JP2578416B2 - 任意に１つ以上の薄膜金属層で被覆されたガラス基板に堆積される複合有機鉱物化合物フイルム - Google Patents

任意に１つ以上の薄膜金属層で被覆されたガラス基板に堆積される複合有機鉱物化合物フイルム

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、プラズマ堆積された有機鉱物化合物特に有
機ケイ素化合物から成る透明フィルムに係る。該フィル
ムはガラス基板又はガラスベース基板に堆積される。
所謂「プラズマ堆積」なるこの堆積技術では、基板に
堆積すべき物質を低エネルギの放電中に導入する。
この技術は以下の如き幾つかの重要な利点をもちこの
ため工業的に重要である。
−作業圧力が「一次真空」（0.1〜10Torr）を必要とし
ない。
−堆積すべき物質をガス状で導入し得るので、複雑で高
価な生成物の処理、監視及び再循環等が不要であり、ま
た反応混合物が均質である。
−エネルギ消費量が少ないので室温で処理し得る。
この技術はフランス実用特許出願第2535650号に記載
のごとく、一連の薄膜金属層で予め被覆された可撓性プ
ラスチックフィルムに「シロキサン中」「プラズマ重合
物」を堆積するために既に使用されている。
この技術では、窓ガラス、シャッター等に使用するこ
とができ、従って製造済み特に成形終了後の剛性支持体
に結合できる可撓性の絶縁材料が製造される。
しかし乍らこの技術は、ガラス工業分野でガラス基板
又はガラスベース基板に層を形成するためにはまだ使用
されていない。従ってこの技術で被覆されたガラス基板
又はガラスベース基板は、ガラス製品の従来の後処理、
例えば特に曲げ、急冷等が必要であり、及び／又はガラ
ス製品に要求される特性、即ち、耐久性、塩基、酸及び
種々の薬剤に対する耐性、耐引掻性及び一般的に耐摩耗
性等を与えることが必要である。
本発明の目的は、プラズマ重合された有機ケイ素化合
物フィルムで被覆され、透明性、可視光線非吸収性、耐
摩耗性をもち、曲げ、急冷等のガラス製品に対する常用
の処理に耐性をもち、かかる有機ケイ素化合物フィルム
の形成工程以外は従来のガラス製品と同様に成形、処理
及び使用し得るガラス製品又はガラスベース製品を提供
することである。
その結果、被覆ガラス製品を製造するための処理工程
の数が前出のフランス実用特許出願第2535650号に記載
のごとく被覆薄膜を形成し次にガラス材料に結合させる
方法を使用するときよりも少なく、また、被覆された材
料を後で曲げ加工及び任意に急冷処理することができる
ので簡単な被覆装置を用い平坦なガラス材料だけを処理
し得る。平坦な材料だけを処理するので、有機ケイ素化
合物層の堆積を成形済み及び／又はアニーリング済みの
ガラス製品に対して行なうことも勿論可能である。
このために本発明は、ガラス基板又はガラスベース基
板に堆積された透明で可視光線非吸収性で1.45のオー
ダ、より一般的には1.35〜1.60の範囲の屈折率をもち薄
膜200Å〜２μのプラズマ重合有機ケイ素化合物のフィ
ルムを提供する。
好ましくはこの有機ケイ素化合物のフィルムは、酸素
の存在下でプラズマ重合されている。キャリャーガスを
使用するとき酸素の割合は重合すべきモノマーのキャリ
ャーガスの約50％に達し得る。
ある種の用途、特に低い屈折率が所望される用途で
は、得られたフィルムを350℃より高温、好ましくは370
℃〜500℃のオーダの温度で処理する。
本発明はまた、ガラス基板又はガラスベース基板に対
する有機ケイ素化合物フィルムの形成方法を提供する。
またその用途として本発明は、少なくとも１つの金属
層を含む予め堆積された複数の薄膜層で被覆され、プラ
ズマ堆積された有機ケイ素化合物フィルムでこれら薄膜
層が被覆されているガラス基板又はガラスベース基板を
提供する。
本発明は特に、複数の薄膜層、即ち基板から近い順序
で、SnO2の如き誘導体層、Agの如き金属層、Al又は等価
の金属特にAl,Ti,Ta,Cr,Mn,Zr,Cuのグループに属する１
種類の金属の層、任意にプラズマ重合有機ケイ素化合物
フィルムによって代替され得るSnO2の如き誘電体の層、
最終表面にプラズマ重合有機ケイ素化合物のフィルムが
順次積層されたガラス基板又はガラスベース基板を提供
する。
