JP2577209Y2 - エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この考案は、エレクトレットを用
いたコンデンサマイクロホンユニットに関する。

【０００２】

【従来の技術】図４Ａに従来のホイルエレクトレットコ
ンデンサマイクロホンユニットを示す。アルミニュウム
の円筒状カプセル１１の前面に前面板１１ａが一体に形
成され、前面板１１ａに音孔１２が形成され、前面板１
１ａの前面にクロス１３が張り付けられている。前面板
１１ａの内面の周縁部に金属製の振動膜リング１４が対
接されると共に電気的に接続され、その振動膜リング１
４の前面板１１ａと反対の面にエレクトレット振動膜１
５が張り付けられている。エレクトレット振動膜１５は
高分子フイルム、例えば厚さ１2.５μm の比較的厚いＦ
ＥＰ（Fluoro Ethylene Propylene)フイルムの一面に金
属が蒸着され、その高分子フイルムは分極されており、
その蒸着膜が振動膜リング１４に接して取り付けられて
いる。

【０００３】その振動膜１５にリング状スペーサ１６を
介して背極１７が近接対向され、背極１７は筒状の背極
保持体１８の前面に保持されている。背極保持体１８の
内部で構成される背室１９内にインピーダンス変換用Ｉ
Ｃ素子２１が配され、そのＩＣ素子２１の入力端子２２
は背極１７と接続され、出力端子２３および共通端子
（図示せず）はカプセル１１の背面より突出され、カプ
セル１１の背面を塞ぐ配線基板２４の配線に接続され
る。配線基板２４の背面にカプセル１１の後方端部が折
り曲げられて、内部の各部が前面板１１ａに押し付けら
れて全体が固定される。

【０００４】図４Ｂに従来のバックエレクトレットコン
デンサマイクロホンユニットを示す。図４Ａのホイルエ
レクトレット型では振動膜自体がエレクトレット化され
ているのに対して、バックエレクトレット型では背極１
７の上面にエレクトレット高分子フイルム２６が密着さ
れている。即ち、背極１７の上面にエレクトレット材と
して高分子フイルム、例えばＦＥＰフイルムを溶着また
は接着し、分極させてエレクトレット化している。

【０００５】図５乃至図１０に示すのは、この考案を得
る前の段階に提案されたフロントエレクトレット型（導
電性振動膜２９の前面に近接対向してエレクトレット高
分子フイルム２６が配され、背極がないものを言う）の
ものであり、以下順次説明する。これらの図では図４と
対応する部分に同じ符号を付してある。図５のマイクロホン カプセル１１の前面板１１ａの内面にエレクトレット高
分子フイルム２６が被着される。例えば、図７Ａに示す
ように厚さ0.３〜0.３５mmのアルミニュウム板２７の片
面に、高分子フイルム、例えばＦＥＰフイルム２８を１
2.５〜２５μm程度の厚さで連続熱溶着する。アルミニ
ュウム板２７としては、ＪＩＳ：Ａ１１００Ｐで３４０
℃〜４１０℃空冷または炉冷の焼なまし品が軟らかく後
のプレス加工での成形性がよい。またアルミニュウム板
に化成処理をして表面に酸化膜を形成し、高分子フイル
ム２６の接着強度が強くなるようにするとよい。同様に
アルミニュウム板２７の高分子フイルムが溶着されるべ
き面をコロナ放電処理して高分子フイルム２６の接着力
を大とすることができる。このアルミニュウム板２７に
高分子フイルム２６を熱圧着ロールで連続的に溶着させ
ることができる。

【０００６】この高分子フイルム２６が被着されたアル
ミニュウム板２７を絞り金型でプレス加工して、図７Ｂ
に示すようにＦＥＰフイルム２８を内側としてカプセル
１１に成形すると同時に、カプセルの後端縁の高分子フ
イルム２６を0.８mm程度剥離させてアルミの地肌を露出
させ、かつカプセル１１の前面板とＦＥＰフイルム２８
とに共通の音孔１２を形成する。次にＦＥＰフイルム２
８のカプセル１１の前面板１１ａの内面に被着されてい
る部分に対し電子ビーム分極を行い、図７Ｃに示すよう
にエレクトレット高分子フイルム２６を得る。

