JP2573902Y2 - 位相板調節式レーザビームによる集積回路接続パスの切断装置 - Google Patents

位相板調節式レーザビームによる集積回路接続パスの切断装置

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JP2573902Y2 JP1996006194U JP619496U JP2573902Y2 JP 2573902 Y2 JP2573902 Y2 JP 2573902Y2 JP 1996006194 U JP1996006194 U JP 1996006194U JP 619496 U JP619496 U JP 619496U JP 2573902 Y2 JP2573902 Y2 JP 2573902Y2
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Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【考案の属する技術分野】本考案は、集積回路の製造に
ついてレーザ光線を用いることに関する。特に本考案
は、欠陥部分がなければ完全な電子回路について接続リ
ンクを切断することにより、どの部分に欠陥があって使
えないかを指示し、また欠陥部分の代わりにその回路の
どのスペアパーツを用いるかを指示することに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】大きな半導体メモリチップの設計は、製
造欠陥が多数のメモリセルで同様に生ずるという事実を
考慮に入れて行われる場合がある。製造欠陥に起因して
生ずる無駄を少なくするために、そのような設計では余
分のセルが別個の行又は列の形で含まれ、標準の行又は
列に欠陥があることが見いだされた場合に使用すること
ができるようになっている。検査を行ってある行又は列
に欠陥があることが判明した場合には、製造業者はチッ
プにおける所定の接続リンクを蒸発させ、それによって
その欠陥行又は列を役務から外し、またチップをプログ
ラムしてこの外した行又は列をスペアの一つにより置き
換える。
【０００３】図１のチップ１０は、コード化のために用
いられる接続リンクの一つについて考えられる構成を、
単純化した形態で示している。単結晶シリコンの厚い基
板１２の上には二酸化シリコンの薄い層１４が形成され
得る。例えば多結晶シリコンの層２０に対して焼結によ
り接合されたタングステン又はモリブデン層１８からな
る接続リンク１６が、層１４と一つ以上の酸化層２２と
の間に配置される。
【０００４】リンク１６を切断するためには、使用され
るレーザビームの波長に対して本質的に透過性の層２２
を介してレーザビームをリンク上へと焦点合わせする。
リンクはレーザビームのエネルギーを吸収して蒸発し、
その上にある層を開裂させて、それまでリンクであった
物質が脱出するのを可能にする。
【０００５】この技術を成功裡に適用できるかどうか
は、各種の処理パラメータ、及び個々のチップの設計に
大きく依存している。例えば隔絶された個所において過
剰に強いレーザ放射線を照射すると、周囲の物質、例え
ば薄い酸化物層１４などに対して損傷を与えることがあ
り、それが動作欠陥を招くことがありうる。他方、ビー
ムの強度又は持続時間が不十分であると、リンクにおけ
る望ましくない連続性の残存を生ずるような瞬間蒸発が
行われがちである。
【０００６】この理由から、信頼性をもってリンクを切
断するように種々の処理変数を調節することを目指して
多くの努力がなされてきた。そのような処理変数の一つ
は、ビームの強度プロファイルである。通常の場合、レ
ーザビームの強度プロファイルは、ビームの中心からの
距離の関数としてガウス形である。しかしながら、この
プロファイルはリンクの切断に関しては最適なものでは
ない。なぜなら、かなりの長さのリンクが蒸発される必
要があるからである。必要な蒸発エネルギーをもたらす
についてガウス曲線（正規曲線）の裾の領域が信頼され
る場合、ビーム中央のピーク領域はリンク中の局在化領
域において過剰な出力を伝達し、従ってチップに損傷を
与える。この悪影響は、加熱過程の非線形な特性によっ
てさらにひどくなる。リンクの物質がより熱くなるほ
ど、ビームからのエネルギー吸収の効率は増大するから
である。他方、所要の蒸発強度を伝達するに当たって中
央の最大領域のみを信頼する場合には、所与の強度につ
いて必要とされるレーザ出力の合計が望ましくないほど
多くなるような範囲にまでビームを広げなければならな
い。
【０００７】
【考案が解決しようとする課題】これらの理由から、ビ
ームの強度をより均一にしようとする努力がなされてき
た。例えばリンク蒸発のためのある構成においては、ビ
ームは開口へと導かれ、そこを介してビームの中心領域
だけが通過できるようにされる。この手法はある程度ま
では強度の均一化に寄与する。しかしこの手法は、正規
曲線の外側の部分の出力が浪費されるという事実に由来
する非効率性を有する不利がある。さらにまた、そのよ
うな手法は開口が生ずる回折に起因して「過熱点」を形
成しがちであることを本考案者は見い出した。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本考案者は、実施が簡単
であり、且つレーザ出力の使用が効率的に行われる手法
を開発した。即ち本考案者は、レーザビームの光路に位
相板を挿入したのである。位相板はビームに対して空間
的な位相変調をもたらすものであるが、本考案者は、ビ
ームを処理対象へと収束させるレンズその他の像形成光
学素子が、結果的に生ずる（典型的には幾らかのスケー
リングの後に）位相変調ビームのレプリカを受け取るよ
うになる個所において、光路中に位相板を配置した。処
理対象上に結果的に形成されるスポットの強度プロファ
イルは、位相変調されたビームの空間−周波数出力スペ