本発明の変形例では、基板と直接接触する誘電体層が
プラズマ重合有機ケイ素化合物フィルムによって代替さ
れている。
別の用途として、本発明は、金属化合物の熱分解と酸
化とを順次行なって得られた熱分解薄膜層と該層の上の
プラズマ重合有機ケイ素化合物フィルムとによって被覆
され好ましくは350℃以上の温度でアニーリングされて
得られた低輻射率で濁り（mouchetis）が低減した基板
を提供する。
また別の用途として本発明は、反射防止面を提供す
る。
本発明はまた、１つの金属層を含む複数の層の積層体
で予め被覆された基板又は少なくとも１つの層で後で被
層される基板を被覆する有機ケイ素化合物フィルムの堆
積装置を提供する。本発明装置において、プラズマ生成
用の放電発生システムは内部で層の堆積が行なわれる真
空室の入口又は出口に設置されるか又は真空室に接続さ
れたチャンバに設置されている。
添付図面に基づいて本発明をより詳細に以下に説明す
る。
第１図はガス状で分配されるモノマーが内部で重合し
得るプラズマ生成システムの基本図である。
プラズマは例えば、互いに例えば2cmの間隔を隔てて
配置された２つの電極１と２との間の容量結合によって
発生する放電によって得られる。一方の電極例えば電極
２はアースされ且つポリマーを堆積させるべき基板を支
持しており、他方の電極は最大出力800Wのオーダの発電
機に接続されている。ポリマーフィルムの膜厚を均一に
増加させ基板の全表面に均質な堆積層を得るために10〜
100kHzのオーダの周波数を使用するのが好ましい。
反応ゾーン即ち実質的に電極板１と２とによって形成
されるゾーンは、室４の内部に存在し、室４は液体窒素
トラップ６の後方のポンプ５によって真空下に維持され
ている。
一次真空は0.1〜10Torrのオーダで十分である。
最初はタンク７に収容されている重合すべきモノマー
だけが室４に注入され飽和蒸気圧によって蒸発するか、
又はボンベ８に収容されパイプ９を介してモノマー内に
導入される例えばアルゴンの如きキャリャーガスに同伴
して導入される。
好ましくは、特にある種のポリマーを有利に形成する
ため及び／又は層の品質特に耐久性、腐食性物質に対す
る耐食性、キャリャーガスとの結合性又はキャリャーガ
スとは独立的な結合性を改良するために、例えば約50％
までの酸素を添加してもよい。これにより酸素との結合
が容易に形成される。キャリャーガスを使用しない場合
又は酸素を最初にキャリャーガスに混合しない場合に
は、任意に酸素を添加したプラズマ発生ガス例えばArを
収容したタンク10がパイプ11を介して室４に接続されて
いる。種々の回路に弁12,13,14,15が設けられている。
また、酸素がその他のガスとは全く別に供給されてもよ
い。
このシステムは完全に独立的に作動し得るが、例えば
薄膜金属層を堆積させるために真空下で予処理又は後処
理される基板にプラズマ堆積を行う場合には、予処理又
は後処理の真空を利用するのが有利である。即ち、従来
の真空下処理装置は、第２図に概略的に示すごとく入口
チャンバ31と出口チャンバ32との間に真空反応チャンバ
30を含み、任意にマグネトロンを使用したカソードスパ
ッタリング又は熱蒸着が該チャンバ30内で行なわれる。
好ましくは、第１図のプラズマ堆積システムは、入口
チャンバ31又は出口チャンバ32のいずれかの内部に設置
されてもよく又は反応チャンバ30に接続された図示しな
い付加チャンバ内に設置されてもよい。
有機ケイ素化合物のプラズマ堆積層をガラス基板に設
けるために使用されるモノマーは、ヘキサメチルジシロ
キサン（HMDOS）、ヘキサメチルジシラザン（HMDS）、
一般にアルキルシラザン、ビニルトリメトキシシラン
（VTMOS）、ビニルジメチルエトキシシラン（VDMEO
S）、ジメチルジエトキシシラン（DMDEOS）、トリメチ
ルエトキシシラン（TMEOS）、テトラメトキシシラン（T
MOS）、及び一般にアルコキシシラン、アルキルシラン
である。
これらモノマーから得られるフィルムの利点は、透明
で可視光線非吸収性で、ガラスと同じオーダの屈折率、
より詳細には1.45のオーダ、場合に応じて1.35から1.60
の範囲の屈折率をもつことである。
所望の用途次第で、有機ケイ素化合物フィルムを基板
