JPH03181805A - 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器 - Google Patents
位相シフトマスクのシフター膜厚測定器Info
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- JPH03181805A JPH03181805A JP1322331A JP32233189A JPH03181805A JP H03181805 A JPH03181805 A JP H03181805A JP 1322331 A JP1322331 A JP 1322331A JP 32233189 A JP32233189 A JP 32233189A JP H03181805 A JPH03181805 A JP H03181805A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要）
位相シフトマスクのシフター膜厚測定器に関し、位相シ
フトマスクにおけるシフターの膜厚を容易に正確に測定
することを目的とし、 光源から照射した光の光路を２つに分岐し、一方の光路
は位相シフトマスクのシフターを透過させた後に他方の
光路と合流させ、前記２つの光路のいずれかにガラス厚
みが変化できるように可動するくさび状ガラスを配置し
、該くさび状ガラスの可動によって光路長を調整して、
光の干渉信号を得て位相シフトマスクのシフターの膜厚
が測定できるように構成する。
フトマスクにおけるシフターの膜厚を容易に正確に測定
することを目的とし、 光源から照射した光の光路を２つに分岐し、一方の光路
は位相シフトマスクのシフターを透過させた後に他方の
光路と合流させ、前記２つの光路のいずれかにガラス厚
みが変化できるように可動するくさび状ガラスを配置し
、該くさび状ガラスの可動によって光路長を調整して、
光の干渉信号を得て位相シフトマスクのシフターの膜厚
が測定できるように構成する。
本発明は、例えば、位相シフトマスクの膜厚測定などの
厚み測定器に関する。
厚み測定器に関する。
例えば、半導体装置の製造方法においては、フォトリソ
グラフィ技術が必須の処理技術で、そのフォトリソグラ
フィ技術に用いるフォトマスクに位相シフトマスクが提
唱されており、その位相シフトマスクのシフターの膜厚
を測定する測定器に関している。
グラフィ技術が必須の処理技術で、そのフォトリソグラ
フィ技術に用いるフォトマスクに位相シフトマスクが提
唱されており、その位相シフトマスクのシフターの膜厚
を測定する測定器に関している。
フォトリソグラフィ技術で用いられるフォトマスクには
２種類があって、１：１の大きさに転写するものをマス
ク（狭義）と呼び、５〜１０倍の拡大パターンをウェハ
ー上に縮小投影するものをレチクルと称しているが、最
近、レチクルの方が汎用されており、本発明は主にレチ
クルに関しているが、レンズを用いて結像させる場合は
、マスクにも適用でき、従って、レチクルを只単にマス
ク（広義）として以下に説明する。
２種類があって、１：１の大きさに転写するものをマス
ク（狭義）と呼び、５〜１０倍の拡大パターンをウェハ
ー上に縮小投影するものをレチクルと称しているが、最
近、レチクルの方が汎用されており、本発明は主にレチ
クルに関しているが、レンズを用いて結像させる場合は
、マスクにも適用でき、従って、レチクルを只単にマス
ク（広義）として以下に説明する。
近年、紫外線露光法による解像度の限界から、微細化に
適した電子ビーム露光法が重用されているが、この電子
ビーム露光法は個々のパターンを一つ一つビームで描画
する等の露光処理が必要なために、スループットの向上
に難点がある。
適した電子ビーム露光法が重用されているが、この電子
ビーム露光法は個々のパターンを一つ一つビームで描画
する等の露光処理が必要なために、スループットの向上
に難点がある。
従って、紫外線露光法、遠紫外線露光法などのフォトリ
ソグラフィ技術が見立されて、先年、位相シフトマスク
（Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ ）による
露光法が提案されている。
ソグラフィ技術が見立されて、先年、位相シフトマスク
（Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ ）による
露光法が提案されている。
参考文献： ＴＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ Ｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 Ｖｏｌ、ＨＤ
