JP2574809B2 - プラズマ洗浄方法 - Google Patents
プラズマ洗浄方法Info
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- JP2574809B2 JP2574809B2 JP62220212A JP22021287A JP2574809B2 JP 2574809 B2 JP2574809 B2 JP 2574809B2 JP 62220212 A JP62220212 A JP 62220212A JP 22021287 A JP22021287 A JP 22021287A JP 2574809 B2 JP2574809 B2 JP 2574809B2
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- Japan
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- cleaning
- plasma
- gas
- sicl
- processing chamber
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマ洗浄方法に係り、特に処理ガスとし
てSiCl4を用いてアルミニウムのエッチング処理を行な
うエッチング装置に好適なプラズマ洗浄方法に関するも
のである。
てSiCl4を用いてアルミニウムのエッチング処理を行な
うエッチング装置に好適なプラズマ洗浄方法に関するも
のである。
〔従来の技術〕 従来、特開昭61−250185号に記載のように、アルミ薄
をドライエッチングした後の残留反応生成物をプラズマ
クリーニングする方法として、フッ素を含む洗浄ガス
（CF4）をプラズマ化して洗浄する方法があった。
をドライエッチングした後の残留反応生成物をプラズマ
クリーニングする方法として、フッ素を含む洗浄ガス
（CF4）をプラズマ化して洗浄する方法があった。
上記従来技術は、プラズマ洗浄に要する時間の点につ
いて配慮がされておらず、プラズマ洗浄の所要時間はま
だ充分短縮されているとはいえない。
いて配慮がされておらず、プラズマ洗浄の所要時間はま
だ充分短縮されているとはいえない。
本発明の目的は、処理ガスとしてSiCl4もしくはSiCl4
を含む混合ガスを用いてエッチング処理を行なうエッチ
ング装置の処理室の洗浄時間を短縮することのできるプ
ラズマ洗浄方法を提供することにある。
を含む混合ガスを用いてエッチング処理を行なうエッチ
ング装置の処理室の洗浄時間を短縮することのできるプ
ラズマ洗浄方法を提供することにある。
上記目的は、処理ガスとしてSiCl4もしくはSiCl4を含
む混合ガスのプラズマを用いてアルミニウムをエッチン
グ処理した後のエッチング処理装置の処理室内に、洗浄
ガスとしてSF6もしくはSF6を含む混合ガスを供給し、洗
浄ガスを0.3Torrより低い圧力でプラズマ化して処理室
内を洗浄することにより、達成される。
む混合ガスのプラズマを用いてアルミニウムをエッチン
グ処理した後のエッチング処理装置の処理室内に、洗浄
ガスとしてSF6もしくはSF6を含む混合ガスを供給し、洗
浄ガスを0.3Torrより低い圧力でプラズマ化して処理室
内を洗浄することにより、達成される。
SiCl4あるいはSiCl4を含む混合ガスを用いてアルミニ
ウムのエッチング処理を行なうと、処理室内に主にSiの
堆積物が被着する。エッチング処理後の処理室内にSF6
もしくはSF6を含む混合ガス供給し、プラズマ化させ
る。このときプラズマ中において、Ｆラジカルあるいは
Ｆ元素を含むラジカルおよびイオンが多量に生成され、
該ラジカルおよびイオンがSiの堆積物と反応して揮発性
の高いシリコンフッ化物を生成し排出されるので、プラ
ズマ洗浄の洗浄時間が短縮できる。
ウムのエッチング処理を行なうと、処理室内に主にSiの
堆積物が被着する。エッチング処理後の処理室内にSF6
もしくはSF6を含む混合ガス供給し、プラズマ化させ
る。このときプラズマ中において、Ｆラジカルあるいは
Ｆ元素を含むラジカルおよびイオンが多量に生成され、
該ラジカルおよびイオンがSiの堆積物と反応して揮発性
の高いシリコンフッ化物を生成し排出されるので、プラ
ズマ洗浄の洗浄時間が短縮できる。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図により
説明する。この場合、処理ガスとしてSiCl4を用いてア
ルミニウムをエッチング処理した場合について述べる。
説明する。この場合、処理ガスとしてSiCl4を用いてア
ルミニウムをエッチング処理した場合について述べる。
この場合は、第２図に示すRIE装置により実験を行な
った。処理室１内には試料、この場合、アルミニウム膜
を有する基板を載置する下部電極４と、下部電極４に対
応させて配置した上部電極３とが設けてある。下部電極
４には高周波電源５が接続してあり、上部電極３は接地
してある。また、上部電極３にはガス供給路が設けてあ
り、エッチング用ガス源２と洗浄用ガス源６とがそれぞ
れ流量制御弁を介して接続してある。なお、処理室１は
図示しない排気装置により真空排気される。
った。処理室１内には試料、この場合、アルミニウム膜
を有する基板を載置する下部電極４と、下部電極４に対
応させて配置した上部電極３とが設けてある。下部電極
４には高周波電源５が接続してあり、上部電極３は接地
