JPS61250185A - 真空処理装置のクリ−ニング方法 - Google Patents

真空処理装置のクリ−ニング方法

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JPS61250185A
JPS61250185A JP8949985A JP8949985A JPS61250185A JP S61250185 A JPS61250185 A JP S61250185A JP 8949985 A JP8949985 A JP 8949985A JP 8949985 A JP8949985 A JP 8949985A JP S61250185 A JPS61250185 A JP S61250185A
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JP
Japan
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gas
chamber
reaction product
plasma
moisture
Prior art date
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Pending
Application number
JP8949985A
Other languages
English (en)
Inventor
Kichizo Kodaira
吉三 小平
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Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
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Publication date
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Publication of JPS61250185A publication Critical patent/JPS61250185A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、塩素系ガスを用いてドライエツチング等の
真空処理をした後に行なう、真空処理装置のクリーニン
グ方法に関する。
（従来の技術） 一般に、例えばシリコンウェハー上に形成したアルミ薄
膜をＳｉ　Ｃ１４ガスを用いてドライエツチングする場
合、第１図に示すように、アルミを蒸着したシリコンウ
ェハー１を処理室２内の高周波電極３上に載置して、処
理室２内を高真空にする。そしてガス導入口４より５ｆ
Ｃ１４ガスを導き、電極３に高周波型１［Ｅによって高
周波を加える。これにより塩素ラジカルや塩素イオンが
発生し、これらがアルミと反応して塩化アルミニウムと
なって排気口５から排出され、アルミのエツチングが行
なわれる。
このときに残留反応生成物Ｓ　ｉ　ｘ　Ｃｌ　ｙ等が高
周波電極３、アース電極６および処理室２の内壁７に付
着する。この残留反応生成物が過度に付着するとエツチ
ング工程に悪影響をおよぼす、すなわちサイドエツチン
グの促進やアフターコロ−ジョンの原因となり、再現性
の良いエツチング特性が得られなくなる。また処理室２
の保守のために、処理室２内に大気を導入したとき、残
留反応生成物と大気中の水分と反応して強烈な塩化水素
を発生する。このため作業者が数時間装置のメンテナン
スを行なうことができず、また作業者の安全性の面にも
問題があり、さらには、装置やその周辺の付帯設備が錆
るという問題があった。
従来、これらの問題を解決するために、エツチング終了
後処理室２内に大気を導入する前に、フッ素を含むガス
を処理室２内に導入してプラズマクリーニングをしてい
た。
（本発明が解決しようとする問題点） しかしながら、残留反応生成物Ｓ　ｉ、　ＣＩ、とフッ
素を含むガス（ＣＦ４）とはほとんど反応しないので、
各電極３．６および処理室２の内壁７に付着した残留反
応生成物を取り除くことができないという欠点があった
。
この発明は、上記欠点を解消するようにした真空処理装
置のクリーニング方法を提供することを目的とする。
（問題を解決するための手段） この発明は、上記の目的を達成するために、真空処理後
、酸化性ガスを導入して処理室に触れさせた後排気し、
そしてフッ素を含むガスを導入してプラズマを発生させ
て洗浄するようにしたものである。
（本発明の作用） 酸化性ガスを導入すると残留反応生成物が酸化して、フ
ッ素系ガスでエツチングしゃすい５ｉｎ２等の酸化物と
なり、これによりフッ素を含むガスによるプラズマクリ
ーニングによって残留反応生成物を効果的に取り除くも
のである。
（本発明の効果） 残留反応生成物を効果的に取り除くことができるので、
再現性の良いエチング特性が得られる他、真空処理装置
のメンテナンスが安全かつ容易に行なうことができ、装
置の稼動率の向上も期待できる。
（本発明の実施例） 第一図に示すように、シリコンウエノ＼−１上に形成し
たアルミ薄膜をドライエツチングした後、ガス導入口８
より水分を含んだガスを導入し、これにより残留反応生
成物がガス中の水分と反応して塩化水素を発生して５ｔ
Ｏ２化する。
Ｓ　ｉ　ｘ　Ｃ１ｙ　＋　ｎ　Ｈ２０”ｍＨＣｌ　（ｇ
ａｓ　）↑＋５ｉ０２ なお前記ガスを導入した際プラズマを発生させるとより
効果的に上記反応を促進させることができる。十分反応
した後に、水分を含んだガスの供給を止めて処理室２内
を排気する０次にフッ素を含むガス（ＣＦ４）を導入し
、プラズマを発生させてプラズマクリーニングを行なう
、すなわちＳ　ｉ　０２　＋ＣＦ４　＋ｅ−＋ Ｓ　ｉ　Ｆ４　　（ｇａｓ　）↑＋Ｃｏ２↑＋ｅとなり
、残留反応生成物を効果的に取り除くことができる。
以上のようなりリーニング工程の後に処理室２内を大気
にしても塩化水素の臭いはほとんどなく、また各電極に
付着していた残留反応生成物が確実に減少していいた。
なお上記実施例では、水分を含んだガスを供給するよう
になっているが、これに限らず過酸化水素やオゾン等を
含んだガスでもよく、またＣ　Ｆ　ａの代りに、ＮＦｓ
　、ＳＦ６やこれらのうちの一つと酸素との混合ガスで
も目的を十分に達成することができる。
【図面の簡単な説明】
第一図はこの発明に係る真空処理装置の概略説明図であ
る。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）処理室内で、塩素系ガスを用いてドライエッチン
    グ等の真空処理後、酸化性ガスを導入してその酸化性ガ
    スあるいは酸化性ガスのプラズマに前記処理室を触れさ
    せた後排気し、そしてフッ素を含むガスを前記処理室内
    に導入し、その処理室内にプラズマを発生させて前記処
    理室内を洗浄するようにしたことを特徴とする真空処理
    装置のクリーニング方法。
  2. （２）前記酸化性ガスが、水、過酸化水素、オゾンのう
    ちいずれか一つを含むことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の真空処理装置のクリーニング方法。
  3. （３）前記のフッ素を含むガスが、ＮＦ＿３、ＣＦ＿４
    およびＳＦ＿６のうちいずれか一つ、あるいはその一つ
    と酸素との混合ガスであることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の真空処理装置のクリーニング方法。
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