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフ
エニルの少くとも１種からなるＡ成分、および一般式 （ここで、R2は炭素数８もしくは９のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフエニルの少くとも１種および、一般式 （ここで、R3は炭素数11もしくは12のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフエニルの少くとも１種からなるＢ成分を含有
し、Ａ成分とＢ成分の比率が95:5ないし45:55であるこ
とを特徴とする。
ル−４′−シアノビフエニル、４−ｎ−ドデシル−４′
−シアノビフエニルおよび、一般式 （ここで、R1は炭素数９、10もしくは11のアルキル基を
示す）で示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフ
エニルの少くとも１種からなるＡ成分、および一般式 （ここで、R2は炭素数８もしくは９のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフエニルの少くとも１種および、一般式 （ここで、R3は炭素数11もしくは12のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフエニルの少くとも１種からなるＢ成分を含有
し、Ａ成分とＢ成分の比率が95:5ないし45:55であるこ
とを特徴とする。
また、上記Ａ成分とＢ成分に一般式 （ここで、R4は炭素数８もしくは12のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルコキシ−４′−シアノビフ
エニルの少くとも１種のＣ成分を加えた液晶組成物であ
る。
す）で示される４−ｎ−アルコキシ−４′−シアノビフ
エニルの少くとも１種のＣ成分を加えた液晶組成物であ
る。
本発明の液晶組成物のＡ成分中の組成比は、４−ｎ−
オクチル−４′−シアノビフエニルと４−ｎ−ドデシル
−４′−シアノビフエニルの重量比が1:1ないし9:1であ
り、好ましくは3:2ないし4:1である。また、（Ｉ）式で
示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフエニルの
具体的な化合物名としては、（ａ）４−ｎ−ノニル−
４′−シアノビフエニル、（ｂ）４−ｎ−デシル−４′
−シアノビフエニル、（ｃ）４−ｎ−ウンデシル−４′
−シアノビフエニル、であり。４−ｎ−オクチル４′−
シアノビフエニルおよび４−ｎ−ドデシル−４′−シア
ノビフエニルがＡ成分中に40％以上含まれる。好ましく
は（ａ）と（ｂ）もしくは／および（ｃ）との混合系で
使用するのがよく、その好ましい使用重量比は7:3ない
し3:7であり、より好ましくは1:1である。
オクチル−４′−シアノビフエニルと４−ｎ−ドデシル
−４′−シアノビフエニルの重量比が1:1ないし9:1であ
り、好ましくは3:2ないし4:1である。また、（Ｉ）式で
示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフエニルの
具体的な化合物名としては、（ａ）４−ｎ−ノニル−
４′−シアノビフエニル、（ｂ）４−ｎ−デシル−４′
−シアノビフエニル、（ｃ）４−ｎ−ウンデシル−４′
−シアノビフエニル、であり。４−ｎ−オクチル４′−
シアノビフエニルおよび４−ｎ−ドデシル−４′−シア
ノビフエニルがＡ成分中に40％以上含まれる。好ましく
は（ａ）と（ｂ）もしくは／および（ｃ）との混合系で
使用するのがよく、その好ましい使用重量比は7:3ない
し3:7であり、より好ましくは1:1である。
本発明の液晶組成物のＢ成分中の組成比は、式（II）
で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シアノ
ビフエニルの少くとも１種と式（III）で示される４−
ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シアノビフエニルの少
くとも１種の比率が55:45ないし95:5である。
で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シアノ
ビフエニルの少くとも１種と式（III）で示される４−
ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シアノビフエニルの少