に直接堆積してもよく、又は予め堆積した金属層及び／
又は金属酸化物層又はそれらの積層体に堆積してもよ
い。
所望のフィルムの膜厚は予定の用途次第で20nm〜２μ
である。
ある種の用途特に低い屈折率が望ましい用途では、基
板に堆積された前記フィルムを高温アニーリング処理す
る。該処理では、基板と適合し得る350℃より高温、好
ましくは370℃〜500℃の温度にする。このアニーリング
は、空気中又は調整雰囲気中特に有機ケイ素化合物フィ
ルムの下方にAgの如き非酸化金属層が存在するときは不
活性雰囲気中で行なう。
前記のごとく堆積された有機ケイ素化合物フィルムを
種々の用途に使用し得る。
第１具体例は、予め堆積された複数の薄膜層の保護フ
ィルム、特にこれら層のうちに酸化し易く一般に腐食さ
れ易い金属層が１つ以上含まれるときの保護フィルムで
ある。
例えば、ガラス基板に真空蒸着された薄膜層の積層体
の保護フィルムとして使用される。この積層体は第３図
に示すごとく、基板20と、誘電体特に酸化スズ（SnO2）
から成る基板20と接触した第１層21と、銀（Ag）の如き
金属から成る層22と、SnO2の如き誘電体から成る表面層
23とを含む。任意ではあるが多くの場合、金属層22と表
面層23との界面に、Alの如き金属例えばAl,Ti,Ta,Cr,M
n,Zr,Cuのグループに属する金属の薄い（0.1〜5nm）付
加堆積層24が設けられてもよい。この堆積層24は積層体
の特性値を変化させないが、特に層23を酸化性雰囲気中
で堆積するときに金属層22の酸化を防止する。本発明に
よれば、層23がプラズマ堆積される有機ケイ素化合物か
ら成る付加層25で被覆されている。上記のごとき堆積体
を含むガラスが本発明の層25で被覆されると、同じ積層
体を含むが被覆されないガラスに比較してガラスの耐食
性が向上し金属層22の熱処理適性も改良される。
前記の如き２種類のガラス、即ち一方は有機ケイ素化
合物フィルム25で被覆されたガラス、他方が被覆されな
いガラス、について比較腐食試験を実施した。このため
に、２種類のガラスを85℃で相対湿度95％の空気調整室
に配置した。数時間後に、有機ケイ素化合物フィルムで
被覆されない薄膜積層体を備えたガラスだけに腐食点が
発生したが被覆されたガラスは無傷であった。
膜厚200nmのオーダの有機ケイ素化合物フィルムは腐
食に対する良好な保護特性を与え、この膜厚分だけ厚く
なるにもかかわらず、ガラスの輻射率は実質的に変化し
なかった。膜厚が200nmより大きくなると、腐食に対す
る良好な保護は維持されるが、好ましくない赤外線吸収
性を生じその結果、輻射率が低下する。
40〜80nmのオーダのより薄い膜厚のフィルムを設けて
も同じく有効な結果が得られる。
明細書の末尾に添付した表１は、第３図に示す如きガ
ラスに膜厚200nm未満又は200nmのオーダの有機ケイ素化
合物フィルムを堆積しても輻射率が実質的に変化しない
ことを示す。対照的にこの膜厚を大きくすると輻射率が
低下する。
また２種類のガラスに対して熱処理耐性の比較試験を
実施した。一方のガラスは誘電体層特に、SnO2層とAg層
とAl層と誘電体層特にSnO2層とから成る積層体を備え、
有機ケイ素化合物フィルムで被覆されていた。他方はSn
O2/Ag/Al/SnO2の積層体を備え被覆されていなかった。
試験のために異なるガラスを温度630℃のオーダで空気
中で約５分間熱アニーリング処理し、その後にガラスの
輻射率を測定し、処理以前の同じガラスの輻射率と比較
した。
有機ケイ素化合物フィルムで被覆されたガラスの場
合、熱処理後の輻射率は処理以前の輻射率と同じオーダ
の値であったが、被覆されないガラスでは対照的に輻射
率が極度に低下していた。
これらの熱処理試験の結果を明細書末尾に添付した表
２に示す。
従って、特に熱処理中に腐食され易い少なくとも１つ
のAgタイプの金属層を含む複数の薄膜層を含むガラス
は、Agタイプの金属層を被覆するプラズマ堆積された有
機ケイ素化合物膜を含んでいるときに熱処理に対して十
分な耐性をもつ。Agの如き金属層を少なくとも１つ有す
るこのように被覆されたガラスに対する曲げ及び／又は
急冷のための再加熱処理は、この再加熱によって金属層
の特性変化を生じることなく行なうことができる。
従って本発明によれば、少なくとも１つのAgタイプの
