JP2585383B2 - 絶縁モールド型半導体装置及びその製法 - Google Patents
絶縁モールド型半導体装置及びその製法Info
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- JP2585383B2 JP2585383B2 JP63185625A JP18562588A JP2585383B2 JP 2585383 B2 JP2585383 B2 JP 2585383B2 JP 63185625 A JP63185625 A JP 63185625A JP 18562588 A JP18562588 A JP 18562588A JP 2585383 B2 JP2585383 B2 JP 2585383B2
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- Japan
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- case
- metal substrate
- resin
- conductor pattern
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁モールド型半導体装置及びその製法に
係り、特にケース内樹脂の洩れを防止するケースと金属
基板の接続に関する。
係り、特にケース内樹脂の洩れを防止するケースと金属
基板の接続に関する。
金属プリント基板上に半導体チツプ、抵抗、コンデン
サ等の電子回路部品を塔載し、これらを外装用ケースで
覆つているものとして特願昭61−190547号に示されるも
のがある。この従来技術では外装用のケースと金属プリ
ント基板は接着剤を介して接着されている。
サ等の電子回路部品を塔載し、これらを外装用ケースで
覆つているものとして特願昭61−190547号に示されるも
のがある。この従来技術では外装用のケースと金属プリ
ント基板は接着剤を介して接着されている。
また、金属基板上に半導体チツプ、電極を塔載し、こ
れらを外装用ケースで覆つているものとして特願昭57−
67385号に示されるものがある。この従来技術では、金
属基板と接するケースの先端に弾性を有する突起を設
け、ケースを金属基板に取り付ける際接着剤を用いない
でこの突起の弾性を利用し金属基板に係合密着させてい
る。
れらを外装用ケースで覆つているものとして特願昭57−
67385号に示されるものがある。この従来技術では、金
属基板と接するケースの先端に弾性を有する突起を設
け、ケースを金属基板に取り付ける際接着剤を用いない
でこの突起の弾性を利用し金属基板に係合密着させてい
る。
上記一方の従来技術（特願昭61−190547号）におい
て、外装用のケースと金属プリント基板の接着に接着剤
を使用しているため、材料費及び組立工数から製造コス
トが高価となる。また接着剤の塗布むらによるケース内
樹脂の外部洩れや接着剤のはみ出しに問題があつた。
て、外装用のケースと金属プリント基板の接着に接着剤
を使用しているため、材料費及び組立工数から製造コス
トが高価となる。また接着剤の塗布むらによるケース内
樹脂の外部洩れや接着剤のはみ出しに問題があつた。
また、上記他方の従来技術（特願昭57−67385号）に
おいて、ケースと金属基板の接合に接着剤を用いない
が、ケース先端に弾性を有する突起を特別に設ける必要
があり、突起に求められる弾性とケースに求められる材
料強度を両立できる適当なケース材料の選定が困難であ
るという問題があつた。
おいて、ケースと金属基板の接合に接着剤を用いない
が、ケース先端に弾性を有する突起を特別に設ける必要
があり、突起に求められる弾性とケースに求められる材
料強度を両立できる適当なケース材料の選定が困難であ
るという問題があつた。
本発明の目的は、前記公知技術の欠点を解消し、接着
剤を用いないで、ケース内部の樹脂がケース外部へ洩れ
るのを防止するに十分な絶縁モールド型半導体装置及び
その製法を提供することにある。
剤を用いないで、ケース内部の樹脂がケース外部へ洩れ
るのを防止するに十分な絶縁モールド型半導体装置及び
その製法を提供することにある。
上記目的は、外端子をケースに圧入することによりケ
ースと外端子を一体化し、外端子の金属基板ロウ付後に
生じるケースと金属基板の隙間をケース内部の樹脂がケ
ースの外部へ洩れない様な隙間になるまでケースを金属
基板に圧接させることにより達成される。
ースと外端子を一体化し、外端子の金属基板ロウ付後に
生じるケースと金属基板の隙間をケース内部の樹脂がケ
ースの外部へ洩れない様な隙間になるまでケースを金属
基板に圧接させることにより達成される。
また、外端子をケースにインサートし、ケースと端子
を一体化し外端子のケース口出し部と金属基板ロウ付け
部の間に曲がり部を少なくとも１ケ所設け、外端子の金
属基板ロウ付後に生じるケースと金属基板の隙間をケー
