JP2619444B2 - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JP2619444B2 JP2619444B2 JP62317582A JP31758287A JP2619444B2 JP 2619444 B2 JP2619444 B2 JP 2619444B2 JP 62317582 A JP62317582 A JP 62317582A JP 31758287 A JP31758287 A JP 31758287A JP 2619444 B2 JP2619444 B2 JP 2619444B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ポリカーボネート樹脂を基板として用いる光ディスク
の生産性を、その性能を損うことなく、著るしく高める
光ディスクの製造方法に関し、ポリカーボネートを基板
として用いる光ディスクを、前記ポリカーボネート基板
を90〜130℃の温度で２〜６時間加熱処理を行なう第１
工程と、前記第１工程におけるポリカーボネート基板の
加熱条件により定まる真空排気時間で前記第１工程の後
に真空製膜系の真空排気を行い、系を真空状態にする第
２工程と、前記真空状態で、所定枚数の前記ポリカーボ
ネート基板上に記録膜を製膜する第３工程とを少なくと
も有する方法で製造する。
の生産性を、その性能を損うことなく、著るしく高める
光ディスクの製造方法に関し、ポリカーボネートを基板
として用いる光ディスクを、前記ポリカーボネート基板
を90〜130℃の温度で２〜６時間加熱処理を行なう第１
工程と、前記第１工程におけるポリカーボネート基板の
加熱条件により定まる真空排気時間で前記第１工程の後
に真空製膜系の真空排気を行い、系を真空状態にする第
２工程と、前記真空状態で、所定枚数の前記ポリカーボ
ネート基板上に記録膜を製膜する第３工程とを少なくと
も有する方法で製造する。
本発明は光ディスクの製造方法に係り、更に詳しくは
ポリカーボネート樹脂を基板として用いる光ディスクの
生産性を、その性能を損なうことなく著しく高めた光デ
ィスクの製造方法に関する。
ポリカーボネート樹脂を基板として用いる光ディスクの
生産性を、その性能を損なうことなく著しく高めた光デ
ィスクの製造方法に関する。
光ディスクを製造するに当っては、ガラスやPMMA、ポ
リカーボネートなどのプラスチックからなる基板に、例
えばTbFeCo,GdFeCoなどの記録媒体を蒸着やスパッタリ
ングなどの真空製膜によって付着させている。この光記
録媒体は非常に酸化されやすいため、通常、上記製膜は
10-4Pa以下の高真空下に実施することが必要とされる。
ガラス基板の場合には、かかる真空製膜のための排気時
間はそれほど問題とならないが、プラスチック基板の場
合には、プラスチック基板が多量の水分を含むため真空
製膜のための排気に著しく時間がかかり、これが生産性
を著しく悪くしているのが現状である。たとえばポリカ
ーボネート（PC）樹脂を基板として使用する場合には、
この樹脂が常温常湿で通常0.2〜0.3％の水分を含んでい
るため、直径13cmの基板１枚を10-4Paの真空圧まで排気
するのに要する排気時間は、通常のガラス基板の場合の
約10倍もかかるという問題があった。
リカーボネートなどのプラスチックからなる基板に、例
えばTbFeCo,GdFeCoなどの記録媒体を蒸着やスパッタリ
ングなどの真空製膜によって付着させている。この光記
録媒体は非常に酸化されやすいため、通常、上記製膜は
10-4Pa以下の高真空下に実施することが必要とされる。
ガラス基板の場合には、かかる真空製膜のための排気時
間はそれほど問題とならないが、プラスチック基板の場
合には、プラスチック基板が多量の水分を含むため真空
製膜のための排気に著しく時間がかかり、これが生産性
を著しく悪くしているのが現状である。たとえばポリカ
ーボネート（PC）樹脂を基板として使用する場合には、
この樹脂が常温常湿で通常0.2〜0.3％の水分を含んでい
るため、直径13cmの基板１枚を10-4Paの真空圧まで排気
するのに要する排気時間は、通常のガラス基板の場合の
約10倍もかかるという問題があった。
従って、本発明は、前記したポリを基板として用いる
光ディスクを工業的に製造する場合の問題点、即ちポリ
カーボネート樹脂に相当程度の水分が含まれているため
に光記録媒体の真空製膜のための排気時間が著しく長
く、生産性を著しく低下させているという問題点を排除
して、ポリカーボネートを基板として用いる光ディスク
の生産性を光磁気ディスクの性能を損うことなく、生産
性を著しく高めることを目的とする。
光ディスクを工業的に製造する場合の問題点、即ちポリ
カーボネート樹脂に相当程度の水分が含まれているため
に光記録媒体の真空製膜のための排気時間が著しく長
く、生産性を著しく低下させているという問題点を排除
して、ポリカーボネートを基板として用いる光ディスク
の生産性を光磁気ディスクの性能を損うことなく、生産
性を著しく高めることを目的とする。
本発明に従えば、前記問題点は、ポリカーボネートを
基板として用いる光ディスクの製造方法において、前記
ポリカーボネート基板を90〜130℃の温度で２〜６時間
加熱処理を行なう第１工程と、 前記第１工程におけるポリカーボネート基板の加熱条
件と製膜を行なうポリカーボネート基板の枚数により定
まる真空排気時間で前記第１工程の後に真空製膜系の真
空排気を行い、系を真空状態にする第２工程と、 前記真空状態で、所定枚数の前記ポリカーボネート基