くとも１種の比率が55:45ないし95:5である。
本発明の液晶組成物のＡ成分とＢ成分の比率は、95:5
ないし45:55である。Ｂ成分が55％以上になると融点が
高くなり、また５％以下になると融点の低下の効果が少
であり、NRへの影響も小さくなる。
ないし45:55である。Ｂ成分が55％以上になると融点が
高くなり、また５％以下になると融点の低下の効果が少
であり、NRへの影響も小さくなる。
本発明の液晶組成物のＣ成分は、（IV）式で示される
４−ｎ−アルコキシ−４′−シアノビフエニルの少くと
も１種であるが、２種以上を使用するのが好ましい。使
用料は組成全体の25％以下であり、好ましくは20％以下
である。20％以上になると融点等に悪影響をおよぼす。
４−ｎ−アルコキシ−４′−シアノビフエニルの少くと
も１種であるが、２種以上を使用するのが好ましい。使
用料は組成全体の25％以下であり、好ましくは20％以下
である。20％以上になると融点等に悪影響をおよぼす。
本発明の第二の発明の液晶表示素子は、４−ｎ−オク
チル−４′−シアノビフエニル、４−ｎ−ドデシル−
４′−シアノビフエニルおよび、一般式 （ここで、R1は炭素数９、10もしくは11のアルキル基を
示す）で示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフ
エニルの少くとも１種からなるＡ成分、および 一般式 （ここで、R2は炭素数８もしくは９のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフエニルの少くとも１種、および一般式 （ここで、R3は炭素数11もしくは12のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフエニルの少くとも１種からなるＢ成分を含有
し、Ａ成分とＢ成分の比率が95:5ないし45:55である液
晶組成物を用いた熱書込み用液晶表示素子であることが
特徴である。
チル−４′−シアノビフエニル、４−ｎ−ドデシル−
４′−シアノビフエニルおよび、一般式 （ここで、R1は炭素数９、10もしくは11のアルキル基を
示す）で示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフ
エニルの少くとも１種からなるＡ成分、および 一般式 （ここで、R2は炭素数８もしくは９のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフエニルの少くとも１種、および一般式 （ここで、R3は炭素数11もしくは12のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフエニルの少くとも１種からなるＢ成分を含有
し、Ａ成分とＢ成分の比率が95:5ないし45:55である液
晶組成物を用いた熱書込み用液晶表示素子であることが
特徴である。
また、本発明として上記Ａ成分とＢ成分に一般式 （ここで、R4は炭素数８から12のアルキル基を示す）で
示される４−ｎ−アルコキシ−４′−シアノビフエニル
の１種以上のＣ成分が含有された液晶組成物を用いた熱
書込み用液晶表示素子を示すことがである。
示される４−ｎ−アルコキシ−４′−シアノビフエニル
の１種以上のＣ成分が含有された液晶組成物を用いた熱
書込み用液晶表示素子を示すことがである。
本発明の組成物は、染料、コレステリツク液晶、NI点
の調整などのために用いられる高温液晶と共に用いるこ
とができる。
の調整などのために用いられる高温液晶と共に用いるこ
とができる。
染料としてはカラー表示、またはコントラスト向上等
を目的とした可視領域の二色性染料、レーザー光のエネ
ルギーを吸収して熱効率を向上させるために用いられる
レーザー光の波長に合つた二色性染料が用いられ、これ
らの二色性染料は通常、液晶のゲスト・ホスト用として
使用されるものでよく、代表的な例としてアゾ系染料、
アントラキノン系染料、スクアリリウム系染料などをあ
げることができる。その含有量は10％以下、通常５％以
下である。
を目的とした可視領域の二色性染料、レーザー光のエネ
ルギーを吸収して熱効率を向上させるために用いられる
レーザー光の波長に合つた二色性染料が用いられ、これ
らの二色性染料は通常、液晶のゲスト・ホスト用として
使用されるものでよく、代表的な例としてアゾ系染料、
アントラキノン系染料、スクアリリウム系染料などをあ
げることができる。その含有量は10％以下、通常５％以
下である。
コレステリツク液晶としては、例えば、４′−シアノ