−２９，Ｎｏ、１２． ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９８２、ｐ
ｐ、１８２８〜１８３６ その方法は、所定のパターン部分を他のパターン部分と
は異なる光路長にして、ウェハー上で光の位相を両パタ
ーン間で反転させることによって、ウェハー上での光の
コントラストを向上させ、従来のフォト露光装置を用い
て解像度を大幅に改善しようというものである。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 Ｖｏｌ、ＨＤ
−２９，Ｎｏ、１２． ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９８２、ｐ
ｐ、１８２８〜１８３６ その方法は、所定のパターン部分を他のパターン部分と
は異なる光路長にして、ウェハー上で光の位相を両パタ
ーン間で反転させることによって、ウェハー上での光の
コントラストを向上させ、従来のフォト露光装置を用い
て解像度を大幅に改善しようというものである。
第５図（ａ）、 （ｂ）はその位相シフトの原理を説明
する図で、同図（ａ）は通常のマスクによるウェハー上
における光の強度分布を説明する図、同図（１））は位
相シフトマスクによるウェハー上における光の強度分布
を説明する図である。まず、第５図（ａ）を説明すると
、（ａ−１）は通常のマスクの断面を示しており、ガラ
ス基板に遮光パターンが設けられており、裏面より光（
矢印）を照射した図である。（ａ−２）から（ａ−４）
まではウェハー上の光照射による電場の強さＥを示し、
（ａ−５）はウェハー上の光の強度Ｉを示している。即
ち、マスクに設けた左側の光透過部による電場の強さＥ
を（ａ−２）、に示し、右側の光透過部による電場の強
さＥを（ａ−３）に示し、（ａ−４）は合計した電場の
強さΣＥである。光の強度■は電場の強さの自乗に比例
しているから、それを（ａ−５）に示している。これか
ら判るように、通常のマスクでは隣接パターンが影響し
て、近接した露光間隙の遮光パターンは回折光に影響さ
れる。従って、コントラストが悪くなって、これが解像
限界となる。
する図で、同図（ａ）は通常のマスクによるウェハー上
における光の強度分布を説明する図、同図（１））は位
相シフトマスクによるウェハー上における光の強度分布
を説明する図である。まず、第５図（ａ）を説明すると
、（ａ−１）は通常のマスクの断面を示しており、ガラ
ス基板に遮光パターンが設けられており、裏面より光（
矢印）を照射した図である。（ａ−２）から（ａ−４）
まではウェハー上の光照射による電場の強さＥを示し、
（ａ−５）はウェハー上の光の強度Ｉを示している。即
ち、マスクに設けた左側の光透過部による電場の強さＥ
を（ａ−２）、に示し、右側の光透過部による電場の強
さＥを（ａ−３）に示し、（ａ−４）は合計した電場の
強さΣＥである。光の強度■は電場の強さの自乗に比例
しているから、それを（ａ−５）に示している。これか
ら判るように、通常のマスクでは隣接パターンが影響し
て、近接した露光間隙の遮光パターンは回折光に影響さ
れる。従って、コントラストが悪くなって、これが解像
限界となる。
位相シフトマスクの原理を第５図（ロ）によって説明す
ると、（ｂ−１，）は位相シフトマスクの断面を示し、
ガラス基板に遮光パターンとシフター（Ｓｈｉｆｔｏｒ
ｉ位相変換用透明＃）が設けられており、裏面より
光（矢印）を照射した図である。次の（ｂ−２）から（
ｂ−４）まではウェハー上の光照射による電場の強さＥ
、（ｂ−５）はウェハー上の光の強度Ｉを示し、（ｂ−
２）はマスクに設けた左側の光透過部による電場の強さ
Ｅ、（ｂ−３）は右側の光透過部による電場の強さＥを
示して、（ｂ−４）は合計した電場の強さΣＥである。
ると、（ｂ−１，）は位相シフトマスクの断面を示し、
ガラス基板に遮光パターンとシフター（Ｓｈｉｆｔｏｒ
ｉ位相変換用透明＃）が設けられており、裏面より
光（矢印）を照射した図である。次の（ｂ−２）から（
ｂ−４）まではウェハー上の光照射による電場の強さＥ
、（ｂ−５）はウェハー上の光の強度Ｉを示し、（ｂ−
２）はマスクに設けた左側の光透過部による電場の強さ
Ｅ、（ｂ−３）は右側の光透過部による電場の強さＥを
示して、（ｂ−４）は合計した電場の強さΣＥである。
且つ、（ｂ−５）は電場の強さの自乗に比例した光の強
度Ｉを示す図である。こシ のように、シフターを設けると位相が反転して狭い間隙
の遮蔽パターンは回折光による電場の影響が打ち消され
て、コントラストが良くなり、解像限界が向上する。