してある。また、上部電極３にはガス供給路が設けてあ
り、エッチング用ガス源２と洗浄用ガス源６とがそれぞ
れ流量制御弁を介して接続してある。なお、処理室１は
図示しない排気装置により真空排気される。
このように構成したエッチング装置により、まず、エ
ッチング用ガス源２からSiCl4を処理室１内に導入し、
下部電極４に高周波電源５によって高周波電力を印加
し、エッチングガスをプラズマ化させる。なお、このと
きのエッチング条件は圧力:0.05Torr、ガス流量:100SCC
M、高周波電源周波数:13.56MHz、高周波電力:300W、エ
ッチング時間30minである。これにより、アルミニウム
膜がエッチング処理される。このとき、処理室１内には
反応生成物が付着し堆積する。この反応生成物は分析結
果よりSi:Al:Clの割合が約1:0.01:0.1であり、主成分は
Siであることが分かった。なお、反応生成物の中にAlが
検出されたのは、被エッチング材をアルミニウムとして
いるためである。
ッチング用ガス源２からSiCl4を処理室１内に導入し、
下部電極４に高周波電源５によって高周波電力を印加
し、エッチングガスをプラズマ化させる。なお、このと
きのエッチング条件は圧力:0.05Torr、ガス流量:100SCC
M、高周波電源周波数:13.56MHz、高周波電力:300W、エ
ッチング時間30minである。これにより、アルミニウム
膜がエッチング処理される。このとき、処理室１内には
反応生成物が付着し堆積する。この反応生成物は分析結
果よりSi:Al:Clの割合が約1:0.01:0.1であり、主成分は
Siであることが分かった。なお、反応生成物の中にAlが
検出されたのは、被エッチング材をアルミニウムとして
いるためである。
次に、処理室１内に付着，堆積した反応生成物を除去
するために、洗浄ガス源６から洗浄ガスを処理室１内に
導入し、前記エッチング処理時と同様に下部電極４に高
周波電力を印加し、洗浄ガスをプラズマ化させる。この
とき、洗浄ガスとして、この場合、SF6および従来のCF4
を用いて、それぞれに実験を行なった。このときの、洗
浄条件は、ガス流量:SF6は85SCCMで、CF4は100SCCM、高
周波電源周波数:13.56MHz、高周波電力:300Wである。
するために、洗浄ガス源６から洗浄ガスを処理室１内に
導入し、前記エッチング処理時と同様に下部電極４に高
周波電力を印加し、洗浄ガスをプラズマ化させる。この
とき、洗浄ガスとして、この場合、SF6および従来のCF4
を用いて、それぞれに実験を行なった。このときの、洗
浄条件は、ガス流量:SF6は85SCCMで、CF4は100SCCM、高
周波電源周波数:13.56MHz、高周波電力:300Wである。
実験の結果を第１図に示す。縦軸は洗浄時間を示し、
横軸は処理室１内の圧力を示す。第１図から明らかなよ
うに、従来のCF4でプラズマ洗浄を行なう場合には、圧
力を0.3Torrにしたときが最も洗浄時間が短くなってい
るが、その洗浄には約12分を要していた。これに対し、
SF6を用いてプラズマ洗浄した場合には、最も洗浄時間
が掛かるときでも、その時間は約４分半しか要しない。
このときの圧力は0.2Torrである。また、圧力をさらに
下げていけば、洗浄時間はさらに短縮され、測定可能な
圧力:0.05Torrのときには約３分で洗浄を行なうことが
できる。
横軸は処理室１内の圧力を示す。第１図から明らかなよ
うに、従来のCF4でプラズマ洗浄を行なう場合には、圧
力を0.3Torrにしたときが最も洗浄時間が短くなってい
るが、その洗浄には約12分を要していた。これに対し、
SF6を用いてプラズマ洗浄した場合には、最も洗浄時間
が掛かるときでも、その時間は約４分半しか要しない。
このときの圧力は0.2Torrである。また、圧力をさらに
下げていけば、洗浄時間はさらに短縮され、測定可能な
圧力:0.05Torrのときには約３分で洗浄を行なうことが
できる。
これは、SF6をプラズマ化させることによってＦラジ
カルあるいはＦ元素を含むラジカル、例えば、SF4ラジ
カル等およびイオンが多量に生成されるものと思われ、
これによって反応生成物の主成分であるSiとこれらラジ
カルおよびイオンとの反応によって生成される揮発性の
高いシリコンフッ化物が多く生成され、このシリコンフ
ッ化物等の反応生成物が真空排気されて除去されるの
で、処理室１内の洗浄時間が短縮されるものと思われ
る。
カルあるいはＦ元素を含むラジカル、例えば、SF4ラジ
カル等およびイオンが多量に生成されるものと思われ、
これによって反応生成物の主成分であるSiとこれらラジ
カルおよびイオンとの反応によって生成される揮発性の
高いシリコンフッ化物が多く生成され、このシリコンフ
ッ化物等の反応生成物が真空排気されて除去されるの
で、処理室１内の洗浄時間が短縮されるものと思われ
る。
また、洗浄ガスとしてSF6を用いた場合、圧力を0.3To
rr以上にしたら、硫化物等による一部洗浄残りが生じ
た。一方、圧力を0.3Torrよりも低くしたら、洗浄残り
が生じることはなかった。また、洗浄ガスとしてSF6を
含む混合ガスの場合も同様であった。
rr以上にしたら、硫化物等による一部洗浄残りが生じ
た。一方、圧力を0.3Torrよりも低くしたら、洗浄残り
が生じることはなかった。また、洗浄ガスとしてSF6を
含む混合ガスの場合も同様であった。
以上、本一実施例によれば、SiCl4を用いてアルミニ
ウムをエッチング処理したときに生成され処理室１内に
