JP2587531B2 - 磁束密度検出装置 - Google Patents
磁束密度検出装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、所定の磁束密度を検出して電気回路を開成
・閉成するもので、例えばVTRやFDD等におけるブラシレ
スモータの磁極検出等に利用される磁束密度検出装置に
関するものである。
・閉成するもので、例えばVTRやFDD等におけるブラシレ
スモータの磁極検出等に利用される磁束密度検出装置に
関するものである。
＜従来の技術＞ 斯かる用途に一般的に用いられる磁束密度検出装置
は、第７図に示すように、電源端子VCCおよび接地端子G
ND間に直列接続されてその中間接続点がホール素子HDの
第２の出力端子O2に接続された２個の抵抗R1,R2の抵抗
値により、出力トランジスタＱをオン・オフするための
外部の磁束密度の値である動作点が設定されている。即
ち、両入力端子I1,I2が電源端子VCCおよび接地端子GND
に接続されて定電圧駆動されるホール素子HDの第２の出
力端子O2に両抵抗R1,R2を接続することによって、磁束
密度が零の時に両出力端子O1,O2間に生じる電位ΔＶに
より動作点が設定されている。
は、第７図に示すように、電源端子VCCおよび接地端子G
ND間に直列接続されてその中間接続点がホール素子HDの
第２の出力端子O2に接続された２個の抵抗R1,R2の抵抗
値により、出力トランジスタＱをオン・オフするための
外部の磁束密度の値である動作点が設定されている。即
ち、両入力端子I1,I2が電源端子VCCおよび接地端子GND
に接続されて定電圧駆動されるホール素子HDの第２の出
力端子O2に両抵抗R1,R2を接続することによって、磁束
密度が零の時に両出力端子O1,O2間に生じる電位ΔＶに
より動作点が設定されている。
従って、ホール素子HDの両出力端子O1,O2が＋入力端
子および−入力端子に接続されているコンパレータCP
は、磁束密度が零の時にオフ状態であってハイレベル信
号を出力しており、出力トランジスタＱがオン状態であ
る。そして、磁束密度が両抵抗R1,R2の抵抗値により設
定された動作点に達した時に、ホール電圧が前述の設定
電位ΔＶ以上となってコンパレータCPの出力がローレベ
ルに変わり、出力トランジスタＱがオフされるようにな
っている。
子および−入力端子に接続されているコンパレータCP
は、磁束密度が零の時にオフ状態であってハイレベル信
号を出力しており、出力トランジスタＱがオン状態であ
る。そして、磁束密度が両抵抗R1,R2の抵抗値により設
定された動作点に達した時に、ホール電圧が前述の設定
電位ΔＶ以上となってコンパレータCPの出力がローレベ
ルに変わり、出力トランジスタＱがオフされるようにな
っている。
＜発明が解決しようとする課題＞ ところで、前述の動作点設定用抵抗R1,R2として同一
の温度係数のものが選定されているので、温度が変化し
てもホール素子HDの第２の出力端子O2の電位は変化しな
い。然し乍ら、定電圧駆動時のホール素子HD自体の出力
ホール電圧VHは、VH∝μBVC（B:磁束密度、VC;印加電
圧）の式で示され、電子容易度μの温度依存性により、
周囲温度の上昇に伴って低下する。いま、磁束密度が零
の状態において、温度が上昇する前のホール電圧をVHと
し、同じ状態で温度が上昇した時のホール電圧をVHより
低いVH′とすると、温度上昇前の動作点がΔV/VHである
のに対し、温度上昇後の動作点がΔV/VH′となって温度
上昇に伴い高くなる。特に、ホール素子HDとして一般的
に用いられているGaAsホール素子の場合は、通常の定電
圧駆動時の出力電圧の温度特性が、−0.17％／℃〜−0.