【０００７】図５の説明に戻り、エレクトレット高分子
フイルム２６の周縁部を除き、狭い間隔、例えば２５〜
４０μm をおいて対向して導電性振動膜２９が配され
る。導電性振動膜２９としては、例えば厚さが２〜４μ
m の極めて薄いＰＥＴ（Polyester)フイルムまたはポリ
フェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フイルムの一面にＮ
ｉ，Ａｌなどを蒸着させて導電層を形成したものを用い
ることができる。前面板１１ａがその周縁部を残して前
方へわずか押し出されて浅い凹部３１とされ、エレクト
レット高分子フイルム２６の周縁部に導電性振動膜２９
の周縁部が対接されて、凹部３１の深さと対応してエレ
クトレット高分子フイルム２６と導電性振動膜２９との
間に空隙が構成される。この凹部３１は図７Ｂ，Ｃで示
していないが、カプセルをプレス加工により作る際に予
め作っておく。

【０００８】導電性保持体３２がカプセル１１内に収容
され、導電性保持体３２の前面で導電性振動膜２９を保
持すると共に、互いに電気的に接続され、つまり導電性
振動膜２９の前記導電層が導電性保持体３２に対接さ
れ、かつ導電性振動膜２９の背面に導電性保持体３２で
背室１９が構成される。導電性保持体３２は例えば金属
の鍛造品よりなり、カプセル１１に嵌合する円筒状体部
３２ａと、その内部を前後に二分する隔壁部３２ｂとよ
りなる。この導電性保持体３２の前面にエポキシ系導電
性接着剤を塗り、これに張力を与えられた導電性振動膜
２９をその導電層側で接着させる。隔壁部３２ｂと導電
性振動膜２９との間が背室１９となる。カプセル１１内
の内周面に高分子フイルム２８が被着されているため、
導電性保持体３２はカプセル１１と電気的に絶縁され
る。

【０００９】配線基板２４でカプセル１１の背面が塞が
れる。この例では導電性保持体３２の背面に配線基板２
４が対接され、配線基板２４の背面にカプセル１１の後
方端部が折り曲げられて、保持体３２，配線基板２４が
前面板１１ａに押し付けられて固定される。配線基板２
４と隔壁部３２ｂとの間にインピーダンス変換用ＩＣ素
子２１が配され、ＩＣ素子２１の入力端子２２は隔壁部
３２ｂに接続され、出力端子２３および共通端子（図示
せず）は配線基板２４の外側に導出されて、その出力用
配線および共通配線にそれぞれ接続される。またカプセ
ル１１の折り曲げられた内端縁が配線基板２４の裏面周
縁の共通配線に接続される。

【００１０】この構成によれば、前面より到来した音響
信号に応じて振動膜２９が振動して導電性振動膜２９と
前面板１１ａとの間の静電容量が変化し、コンデンサマ
イクロホンとして作用する。導電性振動膜２９として高
分子フイルムの両面に導電層を形成したものを用いても
よい。この場合、その両導電層を電気的に接続する。導
電性保持体３２としてはその全体を金属材で構成する場
合に限らず、絶縁材で必要な形状とし、その絶縁材の表
面に金属メッキを施して導電性保持体としてもよい。エ
レクトレット高分子フイルム２６と振動膜２９との間隔
の形成のために前面板１１ａから保持体３２側に適当な
間隔で凸部を設け、凹部３１を省略してもよい。前面板
１１ａの前面はクロスを張り付けてもよい。

【００１１】図６のマイクロホン 図６Ａに、図５と対応する部分に同一符号を付けて示す
ように、導電性保持体３２として軸が短いもの、例えは
図４に示した従来品の振動膜リング１４と同一のものを
用い、導電性保持体３２と配線基板２４との間に絶縁
材、例えばＡＢＳ樹脂からなる筒状体３４を介在させて
もよい。この場合、筒状体３４の前面にくぼみ３５を形
成し、ＩＣ素子２１の入力端子２２の端部を折り曲げ
て、そのくぼみ３５内に配し、その入力端子２２の端部
が筒状体３４の前面よりわずか前方に位置している状態
で、筒状体３４を導電性保持体３２に押し付けることに
より、入力端子２２が導電性保持体３２に弾性的に接触
して電気的に接続されている。