クトルの形を有する。適切な位相変調により、開口（即
ち振幅変調）を用いた手法に付随するかなりの出力損失
という不利を蒙ることなしに、処理対象に対してより均
一な強度プロファイルを得ることができる。
【０００９】位相板は極めて簡単なものでよい。本考案
者は、簡単な２領域２値(binary)位相板で良好な結果を
得た。これは中央領域が、外側の領域によって課せられ
る移相に対して１８０°の位相差を有する移相を行うも
のである。また以下に示されるように、このような構成
を調節可能なものにすることは簡単であり、それによっ
てオペレータが処理を非常に僅かな努力でもって実験的
に最適化することが可能とされる。
【００１０】
【考案の実施の形態】本考案のこれらの特徴及び別の特
徴は、添付図面を参照して以下に説明される。
【００１１】図２に単純化した形態で示されている本考
案の装置２０は、レーザ２２を含む。ここでは重要では
ないが、種々の理由によってビームはある程度発散す
る。「視準」レンズ２４はこの発散を取り除き、また実
際にはビームを僅かに収束させる。その目的について以
下に説明する位相板２６を通過した後、この時点で１／
ｅ2 ビーム幅が１．５mmであるこのビームは、テレスコ
ープ２８で拡大視準(up-collimate)されて１２．６mmの
ビームとされ、続いての収束により十分に小さなスポッ
トサイズが生成されるようになる。
【００１２】ビームを処理対象上の適切なリンクへと案
内するために、スキャナ（二次元のものであるが、図２
では一枚のミラー３０だけからなるものとして示されて
いる）がビームを偏向させ、５０mmの焦点距離を有する
収束レンズ３２を介して方向付けて、ビームを直径約
８．３μのスポットへと収束させている。このスポット
サイズが選択されたのは、８−１０μの長さのリンクの
全長を可能な限り多く蒸発させることが望ましいからで
ある。（実際には適用対象に応じて、隣接するリンクの
近さなどの拮抗する条件により、より小さなスポットサ
イズが指示される場合もある。しかしそのような要因が
ない場合には、リンクのできるだけ長い部分を蒸発させ
ることが一般には望ましい。）位相板２６を除いては、
図２に示された装置は在来のものである。しかしながら
位相板がある故に、処理対象３４に到達するビームの強
度輪郭は、在来のガウスプロファイルの場合よりも中央
の領域がより均一である。
【００１３】その理由は、図３及び図４を参照すること
により理解され得る。図３は位相板２６を平面図で示
し、同心で別個の中央領域３６及び外側領域３８のそれ
ぞれを有するものとして描写している。位相板２６は例
えば水晶のような、レーザが生成する波長、即ち１．０
４７μの光線に対して本質的に透過性の物質から作られ
ている。
【００１４】図４が示すように、図示の実施例において
中央領域３６は直径１．５mmであり、その厚みは外側領
域３８の厚みとは１．１７μだけ異なる。この位相板の
屈折率が１．４４９であるとすると、差別的な位相遅延
は１８０°という結果になる。図４の曲線４０が示唆し
ているように、二つの領域３６と３８の間の境界は強度
プロファイル約１／ｅ2 の点において強度曲線に当たっ
ている。即ち振幅プロファイル４０の１／ｅの点であ
る。境界が強度プロファイルに当たる正確な点は重要で
はないが、中央領域が受け取るビームの部分は通常、ビ
ームの出力の殆どを有している。結果は曲線４２によっ
て示されており、そこではビームの移相された部分は負
の振幅を持つものとして表され、移相が強度プロファイ
ル中においてゼロを生じていることが示されている。
【００１５】この結果は、［Ｊ1（２πｒ）］／ｒ の概
略的な近似である（目盛り係数に対して）。ここでＪ1
は一次の第１種ベッセル関数であり、ｒは光軸からの距
離である。これは円ｃｉｒｃ（ｒ）関数のハンケル変換
（即ちフーリエ変換の極座標対応）であり、ある最大半
径までは均一な振幅でそれ以上はゼロであることを表し
ている。従ってこのようにして変調されたビームを収束
させる結像光学系を用いれば、強度プロファイルがｃｉ
ｒｃ（ｒ）関数を近似する像が生成されることになる。
【００１６】ビームを横切る位相板２６の特徴は、レー
ザ光線の波長と比較して非常に大きなものであるから、
ビームは拡大視準器即ちテレスコープ２８に向けて伝搬
するに際して、位相板により賦与された強度プロファイ
ルを実質的に維持する。テレスコープによる二重変換は
スケールの変化のみを生じ、従って強度プロファイルは
保全される。従って収束レンズ３２は位相板により賦与
された強度プロファイルを受け取り、またビームを処理
対象へと収束させて生成されるスポットは、受け取った
ビームの出力スペクトル密度の形の強度プロファイルを
有する。即ちそれは、導電性リンクを蒸発させることが
望ましい領域においてガウスビームよりも均一な、ｃｉ
ｒｃ（ｒ）関数を近似したものである。
【００１７】以上に見たように、本明細書に示した特定
の種類の位相板から結果的に形成される強度プロファイ
ルは、所望とするプロファイルのフーリエ変換の概略的
な近似に過ぎないものである。明らかに、それは一つの
相反転のみを生じ、従って［Ｊ1（２πｒ）］／ｒ にお
いて最初のゼロのみを生ずる。このゆえに、複数の同心
の境界を有し、従ってベッセル関数のゼロに合致する複
数のゼロを有する位相板を用いれば、より正確な結果が
得られることが予想される。事実本考案者は、本考案の
そのような実施例は幾つかの用途には望ましいであろう
と考える。しかしながら本考案者は例示した２領域の位
相板だけで、本考案の用途にとって適切な結果を得たも
のである。
【００１８】また、標的における強度について円関数が
望ましいことは、暗黙のうちに前提とされていることに
注意すべきである。この場合も本考案者は、かかる関数
を用いて得られた結果が適切であることを見い出したも
のである。しかしながら本考案は、パターンが円環状に