19％／℃と比較的大きいために、温度上昇に伴って動作
点が相当に高くなるので、設定した磁束密度を正確に検
出できない問題がある。
の温度係数のものが選定されているので、温度が変化し
てもホール素子HDの第２の出力端子O2の電位は変化しな
い。然し乍ら、定電圧駆動時のホール素子HD自体の出力
ホール電圧VHは、VH∝μBVC（B:磁束密度、VC;印加電
圧）の式で示され、電子容易度μの温度依存性により、
周囲温度の上昇に伴って低下する。いま、磁束密度が零
の状態において、温度が上昇する前のホール電圧をVHと
し、同じ状態で温度が上昇した時のホール電圧をVHより
低いVH′とすると、温度上昇前の動作点がΔV/VHである
のに対し、温度上昇後の動作点がΔV/VH′となって温度
上昇に伴い高くなる。特に、ホール素子HDとして一般的
に用いられているGaAsホール素子の場合は、通常の定電
圧駆動時の出力電圧の温度特性が、−0.17％／℃〜−0.
19％／℃と比較的大きいために、温度上昇に伴って動作
点が相当に高くなるので、設定した磁束密度を正確に検
出できない問題がある。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされた
ものであり、温度変化に拘わらず動作点を略一定に保持
できるような磁束密度検出装置を提供するとを技術的課
題とするものである。
ものであり、温度変化に拘わらず動作点を略一定に保持
できるような磁束密度検出装置を提供するとを技術的課
題とするものである。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は、上記した課題を達成するための技術的手段
として、磁束密度検出装置を次のように構成した。即
ち、ホール素子の両入力端子を電源ラインに接続し、且
つ両出力端子をコンパレータに接続し、このホール素子
の少くとも一方の入力端子と出力端子との間に接続され
た抵抗により両出力端子間に電位差を設け、前記ホール
素子の出力ホール電圧が前記電位差以上になることによ
る前記コンパレータの出力変化により所定の磁束密度を
検出する磁束密度検出装置において、前記抵抗として前
記ホール素子の抵抗の温度係数よりも大きな温度係数を
有するものを用いるとともに、該抵抗を、前記ホール素
子の一方の入力端子と一方の出力端子との間に介挿接続
したことを特徴として構成されている。
として、磁束密度検出装置を次のように構成した。即
ち、ホール素子の両入力端子を電源ラインに接続し、且
つ両出力端子をコンパレータに接続し、このホール素子
の少くとも一方の入力端子と出力端子との間に接続され
た抵抗により両出力端子間に電位差を設け、前記ホール
素子の出力ホール電圧が前記電位差以上になることによ
る前記コンパレータの出力変化により所定の磁束密度を
検出する磁束密度検出装置において、前記抵抗として前
記ホール素子の抵抗の温度係数よりも大きな温度係数を
有するものを用いるとともに、該抵抗を、前記ホール素
子の一方の入力端子と一方の出力端子との間に介挿接続
したことを特徴として構成されている。
また、ホール素子の両入力端子を電源ラインに接続
し、且つ両出力端子をコンパレータに接続し、ダイオー
ドを前記ホール素子の一方の入力端子と電源ラインとの
間に接続し、前記ホール素子の抵抗の温度係数よりも大
きな温度係数を有する抵抗を、前記ホール素子の一方の
出力端子と前記ダイオードが接続されている電源ライン
との間に介挿接続することもできる。
し、且つ両出力端子をコンパレータに接続し、ダイオー
ドを前記ホール素子の一方の入力端子と電源ラインとの
間に接続し、前記ホール素子の抵抗の温度係数よりも大
きな温度係数を有する抵抗を、前記ホール素子の一方の
出力端子と前記ダイオードが接続されている電源ライン
との間に介挿接続することもできる。
＜作用＞ 磁場が無い場合には、ホール素子の抵抗が接続された
側の出力端子の電位が他方の出力端子の電位よりも高
く、この両出力端子が接続されたコンパレータがオフ状
態である。磁場が印加されてホール素子の出力ホール電
圧が前記両出力端子間の電位差以上となった時点でコン
パレータがオン状態となって所定の磁束密度を検出す
る。
側の出力端子の電位が他方の出力端子の電位よりも高
く、この両出力端子が接続されたコンパレータがオフ状
態である。磁場が印加されてホール素子の出力ホール電