金属層を含む複数層で被覆された曲げ及び／又は急冷ガ
ラスを製造し得る。
特に有利な使用例では、プラズマ堆積された有機ケイ
素化合物フィルムが、被覆ガラスの性能を改良し得る光
学特性をもつ層を構成する。
光学特性が望まれるこれら用途の１つとして低輻射率
ガラスの被覆がある。この場合フィルムは干渉特性によ
って重要である。
例えば第３図に示した前記タイプのガラスにおいて、
即ちガラス基板20と、SnO2のごとき誘電体の薄層21と、
Agのごとき金属層22と、これに結合した例えばAlの堆積
層24と、SnO2のごとき誘電体の薄層23とを順次に含み任
意に有機ケイ素化合物フィルム25を含むガラスにおい
て、金属層22の保護作用と誘電層23が果たす光学適応機
能又は干渉作用とは、プラズマ堆積された有機ケイ素化
合物層によって行なわれる。したがってこの場合、層23
の誘電体はプラズマ堆積された有機ケイ素化合物によっ
て部分的又は完全に代替される。層23を構成するか又は
層23の構成に参加する有機ケイ素化合物層の厚さはガラ
ス全体の光学適応を実現するように決定され、従って下
に重なる層及び任意に上に重なる層を考慮に入れて決定
される。
説明を分かり易くするために、層23がプラズマ堆積さ
れた有機ケイ素化合物から成るとき、層23と、同じくプ
ラズマ堆積された有機ケイ素化合物25とが別々の２つの
層を形成すると仮定した。即ち、これら２つの層が互い
に別々の層であると考えた。実際にはこれら２つの層は
１回で堆積された１つの層であり、夫々の層に対応する
寸法（厚さ）が異なる機能を果たすような構成されてい
る。
SnO2層23が省略され有機ケイ素化合物で代替されてい
るとき、アルミニウム又は同種の金属例えばAl,Ti,Ta,C
r,Mn,Zr,Cuのグループの金属は最早使用されない。何故
なら、プラズマ重合を酸素を存在させずに行なう限りSn
O2層の堆積中に銀の酸化の恐れがないからである。
特定ポリマーを得るため及び／又は特定品質の有機ケ
イ素化合物フィルムを得るため、特により硬質でより強
固な層を得るためには逆に多くの場合、重合中に酸素が
必要なのでAl層又は等価の金属層がAg被覆のために維持
されることが多い。
プラズマ堆積された有機ケイ素化合物フィルムの干渉
特性を利用する低噴射率ガラスの別の例は、粉末化合物
の熱分解によって得られた層で被覆されたガラス基板か
ら形成されたガラスである。
このガラスの特徴は、層の膜厚に対応する軽度の着色
を生じること及び膜厚の軽度のむらに起因する曇り即ち
真珠光（irrisation）又は濁り（mouchetis）が生じる
ことである。熱分解層にプラズマ堆積された有機ケイ素
化合物フィルムはその屈折率によって濁りを減少させ、
この効果は屈折率が低いほど大きい。その結果、主とし
て光学特性に結び付いた理由からこの特定用途では有機
ケイ素化合物フィルムをアニーリングする。
このようにして得られたガラスにおいては、膜厚180n
mのSnO2ベースの熱分解層が例えばプラズマ堆積された
（VDMOES）有機ケイ素化合物フィルムで被覆されてい
る。該有機ケイ素化合物フィルムの膜厚はアニーリング
以前に150nmであり、450℃でのアニーリング以後に100n
mになる。SnO2ベースのかかる熱分解層は例えばフラン
ス特許公開第2542636号に記載されている。
このようなガラスの曇りは顕著に減少する。
いかなるタイプの粉末から得られた熱分解層をもつガ
ラスでも、種々の厚さの層が干渉性であり堆積方法によ
る膜厚の変化によって曇りを調整すれば、勿論曇りの減
少が達成される。前記ではSnO2に関して説明したがこの
ことは別の層例えばIn2O3等においても有効である。
望ましい光学特性を与える別の用途としてはまた、反
射防止膜がある。即ち、プラズマ堆積された有機ケイ素
化合物フィルムの屈折率は、該フィルムを350℃以上で
アニーリングすると1.35のオーダの値まで低下する。基
板の屈折率をnsとして基板の表面がn2＝nsの屈折率ｎを
もつとき、この表面は反射防止面である。
基板が屈折率ns＝1.518のガラスから成るとき、1.37
のオーダの屈折率をもつフィルムを基板に堆積すると反
射光が顕著に減少する。このような減少は100nmのオー
ダ一般に20〜200nmの範囲の薄い膜厚でも生じる。処理
