JP2548191B2 - 非酸化物セラミックスの製造方法 - Google Patents
非酸化物セラミックスの製造方法Info
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- JP2548191B2 JP2548191B2 JP62127203A JP12720387A JP2548191B2 JP 2548191 B2 JP2548191 B2 JP 2548191B2 JP 62127203 A JP62127203 A JP 62127203A JP 12720387 A JP12720387 A JP 12720387A JP 2548191 B2 JP2548191 B2 JP 2548191B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は非酸化物セラミックスの製造方法、より詳し
くは、発熱体（ヒータ）用の非酸化物（TiC−SiC）系複
合セラミックスの製造方法に関するものである。
くは、発熱体（ヒータ）用の非酸化物（TiC−SiC）系複
合セラミックスの製造方法に関するものである。
従来より発熱体としては、金属の場合にはニッケル−
クロム合金、鉄−クロム−アルミニウム合金等の耐熱合
金が使用され、セラミックスの場合には炭化珪素、珪化
モリブデン等が使用されている。
クロム合金、鉄−クロム−アルミニウム合金等の耐熱合
金が使用され、セラミックスの場合には炭化珪素、珪化
モリブデン等が使用されている。
しかしながら金属発熱体の場合には使用温度は1000〜
1100℃程度が限界であり、それ以上の高温では酸化腐
食、溶断などが生じて使用不可能である。炭化珪素（Si
C）の場合は1600℃、珪化モリブデン（MoSi2）の場合は
1800℃程度まで使用可能なものの、炭化珪素は比抵抗が
極めて高いので小型化に問題があり、珪化モリブデンに
は1300℃以上で軟化が始まり、高温強度、熱衝撃性の面
で問題がある。
1100℃程度が限界であり、それ以上の高温では酸化腐
食、溶断などが生じて使用不可能である。炭化珪素（Si
C）の場合は1600℃、珪化モリブデン（MoSi2）の場合は
1800℃程度まで使用可能なものの、炭化珪素は比抵抗が
極めて高いので小型化に問題があり、珪化モリブデンに
は1300℃以上で軟化が始まり、高温強度、熱衝撃性の面
で問題がある。
これら材料にかわって、近年、TiCの非酸化物導電材
料とSiCの非酸化物材料を適当な割合で混合することに
より比抵抗調整を行った、複合セラミックスヒータが注
目されている。このようなセラミックスヒータを製造す
る場合には、例えばTiC粉末とSiC粉末とに焼結助剤を加
え、これらをポットで混合し、バインダーを加えて造粒
した後に、成形して焼結を行なっていた。
料とSiCの非酸化物材料を適当な割合で混合することに
より比抵抗調整を行った、複合セラミックスヒータが注
目されている。このようなセラミックスヒータを製造す
る場合には、例えばTiC粉末とSiC粉末とに焼結助剤を加
え、これらをポットで混合し、バインダーを加えて造粒
した後に、成形して焼結を行なっていた。
このような非酸化物セラミックス（ヒータ）は高い耐
熱性、耐熱衝撃性、高温強度を合せ持っているが、焼成
時に導電材料が凝集して焼結してしまうため、導電パス
が切断されるという現象が起き、TiC成分量が少なくな
ってくると比抵抗値がばらつくという問題がある。
熱性、耐熱衝撃性、高温強度を合せ持っているが、焼成
時に導電材料が凝集して焼結してしまうため、導電パス
が切断されるという現象が起き、TiC成分量が少なくな
ってくると比抵抗値がばらつくという問題がある。
本発明の目的は、この非酸化物複合セラミックス導電
材料（ヒータ）の比抵抗値のばらつきを解消し、広範囲
の比抵抗値を持つ非酸化物セラミックスを安定して製造
制御できる製造技術を提供するものである。
材料（ヒータ）の比抵抗値のばらつきを解消し、広範囲
の比抵抗値を持つ非酸化物セラミックスを安定して製造
制御できる製造技術を提供するものである。