圧が前記両出力端子間の電位差以上となった時点でコン
パレータがオン状態となって所定の磁束密度を検出す
る。
そして、周囲温度が上昇するとホール素子の出力ホー
ル電圧が低下するが、ホール素子の抵抗の温度係数より
も大きい温度係数を有する抵抗の抵抗値も周囲温度の上
昇に伴ってその抵抗値が増大し、この抵抗を介して流れ
る電流が減少して両出力端子間の電位差も低くなる。従
って、この電位差がホール素子の温度上昇に伴う出力ホ
ール電圧の低下に対応して低下するような温度係数を有
する抵抗を選定することにより、温度変化に拘わらず動
作点の変動を抑制できる。
ル電圧が低下するが、ホール素子の抵抗の温度係数より
も大きい温度係数を有する抵抗の抵抗値も周囲温度の上
昇に伴ってその抵抗値が増大し、この抵抗を介して流れ
る電流が減少して両出力端子間の電位差も低くなる。従
って、この電位差がホール素子の温度上昇に伴う出力ホ
ール電圧の低下に対応して低下するような温度係数を有
する抵抗を選定することにより、温度変化に拘わらず動
作点の変動を抑制できる。
また、抵抗の他にダイオードを用いることにより、周
囲温度の上昇に伴ってダイオードでの降下電圧が低下
し、抵抗が接続されていない方の出力端子電圧が上昇す
る。一方、ホール素子の抵抗の温度係数よりも大きい温
度係数を有する抵抗は、周囲温度の上昇に伴ってその抵
抗値が増大し、この抵抗を介して流れる電流が減少する
ので、両出力端子間の電位差も相対的に減少して動作点
が一定になるよう調整する。
囲温度の上昇に伴ってダイオードでの降下電圧が低下
し、抵抗が接続されていない方の出力端子電圧が上昇す
る。一方、ホール素子の抵抗の温度係数よりも大きい温
度係数を有する抵抗は、周囲温度の上昇に伴ってその抵
抗値が増大し、この抵抗を介して流れる電流が減少する
ので、両出力端子間の電位差も相対的に減少して動作点
が一定になるよう調整する。
従って、抵抗の温度変化に伴う抵抗値の変化と、温度
変化に伴うダイオードでの降下電圧の変化とにより動作
点の調整を行うので、温度変化に伴い変化するホール素
子のホール電圧に対応して両出力端子間の電位差を一定
の動作点になるようきめ細かく調整することができる。
変化に伴うダイオードでの降下電圧の変化とにより動作
点の調整を行うので、温度変化に伴い変化するホール素
子のホール電圧に対応して両出力端子間の電位差を一定
の動作点になるようきめ細かく調整することができる。
＜実施例＞ 以下、本発明の好ましい実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。
ながら詳細に説明する。
本発明の一実施例を示した第１図において、第７図と
同一若しくは同等のものには同一の符号を付してその説
明を省略する。また、ホール素子HDについては等価回路
を示してあり、各々同一抵抗値rbの４個の抵抗R3〜R6が
ブリッジ構成され、ブリッジの対向２点が、各々同一抵
抗値riの抵抗R7,R8を介して両入力端子I1,I2に導出さ
れ、ブリッジの他の対向２点が、各々同一抵抗値roの抵
抗R9,R10を介して両出力端子O1,O2に導出された構成に
なっている。
同一若しくは同等のものには同一の符号を付してその説
明を省略する。また、ホール素子HDについては等価回路
を示してあり、各々同一抵抗値rbの４個の抵抗R3〜R6が
ブリッジ構成され、ブリッジの対向２点が、各々同一抵
抗値riの抵抗R7,R8を介して両入力端子I1,I2に導出さ
れ、ブリッジの他の対向２点が、各々同一抵抗値roの抵
抗R9,R10を介して両出力端子O1,O2に導出された構成に
なっている。
そして、本発明の要旨とする構成は、一方の入力端子
I1と一方の出力端子O1との間に、ホール素子HDの抵抗の
温度係数よりも大きい温度係数を有する動作点調整用抵
抗R11を接続したことにある。
I1と一方の出力端子O1との間に、ホール素子HDの抵抗の
温度係数よりも大きい温度係数を有する動作点調整用抵
抗R11を接続したことにある。
次に前記実施例の作用について説明する。いま、ホー
ル素子ＨとしてGaAsホール素子を用い、動作点調整用抵
抗R11としてシリコンIC内部に形成したものを用いた場
合について説明する。そして、電源電圧を5Vとし、各部
を流れる電流を図示のようにi1,i2,i3とし、動作点調整
