JP2560126B2 - シンクロトロン放射光用反射ミラー - Google Patents
シンクロトロン放射光用反射ミラーInfo
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- JP2560126B2 JP2560126B2 JP2117353A JP11735390A JP2560126B2 JP 2560126 B2 JP2560126 B2 JP 2560126B2 JP 2117353 A JP2117353 A JP 2117353A JP 11735390 A JP11735390 A JP 11735390A JP 2560126 B2 JP2560126 B2 JP 2560126B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はシンクロトロン放射光用反射ミラーに関す
る。
る。
近年、シンクロトロン放射光（SOR）の応用研究が急
速な進歩を遂げている。その応用分野は、半導体構造、
医学、化学及び物理と広範囲にわたっている。また、SO
R装置の大型化、高エネルギー化も著しくなってきてい
る。この結果、SOR用の反射ミラーに対する要求もます
ます厳しくなってきている。この用途の反射ミラーに
は、耐熱性セラミック基材にCVD法によりSiC膜をコーテ
ィングしてその表面を光学研磨し、更に金属膜を蒸着し
たものが用いられている。
速な進歩を遂げている。その応用分野は、半導体構造、
医学、化学及び物理と広範囲にわたっている。また、SO
R装置の大型化、高エネルギー化も著しくなってきてい
る。この結果、SOR用の反射ミラーに対する要求もます
ます厳しくなってきている。この用途の反射ミラーに
は、耐熱性セラミック基材にCVD法によりSiC膜をコーテ
ィングしてその表面を光学研磨し、更に金属膜を蒸着し
たものが用いられている。
従来、耐熱性セラミック基材としては、カーボン基材
又はSiC基板が用いられている。
又はSiC基板が用いられている。
〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、カーボン基材を使用した反射ミラーでは、放
射光が高エネルギー化するに従い、カーボン基材とSiC
膜との熱膨張係数の違いによって、コーティングしたSi
C膜が剥離し、金属膜が変形するという問題があった。
射光が高エネルギー化するに従い、カーボン基材とSiC
膜との熱膨張係数の違いによって、コーティングしたSi
C膜が剥離し、金属膜が変形するという問題があった。
一方、SiC基板を用いた反射ミラーでは、SiC基板とSi
C膜との熱膨張係数の違いはほとんどない。しかし、気
孔率の小さいSiC基材を用いた場合には、SiC基材とSiC
膜との密着性が充分ではなく、放射光の照射による熱負
荷が大きくなるとSiC膜が剥離し、金属膜の変形が生じ
ていた。また、気孔率の大きいSiC基材を用いた場合に
は、SiC基材とSiC膜との密着性は向上するものの、SiC
膜に局所的な応力が蓄えられやすく、SiC膜の変形が生
じやすい。
C膜との熱膨張係数の違いはほとんどない。しかし、気
孔率の小さいSiC基材を用いた場合には、SiC基材とSiC
膜との密着性が充分ではなく、放射光の照射による熱負
荷が大きくなるとSiC膜が剥離し、金属膜の変形が生じ
ていた。また、気孔率の大きいSiC基材を用いた場合に
は、SiC基材とSiC膜との密着性は向上するものの、SiC
膜に局所的な応力が蓄えられやすく、SiC膜の変形が生
じやすい。
本発明はこれらの問題を解決するためになされたもの
であり、SiC膜の剥離や金属膜の変形が生じにくい、長
寿命のシンクロトロン放射光用反射ミラーを提供するこ
とを目的とする。
であり、SiC膜の剥離や金属膜の変形が生じにくい、長
寿命のシンクロトロン放射光用反射ミラーを提供するこ
とを目的とする。
本発明のシンクロトロン放射光用反射ミラーは、耐熱
性セラミック基材にCVD法によりSiC膜をコーティングし
てその表面を光学研磨し、更に金属膜を蒸着したシンク
ロトロン放射光用反射ミラーにおいて、前記耐熱性セラ
ミック基材がSiCを主成分とし、ボロンを0.1〜10wt％含
有する組成を有することを特徴とするものである。
性セラミック基材にCVD法によりSiC膜をコーティングし
てその表面を光学研磨し、更に金属膜を蒸着したシンク
ロトロン放射光用反射ミラーにおいて、前記耐熱性セラ
ミック基材がSiCを主成分とし、ボロンを0.1〜10wt％含
有する組成を有することを特徴とするものである。
本発明の他のシンクロトロン放射光用反射ミラーは、
耐熱性セラミック基材にCVD法によりSiC膜をコーティン