上述の目的が、工程（ａ）〜（ｅ）：（ａ）Tiを含む
溶液とSiを含む溶液とを含有する混合溶液を作る工程；
（ｂ）該混合溶液と沈殿形成液とを混合して共沈法で共
沈体を得る又はゾル−ゲル法でゲルを得る工程；（ｃ）
得られた共沈体又はゲルを乾燥後に700〜1800℃で炭化
仮焼する工程；（ｄ）前記炭化仮焼による仮焼炭化物粉
末と、目的とする比抵抗値のセラミックス組成の残部を
成すSiC粉末および焼結助剤とを混合する工程；および
（ｅ）得られた混合粉末を成形して1800〜2300℃で焼結
する工程；からなることを特徴とするTiC−SiC系の非酸
化物セラミックスの製造方法によって達成される。
溶液とSiを含む溶液とを含有する混合溶液を作る工程；
（ｂ）該混合溶液と沈殿形成液とを混合して共沈法で共
沈体を得る又はゾル−ゲル法でゲルを得る工程；（ｃ）
得られた共沈体又はゲルを乾燥後に700〜1800℃で炭化
仮焼する工程；（ｄ）前記炭化仮焼による仮焼炭化物粉
末と、目的とする比抵抗値のセラミックス組成の残部を
成すSiC粉末および焼結助剤とを混合する工程；および
（ｅ）得られた混合粉末を成形して1800〜2300℃で焼結
する工程；からなることを特徴とするTiC−SiC系の非酸
化物セラミックスの製造方法によって達成される。
本発明に係る製造方法での共沈法の場合には、Tiを含
む溶液（例えば、チタンアルコキシドアルコール溶液）
とSiを含む溶液（例えば、シリコンアルコキシドアルコ
ール溶液）とを混合して、場合によっては溶媒のアルコ
ールを加えて混合して、混合溶液を作る。アルコール溶
液でなく水溶液としてこの混合溶液を作ることも可能で
ある。次に、この混合溶液と２工程での沈殿形成液（例
えば、加水分解用塩酸および共沈用アンモニア水）とを
順に混合してチタン水酸化物およびシリコン水酸化物の
共沈体が得られ、この共沈体を濾別水洗し乾燥する。こ
の水酸化物共沈体を炭素含有雰囲気下で700〜1800℃の
温度にて仮焼する還元炭化処理して仮焼炭化物（粉末）
が得られる。このように導電材料であるTiCのTi成分を
共沈法でもって母材となるSiCのSi成分と共に析出させ
ることになり、TiとSiとの分散が非常に良くなり、その
結果、得られた仮焼炭化物の分散性も非常に良好なもの
となる。なお、仮焼温度が700℃以下では凝集し易くな
り、一方、1800℃以上では粒子が粗大化する。
む溶液（例えば、チタンアルコキシドアルコール溶液）
とSiを含む溶液（例えば、シリコンアルコキシドアルコ
ール溶液）とを混合して、場合によっては溶媒のアルコ
ールを加えて混合して、混合溶液を作る。アルコール溶
液でなく水溶液としてこの混合溶液を作ることも可能で
ある。次に、この混合溶液と２工程での沈殿形成液（例
えば、加水分解用塩酸および共沈用アンモニア水）とを
順に混合してチタン水酸化物およびシリコン水酸化物の
共沈体が得られ、この共沈体を濾別水洗し乾燥する。こ
の水酸化物共沈体を炭素含有雰囲気下で700〜1800℃の
温度にて仮焼する還元炭化処理して仮焼炭化物（粉末）
が得られる。このように導電材料であるTiCのTi成分を
共沈法でもって母材となるSiCのSi成分と共に析出させ
ることになり、TiとSiとの分散が非常に良くなり、その
結果、得られた仮焼炭化物の分散性も非常に良好なもの
となる。なお、仮焼温度が700℃以下では凝集し易くな
り、一方、1800℃以上では粒子が粗大化する。
そして、所定の比抵抗値のセラミックス（ヒータ）を
作るために、得られた仮焼炭化物粉末と、SiC粉末およ
び焼結助剤とを混合し、公知の成形法で所定形状にし、
不活性雰囲気下で1800〜2300℃の温度にて焼結する。焼
結助剤としては炭化ホウ素（B4C）、カーボン（Ｃ）、
ホウ素（Ｂ）などが使用できる。焼結温度が1800℃以下
では焼結が不十分となり、一方、2300℃以上ではSiCの
分解が起きるので、規定した温度範囲で焼結を行なう。
このような焼結においては、導電材料（TiC）の凝集が
なく、導電材の分散性が良いため通常の粉末混合を用い
るよりも、比抵抗制御を広範囲でしかも安定に行うこと
ができ、しかも焼結体の強度を向上させることができ