対称ではなく、その代わりに標的とするリンクと同様の
より細長い変換パターンを生ずる位相板を用いることに
よっても実施され得るものである。
【００１９】
【考案の効果】しかしながらパターンがどのようなもの
であっても、位相板を用いる手法は大きな利点をもたら
す。即ち位相板は単純で廉価なだけでなく、その使用に
際して装置に付加的な光学素子は必要とされない。さら
に位相板は比較的効率的である。つまり、開口を用いる
手法のようにレーザ光のある部分をブロックし、従って
その出力を減ずることにより所望とする形を達成するの
ではなく、位相板は単にその位相を変化させ、必要とさ
れるところへと出力を再度方向付けるものである。ま
た、開口系の不連続性により生ずる回折とは対照的に、
位相板による手法においてこれに対応する回折は有利な
ものであり、位相変調ビームが所望とするプロファイル
の変換を近似するについて位相変調ビーム中にゼロを生
ずる。提案され得る他の手法と比較しての本考案の手法
の別の利点は、本考案では極性の変化が生ずるものでは
なく、レーザ系において通常用いられる偏光に敏感な素
子の動作に影響しないということである。
【００２０】特に有利であることを本考案者が見い出し
たさらに別の利点は、必然的に位相板を交換することな
しに、ビームのプロファイルを簡単に変化させることが
できるということである。上述したように、本考案者が
用いた視準レンズ２４は、ビームがゆっくりと収束する
ように配置されている。これはレーザの出口開口を視準
レンズから５００−６００mm離れた平面に結像させる。
この収束性（或いは等価性、ゆっくりとした発散）は、
位相板又は視準レンズを光軸に沿って単に移動させるこ
とによって位相板の効果を変化させることを可能にす
る。その一次的な効果は、位相板の中央領域３６の大き
さを変化させた場合のそれと同じである。（ビームは平
面波に非常に近いけれども、依然として僅かな曲がりを
有し、その半径がビームの軸に沿って距離と共に変化す
るという事実から、別の影響が出る。しかしながらこの
影響は些細なものであり、位相板が与える位相変調の本
質的な２値性を大きく損なうものではない。）中央領域
の影響力を調節するというこのモードは、ビームの形状
を実験的に最適化していくことを容易なものとする。
【００２１】光軸に対して垂直な平面に置かれる軸のあ
たりに位相板を枢動させることにより、別の度合いの調
節可能性が提供される。かかる枢動は、位相板が与える
差別的な位相遅延を変化させる。２領域の位相板におい
て厳格な１８０°の差から外れていくとビームの均一性
を実際上改善することができ、またかかる枢動の結果偶
発的に、前述したように望ましいもので有り得る細長い
パターンが得られることが報告されている。さらにま
た、このような容易な調節可能性は、仮にそれがビーム
強度の均一性を増大させる可能性を持たない場合でさえ
も、有利なものであり得る。ある所与の状況下において
最高の挙動を示す結果となるビーム形状は、いつも断面
が矩形に最も近い形状である訳ではないことが判明して
いる。
【００２２】以上の利点に鑑みれば、本考案が技術的に
大きな進歩を与えるものであることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案を実施することのできるタイプの処理対
象の単純化した断面図である。
【図２】本考案を実施するための装置を示すブロック図
である。
【図３】図２の装置で用いられる位相板の平面図であ
る。
【図４】図３の位相板の断面図である。
【符号の説明】
２０ 装置 ２２ レーザ ２４ 視準レンズ ２６ 位相板 ２８ テレスコープ ３０ ミラー ３２ 収束レンズ ３４ 処理対象 ３６ 中央領域 ３８ 外側領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−110747（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−238489（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−24780（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−181805（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−211451（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23K 26/00 - 26/18

Claims (9)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 集積回路において導電リンクを切断する
    ための装置であって、 Ａ）光路に沿って所定波長のレーザ光のビームを放出す
    るレーザと、 Ｂ）レーザから分離して且つ前記光路内に配置され、ビ
    ームに対して空間的位相変調を与える位相板と、 Ｃ）焦点面を有し、前記光路内に配置されて、かくして
    位相変調されたビームを受け取り且つ該ビームを前記焦
    点面へと収束させる結像光学素子とからなり、位相板が
    配置されている光路の部分においてレーザビームが収束
    又は発散し、光路における位相板の位置を調整すること
    によってビーム形状の調整が実施され得る装置。
  2. 【請求項２】 位相板が２値位相板であり、そのどの個
    所においても二つの異なる位相変化の一方又は他方のみ
    を与える、請求項１の装置。
  3. 【請求項３】 二つの位相変化が相互に実質的に１８０
    °の奇数倍だけ相違する、請求項２の装置。
  4. 【請求項４】 位相板が、レーザビームの中央部分に対
    して二つの位相変化の一方を与える単一の中央領域と、