されたガラスの反射率の最小値は、各面で1.5％であり
処理の色消し効果がよいことも判明した。勿論基板の両
面が被覆されてもよく及び／又は基板が屈折率修正層に
よって予め被覆されていてもよい。
この場合、基板に対して種々の有機ケイ素化合物層が
重畳してプラズマ堆積される。または、基板は、プラズ
マ堆積された有機ケイ素化合物で被覆された種々の有機
金属化合物層で被覆される。これらの層は互いに異なる
屈折率をもち、表面に近い層ほど屈折率が小さくなる。
これは建築物、車両特に自動車用のガラスに有利であ
り、眼鏡又は光学機械用のガラスにも有利である。
プラズマ堆積される有機ケイ素化合物フィルムの光学
特性を利用する用途としてはまた、ガラスの着色があ
る。既に記載のした他の機能に加えて又は該機能から独
立して有機ケイ素化合物フィルムは別の層に積層される
とその厚さに従って種々の色に着色される。この種々の
色に着色され得る能力がガラスの色の変更又は無色ガラ
スの着色に使用される。
その他の用途として、プラズマ堆積された有機ケイ素
化合物フィルムは、該フィルムが被覆する基板またその
上に堆積されたその他の層に含まれたイオンの泳動を阻
止する障壁層を構成し得る。例えば、ガラス基板に含ま
れたアルカリイオン特にナトリウムは、基板に堆積され
た薄い金属層又は金属酸化物層に泳動し、一方で電気及
び光学特性を劣化させ、他方で該薄層がハロゲン化物か
ら得られるときは基板と該薄層との間の界面に白っぽい
曇りを生じさせることが知られている。
基板の表面に直接プラズマ堆積された有機ケイ素化合
物フィルムは該フィルムを通過してイオンが泳動するこ
とを阻止し、従って従来技術で確認された欠点を解消す
る。例えばHMDS、一般には有機ケイ素化合物から成る20
nm以上で200nmまでのオーダの膜厚のフィルムは、SnO2
又はその他の層が堆積される前のガラス基板に熱分解又
はCVD又は真空蒸着によって好ましくない外乱を発生さ
せずに形成され得る。
勿論、所定の機能を果たすべく堆積された有機ケイ素
化合物フィルムが同時に別の機能を実行してもよく、及
び／又は金属層で任意に被覆された基板がプラズマ堆積
された複数の有機ケイ素化合物フィルムを有し、幾つか
のフィルムは幾つかの機能を実行し別のフィルムは別の
機能を実行してもよい。
例えば第３図に示すタイプのガラスにおいて、ガラス
全体を被覆する第１の有機ケイ素化合物フィルムは耐食
性を改良し、例えば曲げ及び／又は急冷のための熱処理
耐性を改良し得る。また任意に第１フィルムと融合し得
る第２フィルムは、金属薄層の上に堆積された誘電体の
層に代替し得る。この第２フィルム自体が保護及び光学
機能をもつ。また、金属層の下方の基板と直接接触する
誘電体層を、プラズマ堆積された有機ケイ素化合物フィ
ルムで代替することも可能である。この第３フィルムは
特に光学機能、基板と金属層との結合補助機能及び障壁
機能を有する。
このようにプラズマ堆積される複数の有機ケイ素化合
物フィルムを使用すると、第３図と同じタイプでより簡
単な構造のガラスを製造し得る。非限定例として、この
ガラスを構成する種々の層の厚さを示す。4mm厚ガラス
基板特にフロートガラスに55nm厚の有機ケイ素化合物フ
ィルムを堆積し、次に10nm厚のAg層を堆積し、最後に55
nm厚の別の有機ケイ素化合物フィルムを堆積する。
かかるガラスの輻射率は同じ厚さの銀層を含む薄層Sn
O2/Ag/Al/SnO2積層体で被服されたガラスの輻射率と等
価である。
ガラスの構造中に含まれる種々の有機ケイ素化合物フ
ィルムは、同じモノマー又は異なるモノマーから得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図はプラズマ生成システムの基本原理図、第２図は
真空室の出口チャンバに配置された該システムの位置を
示す説明図、第３図は本発明のフィルムで被覆された薄
層の積層体をもつ低輻射率ガラスの断面図である。 1,2……電極、４……真空室、５……ポンプ、６……窒
素トラップ、７……タンク、８……ボンベ、９……パイ
プ、10……タンク、11……パイプ、12,13,14,15……
弁、30……反応チャンバ、31……入口チャンバ、32……