−４−（２′−メチルブチルオキシ）ビフエニル、４′
−シアノ−４−（２′−メチルブチル）ビフエニル、
４′−（２−メチルブチルオキシ）安息香酸−４′−シ
アノフエニル、２−クロル−1,4−ビス（４′−２−メ
チルブチルオキシベンゾイルオキシ）ベンゼン、４′−
（２−メチルブチル）−４−ビフエニルカルボン酸４′
−ペンチルシクロヘキシルエステルなどあげることがで
きる。その含有量は30％以下通常は20％以下である。
−４−（２′−メチルブチルオキシ）ビフエニル、４′
−シアノ−４−（２′−メチルブチル）ビフエニル、
４′−（２−メチルブチルオキシ）安息香酸−４′−シ
アノフエニル、２−クロル−1,4−ビス（４′−２−メ
チルブチルオキシベンゾイルオキシ）ベンゼン、４′−
（２−メチルブチル）−４−ビフエニルカルボン酸４′
−ペンチルシクロヘキシルエステルなどあげることがで
きる。その含有量は30％以下通常は20％以下である。
高温液晶としては、４−ｎ−ノニル−４″−シアノタ
ーフエニル、４−ｎ−ノニルオキシ−４″−シアノター
フエニル、４−（トランス−４−ｎ−ノニルシクロヘキ
シル）−４′−シアノビフエニル、１−（４′−ｎ−ヘ
キシルフエニル）−２−（４′−シアノ−４−ビフエニ
リル）エタン、トランス−４−ｎ−ノニシルシクロヘキ
サンカルボン酸−４′−シアノビフエニルエステル、１
−（４′−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）−２−（４′
−シアノ−４−ビフエニル）エタン、トランス−４−ｎ
−ノニル安息香酸−４′−シアノ−４−ビフエニルエス
テル、トランス−４−ｎ−ノニルオキシ安息香酸−４′
−シアノ−４−ビフエニリルエステルなどをあげること
ができる。その含有量は30％以下、好ましくは20％以下
である。
ーフエニル、４−ｎ−ノニルオキシ−４″−シアノター
フエニル、４−（トランス−４−ｎ−ノニルシクロヘキ
シル）−４′−シアノビフエニル、１−（４′−ｎ−ヘ
キシルフエニル）−２−（４′−シアノ−４−ビフエニ
リル）エタン、トランス−４−ｎ−ノニシルシクロヘキ
サンカルボン酸−４′−シアノビフエニルエステル、１
−（４′−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）−２−（４′
−シアノ−４−ビフエニル）エタン、トランス−４−ｎ
−ノニル安息香酸−４′−シアノ−４−ビフエニルエス
テル、トランス−４−ｎ−ノニルオキシ安息香酸−４′
−シアノ−４−ビフエニリルエステルなどをあげること
ができる。その含有量は30％以下、好ましくは20％以下
である。
本発明の液晶組成物および液晶素子は、極めて狭いネ
マチツク相を有しかつ融点の低い相転換を有するのが特
徴であり、熱書込み用液晶表示装置に用いるに適したも
のである。
マチツク相を有しかつ融点の低い相転換を有するのが特
徴であり、熱書込み用液晶表示装置に用いるに適したも
のである。
本発明の液晶組成物は、具体的にはネマチツクレンジ
が２℃以下であるため表示素子の書き込み速度は速くな
り、また、投写画面などのコントラストがよくなり、表
示品位が著しく向上する、また融点が０℃以下であるた
め屋内、室温で使用される熱書込み型液晶表示装置に使
用しても問題がなく、実用的に使用し得る液晶材料であ
る。
が２℃以下であるため表示素子の書き込み速度は速くな
り、また、投写画面などのコントラストがよくなり、表
示品位が著しく向上する、また融点が０℃以下であるた
め屋内、室温で使用される熱書込み型液晶表示装置に使
用しても問題がなく、実用的に使用し得る液晶材料であ
る。
実施例１〜７ 表２の所定の組成（重量％）に基づいて液晶組成物を
調製し、その特性を測定し、結果を同表に示す。
調製し、その特性を測定し、結果を同表に示す。
比較例１〜９ 実施例と同様に組成物を調製し、その特性を測定し
た。結果を表３に示す。
た。結果を表３に示す。
Claims (6)
- 【請求項１】４−ｎ−オクチル−４′−シアノビフェニ
ル、４−ｎ−ドデシル−４′−シアノビフェニルおよ
び、一般式 （ここで、R1は炭素数９、10もしくは11のアルキル基を
示す）で示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフ
ェニルの少くとも１種からなるＡ成分、および一般式 （ここで、R2は炭素数８もしくは９のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフェニルの少くとも１種および、一般式 （ここで、R3は炭素数11もしくは12のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフェニルの少くとも１種からなるＢ成分、を含有