    レーザビームの残りの部分の少なくとも一部に対して二
    つの位相変化の他方を与える外側領域とを含む、請求項
    ３の装置。
  5. 【請求項５】 位相板の中央領域が、ビームの出力の大
    部分を有するビーム部分を受け取る、請求項４の装置。
  6. 【請求項６】 位相板が一つの中央領域と一つの外側領
    域のみを含む、請求項５の装置。
  7. 【請求項７】 位相板が、レーザビームの中央部分に対
    して二つの位相変化の一方を与える単一の中央領域と、
    レーザビームの残りの部分の少なくとも一部に対して二
    つの位相変化の他方を与える外側領域とを含む、請求項
    ２の装置。
  8. 【請求項８】 位相板の中央領域が、ビームの出力の大
    部分を有するビーム部分を受け取る、請求項７の装置。
  9. 【請求項９】 位相板が一つの中央領域と一つの外側領
    域のみを含む、請求項８の装置。
JP1996006194U 1991-10-22 1996-07-01 位相板調節式レーザビームによる集積回路接続パスの切断装置 Expired - Lifetime JP2573902Y2 (ja)

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JPH0972U JPH0972U (ja) 1997-02-07
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Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5374817A (en) * 1988-05-11 1994-12-20 Symbol Technologies, Inc. Pre-objective scanner with flexible optical support
US5280165A (en) * 1989-10-30 1994-01-18 Symbol Technolgoies, Inc. Scan pattern generators for bar code symbol readers
JPH0669208A (ja) * 1991-03-12 1994-03-11 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US5639690A (en) * 1991-03-12 1997-06-17 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method for manufacturing a conductive pattern structure for a semiconductor device
US6016223A (en) * 1992-08-31 2000-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Double bessel beam producing method and apparatus
US5637244A (en) * 1993-05-13 1997-06-10 Podarok International, Inc. Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material
JPH11503880A (ja) * 1996-02-09 1999-03-30 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体材料のウエファに形成された半導体素子のレーザ分割方法
US5864430A (en) * 1996-09-10 1999-01-26 Sandia Corporation Gaussian beam profile shaping apparatus, method therefor and evaluation thereof
US5986234A (en) * 1997-03-28 1999-11-16 The Regents Of The University Of California High removal rate laser-based coating removal system
US6046429A (en) * 1997-06-12 2000-04-04 International Business Machines Corporation Laser repair process for printed wiring boards
US6987786B2 (en) 1998-07-02 2006-01-17 Gsi Group Corporation Controlling laser polarization
US6791060B2 (en) * 1999-05-28 2004-09-14 Electro Scientific Industries, Inc. Beam shaping and projection imaging with solid state UV gaussian beam to form vias
TW482705B (en) 1999-05-28 2002-04-11 Electro Scient Ind Inc Beam shaping and projection imaging with solid state UV Gaussian beam to form blind vias
US6281471B1 (en) * 1999-12-28 2001-08-28 Gsi Lumonics, Inc. Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material