用抵抗R11の抵抗値をrcとすると、キルヒホッフの法則
より、 ri・i1＋rb・i3＋rb（i2＋i3）＋ri（i1＋i2）＝５ …
（１） （rc＋ro）・i2−2rb・i3−ri・ii＝０ …（２） ri・i1＋2rb（i1−i3）＋ri（i1＋i2）＝５ …（３） の各式が成り立つ。この（１）、（２）、（３）の各式
から求めた各電流i1,i2,i3により、各出力端子O1,O2の
電圧VO1,VO2を求めると、 VO1＝ro・i2＋rb（i2＋i3）＋ri（i1＋i2） VO2＝rb（i1−i3）＋ri（i1＋i2） 従って、磁場が無い場合には、動作点調整用抵抗R11
が接続された第１の出力端子O1の方が第２の出力端子O2
に対し、ΔＶ＝VO1−VO2だけ電位が高いので、コンパレ
ータCPはオフ状態であってその出力はハイレベルであ
る。
ル素子ＨとしてGaAsホール素子を用い、動作点調整用抵
抗R11としてシリコンIC内部に形成したものを用いた場
合について説明する。そして、電源電圧を5Vとし、各部
を流れる電流を図示のようにi1,i2,i3とし、動作点調整
用抵抗R11の抵抗値をrcとすると、キルヒホッフの法則
より、 ri・i1＋rb・i3＋rb（i2＋i3）＋ri（i1＋i2）＝５ …
（１） （rc＋ro）・i2−2rb・i3−ri・ii＝０ …（２） ri・i1＋2rb（i1−i3）＋ri（i1＋i2）＝５ …（３） の各式が成り立つ。この（１）、（２）、（３）の各式
から求めた各電流i1,i2,i3により、各出力端子O1,O2の
電圧VO1,VO2を求めると、 VO1＝ro・i2＋rb（i2＋i3）＋ri（i1＋i2） VO2＝rb（i1−i3）＋ri（i1＋i2） 従って、磁場が無い場合には、動作点調整用抵抗R11
が接続された第１の出力端子O1の方が第２の出力端子O2
に対し、ΔＶ＝VO1−VO2だけ電位が高いので、コンパレ
ータCPはオフ状態であってその出力はハイレベルであ
る。
ホール素子HDの単位磁束密度当たりの出力ホール電圧
をVHとすると、磁場が印加されることによってVH＞Δと
なった時にコンパレータCPの出力がローレベルとなる。
その時の磁束密度が動作点BOPであり、BOP＝ΔV/VHであ
る。
をVHとすると、磁場が印加されることによってVH＞Δと
なった時にコンパレータCPの出力がローレベルとなる。
その時の磁束密度が動作点BOPであり、BOP＝ΔV/VHであ
る。
次に、温度変化に対する動作点の変動について説明す
る。第２の出力端子O2の出力電圧が電源電圧の1/2であ
るのに対し、第１の出力端子O1の出力電圧は、電源端子
VCCから動作点調整用抵抗R11を介して流れ込む電流によ
って抵抗R9,R6に生じる電位差分だけ高くなっており、
この電位差により前述の動作点が設定されている。とこ
ろが、周囲温度が上昇するとホール素子HD自体の出力電
圧が低下するので、このままでは、所期の設定値よりも
高い磁束密度が発生しないとホール素子HDの出力ホール
電圧が前述の電位差に達しないことになる。このような
事態を阻止するために、動作点調整用抵抗R11としてホ
ール素子Ｈよりも大きい温度係数のものが用いられてお
り、周囲温度の上昇に伴ってその抵抗値が増大し、この
抵抗R11を介して流れる電流が減少するので、抵抗R9,R6
に生じる電位差も相対的に減少する。この電位差ホール
素子HDの温度上昇に伴う出力ホール電圧に対応して低下
するような温度係数を有する動作点調整用抵抗R11を選
定することにより、温度変化に拘わらず動作点の変動を
抑制できる。
る。第２の出力端子O2の出力電圧が電源電圧の1/2であ
るのに対し、第１の出力端子O1の出力電圧は、電源端子
VCCから動作点調整用抵抗R11を介して流れ込む電流によ
って抵抗R9,R6に生じる電位差分だけ高くなっており、
この電位差により前述の動作点が設定されている。とこ
ろが、周囲温度が上昇するとホール素子HD自体の出力電
圧が低下するので、このままでは、所期の設定値よりも
高い磁束密度が発生しないとホール素子HDの出力ホール
電圧が前述の電位差に達しないことになる。このような
事態を阻止するために、動作点調整用抵抗R11としてホ
ール素子Ｈよりも大きい温度係数のものが用いられてお
り、周囲温度の上昇に伴ってその抵抗値が増大し、この
抵抗R11を介して流れる電流が減少するので、抵抗R9,R6