る。
作るために、得られた仮焼炭化物粉末と、SiC粉末およ
び焼結助剤とを混合し、公知の成形法で所定形状にし、
不活性雰囲気下で1800〜2300℃の温度にて焼結する。焼
結助剤としては炭化ホウ素（B4C）、カーボン（Ｃ）、
ホウ素（Ｂ）などが使用できる。焼結温度が1800℃以下
では焼結が不十分となり、一方、2300℃以上ではSiCの
分解が起きるので、規定した温度範囲で焼結を行なう。
このような焼結においては、導電材料（TiC）の凝集が
なく、導電材の分散性が良いため通常の粉末混合を用い
るよりも、比抵抗制御を広範囲でしかも安定に行うこと
ができ、しかも焼結体の強度を向上させることができ
る。
また、本発明に係る製造方法でのゾル−ゲル法の場合
には、Tiを含む溶液（例えば、チタンアルコキシドアル
コール溶液）とSiを含む溶液（例えば、シリコンアルコ
キシドアルコール溶液）とを混合して、場合によって
は、溶媒のアルコール（例えば、エチルアルコール）に
加えて混合して、混合溶液を作る。アルコール溶液でな
く水溶液としてこの混合溶液を作ることも可能である。
次に、この混合溶液に、例えば、塩化水素の水溶液であ
る塩酸を加えて、加水分解によりシリカ・チタニアゾル
溶液にし、これを所定温度にてゲル化し、そして乾燥す
る。得られたシリカ・チタニアゲルを炭素含有雰囲気下
で700〜1800℃の温度にて仮焼する還元炭化処理で仮焼
炭化物（粉末）が得られる。この場合にも上述した共沈
法と同様にゲル中でのTiおよびSiの分散性が非常に良
く、仮焼炭化物の分散性も良く、共沈法と同等の仮焼炭
化物が得られる。なお、仮焼温度が700℃以下では凝集
し易くなり、一方、1800℃以上では、粒子が粗大化す
る。これ以降のセラミックス（ヒータ）の製造工程は上
述した共沈法の場合と同様である。
には、Tiを含む溶液（例えば、チタンアルコキシドアル
コール溶液）とSiを含む溶液（例えば、シリコンアルコ
キシドアルコール溶液）とを混合して、場合によって
は、溶媒のアルコール（例えば、エチルアルコール）に
加えて混合して、混合溶液を作る。アルコール溶液でな
く水溶液としてこの混合溶液を作ることも可能である。
次に、この混合溶液に、例えば、塩化水素の水溶液であ
る塩酸を加えて、加水分解によりシリカ・チタニアゾル
溶液にし、これを所定温度にてゲル化し、そして乾燥す
る。得られたシリカ・チタニアゲルを炭素含有雰囲気下
で700〜1800℃の温度にて仮焼する還元炭化処理で仮焼
炭化物（粉末）が得られる。この場合にも上述した共沈
法と同様にゲル中でのTiおよびSiの分散性が非常に良
く、仮焼炭化物の分散性も良く、共沈法と同等の仮焼炭
化物が得られる。なお、仮焼温度が700℃以下では凝集
し易くなり、一方、1800℃以上では、粒子が粗大化す
る。これ以降のセラミックス（ヒータ）の製造工程は上
述した共沈法の場合と同様である。
以下、本発明の実施態様例によって本発明を詳しく説
明する。
明する。
実施例１（共沈法の場合） 実施例1.テトライソプロポキシチタン 〔Ti（iso−OC3H7）４〕１モルとテトラエトキシシラ
ン〔Si（OC2H5）４〕１モルと、1.2のエタノール〔C2
H5OH〕とで混合溶液を作成した。この混合溶液を撹拌し
ながら、6Nの塩酸80ccを滴下し、加水分解によってシリ
カ・チタニアゾル溶液を調整した。このゾル溶液を、撹
拌している6N−アンモニア水１中に150ccの割合で徐
々に添加して、Ti4+とSi4+の水酸化物共沈体を得た。こ
れを洗浄乾燥した後に、1000℃のメタン気流中で10時間
還元炭化処理を行い、仮焼炭化物を得た。この仮焼炭化
物の粒径は0.1〜0.3μｍであった。次に上記仮焼炭化物
に、さらに平均粒径0.6μｍの炭化ケイ素（SiC）粉末1.
9モルおよび焼結助剤としての炭化ホウ素（B4C）0.022
モルおよびカーボン（Ｃ）0.15モルを混合した。
ン〔Si（OC2H5）４〕１モルと、1.2のエタノール〔C2
H5OH〕とで混合溶液を作成した。この混合溶液を撹拌し
ながら、6Nの塩酸80ccを滴下し、加水分解によってシリ
カ・チタニアゾル溶液を調整した。このゾル溶液を、撹
拌している6N−アンモニア水１中に150ccの割合で徐
々に添加して、Ti4+とSi4+の水酸化物共沈体を得た。こ
れを洗浄乾燥した後に、1000℃のメタン気流中で10時間
還元炭化処理を行い、仮焼炭化物を得た。この仮焼炭化
物の粒径は0.1〜0.3μｍであった。次に上記仮焼炭化物
に、さらに平均粒径0.6μｍの炭化ケイ素（SiC）粉末1.
9モルおよび焼結助剤としての炭化ホウ素（B4C）0.022
モルおよびカーボン（Ｃ）0.15モルを混合した。
この混合粉末を溶媒としての有機溶剤およびバインダ
ーとともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮し
所定の形状に成形し、260℃で溶剤を分解した。その
後、2200℃で４時間Ar雰囲気中にて焼成を行った。そし
て焼結体の表面を研磨し、必要寸法のセラミックスヒー
タ試験片を得た。
ーとともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮し
所定の形状に成形し、260℃で溶剤を分解した。その
後、2200℃で４時間Ar雰囲気中にて焼成を行った。そし
て焼結体の表面を研磨し、必要寸法のセラミックスヒー
タ試験片を得た。
この本発明に係る製造方法によるセラミックスヒータ
試験片（最終焼結体）のTiCとSiCの成分割合を分析した
結果、モル比でTiC:SiC＝25.6:74.4であった。そこで、
比較のために、通常の方法にてほぼ同一組成となるよう
に以下の方法で比較試験片を作成した。
試験片（最終焼結体）のTiCとSiCの成分割合を分析した
結果、モル比でTiC:SiC＝25.6:74.4であった。そこで、
比較のために、通常の方法にてほぼ同一組成となるよう
に以下の方法で比較試験片を作成した。
平均粒径0.6μの炭化珪素、平均粒径0.5μの炭化チタ
ンの所要量を秤量し、炭化珪素71.2mol％、炭化チタン2
4.6mol％の組成の混合粉末を調整した。なおこの混合粉
末にはB4C0.5mol％、C3.7mol％の焼結助剤も混合した。
この混合粉末を溶媒としての有機溶剤およびバインダー
とともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮して
所定の形状に成形し、260℃で有機溶剤を分解し、その
後2200℃で４時間Ar雰囲気中にて焼成を行った。その後
焼結体の表面を研磨して、必要寸法のセラミックスヒー
タの比較試験片を得た。
ンの所要量を秤量し、炭化珪素71.2mol％、炭化チタン2
4.6mol％の組成の混合粉末を調整した。なおこの混合粉
末にはB4C0.5mol％、C3.7mol％の焼結助剤も混合した。
この混合粉末を溶媒としての有機溶剤およびバインダー
とともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮して
所定の形状に成形し、260℃で有機溶剤を分解し、その
後2200℃で４時間Ar雰囲気中にて焼成を行った。その後
焼結体の表面を研磨して、必要寸法のセラミックスヒー
タの比較試験片を得た。
得られたセラミックスヒータの本発明に係る試験片お
よび比較試験片の特性を調べて第１表に示す結果が得ら
れた。
よび比較試験片の特性を調べて第１表に示す結果が得ら
れた。
第１表からわかるように、TiC−SiCセラミックスヒー
タの組成は本発明品と比較品とでほぼ同じであるが、発
明品は焼結密度、曲げ強度いずれも、従来の比較品に較
べ向上した。この結果より、本発明法を用いた原料粉末
は、従来品に較べ、より完全な焼結体が得られることが
わかる。さらに、発明品の比抵抗値は、組成がほぼ同じ
であるにもかかわらず、従来品よりも減少した。TiC−S
iC系複合セラミックス（ヒータ）は主としてTiCどうし
の導電パスにより導電性（比抵抗）を得ており、SEM等
による観察結果から、従来法をもちいたセラミックス焼
結品は原料混合時や焼結時に生じたと思われるTiC粒子
どうしの凝集が観察されるのに対し、発明法による焼結
体ではTiCの分散性が非常によい。上記比抵抗値の違い
