JPH0758565B2 - 光ディスク用基板処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光ディスクの基板上に記録層等の薄層が形成さ
れる前に行なわれる該基板の前処理方法に関するもので
ある。

（従来の技術） 一般に、光ディスクは基板と該基板上に形成された記録
層、反射層、保護層等の各種の薄層とから成る。光ディ
スクとしてはピットタイプ、光磁気タイプ、穴明けタイ
プ相変態タイプがある。

例えばピットタイプの光ディスクの場合通常光透過可能
な樹脂製透明基板にピットを形成し、その上にアルミニ
ウム等から成る反射層を、さらにその上に保護層を形成
して成る。また、光磁気タイプの光ディスクの場合、通
常上記と同様の基板上に非晶質希土類遷移金属等から成
る光磁気記録層を形成し、かつ必要に応じてこの記録層
の上や記録層を基板との間に誘電体から成る保護層を形
成して成る。さらに、穴明けタイプや相変態タイプの光
ディスクの場合も、上記と同様の基板上に例えばテルル
系金属から成る記録層やカルコゲナイド系金属から成る
記録層を形成して成る。

この様に基板上に記録層等の薄層を形成して成る光ディ
スクにおいては、それらの薄層が基板上に良好に形成さ
れていないと記録再生特性が悪化し、特にノイズが増大
するので、基板上に薄層を良好に形成するため該薄層形
成前に基板を前処理しておくのが望ましい。

その様な前処理として、加熱処理やプラズマエッチング
処理が考えられる。加熱処理は基板を適当な温度に加熱
することによって薄層形成に悪影響を及ぼす基板の表面
水分や基板内部の水分を除去するものであり、またプラ
ズマエッチング処理は電離イオンによって基板表面をた
たいて該基板表面を清浄化すると共に内部の残留ガスを
積極的に飛ばして薄層を良好に形成し得るようにするも
のである。

（発明が解決しようとする問題点） 上記加熱処理やプラズマエッチング処理はそれぞれ基板
上への薄層の形成性を良好とし、記録再生特性を向上せ
しめる上で効果的なものであるが、上記加熱処理におい
ては必ずしも十分な水分除去を行なうことができないと
か、上記プラズマエッチング処理においては基板表面の
面荒れが生じる等の問題を有し、たとえこれら双方の処
理を施しても未だ十分な記録再生特性の向上、特にノイ
ズの低減を図ることができないという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑み、十分な記録再生特性の向
上、特にノイズの低減を図ることのできる光ディスク用
基板処理方法の提供を目的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明に係る光ディスク用基板処理方法は、前述したよ
うな目的を達成するため、記録層等の薄層を形成する前
に、光ディスク用基板に対し加熱処理とプラズマエッチ
ング処理とを同時に施す、つまり該基板を加熱しながら
プラズマエッチング処理することを特徴とするものであ
る。

上記光ディスクは基板上に記録層等の薄層を形成してな
るタイプのものであればどの様なタイプのものでも良
く、本発明はその様な基板上に薄層が形成されてなる前
述のピットタイプ、穴明けタイプ、相変態タイプ、光磁
気タイプ等の各種の光ディスクに好適に適用可能であ
る。

以下、本発明に係る光ディスク用基板処理方法を説明す
る。

以下に説明する例は光磁気タイプの光ディスクの基板前
処理に本発明を適用したものであり、第１図はその光デ
ィスクの層構成を示す断面図である。

図示の光ディスクは、ガラス、またはPC、PMMA、エポキ
シ樹脂等の透明プラスチック等からなり、厚さが1mm程
度に形成されている光ディスク用基板１上にSiN等から
成る。保護層２が形成され、さらにその上に非品質希土
類金属等から成る記録層３が形成され、この記録層３を
保護するためさらにその上にSiN等から成る保護層４が
形成されてなる。

このような各薄層2,3,4が、特に保護層２が基板１上に
良好に形成されるように、該保護層２の形成前に基板１
に対して前処理を施す。この前処理は、加熱処理とプラ
ズマエッチング処理とを同時に行なう、つまり基板１を
ヒータ等の熱源で加熱しつつ該基板１に対してプラズマ
エッチング処理を行うものである。