に生じる電位差も相対的に減少する。この電位差ホール
素子HDの温度上昇に伴う出力ホール電圧に対応して低下
するような温度係数を有する動作点調整用抵抗R11を選
定することにより、温度変化に拘わらず動作点の変動を
抑制できる。
次に実測結果を示す。いま、GaAsホール素子HDとし
て、周囲温度が25℃の時に抵抗値が800Ω（ブリッジ構
成抵抗R3〜R6が各々458Ω、抵抗R7,R8が171Ω、抵抗R9,
R10が569Ω）で、各抵抗R3〜R10の温度係数が0.17％／
℃、電源電圧が5Vで且つ磁束密度Ｂが1KGの状態におけ
るホール電圧が200mV、ホール電圧温度係数が−0.17％
／℃のものを用い、動作点調整用抵抗R11として、シリ
コンIC内に形成されたものであって抵抗値が60KΩ、そ
の温度係数がホール素子HDにおける抵抗の温度係数より
も大きい＋0.24％／℃のものを用いた。このホール素子
HDと動作点調整用抵抗R11とを用いた装置の温度変化に
対する動作点の変動関係は、第２図の実線で示す特性の
ようになり、比較のために破線で示した従来装置による
特性との比較から明らかなように、動作点の温度変化に
対する変動を極力抑制できた。また、第１図の構成にお
いて抵抗R11として温度係数が20ppm/℃のカーボン抵抗
を用いた場合の温度変化に対する動作点変動は、同図に
１点鎖線で示す特性のようになり、この場合においても
従来装置よりは動作点の変動を抑制できる。
て、周囲温度が25℃の時に抵抗値が800Ω（ブリッジ構
成抵抗R3〜R6が各々458Ω、抵抗R7,R8が171Ω、抵抗R9,
R10が569Ω）で、各抵抗R3〜R10の温度係数が0.17％／
℃、電源電圧が5Vで且つ磁束密度Ｂが1KGの状態におけ
るホール電圧が200mV、ホール電圧温度係数が−0.17％
／℃のものを用い、動作点調整用抵抗R11として、シリ
コンIC内に形成されたものであって抵抗値が60KΩ、そ
の温度係数がホール素子HDにおける抵抗の温度係数より
も大きい＋0.24％／℃のものを用いた。このホール素子
HDと動作点調整用抵抗R11とを用いた装置の温度変化に
対する動作点の変動関係は、第２図の実線で示す特性の
ようになり、比較のために破線で示した従来装置による
特性との比較から明らかなように、動作点の温度変化に
対する変動を極力抑制できた。また、第１図の構成にお
いて抵抗R11として温度係数が20ppm/℃のカーボン抵抗
を用いた場合の温度変化に対する動作点変動は、同図に
１点鎖線で示す特性のようになり、この場合においても
従来装置よりは動作点の変動を抑制できる。
第３図は前記実施例の変形例を示したもので、第１図
と同一若しくは同等のものには同一の符号を付してあ
り、前記実施例の第１の出力端子O1と電源端子VCCとの
間に代えて、第２の出力端子O2と接地端子GNDとの間に
動作点調整用抵抗R12接続したものであり、温度上昇に
伴って第２の出力端子O2の電圧が下がる動作を除いて前
記実施例と同様の効果を得るものである。
と同一若しくは同等のものには同一の符号を付してあ
り、前記実施例の第１の出力端子O1と電源端子VCCとの
間に代えて、第２の出力端子O2と接地端子GNDとの間に
動作点調整用抵抗R12接続したものであり、温度上昇に
伴って第２の出力端子O2の電圧が下がる動作を除いて前
記実施例と同様の効果を得るものである。
第４図は本発明の他の実施例を示し、第１図と同一若
しくは同等のものには同一の符号を付してあり、第１図
と相違する点は、動作点調整用抵抗R11を接続した電源
端子VCCから第１の入力端子O1に向けて順方向にダイオ
ードＤを接続した構成のみである。
しくは同等のものには同一の符号を付してあり、第１図
と相違する点は、動作点調整用抵抗R11を接続した電源
端子VCCから第１の入力端子O1に向けて順方向にダイオ
ードＤを接続した構成のみである。
次に前記実施例の作用について説明する。ダイオード
Ｄでの降下電圧をVD、電源電圧をVCとすると、ホール素
子HDの両入力端子I1,I2間の印加電圧は、（VC−VD）と
なり、動作点調整用抵抗R11により上昇する動作点決定
用の電圧をΔＶとすると、第１の出力端子O1の電圧は、
｛（VC−VD）/2｝＋ΔＶとなり、第２の出力端子O2の出
力電圧は（VC−VD）/2となる。
Ｄでの降下電圧をVD、電源電圧をVCとすると、ホール素