板上に記録膜を製膜する第３工程と、 を少なくとも有してなる光ディスクの製造方法によって
解決される。
基板として用いる光ディスクの製造方法において、前記
ポリカーボネート基板を90〜130℃の温度で２〜６時間
加熱処理を行なう第１工程と、 前記第１工程におけるポリカーボネート基板の加熱条
件と製膜を行なうポリカーボネート基板の枚数により定
まる真空排気時間で前記第１工程の後に真空製膜系の真
空排気を行い、系を真空状態にする第２工程と、 前記真空状態で、所定枚数の前記ポリカーボネート基
板上に記録膜を製膜する第３工程と、 を少なくとも有してなる光ディスクの製造方法によって
解決される。
本発明に係る光ディスクの製造において、基板として
用いるポリカーボネート樹脂としては所謂ポリカーボネ
ート樹脂と称される任意の樹脂を用いることができ、一
般に市販されているポリカーボネート樹脂を用いること
ができる。
用いるポリカーボネート樹脂としては所謂ポリカーボネ
ート樹脂と称される任意の樹脂を用いることができ、一
般に市販されているポリカーボネート樹脂を用いること
ができる。
本発明に従って光ディスクを製造するに当っては、基
板としてポリカーボネート樹脂を用いること及び光記録
媒体の真空製膜に先立って、前記した如く、ポリカーボ
ネート基板を約90〜130℃、好ましくは100〜120℃の温
度において約２〜６時間、好ましくは４〜６時間加熱前
処理する。なお、上記前処理条件は、ポリカーボネート
基板の大きさが径12〜13cm、厚さ1.2〜1.5mmの場合にお
いて適用されるものであるが、基板の大きさがこれより
大きかったり、小さかったりした場合には前記前処理条
件はそれに応じて若干の変更を加えた方が好ましい場合
もある。
板としてポリカーボネート樹脂を用いること及び光記録
媒体の真空製膜に先立って、前記した如く、ポリカーボ
ネート基板を約90〜130℃、好ましくは100〜120℃の温
度において約２〜６時間、好ましくは４〜６時間加熱前
処理する。なお、上記前処理条件は、ポリカーボネート
基板の大きさが径12〜13cm、厚さ1.2〜1.5mmの場合にお
いて適用されるものであるが、基板の大きさがこれより
大きかったり、小さかったりした場合には前記前処理条
件はそれに応じて若干の変更を加えた方が好ましい場合
もある。
本発明に従えば、前記したように、光ディスクの製造
にあたってポリカーボネート基板の排気時間を短縮する
ため、基板を加熱容器中で予め加熱乾燥処理する。
にあたってポリカーボネート基板の排気時間を短縮する
ため、基板を加熱容器中で予め加熱乾燥処理する。
この加熱温度および加熱時間については、最小限の時
間で基板内部の水分を最大限に排気させるような条件を
選定することが必要である。本発明者の知見によれば、
ポリカーボネート基板の放出ガス率（単位面積当り１秒
間に放出されるガス量）ｑと排気時間ｔとの関係は第１
図に示す通りである。第１図のグラフから明らかなよう
に、加熱処理無の場合ｑ∝t-0.5であるが120℃で、２時
間加熱処理した場合にはｑ∝t-1となる。一方、80℃で
２時間加熱処理では中間のｑ∝t-0.83となる。理論的に
は、表面吸着している分子のガス放出の場合にはｑ∝t
-1、固体内部からの拡散による場合にはｑ∝t-1/2なる
関係となる（堀越源一著、真空技術、東京大学出版会19
83年発行参照）。従って、80℃で２時間加熱処理した場
合には基板内部に水分が残存しており、乾燥が不十分で
あるが、120℃で２時間加熱処理すれば、乾燥が十分で
あると言える。このように、乾燥処理した基板を実際に
真空装置に入れ、排気してみることによって乾燥処理が
十分か否かを判断することができる。
間で基板内部の水分を最大限に排気させるような条件を
選定することが必要である。本発明者の知見によれば、
ポリカーボネート基板の放出ガス率（単位面積当り１秒
間に放出されるガス量）ｑと排気時間ｔとの関係は第１
図に示す通りである。第１図のグラフから明らかなよう
に、加熱処理無の場合ｑ∝t-0.5であるが120℃で、２時
間加熱処理した場合にはｑ∝t-1となる。一方、80℃で
２時間加熱処理では中間のｑ∝t-0.83となる。理論的に
は、表面吸着している分子のガス放出の場合にはｑ∝t
-1、固体内部からの拡散による場合にはｑ∝t-1/2なる
関係となる（堀越源一著、真空技術、東京大学出版会19
83年発行参照）。従って、80℃で２時間加熱処理した場
合には基板内部に水分が残存しており、乾燥が不十分で
あるが、120℃で２時間加熱処理すれば、乾燥が十分で
あると言える。このように、乾燥処理した基板を実際に
真空装置に入れ、排気してみることによって乾燥処理が
十分か否かを判断することができる。
次に第２図は加熱温度とｑ∝t-xのｘとの関係を示す
グラフ図である（加熱時間:2時間）。即ち、温度90〜13
0℃で加熱した場合には基板の乾燥が十分となる。な
お、ポリカーボネート樹脂の熱変形温度は135℃である
ため、これ以上の温度での加熱は行なわなかった。
グラフ図である（加熱時間:2時間）。即ち、温度90〜13
0℃で加熱した場合には基板の乾燥が十分となる。な
お、ポリカーボネート樹脂の熱変形温度は135℃である
ため、これ以上の温度での加熱は行なわなかった。
このように本発明に係る光ディスクの製造方法によれ
ば、先ず第１工程でポリカーボネート基板を90〜130℃
の温度で２〜６時間加熱処理してポリカーボネート基板
中に含まれる水分を除去し、次いで第２工程として、基