この様に加熱しながらプラズマエッチング処理を行なう
と、加熱処理のみ行なった場合に比べて加熱による水分
除去（脱水）作用が促進される。また、加熱しながらプ
ラズマエッチング処理を行なうと該処理による清浄化が
良好に行なわれるのは勿論のことさらに該処理による基
板上面の面荒れが防止される。プラズマエッチング処理
は例えばエッチングテーブルが560φの場合、プラズマ
エッチング処理の投入電力は25w〜50wが好ましく、投入
時間は５分〜60分が好ましい。すなわち低電力長時間か
けることが好ましい。

このような加熱は、例えば材質がPCからなるPC基板にお
いては50℃以上140℃以下の範囲が好ましく、100℃〜13
0℃の範囲がより好ましい。また、PMMAから成るPMMA基
板においては50℃以上100℃以下の範囲が好ましく、60
℃〜80℃の範囲がより好ましい。

次に、本発明のより具体的な実施例およびその効果につ
いて説明する。

＜実施例＞ PC基板を真空装置内にセットし、該基板を120℃に加熱
しながら、１×10^-3Torr Ar雰囲気中でプラズマエッチ
ング処理（投入電力50w,5minエッチングテーブル径：φ
560）を行ないその後、Si N保護層,Tb Fe Co記録層、Si
N保護層の各層をこの順に基板上に積層して光磁気タイ
プの光ディスクを作成した。

＜比較例１＞ 前記実施例と同様の基板を同条件で加熱し、ただしプラ
ズマエッチング処理は行なわず、他は実施例と同様の方
法で同様の光ディスクを作成した。

＜比較例２＞ 前記実施例と同様の基板を同様の条件でプラズマエッチ
ング処理し、ただし加熱処理は行なわず、他は実施例と
同様の方法で同様の光ディスクを作成した。

＜比較例３＞ 前記実施例と同様の基板に実施例と同条件でプラズマエ
ッチング処理を施し、その後、実施例と同条件で加熱
し、他は実施例と同様の方法で同様の光ディスクを作成
した（本比較例は実施例において同時に行なわれてた加
熱とプラズマエッチング処理とを時間的にずらして行な
ったものである。

＜比較例４＞ 前記実施例と同様の基板に加熱およびプラズマエッチン
グ処理を行なわずに他は実施例と同様の方法で同様の保
護層、記録層および保護層を形成して光ディスクを作成
した。

前記実施例および比較例１〜４の光ディスクの再生時の
ノイズ量を調べたのでその結果を第１表に示す。

第１表からわかるように、加熱、プラズマエッチング処
理の双方を行なわなかったもの（比較例４）に対し、加
熱を行なったもの（比較例１）は3dB、プラズマエッチ
ング処理を行なったもの（比較例２）は2dB、双方を行
なったもの（比較例３）であっても5dBしかC/Nが向上し
なかったのに、双方を同時に行なった本実施例において
は9dBも向上しており、このことから、本実施例では加
熱とプラズマエッチング処理を同時に施すことによりそ
れらの相乗効果としてそれらの処理を単に両方行なった
場合よりもはるかに優れたノイズ低減効果が得られてい
ることが認められる。

（発明の効果） 本発明に係る光ディスク用基板処理方法は、前処理とし
て光ディスク用基板を加熱しながらプラズマエッチング
処理がなされるため、加熱処理のみを行なった場合に比
べて水分除去（脱水）作用が促進され、またプラズマエ
ッチング処理による清浄化が良好に行なわれることは勿
論のことさらに該処理による基板表面の面荒れも加熱と
同時にプラズマエッチングを行うことで防止される。

従って、加熱処理のみ、あるいはプラズマエッチング処
理のみさらには双方の処理を別々に行なう場合に比べて
本発明に係る処理方法によれば基板をより良好な状態と
することができ、その結果その様な基板を用いた光ディ
スクにおいては著るしく記録再生特性が向上し、ノイズ
が低減される。

【図面の簡単な説明】

第１図は光ディスクの一例を示す断面図である。 １……基板、２……保護層 ３……記録層、４……保護層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】記録層等の薄層が形成される光ディスク用
   基板を前処理する方法であって、 前記薄層形成前に、前記基板に対し加熱処理とプラズマ
   エッチング処理とを同時に施すことを特徴とする光ディ
   スク用基板処理方法。