子HDの両入力端子I1,I2間の印加電圧は、（VC−VD）と
なり、動作点調整用抵抗R11により上昇する動作点決定
用の電圧をΔＶとすると、第１の出力端子O1の電圧は、
｛（VC−VD）/2｝＋ΔＶとなり、第２の出力端子O2の出
力電圧は（VC−VD）/2となる。
そして、周囲温度が上昇すると、降下電圧VDが低下し
てVD′となり、第２の出力端子O2の電圧は、（VC−
VD′）/2と上昇する。一方、ホール素子HDの抵抗の温度
係数よりも大きい温度係数を有する動作点調整用抵抗R1
1は、周囲温度の上昇に伴ってその抵抗値が増大し、こ
の抵抗R11を介して流れる電流が減少するので、抵抗R9,
R6に生じる電位差ΔＶも相対的に減少してΔＶ′とな
る。従って、第１の出力端子O1の出力電圧は、｛（VC−
VD′）/2｝＋ΔＶ′となって上昇する。第１図の実施例
では動作点調整用抵抗R11の温度変化に伴う抵抗値の変
化のみによって動作点の調整を行なっていたのに対し、
この実施例では、動作点調整用抵抗R11の温度変化に伴
う抵抗値の変化と、温度変化に伴うダイオードＤでの降
下電圧の変化とにより動作点の調整を行うので、温度変
化に伴い変化するホール素子HDのホール電圧に対応して
両出力端子O1,O2間の電位差を一定の動作点になるよう
きめ細かく調整することができる。
てVD′となり、第２の出力端子O2の電圧は、（VC−
VD′）/2と上昇する。一方、ホール素子HDの抵抗の温度
係数よりも大きい温度係数を有する動作点調整用抵抗R1
1は、周囲温度の上昇に伴ってその抵抗値が増大し、こ
の抵抗R11を介して流れる電流が減少するので、抵抗R9,
R6に生じる電位差ΔＶも相対的に減少してΔＶ′とな
る。従って、第１の出力端子O1の出力電圧は、｛（VC−
VD′）/2｝＋ΔＶ′となって上昇する。第１図の実施例
では動作点調整用抵抗R11の温度変化に伴う抵抗値の変
化のみによって動作点の調整を行なっていたのに対し、
この実施例では、動作点調整用抵抗R11の温度変化に伴
う抵抗値の変化と、温度変化に伴うダイオードＤでの降
下電圧の変化とにより動作点の調整を行うので、温度変
化に伴い変化するホール素子HDのホール電圧に対応して
両出力端子O1,O2間の電位差を一定の動作点になるよう
きめ細かく調整することができる。
因みにこの実施例に係わる実測結果を示すと，第１図
で説明したと同様のホール素子HDおよび動作点調整用抵
抗R11用い、ダイオードＤとして2mV/℃の温度係数のも
のを用いて温度変化に対する動作点の変動を実験したと
ころ、第５図に実線で示すように、第１図の実施例の場
合よりも動作点の変動を抑制して一定に保持することが
できた。同図の破線は比較のために示した従来装置の特
性である。
で説明したと同様のホール素子HDおよび動作点調整用抵
抗R11用い、ダイオードＤとして2mV/℃の温度係数のも
のを用いて温度変化に対する動作点の変動を実験したと
ころ、第５図に実線で示すように、第１図の実施例の場
合よりも動作点の変動を抑制して一定に保持することが
できた。同図の破線は比較のために示した従来装置の特
性である。
第３図は前記第４図の実施例の変形例を示したもので
前述の各実施例と同一若しくは同等のものには同一の符
号を付してあり、第２の出力端子O2と接地端子GNDとの
間にダイオードＤを接続し、第２の出力端子O2と接地端
子GNDとの間に動作点調整用抵抗R12を接続したものであ
り、第４図の実施例と同様の効果を得るものである。
前述の各実施例と同一若しくは同等のものには同一の符
号を付してあり、第２の出力端子O2と接地端子GNDとの
間にダイオードＤを接続し、第２の出力端子O2と接地端
子GNDとの間に動作点調整用抵抗R12を接続したものであ
り、第４図の実施例と同様の効果を得るものである。
＜発明の効果＞ 以上のように本発明の磁束密度検出装置によると、ホ
ール素子の抵抗の温度係数よりも大きい動作点調整用抵
抗を設ける極めて簡単な構成により、温度変化により変
化するホール素子のホール電圧に対し、動作点調整用抵
抗の抵抗値の変化によって動作点をほぼ一定になるよう
自動的に調整することができ、所定の磁束密度を確実に
検出することができる。
ール素子の抵抗の温度係数よりも大きい動作点調整用抵
抗を設ける極めて簡単な構成により、温度変化により変
化するホール素子のホール電圧に対し、動作点調整用抵