し、Ａ成分とＢ成分の比率が95:5ないし45:55であるこ
とを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項２】４−ｎ−オクチル−４′−シアノビフェニ
ル、４−ｎ−ドデシル−４′−シアノビフェニルおよ
び、一般式 （ここで、R1は炭素数９、10もしくは11のアルキル基を
示す）で示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフ
ェニルの少くとも１種からなるＡ成分、および一般式 （ここで、R2は炭素数８もしくは９のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフェニルの少くとも１種および、一般式 （ここで、R3は炭素数11もしくは12のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフェニル少くとも１種からなるＢ成分、およ、一
般式 （ここで、R4は炭素数８から12のアルキル基を示す）で
示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シアノビ
フェニルの少くとも１種以上を含有し、Ａ成分とＢ成分
の比率が95:5ないし45:55であることを特徴とする液晶
組成物。 - 【請求項３】４−ｎ−オクチル−４′−シアノビフェニ
ルと４−ｎ−ドデシル−４′−シアノビフェニルの比が
1:1ないし9:1であり、Ａ成分中に40％以上含有し、式
（II）で示される４−アルカノイルオキシ−４′−シア
ノビフェニルの少くとも１種と式（III）で示される４
−アルカノイルオキシ−４′−シアノビフェニルの少く
とも１種の比率が55:45ないし95:5である特許請求の範
囲第（１）項記載の液晶組成物。 - 【請求項４】４−ｎ−オクチル−４′−シアノビフェニ
ルと４−ｎ−ドデシル−４′−シアノビフェニルの比が
1:1ないし9:1であり、Ａ成分中に40％以上含有し、式
（II）で示される４−アルカノイルオキシ−４′−シア
ノビフェニルの少くとも１種と式（III）で示される４
−アルカノイルオキシ−４′−シアノビフェニルの少く
とも１種の比率が55:45ないし95:5である特許請求の範
囲第（２）項記載の液晶組成物。 - 【請求項５】４−ｎ−オクチル−４′−シアノビフェニ
ル、４−ｎ−ドデシル−４′−シアノビフェニルおよ
び、一般式 （ここで、R1は炭素数９、10もしくは11のアルキル基を
示す）で示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフ
ェニルの少くとも１種からなるＡ成分、および一般式 （ここで、R2は炭素数８もしくは９のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフェニルの少くとも１種および、一般式 （ここで、R3は炭素数11もしくは12のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフェニルの少くとも１種からなるＢ成分を含有
し、Ａ成分とＢ成分の比率が95:5ないし45:55である液
晶組成物を用いたことを特徴とする熱書込み用液晶表示
素子。 - 【請求項６】４−ｎ−オクチル−４′−シアノビフェニ
ル、４−ｎ−ドデシル−４′−シアノビフェニルおよ
び、一般式 （ここで、R1は炭素数９、10もしくは11のアルキル基を
示す）で示される４−ｎ−アルキル−４′−シアノビフ
ェニルの少くとも１種からなるＡ成分、および一般式 （ここで、R2は炭素数８もしくは９のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフェニルの少くとも１種および、一般式 （ここで、R3は炭素数11もしくは12のアルキル基を示
す）で示される４−ｎ−アルカノイルオキシ−４′−シ
アノビフェニルの少くとも１種からなるＢ成分、および
一般式 （ここで、R4は炭素数８から12のアルキル基を示す）で
示される４−ｎ−アルコキシ−４′−シアノビフェニル
の１種以上を含有し、上記Ａ成分とＢ成分の比率が95:5
ないし45:55である液晶組成物を用いたことを特徴とす
る熱書込み用液晶表示素子。
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