グしてその表面を光学研磨し、更に金属膜を蒸着したシ
ンクロトロン放射光用反射ミラーにおいて、前記耐熱性
セラミック基材がSiCを主成分とし、アルミニウムを１
〜20wt％含有する組成を有することを特徴とするもので
ある。
耐熱性セラミック基材にCVD法によりSiC膜をコーティン
グしてその表面を光学研磨し、更に金属膜を蒸着したシ
ンクロトロン放射光用反射ミラーにおいて、前記耐熱性
セラミック基材がSiCを主成分とし、アルミニウムを１
〜20wt％含有する組成を有することを特徴とするもので
ある。
本発明において、SiCを主成分とする耐熱性セラミッ
ク基材中のボロンの含有量を0.1〜10wt％、アルミニウ
ムの含有量を１〜20wt％と規定したのは、ボロンまたは
アルミニウムが少なすぎると基板にミクロな変形が生
じ、多すぎると基板にそりなどのマクロな変形が生じる
ためである。
ク基材中のボロンの含有量を0.1〜10wt％、アルミニウ
ムの含有量を１〜20wt％と規定したのは、ボロンまたは
アルミニウムが少なすぎると基板にミクロな変形が生
じ、多すぎると基板にそりなどのマクロな変形が生じる
ためである。
本発明において、基材中には、バインダーの成分であ
る炭素、酸素などが含まれていても差支えない。例え
ば、炭素は2wt％以下の割合で含まれていても差支えな
い。
る炭素、酸素などが含まれていても差支えない。例え
ば、炭素は2wt％以下の割合で含まれていても差支えな
い。
本発明において、金属膜としては、例えばCr下地層の
上にPt又はAuを形成したものが挙げられる。また、特定
波長のＸ線を反射するために、Pt又はAuの代わりに、N
i、Co、Cu、Fe、Re、Zn、Ｗ、Mn、Ta、Auなどの重元素
とBe、Mg、Sn、Sb、Ｖ、Teなどの軽元素とを組み合わせ
た多層膜を用いてもよい。なお、Cr下地層は必ずしも設
ける必要はない。
上にPt又はAuを形成したものが挙げられる。また、特定
波長のＸ線を反射するために、Pt又はAuの代わりに、N
i、Co、Cu、Fe、Re、Zn、Ｗ、Mn、Ta、Auなどの重元素
とBe、Mg、Sn、Sb、Ｖ、Teなどの軽元素とを組み合わせ
た多層膜を用いてもよい。なお、Cr下地層は必ずしも設
ける必要はない。
本発明のシンクロトロン放射光用反射ミラーは、SiC
膜の変形や金属膜の剥離を招くことなく、長期間にわた
って使用することができる。
膜の変形や金属膜の剥離を招くことなく、長期間にわた
って使用することができる。
以下、本発明の実施例を説明する。
第１表に示す組成を有する耐熱性セラミック基材を用
意した。これらの基材の寸法は、長さ12cm、幅10cm、厚
さ2.5cmである。なお、基材中のその他の成分のうち、
炭素はいずれも0.4wt％以下であった。
意した。これらの基材の寸法は、長さ12cm、幅10cm、厚
さ2.5cmである。なお、基材中のその他の成分のうち、
炭素はいずれも0.4wt％以下であった。
各基材の表面に、CVD法により膜厚約100μｍのSiC膜
をコーティングした後、その反射面を光学研磨した。更
に、各基材の反射面にイオンプレーティング法によりCr
下地層とPtとからなる膜厚0.1μｍの金属膜を形成して
反射ミラーを作製した。
をコーティングした後、その反射面を光学研磨した。更
に、各基材の反射面にイオンプレーティング法によりCr
下地層とPtとからなる膜厚0.1μｍの金属膜を形成して
反射ミラーを作製した。
各反射ミラーをSOR装置に装着し、以下のようにして
耐用寿命を調べた。すなわち、硬Ｘ線ウィグラ（20極、
2.4m）を用い、3W/mm2の表面パワー密度で60秒間照射し
て熱負荷を与える操作を繰り返し、基材とSiC膜との剥
離が生じた回数を耐用寿命とした。その結果を第１表に
示す。
耐用寿命を調べた。すなわち、硬Ｘ線ウィグラ（20極、
2.4m）を用い、3W/mm2の表面パワー密度で60秒間照射し
て熱負荷を与える操作を繰り返し、基材とSiC膜との剥
離が生じた回数を耐用寿命とした。その結果を第１表に
示す。
〔発明の効果〕 以上詳述したように本発明のシンクロトロン放射光用
反射ミラーは、長期間にわたって使用することができ、
SOR装置の高エネルギー化に対応することができる。
反射ミラーは、長期間にわたって使用することができ、
SOR装置の高エネルギー化に対応することができる。
フロントページの続き (72)発明者 保立 四郎 東京都新宿区西新宿１丁目26番２号 東 芝セラミックス株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】耐熱性セラミック基材にCVD法によりSiC膜
をコーティングしてその表面を光学研磨し、更に金属膜
を蒸着したシンクロトロン放射光用反射ミラーにおい