ス内部の樹脂がケースの外部へ洩れない様な隙間になる
までケースを金属基板に圧接させることにより達成され
る。
を一体化し外端子のケース口出し部と金属基板ロウ付け
部の間に曲がり部を少なくとも１ケ所設け、外端子の金
属基板ロウ付後に生じるケースと金属基板の隙間をケー
ス内部の樹脂がケースの外部へ洩れない様な隙間になる
までケースを金属基板に圧接させることにより達成され
る。
圧入構造によるケースと外端子は摩擦力により相互が
保持されているが、一方に摩擦力以上の力を加えれば変
位し、力を除けば再び摩擦力により位置決めがなされ
る。これによつて外端子と圧入構造にあるケースを金属
基板に向つて押圧することによりケースは外端子に沿つ
て滑べり落ちケースと金属基板間の隙間を狭小とする位
置にケースを移行させることが容易である。
保持されているが、一方に摩擦力以上の力を加えれば変
位し、力を除けば再び摩擦力により位置決めがなされ
る。これによつて外端子と圧入構造にあるケースを金属
基板に向つて押圧することによりケースは外端子に沿つ
て滑べり落ちケースと金属基板間の隙間を狭小とする位
置にケースを移行させることが容易である。
また、ケースと外部端子がインサートによつて一体構
造となつている場合は外端子に外端子のケース口出し部
と金属基板ロウ付部の間に曲がり部を設けることによつ
て、ケースを金属基板へ押圧すると、この曲がり部で外
端子がたわみケースと金属基板との隙間を狭小化するこ
とが容易である。
造となつている場合は外端子に外端子のケース口出し部
と金属基板ロウ付部の間に曲がり部を設けることによつ
て、ケースを金属基板へ押圧すると、この曲がり部で外
端子がたわみケースと金属基板との隙間を狭小化するこ
とが容易である。
以上によつて、ケース内部のモールド樹脂の洩れ出し
を防止することが可能となる。
を防止することが可能となる。
本発明を図面に示した実施例に基づいて説明する。第
１図は本発明の一実施例を示す。本発明による絶縁モー
ルド型半導体装置１において、Al製の放熱用金属板２、
エポキシ絶縁層３及びCu導体パターン4a,4b,4cを順次積
層した構造を有する金属プリント基板（以下基板）上に
外端子7a,7b及び電子回路部分5a,5b,5c,5dはロウ材を介
して導体パターン4a,4b,4cに接着され、かつ外端子7a,7
bと電子回路部分5a,5b,5c,5dは導体パターン4a,4b,4cを
介して電気的に接続されている。ケース６の内部には樹
脂９が充填されている。カバー８は接着剤にてケース６
に固着されている。外端子7a,7bは予めケース６に圧入
され一体となつている。
１図は本発明の一実施例を示す。本発明による絶縁モー
ルド型半導体装置１において、Al製の放熱用金属板２、
エポキシ絶縁層３及びCu導体パターン4a,4b,4cを順次積
層した構造を有する金属プリント基板（以下基板）上に
外端子7a,7b及び電子回路部分5a,5b,5c,5dはロウ材を介
して導体パターン4a,4b,4cに接着され、かつ外端子7a,7
bと電子回路部分5a,5b,5c,5dは導体パターン4a,4b,4cを
介して電気的に接続されている。ケース６の内部には樹
脂９が充填されている。カバー８は接着剤にてケース６
に固着されている。外端子7a,7bは予めケース６に圧入
され一体となつている。
電子回路部分5a,5b,5c,5d及びケース６と一体の外端
子7a,7bを導体パターン4a,4b,4cにベルトリフローにて
ロウ付すると、ケース６と外端子7a,7bの線膨張率の差
等により第３図に示すようにケース６とエポキシ絶縁層
３の間に隙間ｇを生じる。この隙間が大きいとケース６
の内部に樹脂９を充填する際にケース６の外部へ樹脂９
が洩れるが、この隙間ｇの大きさが0.15mm以下であれば
樹脂９はケース６の外部へ洩れ出さないことが見い出さ
れた。この現象は、樹脂９に半導体装置の充填材として
通常用いられるフイラー入り樹脂を使用している為、樹
脂自体の粘度やチクソトロピツク性等の影響も考えられ
るが、含有されるフイラーの粒径（５μｍ〜200μｍ）
に主に依存している。
子7a,7bを導体パターン4a,4b,4cにベルトリフローにて
ロウ付すると、ケース６と外端子7a,7bの線膨張率の差
等により第３図に示すようにケース６とエポキシ絶縁層
３の間に隙間ｇを生じる。この隙間が大きいとケース６
の内部に樹脂９を充填する際にケース６の外部へ樹脂９
が洩れるが、この隙間ｇの大きさが0.15mm以下であれば
樹脂９はケース６の外部へ洩れ出さないことが見い出さ
れた。この現象は、樹脂９に半導体装置の充填材として
通常用いられるフイラー入り樹脂を使用している為、樹
脂自体の粘度やチクソトロピツク性等の影響も考えられ
るが、含有されるフイラーの粒径（５μｍ〜200μｍ）
に主に依存している。
即ちフイラーが狭小な隙間に入ることにより、フイラ
ーが互いにからまり合つたり、フイラー間距離が詰まつ
たりすることにより隙間を流れ出そうとする樹脂９の摩
