JP2594756B2 - 半導体メモリー装置のワードライン構造 - Google Patents
半導体メモリー装置のワードライン構造Info
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- JP2594756B2 JP2594756B2 JP6044234A JP4423494A JP2594756B2 JP 2594756 B2 JP2594756 B2 JP 2594756B2 JP 6044234 A JP6044234 A JP 6044234A JP 4423494 A JP4423494 A JP 4423494A JP 2594756 B2 JP2594756 B2 JP 2594756B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
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- G11C8/14—Word line organisation; Word line lay-out
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体メモリー装置にお
いて、メモリーセルに含まれたトランジスターのゲート
に接続するワードラインの間の短絡を最少化し、半導体
メモリー装置の収率及び集積度を向上させることができ
る半導体メモリー装置のワードライン構造に関するもの
である。
いて、メモリーセルに含まれたトランジスターのゲート
に接続するワードラインの間の短絡を最少化し、半導体
メモリー装置の収率及び集積度を向上させることができ
る半導体メモリー装置のワードライン構造に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】通常的に、半導体メモリー装置に含まれ
たワードラインは多結晶シリコンでなるワードライン
(以下、“ポリワードライン”という)及び金属物質で
なるワードライン(以下、“金属ワードライン”とい
う)に区分される。前記ポリワードラインは、メモリー
セルアレイに含まれたトランジスターのゲート等に接続
され前記メモリーセルアレイがアクセスされるようにす
る。さらに、前記金属ワードラインは外部からのアクセ
ス信号を前記ポリワードライン側に伝送して、前記ポリ
ワードラインが長くなることによりアクセス信号の伝播
遅延時間を最少化する。このため、前記金属ワードライ
ンは前記ポリワードラインの上部に形成された層間絶縁
膜の表面に形成され、さらにコンタクトにより前記ワー
ドラインと接続される。
たワードラインは多結晶シリコンでなるワードライン
(以下、“ポリワードライン”という)及び金属物質で
なるワードライン(以下、“金属ワードライン”とい
う)に区分される。前記ポリワードラインは、メモリー
セルアレイに含まれたトランジスターのゲート等に接続
され前記メモリーセルアレイがアクセスされるようにす
る。さらに、前記金属ワードラインは外部からのアクセ
ス信号を前記ポリワードライン側に伝送して、前記ポリ
ワードラインが長くなることによりアクセス信号の伝播
遅延時間を最少化する。このため、前記金属ワードライ
ンは前記ポリワードラインの上部に形成された層間絶縁
膜の表面に形成され、さらにコンタクトにより前記ワー
ドラインと接続される。
【0003】また、メモリー容量が増加し半導体メモリ
ー装置が高集積化することにより、前記ポリワードライ
ン及び金属ワードラインの幅と前記ワードラインの間の
間隔が減少する。前記ポリワードライン及び金属ワード
ラインの幅と前記ポリ及び金属ワードラインの間の間隔
が短くなるにつれ、前記コンタクトにより接続された多
数のポリワードライン及び多数の金属ワードラインを備
える従来のワードライン構造は、ワードラインが隣接す
る他のワードラインと短絡される可能性を増加させ、さ
らに前記コンタクト形成のための工程マージンの確保を
困難にする。このような従来のワードライン構造の問題
点を、図1に示した従来の半導体メモリー装置の配置図
を参照し説明する。
ー装置が高集積化することにより、前記ポリワードライ
ン及び金属ワードラインの幅と前記ワードラインの間の
間隔が減少する。前記ポリワードライン及び金属ワード
ラインの幅と前記ポリ及び金属ワードラインの間の間隔
が短くなるにつれ、前記コンタクトにより接続された多
数のポリワードライン及び多数の金属ワードラインを備
える従来のワードライン構造は、ワードラインが隣接す
る他のワードラインと短絡される可能性を増加させ、さ
らに前記コンタクト形成のための工程マージンの確保を
困難にする。このような従来のワードライン構造の問題