板上に真空状態で光記録媒体を製膜する。この製膜に際
しては、真空製膜系を光ディスク用基板の加熱条件と製
膜を行なう光ディスク基板の枚数から定まる真空排気時
間で真空排気を行ない、従前の方法と同様にして光記録
媒体を製膜し、そして常法に従って保護膜を光記録媒体
上に製膜する。
ば、先ず第１工程でポリカーボネート基板を90〜130℃
の温度で２〜６時間加熱処理してポリカーボネート基板
中に含まれる水分を除去し、次いで第２工程として、基
板上に真空状態で光記録媒体を製膜する。この製膜に際
しては、真空製膜系を光ディスク用基板の加熱条件と製
膜を行なう光ディスク基板の枚数から定まる真空排気時
間で真空排気を行ない、従前の方法と同様にして光記録
媒体を製膜し、そして常法に従って保護膜を光記録媒体
上に製膜する。
以下、具体的な実施例としてポリカーボネート基板を
本発明に従って前処理した場合と、しない場合とについ
て、光磁気ディスクを作製した例を示す。
本発明に従って前処理した場合と、しない場合とについ
て、光磁気ディスクを作製した例を示す。
例１ ポリカーボネート樹脂ペレット（三菱化成工業（株）
製ノバレクス7020 AD2）を用い、これを樹脂温度350℃
及び金型温度105℃で射出成形して直径130mm×厚さ1.2m
mの円板状基板を得た。次に、この基板６枚を温度120℃
で２時間加熱前処理した後、真空スパッタ装置に入れ、
室温にてクライオポンプで排気（排気量:4000l/sec）し
たところ、約１時間で所望の真空度である５×10-5Paに
達した。これに対し、比較例として、温度120℃で２時
間の上記前処理を実施しなかった以外は上と同様にして
実施を行なったところ、所望の真空度である５×10-5Pa
に到達するのに約11時間要した。この結果から本発明の
結果が如何に優れたものであるかが明らかであろう。
製ノバレクス7020 AD2）を用い、これを樹脂温度350℃
及び金型温度105℃で射出成形して直径130mm×厚さ1.2m
mの円板状基板を得た。次に、この基板６枚を温度120℃
で２時間加熱前処理した後、真空スパッタ装置に入れ、
室温にてクライオポンプで排気（排気量:4000l/sec）し
たところ、約１時間で所望の真空度である５×10-5Paに
達した。これに対し、比較例として、温度120℃で２時
間の上記前処理を実施しなかった以外は上と同様にして
実施を行なったところ、所望の真空度である５×10-5Pa
に到達するのに約11時間要した。この結果から本発明の
結果が如何に優れたものであるかが明らかであろう。
なお、本発明の実施例に従って処理した上記基板に常
法に従って保護膜（SiN3:100mm厚）、記録媒体（Tb−Fe
−Co合金:100mm厚）及び保護膜（SiN3:100mm厚）をこの
順にスパッタ製膜して光磁気ディスクを製造した。
法に従って保護膜（SiN3:100mm厚）、記録媒体（Tb−Fe
−Co合金:100mm厚）及び保護膜（SiN3:100mm厚）をこの
順にスパッタ製膜して光磁気ディスクを製造した。
得られた光磁気ディスクの性能は良好であった。
例２ 例１で用いたのと同じ、直径130cm、厚さ1.2mmのポリ
カーボネート基板を容積66lの真空容器に入れ先ず排気
量610/minのロータリーポンプで10Paまで吸引し、次
に排気量4200l/sのクライオポンプで排気し、基板枚数
と１×10-4Paまで排気するのに要する時間を調べた。
カーボネート基板を容積66lの真空容器に入れ先ず排気
量610/minのロータリーポンプで10Paまで吸引し、次
に排気量4200l/sのクライオポンプで排気し、基板枚数
と１×10-4Paまで排気するのに要する時間を調べた。
得られた結果を第３図に示す。第３図に示した通り、
基板を80℃で２時間加熱前処理した場合と120℃で２時
間加熱前処理した場合とを比較した。第３図の結果から
明らかなように、120℃処理では基板枚数と排気時間が
比例するのに対し、80℃処理では比例していない。すな
わち基板を十分乾燥させないと排気時間は定まらなくな
ってしまう。このように、ｑ∝t-1が成りたつような場
合に排気時間と基板枚数は比例する。
基板を80℃で２時間加熱前処理した場合と120℃で２時
間加熱前処理した場合とを比較した。第３図の結果から
明らかなように、120℃処理では基板枚数と排気時間が
比例するのに対し、80℃処理では比例していない。すな
わち基板を十分乾燥させないと排気時間は定まらなくな
ってしまう。このように、ｑ∝t-1が成りたつような場
合に排気時間と基板枚数は比例する。
以上説明した様に、本発明方法に従えば、光記録媒体
の真空製膜のための排気時間を著るしく短縮することが
できるため光ディスクの生産性を著しく高めることがで
き、更に基板枚数と基板を含む真空製膜系を一定の真空
度にするまでの排気時間とが比例するため、任意の枚数
の基板を排気する場合に必要な排気時間の予測が可能と
なった。
の真空製膜のための排気時間を著るしく短縮することが
できるため光ディスクの生産性を著しく高めることがで
き、更に基板枚数と基板を含む真空製膜系を一定の真空
度にするまでの排気時間とが比例するため、任意の枚数
の基板を排気する場合に必要な排気時間の予測が可能と
なった。
第１図はポリカーボネート基板の放出ガス率ｑと排気時
間との関係を示したグラフ図であり、 第２図はポリカーボネート基板の加熱温度とｑ∝t-xの
ｘとの関係を示すグラフ図であり、 第３図は例２に示したポリカーボネート基板枚数と放出