出口チャンバ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−26442（ＪＰ，Ａ)

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ガラス基板又はガラスベース基板に堆積さ
    れること、透明であり可視光線非吸収性で屈折率が1.35
    〜1.60の範囲で膜厚が200Å〜２μの範囲であること、
    及び、周波数10〜100kHzでのプラズマ重合によって形成
    されることを特徴とする有機ケイ素化合物フィルム。
  2. 【請求項２】酸素の存在下にプラズマ重合されることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のフィルム。
  3. 【請求項３】350℃より高温でアニーリングされること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の
    フィルム。
  4. 【請求項４】ガラス基板又はガラスベース基板に堆積さ
    れること、透明であり可視光線非吸収性で屈折率が1.35
    〜1.60の範囲で膜厚が200Å〜２μの範囲であること、
    及び、周波数10〜100kHzでのプラズマ重合によって形成
    されることを特徴とする有機ケイ素化合物フィルムの形
    成方法であって、互いに僅少間隔を隔てて配置され一方
    がアースに接続され且つ被覆すべき基板を支持し他方が
    周波数10〜100kHzで作動する発電機に接続されている２
    つの電極間の要量結合によって生成される一次真空室の
    内部の放電中にガス状の有機ケイ素化合物モノマーを導
    入することを特徴とするフィルムの形成方法。
  5. 【請求項５】酸素の存在下で重合を行なうことを特徴と
    する特許請求の範囲第４項に記載の方法。
  6. 【請求項６】モノマーがキャリャーガスによって反応ゾ
    ーンに搬送されること、及び、酸素の割合がキャリャー
    ガスの約50容量％まで達し得ることを特徴とする特許請
    求の範囲第５項に記載の方法。
  7. 【請求項７】形成されたフィルムを350℃以上の温度で
    アニーリングすることを特徴とする特許請求の範囲第４
    項から第６項のいずれかに記載の方法。
  8. 【請求項８】アニーリングを空気又は制御雰囲気下特に
    不活性雰囲気下で行なうことを特徴とする特許請求の範
    囲第７項に記載の方法。
  9. 【請求項９】ガラス基板又はガラスベース基板に堆積さ
    れること、透明であり可視光線非吸収性で屈折率が1.35
    〜1.60の範囲で膜厚が200Å〜２μの範囲であること、
    及び周波数10〜100kHzでのプラズマ重合によって形成さ
    れることを特徴とする有機ケイ素化合物フィルムの形成
    用装置であって、一次真空室内で相互間に放電を生じる
    ２つの電極によって形成される反応ゾーンを含み、一方
    の電極がアースされ且つ被覆すべき基板を担持してお
    り、他方の電極が周波数10〜100kHzで作動する発電機に
    接続されており、導管が真空室内にガス状モノマーを導
    入することを特徴とする装置。
  10. 【請求項１０】基板の真空被覆装置の入口チャンバ又は
    出口チャンバのいずれか一方の内部又は該装置に接続さ
    れたチャンバの内部に配置されており、該装置はマグネ
    トロンを用いる又は用いないカソードスパッタリング装
    置又は熱蒸着装置であり、本来の堆積チャンバは入口チ
    ャンバと出口チャンバとの間に配置されていることを特
    徴とする特許請求の範囲第９項に記載の装置。
  11. 【請求項１１】少なくとも１つの金属層特にAg層を含む
    複数の薄膜堆積層で予め被覆されており、かつ透明であ
    り可視光線非吸収性で屈折率が1.35〜1.60の範囲で膜厚
    が200Å〜２μの範囲であること、及び、周波数10〜100
    kHzでのプラズマ重合によって形成されることを特徴と
    する有機ケイ素化合物フィルムで被覆されていることを
    特徴とするガラス基板又はガラスベース基板。