点を、図1に示した従来の半導体メモリー装置の配置図
を参照し説明する。
【0004】図1を参照すれば、共通ビットライン(BL0
〜BL5)と交差されるよう垂直方向に並べて配設された多
数のポリワードライン(PWL0 〜PWL5) と、前記ポリワー
ドライン(PWL0 〜PWL5) と重合された多数の金属ワード
ライン(MWL0 〜MWL5) を備えた従来の半導体メモリー装
置が説明されている。前記多数のポリワードライン(PWL
0 〜PWL5) は、水平方向に配設された多数の活性領域
(12)と電気的に接続され、前記多数の共通ビットラ
イン(BL0〜BL5)は垂直方向に配設された多数の活性領域
と電気的に接続される。前記活性領域はトランジスター
を有するメモリーセル形成し、さらに前記多数の活性領
域(12)は正方向の形に配設されている。また、前記
多数のポリワードライン(PWL0 〜PWL5) は、コンタクト
(CT0〜CT5)により前記金属ワードライン(MWL0 〜MWL5)
と各々電気的に接続される。前記多数のコンタクト(CT0
〜CT5)は隣接したポリ及び金属ワードラインと短絡され
ないようジグザグの形で配設されている。前記ジグザグ
の形に配設された前記多数のコンタクト(CT0〜CT5)は、
メタルストレピング領域(Metal Straping region) (1
4)の水平幅を増加させる。
〜BL5)と交差されるよう垂直方向に並べて配設された多
数のポリワードライン(PWL0 〜PWL5) と、前記ポリワー
ドライン(PWL0 〜PWL5) と重合された多数の金属ワード
ライン(MWL0 〜MWL5) を備えた従来の半導体メモリー装
置が説明されている。前記多数のポリワードライン(PWL
0 〜PWL5) は、水平方向に配設された多数の活性領域
(12)と電気的に接続され、前記多数の共通ビットラ
イン(BL0〜BL5)は垂直方向に配設された多数の活性領域
と電気的に接続される。前記活性領域はトランジスター
を有するメモリーセル形成し、さらに前記多数の活性領
域(12)は正方向の形に配設されている。また、前記
多数のポリワードライン(PWL0 〜PWL5) は、コンタクト
(CT0〜CT5)により前記金属ワードライン(MWL0 〜MWL5)
と各々電気的に接続される。前記多数のコンタクト(CT0
〜CT5)は隣接したポリ及び金属ワードラインと短絡され
ないようジグザグの形で配設されている。前記ジグザグ
の形に配設された前記多数のコンタクト(CT0〜CT5)は、
メタルストレピング領域(Metal Straping region) (1
4)の水平幅を増加させる。
【0005】上述したように、従来のワードライン構造
は各々のメモリーセルアレイにポリワードライン及び金
属ワードラインを割り当てるようになっているので、コ
ンタクトを形成するためのメタルストレピング領域を増
加させる問題点を有する。前記メタルストレピング領域
の増加により、従来のワードライン構造は半導体メモリ
ー装置の集積度を低下させる短所を有するようになっ
た。
は各々のメモリーセルアレイにポリワードライン及び金
属ワードラインを割り当てるようになっているので、コ
ンタクトを形成するためのメタルストレピング領域を増
加させる問題点を有する。前記メタルストレピング領域
の増加により、従来のワードライン構造は半導体メモリ
ー装置の集積度を低下させる短所を有するようになっ
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体メモリー装置の収率及び集積度を向上することができ
る半導体メモリー装置のワードライン構造を提供するこ
とにある。
体メモリー装置の収率及び集積度を向上することができ
る半導体メモリー装置のワードライン構造を提供するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の半導体メモリー装置のワードライン構造は
n個のメモリーセルアレイと、n個のメモリーセルアレ
イと各々接続され、半導体物質で形成されたn本のポリ
ワードラインと、n本のポリワードラインのうちの奇数
番目のポリワードラインとその次の偶数番目のポリワー
ドラインとの間に一本ずつ設けられた金属物質で成るn
/2個の金属ワードラインと、各金属ワードラインとそ
の両側のポリワードラインとを接続するn/2個のコン
タクトとを備え、n/2個のコンタクトは金属ワードラ
インおよびポリワードラインに対して略垂直な方向に1
列に配列されていることを特徴とするものである。
め、本発明の半導体メモリー装置のワードライン構造は
n個のメモリーセルアレイと、n個のメモリーセルアレ
イと各々接続され、半導体物質で形成されたn本のポリ
ワードラインと、n本のポリワードラインのうちの奇数