擦抵抗が大きくなるよう働くので、本発明による0.15mm
以下の隙間ではこの摩擦抵抗の増大によりケース６外部
へ樹脂が洩れ出さない。
ーが互いにからまり合つたり、フイラー間距離が詰まつ
たりすることにより隙間を流れ出そうとする樹脂９の摩
擦抵抗が大きくなるよう働くので、本発明による0.15mm
以下の隙間ではこの摩擦抵抗の増大によりケース６外部
へ樹脂が洩れ出さない。
ケース６と外端子7a,7bは圧入構造のため、ケース６
をエポキシ絶縁層３に押圧すればケース６は端子面上を
すべつて変位するためケース６はエポキシ絶縁層３に圧
接され、外端子7a,7bとの摩擦力により、ケース６はエ
ポキシ樹脂層３との隙間を0.15mm以下に保持することが
できる。
をエポキシ絶縁層３に押圧すればケース６は端子面上を
すべつて変位するためケース６はエポキシ絶縁層３に圧
接され、外端子7a,7bとの摩擦力により、ケース６はエ
ポキシ樹脂層３との隙間を0.15mm以下に保持することが
できる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す。本発明による
絶縁モールド型半導体装置10において、Al製の放射用金
属材11、エポキシ絶縁層12及びCu導体パターン13a,13b,
13cを順次積層した構造を有する金属プリント基板（以
下基板）上に外端子16及び電子回路部品14a,14b,14cは
ロウ材を介して導体パターン13a,13b,13cに接着され、
かつ外端子16と電子回路部品14a,14b,14cは導体パター
ン13a,13b,13cを介して電気的に接続されている。ケー
ス15の内部には樹脂18が充填されている。カバー17は接
着剤にてケース15に固着されている。外端子16は予めケ
ース15にインサートされており、外端子16はケース15と
導体パターン接続部との間に曲がり部16aを有してい
る。
絶縁モールド型半導体装置10において、Al製の放射用金
属材11、エポキシ絶縁層12及びCu導体パターン13a,13b,
13cを順次積層した構造を有する金属プリント基板（以
下基板）上に外端子16及び電子回路部品14a,14b,14cは
ロウ材を介して導体パターン13a,13b,13cに接着され、
かつ外端子16と電子回路部品14a,14b,14cは導体パター
ン13a,13b,13cを介して電気的に接続されている。ケー
ス15の内部には樹脂18が充填されている。カバー17は接
着剤にてケース15に固着されている。外端子16は予めケ
ース15にインサートされており、外端子16はケース15と
導体パターン接続部との間に曲がり部16aを有してい
る。
電気回路部品14a,14b,14c及びケース15と一体の外端
子16を導体パターン13a,13b,13cにベルトリフローにて
ロウ付すると、第３図に示すようにケース15とエポキシ
絶縁層12の間に隙間ｇを生じる。この隙間ｇの大きさが
0.15mm以下であれば、樹脂18はケース15の外部へ洩れ出
さないのは第一の実施例と同じである。
子16を導体パターン13a,13b,13cにベルトリフローにて
ロウ付すると、第３図に示すようにケース15とエポキシ
絶縁層12の間に隙間ｇを生じる。この隙間ｇの大きさが
0.15mm以下であれば、樹脂18はケース15の外部へ洩れ出
さないのは第一の実施例と同じである。
ケース15をエポキシ絶縁層12に押圧すると外端子の曲
がり部16aで外端子16がたわむため、ケース15をエポキ
シ絶縁層12に押圧し隙間を0.15mm以下にすることがで
き、本状態でケース15の内部に樹脂を充填することによ
りケース15外部への樹脂洩れを防止することができる。
がり部16aで外端子16がたわむため、ケース15をエポキ
シ絶縁層12に押圧し隙間を0.15mm以下にすることがで
き、本状態でケース15の内部に樹脂を充填することによ
りケース15外部への樹脂洩れを防止することができる。
以上のように、本発明によれば接着剤や特殊なケース
形状を要することなく、ケース内部の樹脂のケース外部
への洩れ出しを防止することが出来る為、安価で容易な
絶縁モールド型半導体装置及びその製法が得られるとの
効果がある。
形状を要することなく、ケース内部の樹脂のケース外部
への洩れ出しを防止することが出来る為、安価で容易な
絶縁モールド型半導体装置及びその製法が得られるとの
効果がある。
第１図，第２図は本発明の一実施例を示す図、第３図は
実施例の部分断面図を示す。 1,10……絶縁モールド型半導体装置、2,11……放熱用金
属基板、3,12……エポキシ絶縁層、4,13……導体パター
ン、5,14……電子回路部品、6,15……ケース、7,16……
外端子、8,17……カバー、9,18……樹脂。
実施例の部分断面図を示す。 1,10……絶縁モールド型半導体装置、2,11……放熱用金
属基板、3,12……エポキシ絶縁層、4,13……導体パター
ン、5,14……電子回路部品、6,15……ケース、7,16……
