JPH11502059A

JPH11502059A - チップ支持体構造及びチップケーシングを製造するためのチップ支持体

Info

Publication number: JPH11502059A
Application number: JP8521357A
Authority: JP
Inventors: ツァーケル・エルケ; リン・デイヴィッド; グヴィアンスダ・イェルク; オストマン・アンドレアス
Original assignee: フラウンホーファーゲゼルシャフトツーアフェルデルングデアアンゲヴァンテンフォルシュングＥ．Ｖ．
Priority date: 1995-01-12
Filing date: 1995-12-07
Publication date: 1999-02-16
Anticipated expiration: 2015-12-07
Also published as: WO1996021947A1; US5956232A; DE19500655B4; DE19500655A1; JP3473912B2

Abstract

(57)【要約】チップケーシングを製造するためのチップ支持体（２３）を備えたチップ支持体構造（２３）であって、前記チップ支持体は、導電経路（２１）を備えた支持箔（２０）の上に設けられており、導電経路は、チップ（３９）に面する支持箔の前側で、チップの接触表面のメタライズ部（４０）に接続されており、それらの自由端は、電子部品或いは基板と接続するために同一表面となるように分布された接続表面構造（４２）を形成するものであり、それによって、導電経路（２１）が支持箔（２０）の逆側に配置され、支持箔（２０）内の溝（２８）が接触表面メタライズ部（４０）の領域内に設けられ、接続表面構造（４２）を形成するための導電経路が穿孔されたマスク（３６）で覆われており、支持箔の厚さ（ｓ）がチップの表面の接触表面メタライズ部（４０）の高さ（ｈ）より小さいか実質的に等しいものである。

Description

【発明の詳細な説明】チップ支持体構造及びチップケーシングを製造するためのチップ支持体技術分野本発明は、チップケーシングを製造するためのチップ支持体を備えたチップ支持体構造であって、前記チップ支持体は、導電経路を備えた支持箔上に設けられており、導電経路は、チップに面する支持箔の前側で、チップの接触表面のメタライズ部に接続されており、それらの自由端は、電子部品或いは基板と接続するために同一表面となるように分布された接続表面構造を形成するものに関する。本発明は、更に、導電経路を有する支持箔を備えたチップケーシングを製造するためのチップ支持体に関する。背景技術望ましくない機械的及び化学的影響に対する保護の目的で、また、まき散らされた熱を取り除いて分散させる目的で、原則としてケーシングを備えたチップを提供することが必要である。このケーシングは、チップ接続表面から外側に案内される接続導体構造により、後続する取り付けの工程でのチップの取り扱いの改善が達成されるという利点を更に提供する。なぜなら、外向きに案内された接続導体構造により、接続表面の拡大が行われ、また、接続導体構造の外側に広がる構造により外側からアクセス可能な接続表面の大きな間隔が生成されるからである。したがって、現在普及している表面取付型技術（ＳＭＴ）では、外側に突出する複数の接続ピン（ピン−グリッドアレイ，ＰＧＡ）により外部接続導体構造或いは接続表面構造が実現されるプラスチック、セラミック、或いは金属からなるケーシングを使用することが通例である。このようなケーシングにより、チップは、チップ支持体上に上述した接続導体構造を形成できるように、チップ自身よりも何倍も大きなチップ支持体上に配置される。この結果、チップケーシングの設計において、全体として容積が大きくなり、特に応用が広がっている多チップモジュール技術と関連する際に不都合となることが判っている。この認識された不都合が、とりわけ、その接続導体配置と一緒になったチップ支持体それ自身がチップとほぼ同じサイズを有する請求項１の前文に従ったチップケーシングを開発するための一つの理由であった。