【００１２】また、この図６Ａに示すものでは凹部３１
の形成の際に、カプセル１１の前面板１１ａの外面は段
を形成することなく平面とし、外観がよく、かつこの外
面に、アルミニュウムの地肌が光るのを目立たなくする
ために印刷したり、クロスを張ったりする作業がし易い
状態とされている。また、図５と同様に、カプセル１１
にプレス加工した際に同時に、カプセル１１の後方端部
の高分子フイルム２８を除去し、アルミニュウムの地肌
を出しておき、このカプセル１１の後方端部を配線基板
２４の背面にかしめつけることにより、カプセル１１が
配線基板２４の裏面周縁の共通配線に自動的に接続され
るようにされている。筒状体３４はその背面側が一体に
閉塞されているものを示しているが、背面が開放面とさ
れていてもよい。カプセル１１内に振動膜２９を保持し
た保持体３２を入れ、その後、ＩＣ素子２１と配線基板
２４と筒状体３４とを予め一体に組立てたものをカプセ
ル１１内に入れるようにすることにより容易に組立てる
ことができる。

【００１３】カプセル１１の前面板１１ａの音孔１２の
径と数とを選定して、マイクロホンの周波数特性におけ
る高域で、振動膜２９の共振周波数ｆ₀ によりピークが
生じるのをおさえることができる。例えば、カプセル１
１の外径が9.３mm，振動膜２９の有効直径が7.０mmの場
合、カプセル１１の軸心を中心とする直径が3.５mmの円
上に、直径が1.０mmの音孔１２を等角間隔で５個形成し
た場合、または0.８mmの音孔１２を等角間隔で６個形成
した場合は、図６Ｂの曲線３６のように感度周波数特性
において高域でピークが生じる。しかし、0.８mmの音孔
１２を５個とした場合は、曲線３７のように高域のピー
クがなくなり平坦になる。なお、音孔１２の直径を更に
小さくし、0.６mmのものを５個とするか、0.８mmのもの
を４個にすると曲線３８のように高域が下がり過ぎる。
従って、直径0.８mmのものを５個設ける場合が最もよ
い。

【００１４】図８のマイクロホン 図８に示すように、保持体３２として振動膜２９を保持
する部分を除き、振動膜２９とわずかな間隔（例えば２
０〜３０μm ）を保って保持体３２の内側を一体に閉塞
し、その閉塞部３２ａに音孔３９を形成し、この音孔３
９の径と個数とにより、高域の図６Ｂにおけるピークを
おさえるようにしてもよい。この場合、音孔１２として
は大きめのもの、例えば1.０mmのものを５個形成して周
波数特性に影響しないようにする。

【００１５】図６Ａおよび図８において、エレクトレッ
ト高分子フイルム２６を前面板１１ａに対してのみ接着
剤で接着し、カプセル１１の内周面の高分子フイルム２
８を省略することもできる。図９および図１０のマクイロホン 図９Ａに示すように、円形アルミニュウム板４１の一面
にＦＥＰフイルム４２を溶着または接着により被着し、
音孔１２をあけた後、ＦＥＰフイルム４２を分極してエ
レクトレット高分子フイルム２６とし、図９Ｂに示すよ
うにこのアルミニュウム板４１をアルミニュウムの筒状
体４３の前面開口に圧入して一体化してカプセル１１と
してもよい。

【００１６】同様にアルミニュウム板４１の一面にエレ
クトレット高分子フイルム２６を形成したものを図１０
に示すように、筒状体４３の前面つば４３ａに対し、内
面から圧入して押し付けて固定し、カプセル１１として
もよい。上述において、振動膜２９の周縁部とエレクト
レット高分子フイルム２６との間にスペーサを介在させ
て、製品によるエレクトレット高分子フイルム２６の分
極強度のばらつきを補正してもよい。この場合、凹部３
１を省略してもよい。

【００１７】図４のホイルエレクトレット型では、エレ
クトレット振動膜１５を用いるため、その厚さを１2.５
μm 以下にすることが困難であり、それだけ感度を高く
することができず、１ＫHzで−４５dBであったが、上述
のフロントエレクトレット型では振動膜２９はエレクト
レット化する必要がないため厚さを例えば２μm と薄く
することができ、図６Ａの構造で、１ＫHzで−３８dBと
７dBも改善することができ、その結果、Ｓ／Ｎも４５dB
以上となり、従来品より５dB改善できる。他のフロント
エレクトレット型の場合も同様の性能が期待できる。