番目のポリワードラインとその次の偶数番目のポリワー
ドラインとの間に一本ずつ設けられた金属物質で成るn
/2個の金属ワードラインと、各金属ワードラインとそ
の両側のポリワードラインとを接続するn/2個のコン
タクトとを備え、n/2個のコンタクトは金属ワードラ
インおよびポリワードラインに対して略垂直な方向に1
列に配列されていることを特徴とするものである。
【0008】
【作用】上述の構成により、本発明はポリワードライン
及びメタルワードラインがコンタクトにより、隣接した
ポリワードライン及びメタルワードラインと短絡される
ことを最少化することができ、またコンタクトにより占
有されるメタルストレピング領域を最少化できる。
及びメタルワードラインがコンタクトにより、隣接した
ポリワードライン及びメタルワードラインと短絡される
ことを最少化することができ、またコンタクトにより占
有されるメタルストレピング領域を最少化できる。
【0009】
【望ましい実施例の詳細な説明】図2を参照すれば、共
通ビットライン(BL0〜BL5)と交差するよう垂直方向に並
べて配設された多数のポリワードライン(PWL0 〜PWL5)
を備えた、本発明の実施例によるワードライン構造を有
する半導体メモリー装置が説明されている。前記多数の
ポリワードライン(PWL0 〜PWL5) は、各々水平方向に配
設された多数の活性領域(22)と電気的に接続されて
おり、前記多数の共通ビットライン(BL0〜BL5)は、各々
垂直方向に配設された多数の活性領域(22)と電気的
に接続される。前記活性領域はトランジスタを有するメ
モリーセルを含み、さらに多数の前記活性領域(22)
は正方向の形に配設されている。前記ポリワードライン
(PWL0 〜PWL5) は多結晶シリコンにより形成される。
通ビットライン(BL0〜BL5)と交差するよう垂直方向に並
べて配設された多数のポリワードライン(PWL0 〜PWL5)
を備えた、本発明の実施例によるワードライン構造を有
する半導体メモリー装置が説明されている。前記多数の
ポリワードライン(PWL0 〜PWL5) は、各々水平方向に配
設された多数の活性領域(22)と電気的に接続されて
おり、前記多数の共通ビットライン(BL0〜BL5)は、各々
垂直方向に配設された多数の活性領域(22)と電気的
に接続される。前記活性領域はトランジスタを有するメ
モリーセルを含み、さらに多数の前記活性領域(22)
は正方向の形に配設されている。前記ポリワードライン
(PWL0 〜PWL5) は多結晶シリコンにより形成される。
【0010】また、前記半導体メモリー装置は3個のコ
ンタクト(CT0〜CT2)により、前記ポリワードライン(PWL
0 〜PWL5) と電気的に接続した3個の金属ワードライン
(MWL0 〜MWL2) を更に備える。前記第1金属ワードライ
ン(MWL0)は前記第1コンタクト(CTO) により前記第1及
び第2のポリワードライン (PWL0〜PWL1) に共通的に接
続される。さらに、前記第1金属ワードライン(MWL0)は
第1及び第2のポリワードライン(PWL0,PWL1) の間の空
間、即ちメモリーセル等を区分するための素子分離酸化
膜の上部に位置される。
ンタクト(CT0〜CT2)により、前記ポリワードライン(PWL
0 〜PWL5) と電気的に接続した3個の金属ワードライン
(MWL0 〜MWL2) を更に備える。前記第1金属ワードライ
ン(MWL0)は前記第1コンタクト(CTO) により前記第1及
び第2のポリワードライン (PWL0〜PWL1) に共通的に接
続される。さらに、前記第1金属ワードライン(MWL0)は
第1及び第2のポリワードライン(PWL0,PWL1) の間の空
間、即ちメモリーセル等を区分するための素子分離酸化
膜の上部に位置される。
【0011】同じく、前記第2コンタクト(CT1) により
前記第3及び第4のポリワードライン(PWL2,PWL3) に共
通的に接続された前記第2金属ワードライン(MWL1)と、
前記第3コンタクト(CT2) により前記第5及び第6のポ
リワードライン(PWL4,PWL5)に共通的に接続
された前記第3金属ワードライン(MWL2)は、各々
第3及び第4のポリワードライン(PWL2,PWL3) の間と第
5及び第6のポリワードライン(PWL4,PWL5) の間に配設
される。
前記第3及び第4のポリワードライン(PWL2,PWL3) に共
通的に接続された前記第2金属ワードライン(MWL1)と、
前記第3コンタクト(CT2) により前記第5及び第6のポ
リワードライン(PWL4,PWL5)に共通的に接続
された前記第3金属ワードライン(MWL2)は、各々
第3及び第4のポリワードライン(PWL2,PWL3) の間と第
