JP2540506Y2 - エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット - Google Patents

エレクトレットコンデンサマイクロホンユニット

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JP2540506Y2
JP2540506Y2 JP2684091U JP2684091U JP2540506Y2 JP 2540506 Y2 JP2540506 Y2 JP 2540506Y2 JP 2684091 U JP2684091 U JP 2684091U JP 2684091 U JP2684091 U JP 2684091U JP 2540506 Y2 JP2540506 Y2 JP 2540506Y2
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護 安田
孝二 西川
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案はエレクトレットを用い
たコンデンサマイクロホンユニットに関する。
【0002】
【従来の技術】図6に従来のエレクトレットコンデンサ
マイクロホンユニットを示す。アルミニュウムの円筒状
カプセル11の前面には前面板11aが一体に形成さ
れ、前面板11aには音孔12が形成され、前面板11
aの前面にクロス13が張り付けられている。前面板1
1aの内面の周縁部と接して金属性の振動膜リング14
が対接されると共に電気的に接続され、その振動膜リン
グ14の前面板11aと反対の面にエレクトレット振動
膜15が張り付けられている。エレクトレット振動膜1
5は高分子フイルム、例えばFEP(Fluoro Ethylene
Propylene)フイルムの一面に金属が蒸着され、その高分
子フイルムは分極されており、その蒸着膜が振動膜リン
グ14に接して取り付けられている。その振動膜15に
リング状スペーサ16を介して背極17が近接対向さ
れ、背極17は筒状の背極保持体18の前面に保持され
ている。背極保持体18の内部で構成される背室19内
にインピーダンス変換用IC素子21が配され、そのI
C素子21の入力端子22は背極17と接続され、出力
端子23および共通端子(図示せず)はカプセル11の
背面より突出され、カプセル11の背面を塞ぐ配線基板
24の配線に接続される。配線基板24の背面にカプセ
ル11の後方端部が折り曲げられて、内部の各部が前面
板11aに押し付けられて全体が固定される。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】図6に示した従来のエ
レクトレットコンデンサマイクロホンユニットは背極1
7を必要とし、部品点数が多く、自動組立てを行うこと
が難しく、低価格化に限度があった。振動膜としてエレ
クトレット膜を使用しているため、薄くするのに限度が
あり、感度を高くすることができなかった。
【0004】
【課題を解決するための手段】この考案によれば、カプ
セルの前面板の内面にエレクトレット高分子フイルムが
被着され、その高分子フイルムと狭い間隔をもって導電
性振動膜が対向して配され、その導電性振動膜の周縁部
が導電性保持体に保持されると共に、これに電気的に接
続される。カプセルの背面を塞ぐように配線基板が設け
られ、カプセル内に配されたインピーダンス変換用IC
素子が配線基板に接続されると共に保持体に接続されて
いる。
【0005】
【実施例】図1Aにこの考案の実施例を示し、図6と対
応する部分に同一符号を付けてある。この考案において
はカプセル11の前面板11aの内面にエレクトレット
高分子フイルム26が被着される。例えば、図2Aに示
すように厚さ0.3mmのアルミニュウム板27の片面
に、高分子フイルム、例えばFEPフイルム28を1
2.5〜25μm 程度の厚さで熱溶着する。アルミニュ
ウム板27としては、JIS:A1100Pで340℃
〜410℃空冷または炉冷の焼なまし品が軟らかく後の
プレス加工での成形性がよい。またアルミニュウム板に
化成処理をして表面に酸化膜を形成し、高分子フイルム
26の接着強度が強くなるようにするとよい。同様にア
ルミニュウム板27の高分子フイルムが溶着されるべき
面をコロナ放電処理して高分子フイルム26の接着力を
大とすることができる。このアルミニュウム板27に高
分子フイルム26を熱圧着ロールで連続的に溶着させる
ことができる。
【0006】この高分子フイルム26が被着されたアル
ミニュウム板27を絞り金型でプレス加工して、図2B
に示すようにFEPフイルム28を内側としてカプセル
11に成形し、かつカプセル11の前面板とFEPフイ
ルム28とに共通の音孔12を形成する。次にFEPフ
イルム28のカプセル11の前面板11aの内面に被着
されている部分に対し電子ビーム分極を行い、図2Cに
示すようにエレクトレット高分子フイルム26を得る。
【0007】図1Aの説明に戻り、エレクトレット高分
子フイルム26の周縁部を除き、狭い間隔、例えば25
〜40μm をおいて対向して導電性振動膜29が配され
る。導電性振動膜29としては、例えば厚さが2〜4μ