【００１８】またカプセルの内面にエレクトレット高分
子フイルム２６を構成するため、その厚さを厚く、例え
ば２５μm とすることができ、それだけ製品による分極
強度のばらつきが小さく、かつ安定性がよいものとする
ことができる。

【００１９】

【考案が解決しようとする課題】以上述べた従来のホイ
ルエレクトレット型およびバックエレクトレット型のも
のや、この考案を得る前の段階で提案されたフロントエ
レクトレット型のものでは、ＩＣ素子２１を自動的に組
込み配線するのが困難な構造であり、マイクロホンユニ
ットの製造を自動化する上で隘路となっていた。自動組
立てができないために生産性が向上できず、コストダウ
ンが図れなかった。この考案はこのような現状に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、ＩＣ素
子の組込み配線も含めて、マイクロホンユニットの自動
組立て可能な構造を提供しようとするものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】(1) 請求項１のエレクト
レットコンデンサマイクロホンユニットは、前面板に音
孔が形成された金属製の円筒状カプセルと、そのカプセ
ルの上記前面板の内面に被着され、上記音孔と連通した
孔を有するエレクトレット高分子フイルムと、その高分
子フイルムと近接対向して配された導電性振動膜と、そ
の導電性振動膜の周縁部を保持する導電性保持体と、上
記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、上記カプセル内に
おいて、上記配線基板の上面に実装されたインピーダン
ス変換用ＩＣ素子とを具備する。

【００２１】また上記配線基板は、両面配線基板であっ
て、その上面に、上記保持体の後端面と対接する周縁の
導体パターンと、その周縁の導体パターンより延長さ
れ、上記ＩＣ素子の入力端子と接続される導体パターン
とを有する。 (2) 上記保持体と上記配線基板との間に導電性の筒状体
を介在させてもよい（請求項２と対応）。

【００２２】(3) 請求項３のエレクトレットコンデンサ
マイクロホンユニットは、前面板に音孔が形成された金
属製の円筒状カプセルと、そのカプセルの上記前面板の
内面に被着され、上記音孔と連通した孔を有するエレク
トレット高分子フイルムと、その高分子フイルムと近接
対向して配された導電性振動膜と、その導電性振動膜と
上記高分子フイルムとの間隔を規定するリング状スペー
サと、そのスペーサと共に上記導電性振動膜の周縁部を
挟む導電性筒状体と、上記カプセルの背面を塞ぐ配線基
板と、上記カプセル内において、上記配線基板の上面に
実装されたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備す
る。

【００２３】上記配線基板は、両面配線基板であって、
その上面に、上記筒状体の後端面と対接する周縁の導体
パターンと、その周縁の導体パターンより延長され、上
記ＩＣ素子の入力端子と接続される導体パターンとを有
する。 (4) 請求項４のエレクトレットコンデンサマイクロホン
ユニットは、前面板に音孔が形成された金属製の円筒状
カプセルと、そのカプセルの前面板と対向して配された
エレクトレット振動膜と、そのエレクトレット振動膜の
背面と近接対向して配された背極と、その背極を前端部
で保持する導電性筒状体と、上記カプセルの背面を塞ぐ
配線基板と、上記カプセル内において、上記配線基板の
上面に実装されたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具
備する。

【００２４】上記配線基板は、両面配線基板であって、
その上面に、上記保持体の後端面と対接する周縁の導体
パターンと、その周縁の導体パターンより延長され、上
記ＩＣ素子の入力端子と接続される導体パターンとを有
し、その底面に、周縁を含む領域にアース用の導体パタ
ーンが形成され、板面を貫通してＩＣ素子の出力端子を
底面側に電気的に延長させるスルーホールが形成され
る。カプセルの後端縁が内側にかしめられて、配線基板
底面の周縁のアース用導体パターンに電気的に接続され
る。 (5) 請求項５のエレクトレットコンデンサマイクロホン
ユニットは、前面板に音孔が形成された金属製の円筒状
カプセルと、そのカプセルの前面板と対向して配された
導電性振動膜と、その導電性振動膜の背面と近接対向し
て配された背極と、その背極の前面に上記導電性振動膜
と対向して形成されたエレクトレット高分子フイルム
と、上記背極を前端部で保持する導電性筒状体と、上記
カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、上記カプセル内にお
いて、上記配線基板の上面に実装されたインピーダンス
変換用ＩＣ素子とを具備する。