5及び第6のポリワードライン(PWL4,PWL5) の間に配設
される。
【0012】さらに、前記第1コンタクト(CTO) は第1
のポリワードライン(PWLO)の上辺部及び第2ポリワード
ライン(PWL1)の下辺部を外れないよう形成される。前記
第1コンタクト(CTO) と同じ形で、前記第2コンタクト
(CT1) は前記第3ポリワードライン(PWL2)の上辺部及び
前記第4ポリワードライン(PWL3)の下辺部を外れないよ
う形成され、さらに前記第3コンタクト(CT2) と第5ポ
リワードライン(PWL4)の上辺部及び第6ポリワードライ
ン(PWL5)の下辺部を外れないよう形成される。また、前
記第1〜第3コンタクト(CTO〜CT2)が形成されたメタル
ストレピン領域(24)は、前記第1〜第3コンタクト
(CTO〜CT2)が一列に配設されることにより最少化された
面積を有するようになる。
のポリワードライン(PWLO)の上辺部及び第2ポリワード
ライン(PWL1)の下辺部を外れないよう形成される。前記
第1コンタクト(CTO) と同じ形で、前記第2コンタクト
(CT1) は前記第3ポリワードライン(PWL2)の上辺部及び
前記第4ポリワードライン(PWL3)の下辺部を外れないよ
う形成され、さらに前記第3コンタクト(CT2) と第5ポ
リワードライン(PWL4)の上辺部及び第6ポリワードライ
ン(PWL5)の下辺部を外れないよう形成される。また、前
記第1〜第3コンタクト(CTO〜CT2)が形成されたメタル
ストレピン領域(24)は、前記第1〜第3コンタクト
(CTO〜CT2)が一列に配設されることにより最少化された
面積を有するようになる。
【0013】また、前記金属ワードライン(MWL0 〜MWL
2) は、酸化膜でなる層間絶縁膜の上部に形成され前記
層間絶縁膜の下部に形成された前記ポリワードライン(P
WL0 〜PWL5) 等と絶縁される。さらに前記コンタクト(C
T0〜CT2)は前記層間絶縁膜を貫いて前記金属ワードライ
ン(MWL0〜MWL2)をポリワードライン(PWL0〜PWL5)と
電気的に接続させる。
2) は、酸化膜でなる層間絶縁膜の上部に形成され前記
層間絶縁膜の下部に形成された前記ポリワードライン(P
WL0 〜PWL5) 等と絶縁される。さらに前記コンタクト(C
T0〜CT2)は前記層間絶縁膜を貫いて前記金属ワードライ
ン(MWL0〜MWL2)をポリワードライン(PWL0〜PWL5)と
電気的に接続させる。
【0014】図3には第1〜第3ワードライン(WL0〜WL
2)及び、第1〜第6共通ビットライン(BL0〜BL5)を備え
る本発明の実施例によるワードライン構造を有する半導
体メモリー装置の回路が示されている(なお、この図で
は金属ワードラインについては省略されている)。前記
第1〜3ワードライン(WL0〜WL2)は各々二つのポリワー
ドライン(PWL0 〜PWL5) で構成される。前記第1ポリワ
ードライン(PWL0)には三個のメモリーセル(MC11 〜MC1
3) で成るメモリーセルアレイが接続されており、さら
に前記第2ポリワードライン(PWL1)には三個のメモリー
セル(MC21 〜MC23) で成るメモリーセルアレイが接続さ
れている。結果的に、前記第1ワードライン(WLO) には
第1及び第2ポリワードライン(PWL0,PWL1) を経て二個
のメモリーセルアレイと接続される。同じく前記第3〜
6ポリワードライン(PWL2 〜PWL5)も第3乃至第6のメ
モリーセルアレイを構成するメモリーセル(MC31 〜MC3
3,MC41 〜MC43,MC51 〜MC53及びMC61〜MC63) が接続さ
れる。さらに、前記第2ワードライン(WL1) は前記第3
及び第4ポリワードライン(PWL2,PWL3) を経て、前記第
3メモリーセルアレイ(MC31 〜MC33) 及び第4メモリー
セルアレイ(MC41 〜MC43) に接続され、また、第3ワー
ドライン(WL2) は前記第5及び第6ポリワードライン(P
WL4,PWL5) を経て前記第5メモリーセルアレイ(MC51 〜
MC53) 及び第6メモリーセルアレイ(MC61 〜MC63) に接
続される。
2)及び、第1〜第6共通ビットライン(BL0〜BL5)を備え
る本発明の実施例によるワードライン構造を有する半導
体メモリー装置の回路が示されている(なお、この図で
は金属ワードラインについては省略されている)。前記
第1〜3ワードライン(WL0〜WL2)は各々二つのポリワー
ドライン(PWL0 〜PWL5) で構成される。前記第1ポリワ
ードライン(PWL0)には三個のメモリーセル(MC11 〜MC1
3) で成るメモリーセルアレイが接続されており、さら