度Ｉを示す図である。こシ のように、シフターを設けると位相が反転して狭い間隙
の遮蔽パターンは回折光による電場の影響が打ち消され
て、コントラストが良くなり、解像限界が向上する。
このような位相シフトマスクを用いれば、例えば、縮小
率１１５のマスク（レチクル）に最小幅２８５μｍの遮
光パターンを設けて、０．５μｍ幅のパターンを設ける
ことができ、また、照射光にエキシマレーザ光を用いれ
ば、０．２μｍ幅のパターンも作製が可能と言われてい
る。
率１１５のマスク（レチクル）に最小幅２８５μｍの遮
光パターンを設けて、０．５μｍ幅のパターンを設ける
ことができ、また、照射光にエキシマレーザ光を用いれ
ば、０．２μｍ幅のパターンも作製が可能と言われてい
る。
次に、第６図はそのような位相シフトマスクの断面図を
示しており、図中の記号ｌはガラス基板（透明基板）、
２はクロム（Ｃｒ）からなる遮光パターン、３はシフタ
ーである。このシフターはりソグラフィに用いる光を透
過する透明膜であれば良く、例えば、ＰＭＭＡ （ポリ
メタクリル酸メチル）のような有機樹脂膜や酸化シリコ
ン（Ｓｔｏｗ）ｐｓ、のような無機物質膜などが使用さ
れるが、その膜厚をＤとすると Ｄ＝λ／２（ｎ−１）・−（１） ここに、λは照射光の波長、ｎはシフターの屈折率 なる式に一致させると、位相のシフト量が１８ｏ。
示しており、図中の記号ｌはガラス基板（透明基板）、
２はクロム（Ｃｒ）からなる遮光パターン、３はシフタ
ーである。このシフターはりソグラフィに用いる光を透
過する透明膜であれば良く、例えば、ＰＭＭＡ （ポリ
メタクリル酸メチル）のような有機樹脂膜や酸化シリコ
ン（Ｓｔｏｗ）ｐｓ、のような無機物質膜などが使用さ
れるが、その膜厚をＤとすると Ｄ＝λ／２（ｎ−１）・−（１） ここに、λは照射光の波長、ｎはシフターの屈折率 なる式に一致させると、位相のシフト量が１８ｏ。
となって効果が最大になる。
ところが、第６図に図示した位相シフトマスクにおける
シフター３は透明なために、通常の透過型顕微鏡や反射
型顕微鏡ではその有無が判りにくくて、そのシフターに
特に重要な膜厚りの測定が非常に困難であるという問題
がある。
シフター３は透明なために、通常の透過型顕微鏡や反射
型顕微鏡ではその有無が判りにくくて、そのシフターに
特に重要な膜厚りの測定が非常に困難であるという問題
がある。
本発明はそのような問題点を解決して、位相シフトマス
クにおけるシフターの膜厚を容易に正確に測定すること
を目的とした位相シフトマスクのシフター膜厚測定器を
提案するものである。
クにおけるシフターの膜厚を容易に正確に測定すること
を目的とした位相シフトマスクのシフター膜厚測定器を
提案するものである。
その課題は、第１図に示す測定器の原理図のように、白
色光源６から照射した光の光路を２つに分岐し、一方の
光路１１を位相シフトマスク７のシフター１０を透過さ
せた後に他方の光路１２と合流させ、前記２つの光路の
いずれかにガラス厚みが変化できるように可動するくさ
び状ガラス８を配置して、該くさび状ガラス８の可動に
よって光路長を調整し、光の干渉信号を得てシフターの
膜厚が測定できるように構成した位相シフトマスクのシ
フター膜厚測定器によって解決される。
色光源６から照射した光の光路を２つに分岐し、一方の
光路１１を位相シフトマスク７のシフター１０を透過さ
せた後に他方の光路１２と合流させ、前記２つの光路の
いずれかにガラス厚みが変化できるように可動するくさ
び状ガラス８を配置して、該くさび状ガラス８の可動に
よって光路長を調整し、光の干渉信号を得てシフターの
膜厚が測定できるように構成した位相シフトマスクのシ
フター膜厚測定器によって解決される。
即ち、本発明は、シフターを透過させた光路１１とシフ
ターのない光路１２との光路差をくさび状ガラス８の厚
みを変化させて一致させ、シフターの厚みをガラスの厚
みに換算して測定するものである。計算式を以下に示す
。
ターのない光路１２との光路差をくさび状ガラス８の厚
みを変化させて一致させ、シフターの厚みをガラスの厚
みに換算して測定するものである。計算式を以下に示す
。
ｎ、 ｔ−ｔ＝ｎ、 ｋ （ａ−ｂ） −ｋ （ａ−ｂ
）・・・・・・・・・・（２） シフターの厚み シフター材の屈折率 ガラスの屈折率 くさび状ガラスの傾斜 シフターのある場合に干渉が 現れるくさび状ガラスの位置 ｂニジフタ−のない場合に干渉が 現れるくさび状ガラスの位置 〔実 施 例］ 以下に図面を参照して詳細に説明する。
）・・・・・・・・・・（２） シフターの厚み シフター材の屈折率 ガラスの屈折率 くさび状ガラスの傾斜 シフターのある場合に干渉が 現れるくさび状ガラスの位置 ｂニジフタ−のない場合に干渉が 現れるくさび状ガラスの位置 〔実 施 例］ 以下に図面を参照して詳細に説明する。