【００２５】上記配線基板は、両面配線基板であって、
その上面に、上記保持体の後端面と対接する周縁の導体
パターンと、その周縁の導体パターンより延長され、上
記ＩＣ素子の入力端子と接続される導体パターンとを有
し、その底面に、周縁を含む領域にアース用の導体パタ
ーンが形成され、板面を貫通してＩＣ素子の出力端子を
底面側に電気的に延長させるスルーホールが形成され
る。カプセルの後端縁が内側にかしめられて、配線基板
底面の周縁のアース用導体パターンに電気的に接続され
る。

【００２６】

【実施例】この考案の実施例を図１乃至図３に、図４乃
至図１０と対応する部分に同じ符号を付し、重複説明を
省略する。図１Ａの実施例（請求項１と対応） 従来の技術の項で述べた例では、インピーダンス変換用
ＩＣ素子２１は、入力端子２２，出力端子２３および共
通端子がリード線で構成されていた。また、配線基板２
４は片面プリント基板で、その裏面にのみ導体パターン
が形成されていた。これに対して、この考案では配線基
板として両面配線基板２４′を用いる。またＩＣ素子２
１は薄型のチップタイプが望ましい。導電性振動膜２９
とＩＣ素子２１の入力端子２２とを電気的に接続するた
めに、両面配線基板２４′の上面の周縁にリング状導体
パターン５１を形成し、その上に導電性保持体３２の後
端面が同軸心に重ねられる。リング状導体パターン５１
より入力端子２２が半田付けされるべき導体パターン５
２が延長形成される。ＩＣ素子２１の出力端子２３およ
び共通端子２３′がそれぞれ半田付けされるべき導体パ
ターン５３および５４はスルホールを通じて裏面の導体
パターン５５および５６にそれぞれ接続される。配線基
板２４の裏面の周縁には、これまでの実施例と同様にリ
ング状導体パターン５７が形成され、リング状導体パタ
ーン５７より共通配線パターン５８が延長形成される。
図示していないがＩＣ素子の共通端子２３′と接続され
る導体パターン５６は共通配線パターン５８に接続され
ている。

【００２７】量産ラインにおいては、ＩＣ素子２１はマ
ウンター装置で両面配線基板２４′の所定の位置に自動
配置され、半田リフローにより自動的に半田付けされ
る。その際にスルホールは半田で埋められ、スルホール
を通じる背室１９のエア抜けが防止される。この例で
は、前面板１１ａには、これまでの複数の円形の音孔１
２の代わりに、スリット孔１２′（例えば幅0.４mm，長
さ2.０mm）が中央部に形成されている。図１Ａのマイク
ロホンユニットを組立てるには、まずカプセル１１を分
極し、次に導電性振動膜２９を保持した導電性保持体３
２を挿入し、次にＩＣ素子２１を実装した両面配線基板
２４′を挿入し、最後にカプセル１１の後端部をかしめ
つける。これらの組立作業は自動化が容易に行える。

【００２８】図１Ｂの実施例（請求項２と対応） 図１Ｂに示すように、導電性保持体３２と両面配線基板
２４′との間に、導電性筒状体３４′を介在させること
もできる。図２の実施例（請求項３と対応） 図２Ａの実施例では、カプセル１１の前方の内面に凹部
３１を設けないで、リング状スペーサ１６がカプセル１
１の前面板の背面のエレクトレット高分子フイルム２６
と導電性振動膜２９との間に介在される。また導電性振
動膜２９と両面配線基板２４′との間に導電性筒状体３
４′が配される。導電性振動膜２９はスペーサ１６の後
端面か、または導電性筒状体３４′の前端面のいずれか
で保持される。スペーサ１６によってエレクトレット高
分子フイルム２６と導電性振動膜２９との間隙は所定の
寸法に規定される。