これは、接続導体の一方の側に接続導体を備え、それらの自由端において支持箔を越えた突起がチップ接続表面に接続され、それらの端部において支持箔上に配置された領域がそれぞれの所定のケースにおいて支持箔の反対側に配置された接触メタライズ部に接続されたポリイミドから成る支持箔を含むチップ支持体を作成することにより達成された。そして、このチップ支持体は、チップから離れて面する支持箔の反対側に同一平面となるように分布された接触メタライズ部構造によって、外側を向いた慣用の接続導体ピン配置（ＰＧＲ）と置換される「ボールグリッドアレイ」という表現で知られる接触メタライズ部構造が作成される。チップの表面の領域に配置されたこの「内部」接続導体構造により、全体としてチップケーシングを大幅にコンパクトに設計することが可能になるが、公知のチップケーシングでは、導体とチップの表面の間に追加の絶縁中間層を設けることが必要である。この中間層は、とりわけ、導体構造をチップ接続表面に接続する目的で、個別の導体の端部を、チップ接続表面と接触させるために、支持箔の平面から曲げなければならない。これは、公知のチップケーシングの製造の目的で、たとえば、テープ自動化ボンディング（ＴＡＢ）プロセス、或いは、フリップチッププロセスのような公知の接続プロセスを使用することを不可能にする。発明の開示したがって、本発明の目的は、公知のチップケーシングと比較すると、簡単化された構造と、チップケーシングを製造するための慣用の接続技術の使用を可能にするチップケーシングを作成することである。この目的は、請求項１の特性を有するチップ支持体構造により、また、請求項５の特性を有するチップ支持体構造により達成される。本発明によるチップ支持体構造の場合には、導電経路は支持箔の逆側に配置され、そこでは支持箔の溝は、接触メタライズ部の領域に設けられ、支持箔の厚さは、チップの表面上の接触表面メタライズ部の高さに実質的に等しいか或いは小さく、接続表面構造を形成するための導電経路は、穿孔されたマスクで覆われている。ここで「支持箔」という用語は、その表面の広がりに対して薄い支持体を記述するために使用されるものであり、支持体用の材料の選択により剛性を有する支持体、及び可撓性を有する支持体の両方を含むことが明確に指摘される。本発明によるチップ支持体構造は、その製造工程において、場合によっては、ＴＡＢプロセス或いはフリップチッププロセスの助力を任意事項として、チップ支持体のチップへの接続を可能にする。本発明による構造の故に、ＴＡＢプロセスで慣用されているように熱こて（ｔｈｅｒｍｏｄｅ）の助けを借りて、プロセス中に導電経路をサポートフィルムの面から曲げることなく、支持箔の逆側からの導電経路をチップの接触表面メタライズ部へ接続することが可能である。この場合には、次いで、導電経路の接触部とチップの接触表面のメタライズ部の間の接続接触を、支持箔の溝の領域で作用させることが可能となる。接触表面メタライズ部の高さに適合する支持箔の厚さは、チップ支持体を曲げることなく接触させることを可能にし、これにより、同時にチップの表面に面した支持箔は、チップの表面に関して導電経路の絶縁という機能を果たす。支持箔の厚みを対応させて設計することにより、支持箔は、振動に対して絶縁体を構成する、チップの表面と支持箔の間の導電経路を備えた弾性中間層としての機能をも果たすことができる。接続表面構造上に接触表面メタライズ部を形成する目的で、はんだのボールがこの目的のために意図された穿孔されたマスクのホール内に付着された場合には、特に有利であることが判明している。この点に関して、穿孔されたマスクは、電子部品と基板とを接続する目的の再溶融工程においてはんだボールが一緒に流れてしまうのを防止する、所謂はんだ停止マスクとしても構成される。はんだボールの付着は、はんだ隆起（bump）の発生に関して特に費用効率が良い工程となる。支持箔とチップの表面の間に存在する少なくとも一つの中間空間が、支持箔とチップを互いに粘着的に接続する充填材を備えている場合もまた有利である。この手段により、互いに強固に接着するチップとチップ支持体により構成されるユニットが形成される。チップ支持体とチップが、たとえば、合成材料から形成されたケース内に収容され、粘着性の充填材が、チップと同様に、ケースの内壁とチップ支持体の間に充填される場合には、チップが全ての側面に固定されたされたチップケーシングが作成される。更にこの場合には、チップ支持体とは反対側に配置されたケースの逆側は刻名領域を構成する。本発明によれば、請求項１ないし４の一、又は一つ以上のチップ支持体構造の製造のためのチップ支持体は、請求項５の特性を示している。本発明によるチップ支持体の場合には、導電経路は、少なくとも一部分の領域において、支持箔と穿孔されたマスクの間にサンドイッチ状態で配置され、導電経路の内側端部領域上に接続表面構造を形成するために機能する。チップケースの継続的な製造を可能にするためには、チップ支持体が、部分領域がそれぞれチップに割り当てられた箔片（strip）として組み立てられれば、有利であることが判っている。はんだボールが、この目的にために意図された穿孔されたマスクのホールに付着される場合には、接続表面構造上に接触表面メタライズ部を形成するための特に費用効率が良い可能性が提供される。次いで、これらは、電子部品或いは基板に接続されるときに、再流作用（reflow process）の助けを借りて再溶融される。穿孔されたマスク内のはんだボールは、チップ支持体をチップに接続する前に或いは後に、付着されることができる。支持箔上の導電経路が、チップ接触側の接触部の領域で露出している場合には、フリップチッププロセス（flip-chip process）の助けを借りて、チップ支持体の接触部を、たとえば、チップが取り付けられたものとの関係で、その接触表面メタライズ部を下向きにして、規則的な間隔でチップの下を通るチップ支持体上に接触させることは十分可能である。チップ支持体とチップがフリップチッププロセスの助けを借りて接触する場合には、支持箔の逆側からの導電経路へのアクセスが必要ではないので穿孔されたマスクは間欠的な設計であるだけでなく連続的なものとすることもできる。チップ支持体の導電経路が、接触部の領域の両側で、すなわち、前側（チップ接触側）と支持箔の逆側の両方で、露出している場合には、チップ支持体のチップへの接続は、ＴＡＢプロセスの助けを借りて支持箔の逆側から、接触部を熱こて或いは同様の装置の動作に従わせることによって実行することができる。この場合には、次いで、穿孔されたマスクは、上述したように、部分的な領域において形成され、これにより個別の部分的な領域は、密着した設計、すなわち、たとえば、単に導電経路の接触部を露出させる穿孔（perforation）により分離するようにすることもできる。導電経路の接触部が、接続表面で終端する外側端部領域で併合されると共に接続表面の方向に分散するように配置されるように構成される場合にはこれも有利である。これによって、支持箔の逆側に関する接続表面構造への「内部」接触の他に、チップの「外部」接触も可能となり、これにより、同時に、外部接続表面の外向きに広がる構造と拡大された接続表面により、たとえば、品質試験の目的のための精密な接触が大幅に緩和される。支持箔の内側領域がいくつかのターゲット分離装置を介して支持箔の外側領域に接続されるように、支持箔が接触部に隣接する周辺箔ギャップを含む場合には、密着したチップ支持体構造或いはチップケーシングの完了後に、たとえば、スタンピング（stamping）により迅速で簡単な隔離が可能である。箔ギャップの上方に広がる支持箔の外側領域内の導電経路の外側端部領域において、隔離に先立って試験接触を迅速且つ簡単な方法で行うことができる。本発明は、チップ支持体の実施態様と図面を参照して、チップケーシングの幾つかの実施態様の表現により以下により詳細に説明される。図面の簡単な説明図１は、支持箔とその上に配置された導電経路を備えたチップ支持体の断面図である。図２は、図１に示されたチップ支持体の平面図である。図３は、図１に示されたチップ支持体であり、その導電経路の端部は、チップ支持体構造を形成するために、チップの接触表面メタライズ部に接続される。図４は、図３に示されたチップ支持体構造の平面図である。図５は、導電経路の内側端部領域の上にはんだボールが付着された図４に示されたチップ支持体構造である。図６は、図５に示されたチップ支持体構造の平面図である。図７は、プラスチックキャストシールを備えた図５に示されたチップ支持体構造である。図８は、チップ支持体とチップの表面の間に提供された下側充填材を備えた図７に示されたチップ支持体構造である。図９は、プラスチックケースを備えたチップケーシングチップである。図１０は、支持箔から取り除かれた分離されたチップケーシングである。図１１は、支持箔の外側領域と組み合わされる図２に示される支持箔の内側領域の表現である。図１２は、試験接続表面を形成するための図と共に、支持箔の外側領域まで外側端部領域によって拡張される導電経路を備えた図１１に示された支持箔の変形である。発明を実施するための最良の形態断面で示される図１は、その逆側に個別の導電経路２１を有する導電経路構造２２を備えた支持箔２０を示す。支持箔２０は、ＴＡＢプロセスにおいて特にしばしば使われる導電経路構造（カプトン（Ｋａｐｔｏｎ）箔）を備えたポリイミド箔とすることができる。しかしながら、原理的には、物質的な特性の理由で導電経路構造への適用に適しているのであれば、以下に詳細に説明されるチップ支持体２３を形成するために他のタイプの箔を使用することもできる。特に、図１１においてその全体の幅で示された支持箔２０の内側領域２４が描かれた図２から判るように、個別の導電経路２１は、支持箔２０の内側領域２４内の溝２８を介して内側端部領域２６に隣接する接触部２５と共に広がっており、前記溝２８は、ここではフレームの形態で周辺に構成されている。このように、導電経路２１は、ここに示される実施例においては、箔フレーム２９を支持箔２０の内側領域２４のコア領域３０へ接続する。図１１が示すように、支持箔２０の内側領域２４は、箔フレーム２９の角領域において、支持箔２０の外側領域３２へ、周辺の箔ギャップ５５に架橋するターゲット分離ブリッジ３１経由で、接続される。図１１において縦断面で示された支持箔２０の外側領域３２は、その縦の縁３３に、矢印３５の方向に支持箔２０の供給運動を実行するために、ここでは詳細は示されない牽引装置を係合するために提供される穿孔（パーフォレーション perforation）３４を含んでいる。支持箔２０の逆側で、導電経路構造２２は、導電経路構造２２の反対側に配置された支持箔２０のコア領域３０に実質的に適合しているはんだ停止マスク３６で覆われている。はんだ停止マスク３６は、コーティング、たとえば、はんだ停止ラッカーの塗布の形態をとることができる。はんだ停止マスク３６は、導電経路２１の内側端部領域２６の上にそれぞれ配置され、したがって、支持箔２０の逆側からのそれぞれの導電経路２１への直接アクセスを可能にする個別の孔部３７を備えた穿孔されたマスクを形成することは不可欠である。導電経路構造２２の上に例示的な分布で図２において配置されたはんだ停止マスク３６の複数の孔部３７の中で、二つのみが、図２に示されたものとは異なった構造で示されている。図１において、例えば粘着性の材料から形成される充填材層３８は、コア領域３０を覆って、支持箔２０の前面側に設けられ、前記充填材層の機能は、以下に詳細に説明される。図３は、チップ支持体構造２７を形成するために、チップ３９を備えたチップ支持体２３を示し、これにより、導電経路２１の接触部２５は、隆起（bump）４０として設計されたチップ３９の接触表面メタライズ部に接続される。隆起（bu mp）４０は、たとえば、金の隆起（bump）或いはまた金／ニッケル隆起（bump）の形態をとることができる。導電経路は、隆起（bump）４０、或いは、はんだボール４１への接続のための金、金／ニッケル、または、すずのメタライズ部でそれらの端部領域に設けることができる銅経路として設計することができる。各々の場合において、メタライズ部は、適切な接続と適合させることができる。支持箔２０に接続される導電経路２１は、ＴＡＢプロセスにより隆起（bump）４０に接続することができ、そこでは、図３において破線によって示された熱こてを支持箔２０の逆側から導電経路の接触部２５の上に装着して、接触部２５を圧力と温度の作用の下でチップ３９の隆起（bump）４０に対して押しつける。この工程において、導電経路２１或いはその接触部２５は、ＴＡＢプロセスの特性として、支持箔２０に関して平行な平面的な配置のまま残る。図３から明瞭に判るように、とりわけ、箔厚さｓが、チップ３９の表面を越えて突出する隆起（bump）４０の高さｈより小さいか、或いは、最大でも同じ大きさであるという事実により、ＴＡＢプロセスの使用が可能となる。この方法だけで、チップの表面に関して支持箔２０の面が平行となる配置が可能となる。支持箔２０のコア領域３０に図３において設けられた充填材層３８は、支持箔２０とチップ３９の表面との間に存在することになる中間空間を充填する機能を果たし、その粘着特性によってチップ支持体２３とチップ３９の間の機械的な接着を強固なものにする。充填材層を弾性体とする設計の場合には、後者は、機械的な圧力が加わった場合に、チップ支持体２３とチップ３９との間の機械的ダンピング（圧力の減衰）も提供する。しかしながら、前述した中間空間を充填するために、隆起（bump）４０の高さｈに対応するように箔の厚さｓを選択することも同様に可能である。この高さは、およそ２５μｍである。図４は、チップ３９の隆起（bump）４０によって接触される導電経路２１のコンタクト部２５を再度平面図で示す。図３に示されているものから、チップ２３を設けることは、ＴＡＢプロセスの助力ばかりでなくフリップチッププロセスの助力によっても可能であることが明らかになる。この場合は、次いでチップ３９は、隆起（bump）４０を前方にして、チップ３９の下に随意に配置されるチップ支持体２３の接触部２５の上に取り付けられる。図５及び図６は、はんだボールの付着の後の図３及び図４に示されたチップ支持体２３を示し、各場合において、はんだボール４１は、図６に特に明瞭に現れるボール−グリッドアレイ４２を形成するためのはんだ停止マスク３６の孔部３７内に配置される。ボール−グリッドアレイ４２内に配置されたはんだボール４１は、マルチチップ構造を生成するためのボールグリッドアレイを有するチップ支持体上に同様に配置された電子部品、例えば、チップへの接続部として、或いは、同様に基板への接続部として機能を果たす。追加の部品或いは基板への接続は、次いで、リフロープロセスの助けを借りて、はんだボール４１を再溶融することにより達成することができる。図７は、導電経路２１が隆起（bump）４０と接触することにより形成された接続領域４４とチップ３９の側面の両方を囲み、したがって、環境の影響からシールされる剛性のチップケーシング４５を形成するキャストシール４３を備えた図５及び図６に示されたチップ支持体構造２７を示す。図７に示される領域の中へのキャストシール４３の適用は、たとえば、ここでは詳細が示されない合成樹脂の槽を通して搬送される支持箔２０により達成することができる。図８は、すでに施された充填層３８及び空間の配置の効果の結果として、支持箔２０とチップの表面との間が、下側充填材４６を形成するシール材料によりキャストシール４３の付着の工程において充填されるという作用の点で図７とは異なる変形例を示している。最後に、図９は、キャストシール４３或いは下側充填材４６に加えて、たとえば、合成材料から形成されるケース４８が後者の逆側からチップ３９上に押しつけられて、これにより、ここでは、ケースの内側壁４９とチップの周辺と間に残っている空間も、キャストシール或いは下側充填材により充填されるチップケーシング４７の変形例を示す。最後に、図１０は、ターゲット分離ブリッジ３１（図１１）を機能させることにより支持箔２０から取り除かれ、したがって、分離されたチップケーシング４７を示す。例として図７から図８に示された代替案は、同様に分離される。図１２は、代替の実施態様における、導電経路構造５１を備えた支持箔５０を示す。導電経路構造５１は、中央接触部２５及び内側端部領域２６の他に外側端部領域５３を含む導電経路５２を有する。図１２に示された支持箔５０の相違は、図１１に示された支持箔２０と比較することにより特に明らかになる。図１２は、導電経路５２の外側端部領域５３は、接触部２５から支持箔５０の外側領域３２まで外側に広がることを示す。外側端部領域５３の端部は、支持箔５０のコア領域３０の各々の縁の長さに対して直線的に配置され、接触部２５と比較して実質的に拡大された互いに離れた中心間距離を呈する接触表面５４として設計されている。導電経路の厚さと比較して実質的に拡大された接触の表面によって、また、比較的大きな互いに離れた間隔によって、たとえば、試験の目的で接触表面５４を接触させることが大幅に簡単になる。図１２に示された支持箔５０の有利な構造の結果として、外側接触表面５４の接触は、チップ支持体２３とチップ３９との間の接触期間中に、或いは、チップケーシング４５及び４７の完成の後でそれらの隔離の前に（図１０参照）、何時でも達成される。図１２に示された支持箔５０を使用することによって、製造されたチップケーシング４５或いは４７の隔離の工程において、導電経路５２の外側端部領域５３は、たとえば、スタンピングによりターゲット分離ブリッジと共に引き離される。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】１９９７年２月７日【補正内容】請求の範囲１．チップケーシングを製造するためのチップ支持体を備えたチップ支持体構造であって、前記チップ支持体は、チップに面する支持箔の前側で、チップの接触表面のメタライズ部に接続されていると共に、それらの自由端は、電子部品或いは基板と接続するために同一表面となるように分布された接触表面構造を形成する導電経路を備えた支持箔上に設けられており、導電経路が支持箔の逆側に配置され、チップの周辺に沿って伸延する溝が接触表面メタライズ部内の支持箔内に設けられ、導電経路が接続表面構造を形成するための穿孔されたマスクで覆われており、上記支持箔の厚さがチップの表面の接触表面メタライズ部の高さより小さいか実質的に等しいものであり、導電経路（２１）が、チップ（３９）に重なる支持箔（２０）の内側領域内の接続表面構造（４２）から溝（２８）を介して溝を囲む箔フレーム（２９）に伸延し、導電経路の外側端部が箔フレームの外側縁部からの距離を呈することを特徴とするチップ支持体構造。２．チップケーシングを形成するために、支持箔（２０，５０）とチップ（３９）の表面の間に存在する少なくとも一つの空間が、充填材（３８，４６）を備えていることを特徴とする請求項１に記載のチップ支持体構造。３．チップケーシング（４７）を形成するために、チップ支持体（２３）とチップ（３９）はケース（４８）内に収納され、これによりケースの内側壁（４９）とチップ支持体（２３）との間、及び、チップ（３９）とチップ支持体（２３）との間が、充填材（３８）によって充填されていることを特徴とする請求項２に記載のチップ支持体構造。４．導電経路（２１）が、支持箔（２０）の内側領域内の接続表面構造（４２）から溝（２８）を介して、溝と外側縁部から一定の距離にある外側端部を有する箔フレーム（２９）に伸延することを特徴とする導電経路を含む支持箔を備えた請求項１ないし３のいずれかに記載のチップ支持体構造の製造のためのチップ支持体。５．チップ支持体（２３）の周辺が、更に内側溝（２８）によりチップ支持体の内側領域から分離されると共に導電経路（２１）によって内側領域に接続された箔フレーム（２９）により構成され、これにより、チップ支持体（２３）の支持箔（２０）の残部への反転可能な接続のために、ターゲット分離ブリッジ（３１）が支持箔内に形成され、箔フレーム（２９）と支持箔の残部との間の周辺箔間隙（５５）に架橋することを特徴とする外側溝により支持箔の残部から分離された複数の密着して配置されたチップ支持体を備えた支持箔。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者グヴィアンスダ・イェルクドイツベルリンＤ−13437，ケレンツァイレ，15ｄ番 (72)発明者オストマン・アンドレアスドイツベルリンＤ−10583，クルメ・シュトラッセ，６番

Claims

【特許請求の範囲】１．チップケーシングを製造するためのチップ支持体を備えたチップ支持体構造であって、前記チップ支持体は、導電経路を備えた支持箔上に設けられており、導電経路は、チップに面する支持箔の前側で、チップの接触表面のメタライズ部に接続されており、それらの自由端は、電子部品或いは基板と接続するために同一表面となるように配置された接触表面構造を形成するものであり、導電経路（２１，５２）が支持箔（２０，５０）の逆側に配置され、それによって、支持箔（２０，５０）内の溝（２８）が接触表面メタライズ部に設けられ、接続表面構造（４２）を形成する目的で導電経路（２１，５２）が穿孔されたマスク（３６）で覆われ、支持箔（２０，５０）の厚さがチップの表面の接触表面メタライズ部（４０）の高さ（ｈ）より小さいか実質的に等しいことを特徴とする構造。２．接続表面構造（４２）上に接続表面メタライゼーションを形成する目的で穿孔されたマスク（３６）の孔（３７）にはんだボール（４１）が適用されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ支持構造。３．チップケーシング（４７）を形成するために、支持箔（２０，５０）とチップ（３９）の表面の間に存在する少なくとも一つの空間が、充填材（３８，４６）を備えて配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のチップ支持体構造。４．チップケーシング（４７）を形成するために、チップ支持体（２３）とチップ（３９）はケース（４８）内に収納され、これによりケースの内側壁（４９）とチップ支持体（２３）との間、及び、チップ（３９）とチップ支持体（２３）との間が、充填材（３８）によって充填されていることを特徴とする請求項３に記載のチップ支持体構造。５．導電経路（２１，５２）が、支持箔（２０，５０）と、導電経路（２１，５２）の内側縁部（２６）上に接続表面構造（４２）を形成する役割を果たしている穿孔されたマスク（３６）との間の少なくとも一部に、サンドイッチ状に配置されていることを特徴とする導電経路を有する支持箔を備えた請求項１ないし４のいずれかに記載のチップ支持体構造の製造のためのチップ支持体。６．接続表面構造（４２）の上に接触表面メタライゼーションを形成する目的で、穿孔マスク（３６）の孔（３７）にはんだボール（４１）が適用されていることを特徴とする請求項５に記載のチップ支持体。７．導電経路（２１，５２）が、接触部（２５）の領域でチップ・接触側で露出していることを特徴とする請求項５または６に記載のチップ支持体。８．導電経路（２１，５２）が、接触部（２５）の領域で両側とも露出していることを特徴とする請求項６または７に記載のチップ支持体。９．接触・セクション（２５）が、接触表面（５４）で終端する導電経路（５２）の外縁領域（５３）と併合され、接触表面（５４）の方向に分岐するように構成されていることを特徴とする先行の請求項５から７の一つあるいは複数に記載のチップ支持体。１０．接触部（２５）に近接する支持箔（２０，５０）が、支持箔の内側領域（２４）がその外側領域（３３）といくつかのターゲット分離装置を介して接続されるような形で、周辺箔間隙（５５）を備えていることを特徴とする、請求項８または９に記載のチップ支持体。１１．支持箔（５０）が、接触部（２５）から続いて、箔間隙（５５）を越え支持箔の外側領域（３２）まで伸びている外縁領域（５３）を有する導線経路（５２）を備えていることを特徴とする請求項１０に記載のチップ支持体。