第１図に示す測定器の原理図を更に詳しく説明すると、
図中の記号４は光を分岐するためのハーフミラ−２５は
光を反射するためのミラー ６は白色光源、７は被測定
用の位相シフトマスク、８はくさび状ガラス、９は光の
干渉信号を検知する検出器、１０は位相シフトマスクの
シフター、 １１はシフター１０を透過する光路Ｉ、１
２はシフターのない光路■である。
図中の記号４は光を分岐するためのハーフミラ−２５は
光を反射するためのミラー ６は白色光源、７は被測定
用の位相シフトマスク、８はくさび状ガラス、９は光の
干渉信号を検知する検出器、１０は位相シフトマスクの
シフター、 １１はシフター１０を透過する光路Ｉ、１
２はシフターのない光路■である。
白色光源６から照射した光はハーフミラ−４によって２
つの光路に分岐され、そのうちの光路Ｉはシフター１０
を透過してミラー５によって反射してもう一つのハーフ
ミラ−４を通って検出器９に入射する。ハーフミラ−４
によって分岐された他の光路■はそのままミラー５によ
って反射されてくさび状ガラス８を透過してもう一つの
ハーフもラー４で上記の光路Ｉと合流して検出器９に入
射する。
つの光路に分岐され、そのうちの光路Ｉはシフター１０
を透過してミラー５によって反射してもう一つのハーフ
ミラ−４を通って検出器９に入射する。ハーフミラ−４
によって分岐された他の光路■はそのままミラー５によ
って反射されてくさび状ガラス８を透過してもう一つの
ハーフもラー４で上記の光路Ｉと合流して検出器９に入
射する。
かくして、光路■と光路■との空気（光の屈折率＝１）
に換算した光路長が等しくなったとき、換言すれば、光
路■を通る光の通過時間と光路■を通る光の通過時間と
が等しくなったときに光の干渉信号が検出器９に検出で
きる。
に換算した光路長が等しくなったとき、換言すれば、光
路■を通る光の通過時間と光路■を通る光の通過時間と
が等しくなったときに光の干渉信号が検出器９に検出で
きる。
第２図は検出器の光干渉信号図を示しており、信号Ａは
光路ＩがシフターＩＯを透過して、それに光路■を一致
させたもので、ａが光の干渉によって光強度が増したピ
ーク点である。また、信号Ｂは光路１がシフターのない
部分を透過して、それに光路■を一致させたもので、ｂ
がピーク点である。この両方の信号Ａと信号Ｂとを記憶
させて、そのピーク点の差（ａ−ｂ）を上記の計算式（
２）に導入して計算すればシフターの膜厚りが求められ
る。第３図は計算式の基礎を示す図で、光路Ａは信号Ａ
が得られる光路、光路Ｂは信号Ｂが得られる光路を図示
している。図中の記号は上記の計算式（２）で説明した
記号と同じであり、また、ｙ／ｘ＝にであって、この第
３図を参照すれば計算式（２）によってシフターの膜厚
ｔが得られることが明白になる。
光路ＩがシフターＩＯを透過して、それに光路■を一致
させたもので、ａが光の干渉によって光強度が増したピ
ーク点である。また、信号Ｂは光路１がシフターのない
部分を透過して、それに光路■を一致させたもので、ｂ
がピーク点である。この両方の信号Ａと信号Ｂとを記憶
させて、そのピーク点の差（ａ−ｂ）を上記の計算式（
２）に導入して計算すればシフターの膜厚りが求められ
る。第３図は計算式の基礎を示す図で、光路Ａは信号Ａ
が得られる光路、光路Ｂは信号Ｂが得られる光路を図示
している。図中の記号は上記の計算式（２）で説明した
記号と同じであり、また、ｙ／ｘ＝にであって、この第
３図を参照すれば計算式（２）によってシフターの膜厚
ｔが得られることが明白になる。
次に、第４図は本発明にかかるシフター膜厚測定器の一
実施例を示しており、図中の記号４１．４２゜４３は光
を分岐するハーフミラ−１５は光を反射するミラー１６
は白色光源、７は被測定用の位相シフトマスク、８はく
さび状ガラス、９は光干渉信号の検出器、 １０はシフ
ター、 １１は光路Ｉ、１２は光路ｎ、 １３．１４．
１５はレンズ、 １７はダミーガラス基板、１８は粗調
用くさび状ガラス、 １９はＸＹステージ、２０は光強
度の検出器、 ２１は制御装置、２２はパルスモータで
ある。
実施例を示しており、図中の記号４１．４２゜４３は光
を分岐するハーフミラ−１５は光を反射するミラー１６
は白色光源、７は被測定用の位相シフトマスク、８はく
さび状ガラス、９は光干渉信号の検出器、 １０はシフ
ター、 １１は光路Ｉ、１２は光路ｎ、 １３．１４．
１５はレンズ、 １７はダミーガラス基板、１８は粗調
用くさび状ガラス、 １９はＸＹステージ、２０は光強
度の検出器、 ２１は制御装置、２２はパルスモータで
ある。
即ち、白色光源６から出射した光はレンズ１３で平行光
