JPH0413101A - シンクロトロン放射光用反射ミラー - Google Patents
シンクロトロン放射光用反射ミラーInfo
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- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射光用反射ミラーに関する。
近年、シンクロトロン放射光（ＳＯＲ）の応用研究が急
速な進歩を遂げている。その応用分野は、半導体製造、
医学、化学及び物理と広範囲にわたっている。また、Ｓ
ＯＲ装置の大型化、高エネルギー化も著しくなってきて
いる。この結果、ＳＯＲ用の反射ミラーに対する要求も
ますます厳しくなってきている。この用途の反射ミラー
には、耐熱性セラミック基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜
をコーティングしてその表面を光学研磨し、更に金属膜
を蒸着したものが用いられている。
速な進歩を遂げている。その応用分野は、半導体製造、
医学、化学及び物理と広範囲にわたっている。また、Ｓ
ＯＲ装置の大型化、高エネルギー化も著しくなってきて
いる。この結果、ＳＯＲ用の反射ミラーに対する要求も
ますます厳しくなってきている。この用途の反射ミラー
には、耐熱性セラミック基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜
をコーティングしてその表面を光学研磨し、更に金属膜
を蒸着したものが用いられている。
従来、耐熱性セラミック基材としては、カーボン基材又
はＳｉＣ基材が用いられている。
はＳｉＣ基材が用いられている。
しかし、カーボン基材を使用した反射ミラーでは、放射
光が高エネルギー化するに従い、カーボン基材とＳｉＣ
膜との熱膨張係数の違いによって、コーティングしたＳ
ｉＣ膜が剥離し、金属膜が変形するという問題があった
。
光が高エネルギー化するに従い、カーボン基材とＳｉＣ
膜との熱膨張係数の違いによって、コーティングしたＳ
ｉＣ膜が剥離し、金属膜が変形するという問題があった
。
一方、ＳｉＣ基材を用いた反射ミラーでは、ＳｉＣ基材
とＳｉＣ膜との熱膨張係数の違いはほとんどない。しか
し、気孔率の小さいＳｉＣ基材を用いた場合には、Ｓｉ
Ｃ基材とＳｉＣ膜との密着性が充分ではなく、放射光の
照射による熱負荷が大きくなるとＳｉＣ膜が剥離し、金
属膜の変形が生じていた。また、気孔率の大きいＳｉＣ
基材を用いた場合には、ＳｉＣ基材とＳｉＣ膜との密着
性は向上するものの、ＳｉＣ膜に局所的な応力が蓄えら
れやす＜、ＳＩＣ膜の変形が生じやすい。
とＳｉＣ膜との熱膨張係数の違いはほとんどない。しか
し、気孔率の小さいＳｉＣ基材を用いた場合には、Ｓｉ
Ｃ基材とＳｉＣ膜との密着性が充分ではなく、放射光の
照射による熱負荷が大きくなるとＳｉＣ膜が剥離し、金
属膜の変形が生じていた。また、気孔率の大きいＳｉＣ
基材を用いた場合には、ＳｉＣ基材とＳｉＣ膜との密着
性は向上するものの、ＳｉＣ膜に局所的な応力が蓄えら
れやす＜、ＳＩＣ膜の変形が生じやすい。
本発明はこれらの問題を解決するためになされたもので
あり、Ｓ ｉ Ｃ＠の剥離や金属膜の変形が生じにくい
、長寿命のシンクロトロン放射光用反射ミラーを提供す
ることを目的とする。
あり、Ｓ ｉ Ｃ＠の剥離や金属膜の変形が生じにくい
、長寿命のシンクロトロン放射光用反射ミラーを提供す
ることを目的とする。
本発明のシンクロトロン放射光用反射ミラーは、耐熱性
セラミック基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜をコーティン
グしてその表面を光学研磨し、更に金属膜を蒸着したシ
ンクロトロン放射光用反射ミラーにおいて、前記耐熱性
セラミック基材がＳｉＣ９９〜５５ｗｔ％、ハフニウム
、ボロン、チタン、アルミニウム、ＳｉＣウィスカー及
び金属シリコンの群から選択される少なくとも１種０．
１〜４５ｗｔ％の組成を有することを特徴とするもので
ある。
セラミック基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜をコーティン
グしてその表面を光学研磨し、更に金属膜を蒸着したシ
ンクロトロン放射光用反射ミラーにおいて、前記耐熱性
セラミック基材がＳｉＣ９９〜５５ｗｔ％、ハフニウム
、ボロン、チタン、アルミニウム、ＳｉＣウィスカー及
び金属シリコンの群から選択される少なくとも１種０．
１〜４５ｗｔ％の組成を有することを特徴とするもので
ある。
本発明において、ハフニウム、ボロン、チタン、アルミ
ニウム、ＳｉＣウィスカー及び金属シリコンの群から選
択される少なくとも１種の成分の組成がＯ、ｔｗｔ％未
満では、基板にミクロな変形が生じる。４５ｗｔ％を超
えると、基板にそりなどのマクロな変形が生じる。
ニウム、ＳｉＣウィスカー及び金属シリコンの群から選
択される少なくとも１種の成分の組成がＯ、ｔｗｔ％未