US20040134894A1 (en) * 1999-12-28 2004-07-15 Bo Gu Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US7723642B2 (en) * 1999-12-28 2010-05-25 Gsi Group Corporation Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US20060141681A1 (en) * 2000-01-10 2006-06-29 Yunlong Sun Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US7671295B2 (en) * 2000-01-10 2010-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US20030222324A1 (en) * 2000-01-10 2003-12-04 Yunlong Sun Laser systems for passivation or link processing with a set of laser pulses
US6676878B2 (en) * 2001-01-31 2004-01-13 Electro Scientific Industries, Inc. Laser segmented cutting
US20070173075A1 (en) * 2001-03-29 2007-07-26 Joohan Lee Laser-based method and system for processing a multi-material device having conductive link structures
US6639177B2 (en) 2001-03-29 2003-10-28 Gsi Lumonics Corporation Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device
US20030232371A1 (en) * 2001-10-24 2003-12-18 Bestor Timothy H. Methods for detecting methylated promoters based on differential DNA methylation
TWI226139B (en) 2002-01-31 2005-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to manufacture a semiconductor-component
US6951995B2 (en) 2002-03-27 2005-10-04 Gsi Lumonics Corp. Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
KR101247727B1 (ko) * 2003-01-31 2013-03-26 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 반도체 소자 제조 방법
EP1588409A1 (de) * 2003-01-31 2005-10-26 Osram Opto Semiconductors GmbH Dünnfilmhalbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstel lung
US7173212B1 (en) * 2004-02-13 2007-02-06 Semak Vladimir V Method and apparatus for laser cutting and drilling of semiconductor materials and glass
US7020582B1 (en) 2004-04-28 2006-03-28 Altera Corporation Methods and apparatus for laser marking of integrated circuit faults
US7923306B2 (en) * 2004-06-18 2011-04-12 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US8383982B2 (en) * 2004-06-18 2013-02-26 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US7629234B2 (en) * 2004-06-18 2009-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling
US7935941B2 (en) * 2004-06-18 2011-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures
US7435927B2 (en) * 2004-06-18 2008-10-14 Electron Scientific Industries, Inc. Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset
US7687740B2 (en) * 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
US7633034B2 (en) * 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US8148211B2 (en) * 2004-06-18 2012-04-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously
US20060000814A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Bo Gu Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby
US20060114948A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Lo Ho W Workpiece processing system using a common imaged optical assembly to shape the spatial distributions of light energy of multiple laser beams
US20060191884A1 (en) * 2005-01-21 2006-08-31 Johnson Shepard D High-speed, precise, laser-based material processing method and system
JP2007136477A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
US8084706B2 (en) * 2006-07-20 2011-12-27 Gsi Group Corporation System and method for laser processing at non-constant velocities
US7732731B2 (en) * 2006-09-15 2010-06-08 Gsi Group Corporation Method and system for laser processing targets of different types on a workpiece
US20090004368A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Weyerhaeuser Co. Systems and methods for curing a deposited layer on a substrate
US7847213B1 (en) * 2007-09-11 2010-12-07 Ultratech, Inc. Method and apparatus for modifying an intensity profile of a coherent photonic beam
KR101310243B1 (ko) * 2007-09-19 2013-09-24 지에스아이 그룹 코포레이션 고속 빔 편향 링크 가공
CN101630126A (zh) * 2008-07-15 2010-01-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统
US20110210105A1 (en) * 2009-12-30 2011-09-01 Gsi Group Corporation Link processing with high speed beam deflection
JP5633849B2 (ja) * 2011-08-02 2014-12-03 住友電工ハードメタル株式会社 レーザ用光学部品
JP5938382B2 (ja) * 2013-10-30 2016-06-22 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 光源ユニット及びこれを用いた画像形成装置
JP5938383B2 (ja) * 2013-10-30 2016-06-22 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 位相変調素子、光源ユニット及びこれを用いた画像形成装置
US9285593B1 (en) 2013-12-20 2016-03-15 AdlOptica Optical Systems GmbH Method and apparatus for shaping focused laser beams
DE102017113945B4 (de) * 2017-06-23 2019-11-14 Asphericon Gmbh Modulares optisches Baukastensystem für fokusnahe Strahldichteverteilungen mit alternierendem Strahldichteprofil
JP2022551621A (ja) 2019-10-07 2022-12-12 リモ ゲーエムベーハー レーザ放射を生成するためのレーザ装置、および当該レーザ装置を備える３ｄ印刷装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1157808B (de) * 1962-06-29 1963-11-21 Leitz Ernst Gmbh Polarisationseinrichtung
US3705758A (en) * 1969-12-30 1972-12-12 Honeywell Inc Apparatus for controlling a beam of coherent electro-magnetic waves
US3877789A (en) * 1972-11-08 1975-04-15 Marie G R P Mode transformer for light or millimeter electromagnetic waves
DE2821883C2 (de) * 1978-05-19 1980-07-17 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Vorrichtung zur Materialbearbeitung
GB2070490B (en) * 1980-02-26 1984-07-04 Ferranti Ltd Laser cutting apparatus