は、この分散性の違いにより、発明品ではよりスムーズ
な導電パスが形成された結果であると考えられる。
タの組成は本発明品と比較品とでほぼ同じであるが、発
明品は焼結密度、曲げ強度いずれも、従来の比較品に較
べ向上した。この結果より、本発明法を用いた原料粉末
は、従来品に較べ、より完全な焼結体が得られることが
わかる。さらに、発明品の比抵抗値は、組成がほぼ同じ
であるにもかかわらず、従来品よりも減少した。TiC−S
iC系複合セラミックス（ヒータ）は主としてTiCどうし
の導電パスにより導電性（比抵抗）を得ており、SEM等
による観察結果から、従来法をもちいたセラミックス焼
結品は原料混合時や焼結時に生じたと思われるTiC粒子
どうしの凝集が観察されるのに対し、発明法による焼結
体ではTiCの分散性が非常によい。上記比抵抗値の違い
は、この分散性の違いにより、発明品ではよりスムーズ
な導電パスが形成された結果であると考えられる。
次に上述した本発明に係る製造方法の途中工程で得ら
れた仮焼炭化物に対するSiC添加割合を変えて、得られ
たセラミックスヒータ試験片（発明品）の比抵抗値を調
べてその結果を第１図に示す。そして、比較のために、
組成をほぼ同じにして従来法の粉末混合から得られたセ
ラミックスヒータ試験片（比較品）の比抵抗値も調べて
その結果を第１図に示す。第１図からわかるように、一
般的にTiC成分が減少するにつれ導電パスがつながりに
くくなるために、特に比較品（従来品）では比抵抗の上
昇と共にばらつきが非常に大きくなってしまう。このた
め10-3〜10-2Ω−cm台の比抵抗を安定して得ることは従
来の場合には非常に困難であった。これに対し第１図の
ように本発明の製造方法では、TiC成分が少なくても比
抵抗値のばらつきが少いため、工業的生産に適してい
る。
れた仮焼炭化物に対するSiC添加割合を変えて、得られ
たセラミックスヒータ試験片（発明品）の比抵抗値を調
べてその結果を第１図に示す。そして、比較のために、
組成をほぼ同じにして従来法の粉末混合から得られたセ
ラミックスヒータ試験片（比較品）の比抵抗値も調べて
その結果を第１図に示す。第１図からわかるように、一
般的にTiC成分が減少するにつれ導電パスがつながりに
くくなるために、特に比較品（従来品）では比抵抗の上
昇と共にばらつきが非常に大きくなってしまう。このた
め10-3〜10-2Ω−cm台の比抵抗を安定して得ることは従
来の場合には非常に困難であった。これに対し第１図の
ように本発明の製造方法では、TiC成分が少なくても比
抵抗値のばらつきが少いため、工業的生産に適してい
る。
実施例２（ゾル−ゲル法の場合） テトライソプロポキシチタン〔Ti（iso−OC3H7）４〕
１モルと、テトラエトキシシラン〔Si（OC2H5）４〕１
モルと、1.2のエタノール〔C2H5OH〕とで混合溶液を
作成した。この混合溶液を撹拌しながら、6Nの塩酸80cc
を滴下し、加水分解によってシリカ・チタニアゾル溶液
を調整した。これを50℃でゲル化し、３日間乾燥させ
た。このようにして得られたシリカ・チタニアゾルを10
00℃のメタン気流中で10Hr還元炭化処理を行い、仮焼炭
化物を得た。この仮焼炭化物の粒径は0.05〜0.3μであ
った。
１モルと、テトラエトキシシラン〔Si（OC2H5）４〕１
モルと、1.2のエタノール〔C2H5OH〕とで混合溶液を
作成した。この混合溶液を撹拌しながら、6Nの塩酸80cc
を滴下し、加水分解によってシリカ・チタニアゾル溶液
を調整した。これを50℃でゲル化し、３日間乾燥させ
た。このようにして得られたシリカ・チタニアゾルを10
00℃のメタン気流中で10Hr還元炭化処理を行い、仮焼炭
化物を得た。この仮焼炭化物の粒径は0.05〜0.3μであ
った。
次に、この仮焼炭化物に、さらに平均粒径0.6μの炭
化ケイ素（SiC）粉末1.9モルと、焼結助剤の炭化ホウ素
B4C0.022モルおよびカーボン（Ｃ）0.15モルとを混合し
た。
化ケイ素（SiC）粉末1.9モルと、焼結助剤の炭化ホウ素
B4C0.022モルおよびカーボン（Ｃ）0.15モルとを混合し