ガス率ｑとの関係を示すグラフ図である。
間との関係を示したグラフ図であり、 第２図はポリカーボネート基板の加熱温度とｑ∝t-xの
ｘとの関係を示すグラフ図であり、 第３図は例２に示したポリカーボネート基板枚数と放出
ガス率ｑとの関係を示すグラフ図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−262248（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−118236（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−112546（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−220439（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−184943（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ポリカーボネートを基板として用いる光デ
ィスクの製造方法において、前記ポリカーボネート基板
を90〜130℃の温度で２〜６時間加熱処理を行なう第１
工程と、 前記第１工程におけるポリカーボネート基板の加熱条件
と製膜を行なうポリカーボネート基板の枚数により定ま
る真空排気時間で前記第１工程の後に真空製膜系の真空
排気を行い、系を真空状態にする第２工程と、 前記真空状態で、所定枚数の前記ポリカーボネート基板
上に記録膜を製膜する第３工程と、 を少なくとも有してなる光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317582A JP2619444B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317582A JP2619444B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 光ディスクの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22411096A Division JPH09128830A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01159846A JPH01159846A (ja) | 1989-06-22 |
| JP2619444B2 true JP2619444B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=18089844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317582A Expired - Fee Related JP2619444B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619444B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003242421A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-12-13 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium, manufacturing method thereof, and magneto-optical recording device |
| US10094585B2 (en) | 2013-01-25 | 2018-10-09 | Honeywell International Inc. | Auto test for delta T diagnostics in an HVAC system |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262248A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63184943A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| JPS63220439A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスクの製法 |
| JPH01112546A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-05-01 | Seiko Epson Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPH01118236A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Seiko Epson Corp | 光学的メモリ素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP62317582A patent/JP2619444B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01159846A (ja) | 1989-06-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |