JP2584368B2 - クランプ回路 - Google Patents

クランプ回路

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JP2584368B2
JP2584368B2 JP3229103A JP22910391A JP2584368B2 JP 2584368 B2 JP2584368 B2 JP 2584368B2 JP 3229103 A JP3229103 A JP 3229103A JP 22910391 A JP22910391 A JP 22910391A JP 2584368 B2 JP2584368 B2 JP 2584368B2
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transistor
capacitor
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一弘 数井
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、映像信号等のアナログ
信号の基準レベルを所定のレベルに固定するクランプ回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】CCDイメージセンサ等の撮像素子から
得られる映像信号は、水平ライン単位の映像情報が水平
走査期間毎に出力され、この水平ライン単位の映像情報
が垂直走査期間に所定のライン分連続することで1画面
の映像が構成される。このような映像信号には、各水平
走査期間を分割するブランキング期間が設定されてお
り、撮像素子の出力を受ける信号処理回路においては、
このブランキング期間の出力がクランプ回路により所定
のレベルに固定されることで映像情報の基準レベルが設
定される。このクランプ回路としては、回路を構成する
素子の温度特性の影響を取り除き易いバイポーラトラン
ジスタ回路が用いられる。
【0003】図4は、バイポーラトランジスタを用いた
クランプ回路の構成を示す回路図である。ベースにアナ
ログ信号を受ける入力用のnpnトランジスタT1は、
コレクタが電源に接続され、ミッタが抵抗R1を介して
接地される。またnpnトランジスタT1のエミッタに
は、電位固定用のコンデンサC1の一端が接続される。
出力用のnpnトランジスタT2は、ベースにコンデン
サC1他端が接続され、コレクタに電源が接続されてエ
ミッタが抵抗R2を介して接地され、さらにエミッタに
は、npnトランジスタT2に対して相補的な特性を有
するpnpトランジスタT3のベースが接続される。p
npトランジスタT3は、コレクタが接地されてエミッ
タが抵抗R3を介して電源が接続されると共に、このエ
ミッタからクランプ出力を発生する。
【0004】また、コレクタがコンデンサC1の他端に
接続されるスイッチ用のnpnトランジスタT4は、ベ
ースに並列に接続されたコンデンサC2及び抵抗R4を
介してクランプパルスが供給され、エミッタがコンデン
サC3を介して接地される。そして、npnトランジス
タT4のエミッタには、電源電位を分圧する可変抵抗V
Rからクランプレベルを決定する所定の電位が与えられ
る。従って、クランプパルスが立ち上がると、npnト
ランジスタT4がオンし、コンデンサC1の出力側のA
点の電位が、可変抵抗VRから与えられる電位に対応す
るレベルに固定される。そして、クランプパルスが立ち
下がった後、npnトランジスタT1のベースに入力さ
れる信号レベルに従ってnpnトランジスタT1のコレ
クタの電位、即ちコンデンサC1の入力側の電位が変動
すると、A点の電位は、クランプパルスの立ち上がりの
際に固定された電位にコンデンサC1の入力側の変動分
が重畳されて変化することになる。このA点の電位の変
化は、npnトランジスタT2のエミッタの電位の変化
となり、さらに、このエミッタの電位の変化がpnpト
ランジスタT3のエミッタの電位の変化として出力され
る。
【0005】出力用に接続されるnpnトランジスタT
2とpnpトランジスタT3とは、逆の温度特性を有す
るため、温度変化に対して互いに逆の方向に特性が変化
し、その変動分が相殺されて出力の変化が抑圧される。
例えば、温度上昇により各トランジスタT2の電流増幅
率が大きくなると、同時にnpnトランジスタT2のエ
ミッタの電位が上昇するが、pnpトランジスタT3の
電流増幅率が小さくなるためにpnpトランジスタT3
のエミッタの電位が逆に低下し、結果的に出力の変動が
相殺される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上のようなクランプ
回路においては、コンデンサC1からnpnトランジス
タT2のベースに流れる電流によりA点の基準レベルが
徐々に低下するのを防止するために、コンデンサC1の
容量を大きく設定している。しかしながら、コンデンサ
C1の容量を大きく設定すると、クランプパルスにより
npnトランジスタT4をオンさせてからA点の電位を
所定のレベルとするまでの時間が長くなるため、高速で
の動作が困難になる。従って、短い周期の入力信号に対
して十分に追従できず、高速動作が要求される映像信号
の処理回路としては適さない。
【0007】そこで本発明は、クランプレベルの低下を
抑圧すると共に、高速での動作が可能なクランプ回路を
提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するために成されたもので、その特徴とするところ
は、連続的に変動するアナログ信号をベースに受けてエ
ミッタから上記アナログ信号のレベルに応じた電位を発
生する入力トランジスタと、この入力トランジスタのエ
ミッタに一方の側が接続され、上記アナログ信号レベル
に対応する電荷量を蓄積するコンデンサと、このコンデ
ンサの他方の側にベースが接続されてエミッタから第1
の出力を得る第1の出力トランジスタと、この第1の出
力トランジスタに対して相補的特性を有し、上記第1の
出力トランジスタの第1の出力をベースに受けてエミッ
タから第2の出力を得る第2の出力トランジスタと、エ
ミッタに与えられる所定の固定電位をベースに与えられ
るタイミングパルスに従って上記コンデンサの他方の側
に印加するスイッチングトランジスタと、上記第1の出
力トランジスタに対して相補的特性を有し、上記第1の
出力トランジスタに並列に接続されて上記コンデンサの
他方の側に電荷を供給する補償トランジスタと、を備
え、上記コンデンサと上記第1の出力トランジスタとの
間に流れる電流を上記コンデンサと上記補償トランジス
タとの間に流れる電流で補償することにある。
【0009】
【作用】本発明によれば、クランプレベルに対応する電
位を保持するコンデンサの出力側に、出力トランジスタ
に対して相補的特性を有する補償トランジスタを接続す
ることにより、コンデンサから出力トランジスタのベー
スに流れる電流が、補償トランジスタのベースからコン
デンサ側に流れる電流で補われ、コンデンサの電荷量が
保持されて電位レベルの低下が抑圧される。
【0010】
【実施例】図1は、本発明のクランプ回路の構成を示す
回路図である。この図において、入力及び出力の各トラ
ンジスタT1、T2、T3、スイッチングトランジスタ
T4及びコンデンサC1は、図4と同一であり、npn
トランジスタT4をオンさせることでコンデンサC1の
出力側の電位を所定のレベルに固定し、入力用のnpn
トランジスタT1のベースに与えられるアナログ信号の
変化分をコンデンサC1の固定電位に重畳して出力用の
npnトランジスタT2及びpnpトランジスタT3か
ら出力を得るように構成される。
【0011】本発明の特徴とするところは、出力用のn
pnトランジスタT2に対して相補的特性を有する補償
用のpnpトランジスタT5をnpnトランジスタT2
に並列に接続することにある。即ち、コンデンサC1か
らnpnトランジスタT2に流れる電流を補償するpn
pトランジスタT5は、ベースがコンデンサC1の出力
側のA点に接続され、エミッタが可変抵抗VR1を介し
て電源に接続されてコレクタが接地される。これによ
り、コンデンサC1からnpnトランジスタT2のベー
スに流れる電流IB1に対して、pnpトランジスタT5
のベースからコンデンサC1に同等の電流IB2が流れる
ことになり、npnトランジスタT2に流れ出す電流I
B1によって減少するコンデンサC1の電荷量がpnpト
ランジスタT5から流れ込む電流IB2により補われて、
コンデンサC1の出力側のA点の電位の基準レベルの低
下が抑圧される。ここで、電流IB2を電流IB1と等しく
するには、pnpトランジスタT5の特性をnpnトラ
ンジスタT2に対して相補的なものとすると同時に、可
変抵抗VR1を調整してpnpトランジスタT5のエミ
ッタに与えられる電位を制御することにより行う。この
とき、可変抵抗VRの抵抗値を変更してクランプレベル
を変えると、電流IB1が変動するため、可変抵抗VR1
の調整を可変抵抗VRの値の変更に併せて行うようにす
る。
【0012】従って、コンデンサC1の容量が十分に大
きくない場合でも、A点の電位の基準レベルが低下しに
くくなるため、クランプレベルの低下を抑圧すると同時
にA点の電位の立ち上がりを早くして高速動作を可能に
することができる。図2は、本発明の他の実施例を示す
回路図である。ここでは、pnp型のトランジスタを出
力側に用いた場合を示している。
【0013】出力用のpnpトランジスタT6は、ベー
スにコンデンサC1が接続され、エミッタが抵抗R5を
介して電源に接続されてコレクタが接地される。このp
npトランジスタT6のエミッタには、pnpトランジ
スタT6に対して相補的な特性を有するnpnトランジ
スタT7のベースが接続される。npnトランジスタT
7は、コレクタが電源に接続されてエミッタが接地され
ると共に、このエミッタからクランプ出力を得ている。
そして、pnpトランジスタT6と並列にpnpトラン
ジスタT6に対して相補的な特性を有するnpnトラン
ジスタT8が接続される。即ち、npnトランジスタT
8は、ベースにコンデンサC1が接続され、コレクタが
電源に接続されてエミッタが可変抵抗VR2を介して接
地されることにより、pnpトランジスタT6のベース
からコンデンサC1に流れる電流IB1をコンデンサC1
からnpnトランジスタT8に流れる電流IB2で補償す
るように構成される。この電流IB2については、図1の
場合と同様にして、可変抵抗VR2の抵抗値を調整する
ことによって電流IB1と等しくなるようにしている。こ
れにより、pnpトランジスタT6からコンデンサC1
に流れ込む電流によるコンデンサC1の電荷量の増加分
がコンデンサC1からnpnトランジスタT8に流れ出
す電流IB2により排出されるため、コンデンサC1の電
荷量が保持される。従って、出力用のトランジスタとし
てpnpトランジスタT6を用いた場合でも、A点の電
位の基準レベルの上昇を防止するためにコンデンサC1
の容量を十分に大きくする必要がなくなり、クランプレ
ベルの安定化と同時に高速での動作を可能にすることが
できる。
【0014】以上の実施例においては、pnpトランジ
スタT4またはnpnトランジスタT8を補償用として
npnトランジスタT2またはpnpトランジスタT6
に並列に接続する場合を例示したが、コンデンサC1に
接続されて別の回路動作をするトランジスタに補償動作
を行わせることも可能である。例えば、映像信号の入力
に対して、映像信号のブランキング期間に対応するクラ
ンプパルスを作成するための回路が設けられたクランプ
回路においては、出力トランジスタに対して相補的な特
性を有する補償トランジスタを出力側に接続し、この補
償トランジスタにより信号の電位変動を取り出すと同時
に出力トランジスタに流れる電流を補償するように構成
できる。
【0015】図3は、映像信号のブランキング期間を検
知してクランプパルスを作成する回路が設けられたクラ
ンプ回路の構成を示す回路図である。この図において、
入力トランジスタ及び出力トランジスタ等は、図2と同
一であり、同一部分には同一符号が付してある。A点の
電位変動をベースに受けるnpnトランジスタT9は、
コレクタが電源に接続されてエミッタが抵抗R7を介し
て接地され、このエミッタにコンデンサC4の一端が接
続される。コンデンサC4の他端は、電源接地間に直列
に接続される抵抗R8、R9の間に接続され、さらにn
pnトランジスタT10のベースに接続される。このn
pnトランジスタT10は、コレクタが電源に接続され
てエミッタが抵抗R10を介して接地され、さらにエミ
ッタからクランプパルスを出力するように構成される。
【0016】一般に映像信号は、基準レベルに対してプ
ラス側に映像成分が重畳され、マイナス側に同期成分が
重畳されるため、基準レベルより僅かに低いレベルに対
してレベルの大小を判定することで、同期成分を分離す
ることができる。そこで、抵抗R8、R9の抵抗値の設
定によって信号の判定レベルを映像信号の基準レベルよ
り僅かに低い値とすることで、映像信号のブランキング
期間に対応するクランプパルスがnpnトランジスタT
10エミッタから出力される。そして、このクランプパ
ルスは、回路の遅延時間分を補うための抵抗R11及び
コンデンサC5を介してスイッチ用のnpnトランジス
タT4のゲートに供給される。ここで、npnトランジ
スタT4のベースエミッタ間に接続される抵抗R12
は、ベース側をバイアスするためのものである。
【0017】このようなクランプ回路においては、np
nトランジスタT9により、コンデンサC1の出力側の
電位変動が取り出されるのと同時に、このnpnトラン
ジスタT9が補償用のトランジスタとして働き、pnp
トランジスタT6からコンデンサC1に流れ込む電流I
B1に対応してコンデンサC1からnpnトランジスタT
9に電流IB2が流れ出す。従って、図2に示すクランプ
回路と同様にして、コンデンサC1の電荷量が保持さ
れ、クランプレベルの変動が防止される。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、クランプ用のコンデン
サの容量に影響されず、クランプレベルの変動が防止で
きるため、コンデンサ容量の設定範囲が広がって高速で
の動作にも対応することができる。従って、周期の短い
信号にも十分に追従することができ、映像信号の処理に
も問題なく適用できる。
【0019】また、バイポーラトランジスタを用いて構
成したことにより、素子の温度特性を容易に相殺するこ
とができ、回路構成の簡略化と共に、回路全体の温度特
性をフラットに近いものにできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のクランプ回路の一実施例を示す回路図
である。
【図2】本発明のクランプ回路の他の実施例を示す回路
図である。
【図3】本発明のクランプ回路の応用を示す回路図であ
る。
【図4】従来のクランプ回路を示す回路図である。
【符号の説明】
T1〜T10 トランジスタ C1〜C4 コンデンサ R1〜R12 抵抗 VR、VR1、VR2 可変抵抗

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 連続的に変動するアナログ信号をベース
    に受けてエミッタから上記アナログ信号のレベルに応じ
    た電位を発生する入力トランジスタと、この入力トラン
    ジスタのエミッタに一方の側が接続され、上記アナログ
    信号レベルに対応する電荷量を蓄積するコンデンサと、
    このコンデンサの他方の側にベースが接続されてエミッ
    タから第1の出力を得る第1の出力トランジスタと、こ
    の第1の出力トランジスタに対して相補的特性を有し、
    上記第1の出力トランジスタの第1の出力をベースに受
    けてエミッタから第2の出力を得る第2の出力トランジ
    スタと、エミッタに与えられる所定の固定電位をベース
    に与えられるタイミングパルスに従って上記コンデンサ
    の他方の側に印加するスイッチングトランジスタと、上
    記第1の出力トランジスタに対して相補的特性を有し、
    上記第1の出力トランジスタに並列に接続されて上記コ
    ンデンサの他方の側に電荷を供給する補償トランジスタ
    と、を備え、上記コンデンサと上記第1の出力トランジ
    スタとの間に流れる電流を上記コンデンサと上記補償ト
    ランジスタとの間に流れる電流で補償することを特徴と
    するクランプ回路。
  2. 【請求項2】 npn型を成す上記第1の出力トランジ
    スタに対して、pnp型を成す上記第2の出力トランジ
    スタ及び補償トランジスタを接続することを特徴とする
    請求項1記載のクランプ回路。
  3. 【請求項3】 pnp型を成す上記第1の出力トランジ
    スタに対して、npn型を成す上記第2の出力トランジ
    スタ及び補償トランジスタを接続することを特徴とする
    請求項1記載のクランプ回路。
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