【００２９】図２Ａの変形例として図２Ｂ，Ｃに示すよ
うに、カプセル１１の前面を方形状に内側に半抜きし、
つまり僅かな段差をもって内側に押し込み、かつ、いず
れか一方の対向する二端縁に狭いスリット６１より成る
音孔を形成して、前面板１１ａとしている。この例の導
電性振動膜２９は導電性筒状体３４′と対接する面に導
電層が形成されている。なお、導電性振動膜２９とエレ
クトレット高分子フイルム２６との間に空隙が形成され
ていることは勿論である。

【００３０】図２Ａ，Ｂでは音孔として狭いスリットを
用いているので、ゴミやリード線が音孔に入り難くな
り、振動膜２９に傷を付けるおそれがないので、前面板
１１ａに貼るクロスを省略できる。図３Ａの実施例（請求項４と対応） 図１，図２の実施例がフロントエレクトレット型である
のに対して、図３Ａに示すのは図４Ａのホイルエレクト
レット型にこの考案を適用した場合である。導電性筒状
体３４′によって背極１７を保持している。背極１７と
導電性筒状体３４′の外周面に絶縁リング６０を嵌合さ
せて、これらがカプセル１１に接触しないようにしてい
る。

【００３１】図３Ｂの実施例（請求項５と対応） 図３Ｂに示すのは、図４Ｂのバックエレクトレット型に
この考案を適用した場合である。導電性振動膜２９とエ
レクトレット高分子フイルム２６を用いている。他は図
３Ａと同様である。

【００３２】

【考案の効果】以上述べたように、この考案によれば、
両面配線基板２４′を採用し、その上面に、導電性保持
体３２または導電性筒状体３４′と対接する周縁の導体
パターン５１とその導体パターン５１より延長された、
ＩＣ素子２１の入力端子２２と接続する導体パターン５
２を形成し、ＩＣ素子２１を予め両面配線基板２４′の
上面に自動組込み配線しておき、その配線基板をカプセ
ル１１内に他の部品と共に順次挿入し、最後にカプセル
の後端縁をかしめることによって、マイクロホンユニッ
トの自動組立てを容易に行える。その結果、生産性を大
幅に向上でき、コストダウンが図られる。

【００３３】この考案では、両面配線基板を用いている
ので、必要に応じ端子を導出させることができその基板
の使用用途が広げられる。また、チップ抵抗などを基板
の上面または下面に実装することが容易であり、マイク
ロホンの周波数特性における低域カットなどができ、基
板の応用範囲が広げられる。カプセル１１の後端縁が、
配線基板２４′の底面に形成されたアース用の周縁の導
体パターン５７及び共通配線パターン（アースパター
ン）５８に接続されることにより、シールド効果が高め
られ、マイクロホンユニットの背面からのノイズを防ぐ
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＡおよびＢは請求項１および２とそれぞれ対応
するフロントエレクトレット型マイクロホンの実施例の
断面図。

【図２】ＡおよびＢは請求項３と対応するフロントエレ
クトレット型マイクロホンの実施例の断面図、ＣはＢの
斜視図。

【図３】Ａは請求項４と対応するホイルエレクトレット
型マイクロホンの実施例の断面図、Ｂは請求項５と対応
するバックエレクトレット型マイクロホンの実施例の断
面図。

【図４】Ａは従来のホイルエレクトレット型マイクロホ
ンの断面図、Ｂは従来のバックエレクトレット型マイク
ロホンの断面図。

【図５】この考案を得る前の段階で提案されたフロント
エレクトレット型マイクロホンの断面図。

【図６】Ａはこの考案を得る前の段階で提案された他の
フロントエレクトレット型マイクロホンの断面図、Ｂは
その感度周波数特性を示す図。

【図７】図５、図６および図８のカプセル１１の製造を
説明するための工程断面図。

【図８】この考案を得る前の段階で提案された更に他の
フロントエレクトレット型マイクロホンの断面図。

【図９】Ａはカプセル製造の他の例を示す斜視図、Ｂは
そのカプセルを用いたフロントエレクトレット型マイク
ロホン（この考案を得る前の段階で提案されたもの）の
断面図。