抗の抵抗値の変化によって動作点をほぼ一定になるよう
自動的に調整することができ、所定の磁束密度を確実に
検出することができる。
また、動作点調整用抵抗の他に、温度変化に対応して
変化するダイオードでの降下電圧を利用することによ
り、動作点を更にきめ細かく一定になるよう自動的に調
整することができ、所定の磁束密度を正確に検出するこ
とができる。
変化するダイオードでの降下電圧を利用することによ
り、動作点を更にきめ細かく一定になるよう自動的に調
整することができ、所定の磁束密度を正確に検出するこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例の電気回路図、 第２図はそれの温度と動作点との関係を示す特性図、 第３図はそれの変形例のブロック構成図、 第４図は本発明の他の実施例の電気回路図、 第５図はそれの温度と動作点との関係を示す特性図、 第６図はそれの変形例を示すブロック構成図、 第７図は従来装置のブロック構成図である。 HD……ホール素子 I1,I2……ホール素子の入力端子 O1,O2……ホール素子の出力端子 R11,R12……抵抗 Ｄ……ダイオード CP……コンパレータ VCC……電源端子 GND……接地端子
Claims (2)
- 【請求項１】ホール素子の両入力端子を電源ラインに接
続し、且つ両出力端子をコンパレータに接続し、このホ
ール素子の少くとも一方の入力端子と出力端子との間に
接続された抵抗により両出力端子間に電位差を設け、前
記ホール素子の出力ホール電圧が前記電位差以上になる
ことによる前記コンパレータの出力変化により所定の磁
束密度を検出する磁束密度検出装置において、前記抵抗
として前記ホール素子の抵抗の温度係数よりも大きな温
度係数を有するものを用いるとともに、該抵抗を、前記
ホール素子の一方の入力端子と一方の出力端子との間に
介挿接続したことを特徴とする磁束密度検出装置。 - 【請求項２】ホール素子の両入力端子を電源ラインに接
続し、且つ両出力端子をコンパレータに接続し、ダイオ
ードを前記ホール素子の一方の入力端子と電源ラインと
の間に接続し、前記ホール素子の抵抗の温度係数よりも
大きな温度係数を有する抵抗を、前記ホール素子の一方
の出力端子と前記ダイオードが接続されている電源ライ
ンとの間に介挿接続したことを特徴とする磁束密度検出
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284751A JP2587531B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 磁束密度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284751A JP2587531B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 磁束密度検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158283A JPH04158283A (ja) | 1992-06-01 |
| JP2587531B2 true JP2587531B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=17682531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2284751A Expired - Lifetime JP2587531B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 磁束密度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2587531B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP2284751A patent/JP2587531B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04158283A (ja) | 1992-06-01 |
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