に前記第2ポリワードライン(PWL1)には三個のメモリー
セル(MC21 〜MC23) で成るメモリーセルアレイが接続さ
れている。結果的に、前記第1ワードライン(WLO) には
第1及び第2ポリワードライン(PWL0,PWL1) を経て二個
のメモリーセルアレイと接続される。同じく前記第3〜
6ポリワードライン(PWL2 〜PWL5)も第3乃至第6のメ
モリーセルアレイを構成するメモリーセル(MC31 〜MC3
3,MC41 〜MC43,MC51 〜MC53及びMC61〜MC63) が接続さ
れる。さらに、前記第2ワードライン(WL1) は前記第3
及び第4ポリワードライン(PWL2,PWL3) を経て、前記第
3メモリーセルアレイ(MC31 〜MC33) 及び第4メモリー
セルアレイ(MC41 〜MC43) に接続され、また、第3ワー
ドライン(WL2) は前記第5及び第6ポリワードライン(P
WL4,PWL5) を経て前記第5メモリーセルアレイ(MC51 〜
MC53) 及び第6メモリーセルアレイ(MC61 〜MC63) に接
続される。
【0015】一方、前記第1〜第6共通ビットライン(B
L0〜BL5)の中間部分には各々感知増幅器(30〜40)
すなわちセンスアンプが接続されている。さらに前記第
1共通ビットライン(BLO) は垂直に配設された第1、第
3及び第6メモリーセルアレイの一番目メモリーセル(M
C11,MC31,MC61)に共通的に接続されており、また、第2
共通ビットライン(BL1) は垂直に配設された第2、第4
及び第5メモリーセルアレイの一番目のメモリーセル(M
C21,MC41,MC51)に共通的に接続されている。同じく、前
記第3及び第5共通ビットライン(BL2,BL4) は前記第
1、第3及び第6メモリーセルアレイの二番目のメモリ
ーセル( MC12,MC32,MC62)と、前記第1、第3及び第6
メモリーセルアレイの三番目のメモリーセル(MC13,MC3
3,MC63)と接続され、さらに前記第4及び第6共通ビッ
トライン(BL4,BL6) は前記第2、第4及び第5メモリー
セルアレイの二番目のメモリーセル(MC22,MC42,MC52)と
前記第2、第4及び第5メモリーセルアレイの三番目の
メモリーセル(MC23,MC33,MC53)に各々接続される。
L0〜BL5)の中間部分には各々感知増幅器(30〜40)
すなわちセンスアンプが接続されている。さらに前記第
1共通ビットライン(BLO) は垂直に配設された第1、第
3及び第6メモリーセルアレイの一番目メモリーセル(M
C11,MC31,MC61)に共通的に接続されており、また、第2
共通ビットライン(BL1) は垂直に配設された第2、第4
及び第5メモリーセルアレイの一番目のメモリーセル(M
C21,MC41,MC51)に共通的に接続されている。同じく、前
記第3及び第5共通ビットライン(BL2,BL4) は前記第
1、第3及び第6メモリーセルアレイの二番目のメモリ
ーセル( MC12,MC32,MC62)と、前記第1、第3及び第6
メモリーセルアレイの三番目のメモリーセル(MC13,MC3
3,MC63)と接続され、さらに前記第4及び第6共通ビッ
トライン(BL4,BL6) は前記第2、第4及び第5メモリー
セルアレイの二番目のメモリーセル(MC22,MC42,MC52)と
前記第2、第4及び第5メモリーセルアレイの三番目の
メモリーセル(MC23,MC33,MC53)に各々接続される。
【0016】前記第1及び第2メモリーセルアレイの一
番目のメモリーセル(MC11,MC21) は、各々一個のトラン
ジスタ(Q11,Q21) 及び一個のキャパシター(C11,C21) を
備える。前記トランジスター(Q11) のゲート及びドレイ
ンは、前記第1ポリワードライン(PWLO)及び前記第1共
通ビットライン(BLO) に接続される。さらに前記トラン
ジスター(Q11) のソースは前記キャパシター(C11) に接
続されている。前記トランジスター(Q21) のゲート、ド
レイン及びソースも前記第2共通ビットライン(BL1) 及
び前記キャパシター(C21) に各々接続される。前記第1
及び第2メモリーセルアレイの一番目のメモリーセル(M
C11,MC21) と同じく、残余のメモリーセルも各々一個の
トランジスター及びキャパシターを備える。
番目のメモリーセル(MC11,MC21) は、各々一個のトラン
ジスタ(Q11,Q21) 及び一個のキャパシター(C11,C21) を
備える。前記トランジスター(Q11) のゲート及びドレイ
ンは、前記第1ポリワードライン(PWLO)及び前記第1共
通ビットライン(BLO) に接続される。さらに前記トラン
ジスター(Q11) のソースは前記キャパシター(C11) に接