た。
この混合粉末を溶媒としての有機溶剤およびバインダ
ーとともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮し
所定の形状に成形し、260℃で溶剤を分解した。その
後、2200℃で４時間Ar雰囲気中にて焼成を行った。そし
て焼結体の表面を研磨して必要寸法のセラミックスヒー
タ試験片を得た。
ーとともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮し
所定の形状に成形し、260℃で溶剤を分解した。その
後、2200℃で４時間Ar雰囲気中にて焼成を行った。そし
て焼結体の表面を研磨して必要寸法のセラミックスヒー
タ試験片を得た。
このようにして得られたセラミックスヒータ試験片
（最終焼結体）のTiCとSiCの成分割合を分析した結果
は、例１の場合とほぼ同様TiC:SiC＝25.5:74.5であっ
た。そして、この試験片の特性は、焼結密度3.51g/c
m3、三点曲げ強度45kg/mm2、および比抵抗2.6×10-3Ω
−cmであり、例１での場合の本発明品と同等の良好な焼
結体を得ることができた。
（最終焼結体）のTiCとSiCの成分割合を分析した結果
は、例１の場合とほぼ同様TiC:SiC＝25.5:74.5であっ
た。そして、この試験片の特性は、焼結密度3.51g/c
m3、三点曲げ強度45kg/mm2、および比抵抗2.6×10-3Ω
−cmであり、例１での場合の本発明品と同等の良好な焼
結体を得ることができた。
上述したように本発明製造方法によって、TiC−SiCの
複合導電セラミックス（ヒータ）において導電性の主体
となるTiC成分を母体側のSiC成分と共に溶液原料より共
沈あるいはゲル化によって取り出し、これにSiCを追加
混合することにより、焼結性及び導電成分（TiC）の分
散性を向上させることができる。
複合導電セラミックス（ヒータ）において導電性の主体
となるTiC成分を母体側のSiC成分と共に溶液原料より共
沈あるいはゲル化によって取り出し、これにSiCを追加
混合することにより、焼結性及び導電成分（TiC）の分
散性を向上させることができる。
第１図は、TiC−SiCセラミックスヒータ（焼結体）のTi
C含有量と比抵抗値との関係を示すグラフである。
C含有量と比抵抗値との関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川原 伸章 刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電装株 式会社内 (72)発明者 白崎 信一 茨城県新治郡桜村竹園３の610の201 (56)参考文献 特開 昭57−196770（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−138899（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−70209（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−70210（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】下記工程（ａ）〜（ｅ）： （ａ）Tiを含む溶液とSiを含む溶液とを含有する混合溶
液を作る工程、 （ｂ）該混合溶液と沈澱形成液とを混合して共沈法で共
沈体を得る工程、 （ｃ）得られた共沈体を乾燥後に700〜1800℃で炭化仮
焼する工程、 （ｄ）前記炭化仮焼による仮焼炭化物粉末と、目的とす
る比抵抗値のセラミックス組成の残部を成すSiC粉末お
よび焼結助剤とを混合する工程、および （ｅ）得られた混合粉末を成形して1800〜2300℃で焼結
する工程、 からなることを特徴とするTiC−SiC系の非酸化物セラミ
ックスの製造方法。 - 【請求項２】前記混合溶液がアルコール溶液又は水溶液
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
法。 - 【請求項３】下記工程（ａ）〜（ｅ）： （ａ）Tiを含む溶液とSiを含む溶液とを含有する混合溶
液を作る工程、 （ｂ）該混合溶液からゾル−ゲル法でゲルを得る工程、 （ｃ）得られたゲルを乾燥後に700〜1800℃で炭化仮焼
する工程、 （ｄ）前記炭化仮焼による仮焼炭化物粉末と、目的とす
る比抵抗値のセラミックス組成の残部を成すSiC粉末お
よび焼結助剤とを混合する工程、および （ｅ）得られた混合粉末を成形して1800〜2300℃で焼結
する工程、 からなることを特徴とするTiC−SiC系の非酸化物セラミ
ックスの製造方法。 - 【請求項４】前記混合溶液がアルコール溶液又は水溶液
であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127203A JP2548191B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 非酸化物セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127203A JP2548191B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 非酸化物セラミックスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63291876A JPS63291876A (ja) | 1988-11-29 |
| JP2548191B2 true JP2548191B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=14954265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62127203A Expired - Lifetime JP2548191B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 非酸化物セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548191B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2711875B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1998-02-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 複合材料の製造方法および原料組成物 |
| JP4707380B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-06-22 | 花王株式会社 | 導電性材料 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047205B2 (ja) * | 1978-04-21 | 1985-10-21 | 株式会社東芝 | 窒化ケイ素質粉末の製造方法 |
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| JPS6270209A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 易焼結性β−サイアロン質微粉末の製造方法 |
| JPS6270210A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 窒化アルミニウム−炭化けい素複合微粉末の製造法 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP62127203A patent/JP2548191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63291876A (ja) | 1988-11-29 |
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