満では、基板にミクロな変形が生じる。４５ｗｔ％を超
えると、基板にそりなどのマクロな変形が生じる。
本発明において、基材中に含まれるハフニウム、ボロン
、チタン、アルミニウム、ＳｉＣウィスカー及び金属シ
リコンの群から選択される少なくとも１種の成分の組成
は、以下の範囲であることが望ましい。すなわち、ハフ
ニウムの場合２〜２０ｗｔ％、ボロンの場合０，１〜ｌ
ｏｗｔ％、チタンの場合５〜２０ｗｔ％、アルミニウム
の場合１〜２０ｗｔ％、ＳｉＣウィスカーの場合５〜４
３νｔ％、金属シリコンの場合５〜４５ｗｔ％であるこ
とが望ましい。
、チタン、アルミニウム、ＳｉＣウィスカー及び金属シ
リコンの群から選択される少なくとも１種の成分の組成
は、以下の範囲であることが望ましい。すなわち、ハフ
ニウムの場合２〜２０ｗｔ％、ボロンの場合０，１〜ｌ
ｏｗｔ％、チタンの場合５〜２０ｗｔ％、アルミニウム
の場合１〜２０ｗｔ％、ＳｉＣウィスカーの場合５〜４
３νｔ％、金属シリコンの場合５〜４５ｗｔ％であるこ
とが望ましい。
本発明において、基材中には、バインダーの成分である
炭素、酸素などが含まれていても差支えない。例えば、
炭素は２ｗｔ％以下の割合で含まれていても差支えない
。
炭素、酸素などが含まれていても差支えない。例えば、
炭素は２ｗｔ％以下の割合で含まれていても差支えない
。
本発明において、金属膜としては、例えばＣｒ下地層の
上にｐｔ又はＡｕを形成したものが挙げられる。また、
特定波長のＸ線を反射するために、ｐｔ又はＡｕの代わ
りに、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ。
上にｐｔ又はＡｕを形成したものが挙げられる。また、
特定波長のＸ線を反射するために、ｐｔ又はＡｕの代わ
りに、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ。
Ｆ ｅ ＳＲｅ ＳＺ ｎ ＳＷ ｓ Ｍ ｎ ＳＴ
ａ ％Ａ ｕなどの重元素とＢｅ５Ｍｇ％Ｓｎ、Ｓｂ、
ＶＳＴｅなどの軽元素とを組み合わせた多層膜を用いて
もよい。
ａ ％Ａ ｕなどの重元素とＢｅ５Ｍｇ％Ｓｎ、Ｓｂ、
ＶＳＴｅなどの軽元素とを組み合わせた多層膜を用いて
もよい。
なお、Ｃｒ下地層は必ずしも設ける必要はない。
本発明のシンクロトロン放射光用反射ミラーは、ＳｉＣ
膜の変形や金属膜の剥離を招くことなく、長期間にわた
って使用することができる。
膜の変形や金属膜の剥離を招くことなく、長期間にわた
って使用することができる。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１表に示す組成を有する耐熱性セラミック基材を用意
した。これらの基材の寸法は、長さ１２ａｎ。
した。これらの基材の寸法は、長さ１２ａｎ。
幅１０Ｃａ＋、厚さ２ 、５ｃｍである。なお、基材中
のその他の成分のうち、炭素はいずれも０ 、４ｗｔ％
以下であった。
のその他の成分のうち、炭素はいずれも０ 、４ｗｔ％
以下であった。
各基材の表面に、ＣＶＤ法により膜厚的１０ ｏｎのＳ
ｉＣ膜をコーティングした後、その反射面を光学研磨し
た。更に、各基材の反射面にイオンブレーティング法に
よりＣｒ下地層とｐｔとからなる膜厚０．１−の金属膜
を形成して反射ミラーを作製した。
ｉＣ膜をコーティングした後、その反射面を光学研磨し
た。更に、各基材の反射面にイオンブレーティング法に
よりＣｒ下地層とｐｔとからなる膜厚０．１−の金属膜
を形成して反射ミラーを作製した。
各反射ミラーをＳＯＲ装置に装着し、以下のようにして
耐用寿命を調べた。すなわち、硬Ｘ線ウィグラ（２０極
、２．４ｍ）を用い、３ Ｗ ／ ＋ａ＋ｉ ２の表面
パワー密度で６０秒間照射して熱負荷を与える操作を繰
り返し、基材とＳｉＣ膜との剥離が生じた回数を耐用寿
命とした。その結果を第１表に示す。
耐用寿命を調べた。すなわち、硬Ｘ線ウィグラ（２０極
、２．４ｍ）を用い、３ Ｗ ／ ＋ａ＋ｉ ２の表面
パワー密度で６０秒間照射して熱負荷を与える操作を繰
り返し、基材とＳｉＣ膜との剥離が生じた回数を耐用寿
命とした。その結果を第１表に示す。
第
表
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明のシンクロトロン放射光用反
射ミラーは、長期間にわたって使用することができ、Ｓ
ＯＲ装置の高エネルギー化に対応することができる。
射ミラーは、長期間にわたって使用することができ、Ｓ
ＯＲ装置の高エネルギー化に対応することができる。
Claims (1)
- 耐熱性セラミック基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜をコー
ティングしてその表面を光学研磨し、更に金属膜を蒸着
したシンクロトロン放射光用反射ミラーにおいて、前記
耐熱性セラミック基材がＳｉＣ９９〜５５ｗｔ％、ハフ
ニウム、ボロン、チタン、アルミニウム、ＳｉＣウィス
カー及び金属シリコンの群から選択される少なくとも１
種０．１〜４５ｗｔ％の組成を有することを特徴とする