続されている。前記トランジスター(Q21) のゲート、ド
レイン及びソースも前記第2共通ビットライン(BL1) 及
び前記キャパシター(C21) に各々接続される。前記第1
及び第2メモリーセルアレイの一番目のメモリーセル(M
C11,MC21) と同じく、残余のメモリーセルも各々一個の
トランジスター及びキャパシターを備える。
【0017】また、前記第1共通ビットライン(BLO) の
中間部分に接続された前記第1感知増幅器(30)は、
前記第1共通ビットライン(BLO) の上側の部分に接続さ
れた二個のメモリーセル(MC11,MC31) からのデータと、
前記第1共通ビットライン(BLO) の下側の部分に接続さ
れたメモリーセル(MC61)からのデータを比較し読み取る
データを感知し、さらに前記感知されたデータを増幅す
る。これとほぼ同様に、前記第2〜第6共通ビットライ
ン(BL1〜BL5)の中間部分に接続された第2〜第6感知増
幅器(32〜40)は、前記第1感知増幅器(30)と
同様に動作する。
中間部分に接続された前記第1感知増幅器(30)は、
前記第1共通ビットライン(BLO) の上側の部分に接続さ
れた二個のメモリーセル(MC11,MC31) からのデータと、
前記第1共通ビットライン(BLO) の下側の部分に接続さ
れたメモリーセル(MC61)からのデータを比較し読み取る
データを感知し、さらに前記感知されたデータを増幅す
る。これとほぼ同様に、前記第2〜第6共通ビットライ
ン(BL1〜BL5)の中間部分に接続された第2〜第6感知増
幅器(32〜40)は、前記第1感知増幅器(30)と
同様に動作する。
【0018】前記第1〜第3ワードライン(WL0〜WL2)は
図示しない第1〜3ローアドレスデコードからアクセス
イネーブル信号を流入する。さらに、前記第1〜6共通
ビットライン(BL0〜BL5)には図示しない第1〜6カラム
アドレスデコードにより駆動される。前記第1ポリワー
ドライン(PWLO)に接続されたメモリーセル(MC11 〜MC1
3) は、前記第1ワードライン(WLO)にアクセスイネー
ブル信号が供給され前記第1、第3、第5共通ビットラ
イン(BL0,BL2,BL4) が駆動する場合に読み取り及び記録
動作をする。一方、前記第2ポリワードライン(PWL1)に
接続されたメモリーセル(MC21 〜MC23) は、前記第1ワ
ードライン(WLO) にアクセスイネーブル信号が供給され
前記第2、第4、第6共通ビットライン(BL1,BL3,BL5)
が駆動される場合に読み取り及び記録動作をする。前記
第1及び第2ポリワードライン(PWL0,PWL1) に接続され
たメモリーセル(MC11 〜MC13,MC21 〜MC23) と同じく、
前記第3〜6ポリワードライン(PWL2 〜PWL5) に接続さ
れたメモリーセル(MC31 〜MC33,MC41 〜MC43,MC51 〜MC
53,MC61 〜MC63) は、該当ワードライン及び共通ビット
ラインがイネーブルされる場合に記録及び読み取り動作
をする。
図示しない第1〜3ローアドレスデコードからアクセス
イネーブル信号を流入する。さらに、前記第1〜6共通
ビットライン(BL0〜BL5)には図示しない第1〜6カラム
アドレスデコードにより駆動される。前記第1ポリワー
ドライン(PWLO)に接続されたメモリーセル(MC11 〜MC1
3) は、前記第1ワードライン(WLO)にアクセスイネー
ブル信号が供給され前記第1、第3、第5共通ビットラ
イン(BL0,BL2,BL4) が駆動する場合に読み取り及び記録
動作をする。一方、前記第2ポリワードライン(PWL1)に
接続されたメモリーセル(MC21 〜MC23) は、前記第1ワ
ードライン(WLO) にアクセスイネーブル信号が供給され
前記第2、第4、第6共通ビットライン(BL1,BL3,BL5)
が駆動される場合に読み取り及び記録動作をする。前記
第1及び第2ポリワードライン(PWL0,PWL1) に接続され
たメモリーセル(MC11 〜MC13,MC21 〜MC23) と同じく、
前記第3〜6ポリワードライン(PWL2 〜PWL5) に接続さ
れたメモリーセル(MC31 〜MC33,MC41 〜MC43,MC51 〜MC
53,MC61 〜MC63) は、該当ワードライン及び共通ビット
ラインがイネーブルされる場合に記録及び読み取り動作
をする。
【0019】
【発明の効果】上述の如く、本発明の半導体メモリー装
置のワードライン構造は二個のポリワードラインを一個
のメタルワードラインに共通接続し、ポリワードライン
及び金属ワードラインがコンタクトにより隣接するポリ
ワードライン及びメタルワードラインと導通されること
を最小化することができ、さらにコンタクトにより占有