線になってハーフミラ−４１で光路１１１と光路１１１
２とに分岐される。光路■は位相シフトマスク７のシフ
ター１０を透過するが、その際にレンズ１４でスポット
光としてシフタ一部分を透過させてレンズ１５で平行光
に戻し、粗調用くさび状ガラス１８とハーフミラ−４２
を通してハーフミラ−４３で光路■と合流させる。この
粗調用くさび状ガラス１８は光路Ｉが光路■と大きく光
路長が外れたときに粗く調整する目的で配置されている
ものである。
線になってハーフミラ−４１で光路１１１と光路１１１
２とに分岐される。光路■は位相シフトマスク７のシフ
ター１０を透過するが、その際にレンズ１４でスポット
光としてシフタ一部分を透過させてレンズ１５で平行光
に戻し、粗調用くさび状ガラス１８とハーフミラ−４２
を通してハーフミラ−４３で光路■と合流させる。この
粗調用くさび状ガラス１８は光路Ｉが光路■と大きく光
路長が外れたときに粗く調整する目的で配置されている
ものである。
また、ハーフごラー４２は分岐した光を検出器２０に入
射させて光強度を検出させるもので、この検出器２０を
設ければ遮光パターンの有無、透過部の欠陥部分を測定
させることができ、それを併置しているものである。
射させて光強度を検出させるもので、この検出器２０を
設ければ遮光パターンの有無、透過部の欠陥部分を測定
させることができ、それを併置しているものである。
一方、光路■はハーフミラ−４１で分岐されてミラー５
で反射した光がダミーガラス基板１７および微調用のく
さび状ガラス８を透過してハーフミラー４３によって光
路■と合流させる。このダミーガラス基板１７は光路■
の光路長を光路Ｉのそれに近接させるためで、位相シフ
トマスク７のガラス基板と同一厚みのものを配置する。
で反射した光がダミーガラス基板１７および微調用のく
さび状ガラス８を透過してハーフミラー４３によって光
路■と合流させる。このダミーガラス基板１７は光路■
の光路長を光路Ｉのそれに近接させるためで、位相シフ
トマスク７のガラス基板と同一厚みのものを配置する。
また、くさび状ガラス８はパルスモータ２２で微動して
制御されるように構威しである。
制御されるように構威しである。
かくして、パルスモータ２２と光干渉信号の検出器９と
光強度の検出器２０および位相シフトマスク７を左右上
下に動かすＸＹステージ１９とが制御装置２１によって
制御されて、シフター１０の有無や膜厚を測定し、また
、マスクのパターン形状をも検出する。なお、シフター
１０の有無はピーク点の差（ａ−ｂ）＝Ｏのときにはシ
フターは存在せず、それを検出するものである。
光強度の検出器２０および位相シフトマスク７を左右上
下に動かすＸＹステージ１９とが制御装置２１によって
制御されて、シフター１０の有無や膜厚を測定し、また
、マスクのパターン形状をも検出する。なお、シフター
１０の有無はピーク点の差（ａ−ｂ）＝Ｏのときにはシ
フターは存在せず、それを検出するものである。
上記のように、本発明は非接触で位相シフトマスク、特
にシフターの膜厚測定が可能になり、その位相シフトマ
スクの安定化に役立てることができる。
にシフターの膜厚測定が可能になり、その位相シフトマ
スクの安定化に役立てることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる位相シ
フトマスクのシフター膜厚測定器によれば容易に正確に
シフターの膜厚その他の位相シフトマスクを測定するこ
とができ、ＬＳＩなどの半導体装置の品質・信頼性の向
上に大きく寄与するものである。
フトマスクのシフター膜厚測定器によれば容易に正確に
シフターの膜厚その他の位相シフトマスクを測定するこ
とができ、ＬＳＩなどの半導体装置の品質・信頼性の向
上に大きく寄与するものである。
第１図は測定器の原理図、
第２図は検出器の光干渉信号図、
第３図は関係式の基礎を示す図、
第４図は本発明にかかるシフター膜厚測定器の一実施例
、 第５図は位相シフトの原理を説明する図、第６図は位相
シフトマスクの断面図である。 図において、 １はガラス基板、 ２は遮光パターン、３はシフ
ター ４、４１．４２．４３はハーフミラー ５はミラー ６は白色光源、７は被測定用の
位相シフトマスク、 ８はくさび状ガラス、 ９は光干渉信号の検出器、ＩＯ
はシフター １１は光路Ｉ５ １２は光路■、１３、１４．１
５はレンズ、 Ｉ７はダミーガラス基板、１８は粗調用
くさび状ガラス、 １９はＸＹステージ、 ２０は光強度の検出器、２１
は制御装置、 ２２はバルスモータを示している
。 第 図 →〈こひ′国ｉがクズの信置 第３図 ４え勇ぢ明にかカム６シフター組も雪□身１定（１のｌ
’Ｆ＆＃ｊ第４厘