て、前記耐熱性セラミック基材がSiCを主成分とし、ボ
ロンを0.1〜10wt％含有する組成を有することを特徴と
するシンクロトロン放射光用反射ミラー。 - 【請求項２】耐熱性セラミック基材にCVD法によりSiC膜
をコーティングしてその表面を光学研磨し、更に金属膜
を蒸着したシンクロトロン放射光用反射ミラーにおい
て、前記耐熱性セラミック基材がSiCを主成分とし、ア
ルミニウムを１〜20wt％含有する組成を有することを特
徴とするシンクロトロン放射光用反射ミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117353A JP2560126B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117353A JP2560126B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0413101A JPH0413101A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2560126B2 true JP2560126B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=14709592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117353A Expired - Fee Related JP2560126B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560126B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4329551A1 (de) * | 1992-03-05 | 1995-03-16 | Industrieanlagen Betriebsges | Verfahren zur Herstellung von Leichtbaureflektoren mittels beschichteter Silicium-Formkörper |
| JP4242881B2 (ja) | 2006-06-23 | 2009-03-25 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 内視鏡挿入部 |
| JP4895726B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2012-03-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | 可撓性内視鏡の挿入部 |
| JP5228161B2 (ja) | 2007-03-09 | 2013-07-03 | 富士フイルム株式会社 | 内視鏡の湾曲装置 |
| CN114988907B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-01-06 | 华中科技大学 | 一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5131470A (ja) * | 1974-09-09 | 1976-03-17 | Okamura Corp | |
| JPH032485Y2 (ja) * | 1985-05-10 | 1991-01-23 | ||
| JPS63310500A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | 三機工業株式会社 | クレ−ンの昇降台位置制御装置 |
| JPH0176808U (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-24 | ||
| JPH01169509U (ja) * | 1988-05-21 | 1989-11-30 | ||
| JPH01303212A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-07 | Itoki Kosakusho Co Ltd | 昇降装置 |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP2117353A patent/JP2560126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413101A (ja) | 1992-01-17 |
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