付着，堆積するSiを、洗浄ガスとしてSF6を用いてプラ
ズマ洗浄することにより、洗浄時間を大幅に短縮するこ
とができるという効果がある。
ウムをエッチング処理したときに生成され処理室１内に
付着，堆積するSiを、洗浄ガスとしてSF6を用いてプラ
ズマ洗浄することにより、洗浄時間を大幅に短縮するこ
とができるという効果がある。
また、SF6によるプラズマ洗浄時の圧力を0.3Torrより
も低い圧力で行なうことにより、洗浄残りのないプラズ
マ洗浄を短時間で行なうことができる。
も低い圧力で行なうことにより、洗浄残りのないプラズ
マ洗浄を短時間で行なうことができる。
なお、本一実施例では、エッチングガスとしてSiCl4
を例に挙げたが、この他にSiCl4を含む混合ガス、例え
ば、SiCl4＋Cl2等のガスであっても同様の効果がある。
を例に挙げたが、この他にSiCl4を含む混合ガス、例え
ば、SiCl4＋Cl2等のガスであっても同様の効果がある。
本発明によれば、処理ガスとしてSiCl4もしくはSiCl4
を含む混合ガスのプラズマを用いてアルミニウムをエッ
チング処理した後のエッチング処理装置の処理室内に、
洗浄ガスとしてSF6もしくはSF6を含む混合ガスを供給し
洗浄ガスを0.3Torrより低い圧力でプラズマ化して処理
室内を洗浄することにより、洗浄時間を短縮することが
できるという効果がある。
を含む混合ガスのプラズマを用いてアルミニウムをエッ
チング処理した後のエッチング処理装置の処理室内に、
洗浄ガスとしてSF6もしくはSF6を含む混合ガスを供給し
洗浄ガスを0.3Torrより低い圧力でプラズマ化して処理
室内を洗浄することにより、洗浄時間を短縮することが
できるという効果がある。
第１図は本発明のプラズマ洗浄方法による洗浄結果を示
す図、第２図は第１図の実験を行なったときのエッチン
グ装置を示す構成図である。 １……処理室、３……上部電極、 ４……下部電極、５……高周波電源、 ６……洗浄ガス源
す図、第２図は第１図の実験を行なったときのエッチン
グ装置を示す構成図である。 １……処理室、３……上部電極、 ４……下部電極、５……高周波電源、 ６……洗浄ガス源
Claims (1)
- 【請求項１】処理ガスとしてSiCl4もしくはSiCl4を含む
混合ガスのプラズマを用いてアルミニウムをエッチング
処理した後のエッチング処理装置の処理室内に、洗浄ガ
スとしてSF6もしくはSF6を含む混合ガスを供給し、前記
洗浄ガスを0.3Torrより低い圧力でプラズマ化し、前記
処理室内を洗浄することを特徴とするプラズマ洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62220212A JP2574809B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | プラズマ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62220212A JP2574809B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | プラズマ洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6464328A JPS6464328A (en) | 1989-03-10 |
| JP2574809B2 true JP2574809B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=16747644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62220212A Expired - Lifetime JP2574809B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | プラズマ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574809B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127271A (en) * | 1998-04-28 | 2000-10-03 | Balzers Hochvakuum Ag | Process for dry etching and vacuum treatment reactor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5713176A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Ion etching method |
| JPS61250185A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-07 | Anelva Corp | 真空処理装置のクリ−ニング方法 |
-
1987
- 1987-09-04 JP JP62220212A patent/JP2574809B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6464328A (en) | 1989-03-10 |
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