、 第５図は位相シフトの原理を説明する図、第６図は位相
シフトマスクの断面図である。 図において、 １はガラス基板、 ２は遮光パターン、３はシフ
ター ４、４１．４２．４３はハーフミラー ５はミラー ６は白色光源、７は被測定用の
位相シフトマスク、 ８はくさび状ガラス、 ９は光干渉信号の検出器、ＩＯ
はシフター １１は光路Ｉ５ １２は光路■、１３、１４．１
５はレンズ、 Ｉ７はダミーガラス基板、１８は粗調用
くさび状ガラス、 １９はＸＹステージ、 ２０は光強度の検出器、２１
は制御装置、 ２２はバルスモータを示している
。 第 図 →〈こひ′国ｉがクズの信置 第３図 ４え勇ぢ明にかカム６シフター組も雪□身１定（１のｌ
’Ｆ＆＃ｊ第４厘
Claims (1)
- 光源から照射した光の光路を２つに分岐し、一方の光路
は位相シフトマスクのシフターを透過させた後に他方の
光路と合流させ、前記２つの光路のいずれかにガラス厚
みが変化できるように可動するくさび状ガラスを配置し
、該くさび状ガラスの可動によって光路長を調整して、
光の干渉信号を得て位相シフトマスクのシフターの膜厚
が測定できるように構成したことを特徴とする位相シフ
トマスクのシフター膜厚測定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322331A JPH03181805A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322331A JPH03181805A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181805A true JPH03181805A (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=18142452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1322331A Pending JPH03181805A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03181805A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270796A (en) * | 1990-11-13 | 1993-12-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for inspecting a phase shift mask |
| US5426503A (en) * | 1993-10-12 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of testing a phase shift mask and a testing apparatus used therein in the ultraviolet wavelength range |
| JPH0972U (ja) * | 1991-10-22 | 1997-02-07 | ジェネラル・スキャンニング・インコーポレイテッド | 位相板調節式レーザビームによる集積回路接続パスの切断装置 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1322331A patent/JPH03181805A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270796A (en) * | 1990-11-13 | 1993-12-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for inspecting a phase shift mask |
| JPH0972U (ja) * | 1991-10-22 | 1997-02-07 | ジェネラル・スキャンニング・インコーポレイテッド | 位相板調節式レーザビームによる集積回路接続パスの切断装置 |
| US5426503A (en) * | 1993-10-12 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of testing a phase shift mask and a testing apparatus used therein in the ultraviolet wavelength range |
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