されるメタルストレピング領域を最小化し得る利点を提
供する。また、前記利点により、本発明の半導体メモリ
ー装置のワードライン構造は、半導体メモリー装置の収
率及び集積度を向上させ得る利点を提供する。
置のワードライン構造は二個のポリワードラインを一個
のメタルワードラインに共通接続し、ポリワードライン
及び金属ワードラインがコンタクトにより隣接するポリ
ワードライン及びメタルワードラインと導通されること
を最小化することができ、さらにコンタクトにより占有
されるメタルストレピング領域を最小化し得る利点を提
供する。また、前記利点により、本発明の半導体メモリ
ー装置のワードライン構造は、半導体メモリー装置の収
率及び集積度を向上させ得る利点を提供する。
【0020】前記本発明の実施例として、図2及び図3
に示された6個の共通ビットライン及び6個のポリワー
ドラインを有する半導体メモリー装置を説明したが、通
常の知識を有する者ならば前記共通ビットライン及びポ
リワードラインの数が増加した半導体メモリー装置に適
用可能であることが分かる。
に示された6個の共通ビットライン及び6個のポリワー
ドラインを有する半導体メモリー装置を説明したが、通
常の知識を有する者ならば前記共通ビットライン及びポ
リワードラインの数が増加した半導体メモリー装置に適
用可能であることが分かる。
【0021】さらに、図2に示された半導体メモリー装
置にてコンタクトがポリワードラインの中間部分に配設
されているが、通常の知識を有するものならば前記コン
タクトを前記ポリワードラインの左側端又は右側端に形
成可能であることが分かる。
置にてコンタクトがポリワードラインの中間部分に配設
されているが、通常の知識を有するものならば前記コン
タクトを前記ポリワードラインの左側端又は右側端に形
成可能であることが分かる。
【0022】従って、本発明の概要及び範囲は前述した
が特許請求の範囲により限定されるべきである。
が特許請求の範囲により限定されるべきである。
【図1】従来のワードライン構造を有する半導体メモリ
ー装置の配置図である。
ー装置の配置図である。
【図2】本発明の実施例によるワードライン構造を有す
る半導体メモリー装置の配置図である。
る半導体メモリー装置の配置図である。
【図3】本発明の実施例によるワードライン構造を有す
る半導体メモリー装置の回路図である。
る半導体メモリー装置の回路図である。
BLO 〜BL5 …第1〜第6共通ビットライン、CT0 〜CT2
…第1〜第3コンタクト、MC11〜MC13,MC21〜MC23,MC3
1 〜MC33,MC41 〜MC43,MC51 〜MC53,MC61 〜MC63…メモ
リーセル、PWL0〜PWL5…第1〜第6ポリワードライン、
NWL0〜MWL5…第1〜第6金属ワードライン、WL0 〜WL2
…第1〜第3ワードライン、12及び22…活性領域、
14及び24…メタルストレピング領域、30〜40…
第1〜第6感知増幅器。
…第1〜第3コンタクト、MC11〜MC13,MC21〜MC23,MC3
1 〜MC33,MC41 〜MC43,MC51 〜MC53,MC61 〜MC63…メモ
リーセル、PWL0〜PWL5…第1〜第6ポリワードライン、
NWL0〜MWL5…第1〜第6金属ワードライン、WL0 〜WL2
…第1〜第3ワードライン、12及び22…活性領域、
14及び24…メタルストレピング領域、30〜40…
第1〜第6感知増幅器。
Claims (4)
- 【請求項1】 n個のメモリーセルアレイを備えた半導
体メモリー装置において、 前記n個のメモリーセルアレイと各々接続され、半導体
物質で形成されたn本のポリワードラインと、前記n本のポリワードラインのうちの奇数番目のポリワ
ードラインとその次の偶数番目のポリワードラインとの
間に一本ずつ設けられた金属物質で成るn/2個の金属
ワードラインと、 前記各金属ワードラインとその両側のポリワードライン
とを接続するn/2個のコンタクトとを備え、 前記n/2個のコンタクトは前記金属ワードラインおよ
び前記ポリワードラインに対して略垂直な方向に1列に
配列されている ことを特徴とする半導体メモリー装置の
ワードライン構造。 - 【請求項2】 前記1列に配列された各コンタクトが、
前記ポリワードラインの長手方向の中間部に位置するよ
う配設されたことを特徴とする請求項1記載の半導体メ
モリー装置のワードライン構造。 - 【請求項3】 前記1列に配列された各コンタクトが、
前記ポリワードラインの一側端に位置するように配設さ
れたことを特徴とする請求項1記載の半導体メモリー装
置のワードライン構造。 - 【請求項4】 前記金属ワードラインが、素子分離酸化
膜の上部に位置したことを特徴とする請求項1記載の半