【図１０】この考案を得る前の段階で提案された更に他
のフロントエレクトレット型マイクロホンの断面図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 井土 俊朗 福岡県鞍手郡鞍手町大字中山3024−38 ホシデン九州株式会社内 (72)考案者 小野 和夫 福岡県鞍手郡鞍手町大字中山3024−38 ホシデン九州株式会社内 (72)考案者 太田 清之 福岡県鞍手郡鞍手町大字中山3024−38 ホシデン九州株式会社内 (56)参考文献 実開 平３−53099（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭58−82100（ＪＰ，Ｕ)

Claims (5)

(57)【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 前面板に音孔が形成された金属製の円筒
   状カプセルと、 そのカプセルの上記前面板の内面に被着され、上記音孔
   と連通した孔を有するエレクトレット高分子フイルム
   と、 その高分子フイルムと近接対向して配された導電性振動
   膜と、 その導電性振動膜の周縁部を保持する導電性保持体と、 上記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、 上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装さ
   れたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備し、 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、
   上記保持体の後端面と対接する周縁の導体パターンと、
   その周縁の導体パターンより延長され、上記ＩＣ素子の
   入力端子と接続される導体パターンとを有することを特
   徴とする、 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット。
2. 【請求項２】 上記保持体と上記配線基板との間に導電
   性の筒状体が介在されることを特徴とする請求項１記載
   のエレクトレットコンデンサマイクロホンユニット。
3. 【請求項３】 前面板に音孔が形成された金属製の円筒
   状カプセルと、 そのカプセルの上記前面板の内面に被着され、上記音孔
   と連通した孔を有するエレクトレット高分子フイルム
   と、 その高分子フイルムと近接対向して配された導電性振動
   膜と、 その導電性振動膜と上記高分子フイルムとの間隔を規定
   するリング状スペーサと、 そのスペーサと共に上記導電性振動膜の周縁部を挟む導
   電性筒状体と、 上記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、 上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装さ
   れたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備し、 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、
   上記筒状体の後端面と対接する周縁の導体パターンと、
   その周縁の導体パターンより延長され、上記ＩＣ素子の
   入力端子と接続される導体パターンとを有することを特
   徴とする、 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット。
4. 【請求項４】 前面板に音孔が形成された金属製の円筒
   状カプセルと、 そのカプセルの前面板と対向して配されたエレクトレッ
   ト振動膜と、 そのエレクトレット振動膜の背面と近接対向して配され
   た背極と、 その背極を前端部で保持する導電性筒状体と、 上記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、 上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装さ
   れたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備するエレク
   トレットコンデンサマイクロホンユニットにおいて、 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、
   上記保持体の後端面と対接する周縁の導体パターンと、
   その周縁の導体パターンより延長され、上記ＩＣ素子の
   入力端子と接続される導体パターンとを有し、その底面
   に、周縁を含む領域にアース用の導体パターンが形成さ
   れ、板面を貫通して上記ＩＣ素子の出力端子を底面側に
   電気的に延長させるスルーホールが形成され、 上記カプセルの後端縁が内側にかしめられて、上記配線
   基板底面の周縁のアース用導体パターンに電気的に接続
   され ることを特徴とする、 エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット。
5. 【請求項５】 前面板に音孔が形成された金属製の円筒
   状カプセルと、 そのカプセルの前面板と対向して配された導電性振動膜
   と、 その導電性振動膜の背面と近接対向して配された背極
   と、 その背極の前面に上記導電性振動膜と対向して形成され
   たエレクトレット高分子フイルムと、 上記背極を前端部で保持する導電性筒状体と、 上記カプセルの背面を塞ぐ配線基板と、 上記カプセル内において、上記配線基板の上面に実装さ
   れたインピーダンス変換用ＩＣ素子とを具備するエレク
   トレットコンデンサマイクロホンユニットにおいて、 上記配線基板は、両面配線基板であって、その上面に、
   上記保持体の後端面と対接する周縁の導体パターンと、
   その周縁の導体パターンより延長され、上記ＩＣ素子の
   入力端子と接続される導体パターンとを有し、その底面
   に、周縁を含む領域にアース用の導体パターンが形成さ
   れ、板面を貫通して上記ＩＣ素子の出力端子を底面側に
   電気的に延長させるスルーホールが形成され、 上記カプセルの後端縁が内側にかしめられて、上記配線
   基板底面の周縁のアース用導体パターンに電気的に接続
   され ることを特徴とする、エレクトレットコンデンサマ
   イクロホンユニット。