m のPET(Polyester)フイルムまたはポリフェニレン
サルファイド(PPS)フイルムの一面にNi,Alな
どを蒸着させて導電層を形成したものを用いることがで
きる。前面板11aがその周縁部を残して前方へわずか
押し出されて浅い凹部31とされ、エレクトレット高分
子フイルム26の周縁部に導電性振動膜29の周縁部が
対接されて、凹部31の深さと対応してエレクトレット
高分子フイルム26と導電性振動膜29との間に空隙が
構成される。この凹部31は図2B,Cで示していない
が、カプセルをプレス加工により作る際に予め作ってお
く。
【0008】導電性保持体32がカプセル11内に収容
され、導電性保持体32の前面で導電性振動膜29を保
持すると共に、互いに電気的に接続され、つまり導電性
振動膜29の前記導電層が導電性保持体32に対接さ
れ、かつ導電性振動膜29の背面に導電性保持体32で
背室19が構成される。導電性保持体32は例えば金属
の鍛造品よりなり、カプセル11に嵌合する円筒状体部
32aと、その内部を前後に二分する隔壁部32bとよ
りなる。この導電性保持体32の前面にエポキシ系導電
性接着剤を塗り、これに張力を与えられた導電性振動膜
29をその導電層側で接着させる。隔壁部32bと導電
性振動膜29との間が背室19となる。カプセル11の
内周面に高分子フイルム28が被着されているため、導
電性保持体32はカプセル11と電気的に絶縁される。
【0009】配線基板24でカプセル11の背面が塞が
れる。この例では導電性保持体32の背面に配線基板2
4が対接され、配線基板24の背面にカプセル11の後
方端部が折り曲げられて、保持体32,配線基板24が
前面板11aに押し付けられて固定される。配線基板2
4と隔壁部32bとの間にインピーダンス変換用IC素
子21が配され、IC素子21の入力端子22は隔壁部
32bに接続され、出力端子23および共通端子(図示
せず)は配線基板24の外側に導出されてその配線に接
続される。またカプセル11は配線基板24の共通配線
に接続される。
【0010】この構成によれば、前面より到来した音響
信号に応じて振動膜29が振動して、導電性振動膜29
と前面板11aとの間の静電容量が変化し、コンデンサ
マイクロホンとして作用する。エレクトレット高分子フ
イルム26は前面板11aに対してのみ接着剤で接着し
てもよい。導電性振動膜29として高分子フイルムの両
面に導電層を形成したものを用いてもよい。この場合、
その両導電層を電気的に接続する。導電性保持体32と
してはその全体を金属材で構成する場合に限らず、絶縁
材で必要な形状とし、その絶縁材の表面に金属メッキを
施して導電性保持体としてもよい。エレクトレット高分
子フイルム26と振動膜29との間隔の形成のために前
面板11aから保持体32側に適当な間隔で凸部を設
け、凹部31を省略してもよい。前面板11aの前面は
クロスを張り付けてもよい。
【0011】図1Bに、図1Aと対応する部分に同一符
号を付けて示すように、導電性保持体32として軸が短
いもの、例えば図6に示した従来品の振動膜リング14
と同一のものを用い、導電性保持体32と配線基板24
との間に絶縁、例えばABS樹脂からなる筒状体34を
介在させてもよい。この場合、筒状体34の前面にくぼ
み35を形成し、IC素子21の入力端子22の端部を
折り曲げて、そのくぼみ35内に配し、その入力端子2
2の端部が筒状体34の前面よりわずか前方に位置して
いる状態で、筒状体34を導電性保持体32に押し付け
ることにより、入力端子22が導電性保持体32に弾性
的に接触して電気的に接続されている。
【0012】また、この図1Bに示すものでは凹部31
の形成の際に、カプセル11の前面板11aの外面は段
を形成することなく平面とし、外観がよく、かつこの外
面に、アルミニュウムの地肌が光るのを目立たなくする
ために印刷したり、クロスを張ったりする作業がし易い
状態とされている。更に、カプセル11にプレス加工し
た際に同時に、カプセル11の後方端部の高分子フイル
ム28を除去し、アルミニュウムの地肌を出しておき、
このカプセル11の後方端部を配線基板24の背面にか
しめつけることにより、カプセル11が配線基板24の
共通配線に自動的に接続されるようにされている。筒状
体34はその背面側が一体に閉塞されているものを示し
ているが、背面が開放面とされていてもよい。カプセル
11内に振動膜29を保持した保持体32を入れ、その
後、IC素子21と配線基板24と筒状体34とを予め
一体に組立てたものをカプセル11内に入れるようにす
ることにより容易に組立てることができる。
【0013】カプセル11の前面板11aの音孔12の
径と数とを選定して、マイクロホンの周波数特性におけ
る高域で、振動膜29の共振周波数f0 によりピークが
生じるのを抑えることができる。例えば、カプセル11
の外径が9.3mm,振動膜29の有効直径が7.0mmの
場合、カプセル11の軸心を中心とする直径が3.5mm
の円上に、直径が1.0mmの音孔12を等角間隔で5個
形成した場合、または0.8mmの音孔12を等角間隔で
6個形成した場合は、図3Aの曲線36のように感度周
波数特性において高域でピークが生じる。しかし、0.