SU907498A1 (ru) * 1980-05-12 1982-02-23 Предприятие П/Я А-1029 Устройство дл получени оконтуренных оптических изображений
US4547651A (en) * 1981-05-28 1985-10-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser machining apparatus
US4478481A (en) * 1982-02-12 1984-10-23 University Of Dayton Production of diffraction limited holographic images
JPS59127990A (ja) * 1983-01-13 1984-07-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ切断装置
US4518232A (en) * 1983-08-24 1985-05-21 Avco Everett Research Laboratory, Inc. Method and apparatus for optical beam shaping
US4765714A (en) * 1984-04-03 1988-08-23 Horner Joseph L Binary phase-only optical correlation system
JPS61111563A (ja) * 1984-11-05 1986-05-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の金属配線切断方法
JP2503388B2 (ja) * 1985-04-17 1996-06-05 株式会社ニコン レ−ザ−加工用光学装置
US4705698A (en) * 1986-10-27 1987-11-10 Chronar Corporation Isolation of semiconductor contacts
JPS63110747A (ja) * 1986-10-29 1988-05-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
EP0300465B1 (en) * 1987-07-20 1995-10-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser machining apparatus
EP0329787A4 (en) * 1987-08-28 1990-09-05 Tsentralnoe Konstruktorskoe Bjuro Unikalnogo Priborostroenia Akademii Nauk Ssr Method and device for laser processing of an object
US5034591A (en) * 1988-03-22 1991-07-23 Amdahl Corporation Tape automated bonding leads having a stiffener and a method of bonding with same
US4947413A (en) * 1988-07-26 1990-08-07 At&T Bell Laboratories Resolution doubling lithography technique
JPH02137688A (ja) * 1988-11-18 1990-05-25 Fuji Electric Co Ltd レーザ加工装置
JPH02211451A (ja) * 1989-02-13 1990-08-22 Toshiba Corp 露光マスク，露光マスクの製造方法及びこれを用いた露光方法
US5032002A (en) * 1989-02-14 1991-07-16 Grumman Aerospace Corporation Write with light optical notching filter
JPH0394986A (ja) * 1989-09-05 1991-04-19 Osaka Prefecture 金属表面のレーザ加工方法及び装置
JPH0324780A (ja) * 1989-06-22 1991-02-01 Toshiba Corp レーザ加工装置
JPH03181805A (ja) * 1989-12-11 1991-08-07 Fujitsu Ltd 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器
JP3150322B2 (ja) * 1990-05-18 2001-03-26 株式会社日立製作所 レーザによる配線切断加工方法及びレーザ加工装置
US5048029A (en) * 1990-07-24 1991-09-10 The University Of Rochester System for obtaining smooth laser beams where intensity variations are reduced by spectral dispersion of the laser light (SSD)

Also Published As

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JPH0972U (ja) 1997-02-07
US5300756A (en) 1994-04-05
JPH05326716A (ja) 1993-12-10

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