シンクロトロン放射光用反射ミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117353A JP2560126B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117353A JP2560126B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0413101A true JPH0413101A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2560126B2 JP2560126B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=14709592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117353A Expired - Fee Related JP2560126B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560126B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4329551A1 (de) * | 1992-03-05 | 1995-03-16 | Industrieanlagen Betriebsges | Verfahren zur Herstellung von Leichtbaureflektoren mittels beschichteter Silicium-Formkörper |
| JP2008049000A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Pentax Corp | 可撓性内視鏡の挿入部 |
| US7942815B2 (en) | 2006-06-23 | 2011-05-17 | Olympus Medical Systems Corp. | Endoscope insertion portion with a two wire bending portion |
| US8591404B2 (en) | 2007-03-09 | 2013-11-26 | Fujinon Corporation | Bending device for endoscope |
| CN114988907A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-09-02 | 华中科技大学 | 一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5131470A (ja) * | 1974-09-09 | 1976-03-17 | Okamura Corp | |
| JPS61185706U (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-19 | ||
| JPS63310500A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | 三機工業株式会社 | クレ−ンの昇降台位置制御装置 |
| JPH0176808U (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-24 | ||
| JPH01169509U (ja) * | 1988-05-21 | 1989-11-30 | ||
| JPH01303212A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-07 | Itoki Kosakusho Co Ltd | 昇降装置 |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP2117353A patent/JP2560126B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN114988907A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-09-02 | 华中科技大学 | 一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法 |
| CN114988907B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-01-06 | 华中科技大学 | 一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560126B2 (ja) | 1996-12-04 |
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