導体メモリー装置のワードライン構造。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR93003896A KR960008572B1 (en) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | Dram device |
KR93-3896 | 1993-03-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06302784A JPH06302784A (ja) | 1994-10-28 |
JP2594756B2 true JP2594756B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=19352176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6044234A Expired - Fee Related JP2594756B2 (ja) | 1993-03-15 | 1994-03-15 | 半導体メモリー装置のワードライン構造 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2594756B2 (ja) |
KR (1) | KR960008572B1 (ja) |
DE (1) | DE4408758C2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5864496A (en) * | 1997-09-29 | 1999-01-26 | Siemens Aktiengesellschaft | High density semiconductor memory having diagonal bit lines and dual word lines |
KR100810616B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 미세 선폭의 도전성 라인들을 갖는 반도체소자 및 그제조방법 |
KR101097433B1 (ko) | 2009-06-02 | 2011-12-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
CN108206042A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-26 | 展讯通信(上海)有限公司 | Rom存储器的字线绑缚方法及rom存储器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58140151A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS6097665A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-31 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
US4679171A (en) * | 1985-02-07 | 1987-07-07 | Visic, Inc. | MOS/CMOS memory cell |
KR940008722B1 (ko) * | 1991-12-04 | 1994-09-26 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 워드라인 드라이버 배열방법 |
-
1993
- 1993-03-15 KR KR93003896A patent/KR960008572B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-03-15 DE DE4408758A patent/DE4408758C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-15 JP JP6044234A patent/JP2594756B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960008572B1 (en) | 1996-06-28 |
JPH06302784A (ja) | 1994-10-28 |
DE4408758A1 (de) | 1994-09-22 |
DE4408758C2 (de) | 2003-02-27 |
KR940022859A (ko) | 1994-10-21 |
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