8mmの音孔12を5個とした場合は、曲線37のように
高域のピークがなくなり平坦になる。なお、音孔12の
直径を更に小さくし、0.6mmのものを5個とするか、
0.8mmのものを4個にすると曲線38のように高域が
下り過ぎる。従って、直径0.8mmのものを5個設ける
場合が最もよい。
【0014】図3Bに示すように、保持体32として振
動膜29を保持する部分を除き、振動膜29とわずかな
間隔(例えば20〜30μm )を保って保持体32の内
側を一体に閉塞し、その閉塞部32aに音孔39を形成
し、この音孔39の径と個数とにより、高域の図3Aに
おけるピークをおさえるようにしてもよい。この場合音
孔12としては大きめのもの、例えば1.0mmのものを
5個形成して周波数特性に影響しないようにする。
【0015】図4Aに示すように、円形アルミニュウム
板41の一面にFEPフイルム42を溶着または接着に
より被着し、音孔12をあけた後、FEPフイルム42
を分極してエレクトレットフイルム26とし、図4Bに
示すようにこのアルミニュウム板41をアルミニュウム
の筒状体43の前面開口に圧入して一体化してカプセル
11としてもよい。同様にアルミニュウム板41の一面
にエレクトレットフイルム26を形成したものを図5A
に示すように、筒状体43の前面つば43aに対し、内
面から圧入して押し付けて固定し、カプセル11として
もよい。
【0016】上述において、振動膜29の周縁部とエレ
クトレットフイルム26との間にスペーサを介在させ
て、製品によるエレクトレットフイルム26の分極強度
のばらつきを補正してもよい。この場合、凹部31を省
略してもよい。図1Bに示した構造において、図5Bに
示すような周波数特性が得られ、50〜8,000Hzで
ほゞ平坦特性となっている。
【0017】
【考案の効果】以上述べたように、この考案によれば従
来のマイクロホンユニットと比較して、少なくとも背極
を必要とせず、それだけ部品点数が少なく、自動組立て
が容易である。特にスペーサも省略する場合は一層自動
組立てに適する。更に、従来においてエレクトレットフ
イルムの振動膜を用いる場合は、厚さを12.5μm 以
下にすることが困難であり、それだけ感度を高くするこ
とができず、1KHzで−45dBであったが、この考案で
は振動膜29の厚さを例えば2μm と薄くすることがで
き、図1Bの構造で、1KHzで−38dBと7dBも改善す
ることができ、その結果、S/Nも45dB以上となり、
従来品より5dBよくなった。
【0018】またカプセルの内面にエレクトレットフイ
ルム26を形成するため、その厚さを厚く、例えば25
μm とすることができ、それだけ製品による分極強度の
ばらつきが小さく、かつ安定性がよいものとすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の実施例を示す断面図。
【図2】この考案の実施例に用いられるカプセルの製造
を説明するための工程断面図。
【図3】Aは音孔12と感度の高域特性との関係を示す
図、Bはこの考案の他の実施例を示す断面図である。
【図4】Aはカプセルの製造の他の例を示す斜視図、B
はそのカプセルを用いたこの考案の他の実施例を示す断
面図である。
【図5】Aはこの考案の更に他の例を示す断面図、Bは
周波数特性図である。
【図6】従来のエレクトレットコンデンサマイクロホン
ユニットを示す断面図。

Claims (3)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 前面板に音孔が形成された金属製の円筒
    状カプセルと、そのカプセルの上記前面板の内面に被着
    され、上記音孔と連通した孔を有するエレクトレット高
    分子フイルムと、その高分子フイルムと近接対向して配
    された導電性振動膜と、その導電性振動膜の周縁部を保
    持する導電性保持体と、上記カプセルの背面を塞ぐ配線
    基板と、上記カプセル内に配され、上記保持体、上記配
    線基板および上記カプセルに接続されたインピーダンス
    変換用IC素子と、を具備するエレクトレットコンデン
    サマイクロホンユニット。
  2. 【請求項2】 上記保持体の後方端は上記配線基板と対
    接され、その保持体により上記導電性振動膜の背面側に
    背室を構成していることを特徴とする請求項1記載のエ
    レクトレットコンデンサマイクロホンユニット。
  3. 【請求項3】 上記保持体と上記配線基板との間に絶縁
    材の筒状体が介在され、その筒状体により、上記導電性
    振動膜の背面側に背室を構成していることを特徴とする
    請求項1記載のエレクトレットコンデンサマイクロホン
    ユニット。
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