  12. 【請求項１２】複数の薄膜層が、基板に直接接触したSn
    O2の如き第１の誘導体層と、Agの如き金属層と、Al又は
    同種金属例えばTi,Ta,Cr,Mn,Zr,Cuのグループに属する
    １種類の金属の層と、SnO2の如き第２の誘電体層とを順
    次含んでおり、第２の誘電体層はプラズマ堆積された有
    機ケイ素化合物フィルムによって任意に代替され得るこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第11項に記載のガラス基
    板又はガラスベース基板。
  13. 【請求項１３】複数の薄膜層が、プラズマ堆積された有
    機ケイ素化合物フィルムと、Agの如き金属層と、Al又は
    同種金属例えばTi,Ta,Cr,Mn,Zr,Cuのグループに属する
    １種類の金属の層と、プラズマ重合された有機ケイ素化
    合物層とを含み、該有機ケイ素化合物と前記有機ケイ素
    化合物フィルムとの双方が任意に一回の処理で堆積され
    得ることを特徴とする特許請求の範囲第11項に記載のガ
    ラス基板又はガラスベース基板。
  14. 【請求項１４】堆積される有機ケイ素化合物被覆フィル
    ムの膜厚が200〜2000Åであることを特徴とする特許請
    求の範囲第11項から第13項のいずれかに記載の基板。
  15. 【請求項１５】有機ケイ素化合物被覆フィルムの堆積後
    に急冷及び／又は曲げ加工されること、及び、急冷及び
    ／又は曲げ加工にもかかわらず0.20のオーダの輻射率が
    維持されることを特徴とする特許請求の範囲第11項から
    第14項のいずれかに記載の基板。
  16. 【請求項１６】粉末状の金属化合物の熱分解によって形
    成された低輻射率の層で被覆され、濁りを低減するため
    に熱分解層が、透明であり可視光線非吸収性で屈折率が
    1.35〜1.60の範囲で膜厚が200Å〜２μの範囲であるこ
    と、及び、周波数10〜100kHzでのプラズマ重合によって
    形成されることを特徴とする有機ケイ素化合物フィルム
    で被覆されていることを特徴とするガラス基板又はガラ
    スベース基板。
  17. 【請求項１７】熱分解層がSnO2又はIn2O3をベースとす
    ることを特徴とする特許請求の範囲第16項に記載の基
    板。
  18. 【請求項１８】薄い金属層又は金属酸化物層で任意に被
    覆され、更に反射防止面を形成するために透明であり可
    視光線非吸収性で屈折率が1.35〜1.60の範囲で膜厚が20
    0Å〜２μの範囲であること、及び、周波数10〜100kHz
    でのプラズマ重合によって形成されることを特徴とする
    有機ケイ素化合物フィルムで被覆されていることを特徴
    とするガラス基板又はガラスベース基板。
  19. 【請求項１９】反射防止用被覆フィルムより高い屈折率
    をもつ別のプラズマ重合モノマーから得られた有機ケイ
    素化合物フィルムでガラスが予め被覆されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第18項に記載の基板。
  20. 【請求項２０】後で堆積される薄い金属層又は金属酸化
    物層に向かうガラス基板からのイオン泳動に対して特に
    有効な障壁層を形成するために、他の全ての金属皮膜又
    は金属酸化物皮膜の形成以前に、透明であり可視光線非
    吸収性で屈折率が1.35〜1.60の範囲で膜厚が200Å〜２
    μの範囲であること、及び、周波数10〜100kHzでのプラ
    ズマ重合によって形成されることを特徴とする有機ケイ
    素化合物フィルムで被覆されることを特徴とするガラス
    基板又はガラスベース基板。
JP61299776A 1985-12-17 1986-12-16 任意に１つ以上の薄膜金属層で被覆されたガラス基板に堆積される複合有機鉱物化合物フイルム Expired - Fee Related JP2578416B2 (ja)

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