外端子、8,17……カバー、9,18……樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 羊一 茨城県日立市弁天町３丁目10番２号 日 立原町電子工業株式会社内 (72)発明者 加藤 喜明 茨城県日立市弁天町３丁目10番２号 日 立原町電子工業株式会社内 (72)発明者 国分 秀弥 茨城県日立市弁天町３丁目10番２号 日 立原町電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−184743（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−139048（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】金属基板の一主面の少なくとも一部分に絶
縁部材を介して配線用導体パターンが形成され、導体パ
ターン上の所定の個所に接着層を介して電子回路部品及
び外端子を載置し、前記電子回路部品及び外端子を前記
金属基板に載置したケースで包囲し、ケース内部を樹脂
にてモールドした絶縁モールド型半導体装置において、 前記外端子は前記ケースに圧入され、 前記樹脂にはフィラーが含まれ、 前記金属基板と前記ケースとの接続部においてケース内
部からケース外部に至る金属基板とケースとの間の隙間
を0.15mm以下とすることを特徴とする絶縁モールド型半
導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、外端子をケースにイン
サートしケースと一体とし、外端子はケースと導体パタ
ーン接着部との間に少くとも一ケ所の曲がり部を有する
ことを特徴とする絶縁モールド型半導体装置。 - 【請求項３】金属基板の一主面の少なくとも一部分に絶
縁部材を介して配線用導体パターンが形成され、導体パ
ターン上の所定の個所に接着層を介して電子回路部品及
び外端子を載置し、前記電子回路部品及び外端子を前記
金属基板に載置したケースで包囲し、ケース内部を樹脂
にてモールドした絶縁タイプの樹脂モールド型半導体装
置において、前記外端子は前記ケースに圧入されケース
と一体とし、前記外端子が前記金属基板の導体パターン
に接着された際に生じる前記金属基板と前記ケースとの
間の隙間を、ケース内部への樹脂注入前に前記ケースを
前記金属基板に加圧密着させることで前記樹脂の洩れを
防止するに十分な隙間とし前記ケースと前記外端子間の
摩擦力により位置を保持することを特徴とする絶縁モー
ルド型半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185625A JP2585383B2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 絶縁モールド型半導体装置及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185625A JP2585383B2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 絶縁モールド型半導体装置及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236551A JPH0236551A (ja) | 1990-02-06 |
| JP2585383B2 true JP2585383B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=16174062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63185625A Expired - Fee Related JP2585383B2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 絶縁モールド型半導体装置及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585383B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58184743A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-28 | Hitachi Ltd | モ−ルド型半導体装置 |
| JPS61139048A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP63185625A patent/JP2585383B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0236551A (ja) | 1990-02-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |