JP2545257B2 - フイルター - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、気体のロ過などに用いることができるSi
Cフィルターの製造方法に関する。

従来の技術 フィルターは、たとえば半導体の製造工程で使用され
るクリーンルームで塵埃を除去するために用いる。

発明が解決しようとする問題点 ところで、クリーンルームで使用されるフィルター
は、有機系の気孔径の小さいものが使用されているが、
捕集された塵埃はフィルター層表面に凝集し、ある程度
大きくなるとフィルターから剥れ落ち、クリーンルーム
内を再汚染する問題があった。

また、SiCは粒子内に不純物をとり込んでおり、高温
になると不純物がSiC粒子の外に移動し、雰囲気を汚染
する問題があった。

発明の目的 この発明は上述の問題点を解消し、気体のロ過の捕集
された塵埃が凝集しない耐久性の優れたフィルターを提
供することを目的とする。

発明の要旨 この発明は特許請求の範囲を要旨としている。

問題点を解決するための手段 この発明のフィルターを構成するSiC粒子はマトリッ
クスとなっている。このSiC粒子の粒界部分を除くSiC粒
子のほぼ全表面に500オングストローム〜50μｍのSiO₂
膜を設ける。

SiO₂膜の膜厚が500オングストロームより小さい、SiC
粒子から移動する不純物をトラップする効果がなく、好
ましくない。また膜厚が50μｍより大きいと、SiC粒子
とSiO₂膜の膨脹差から剥離しやすくなるので好ましくな
い。

このようなフィルターは次のようにして作る。

まずSiC焼結体を得て、SiC焼結体の全体すなわち外周
部から内周部まですべての構成SiC粒子に対して酸化雰
囲気において熱処理する。この熱処理時間を調整するこ
とにより全SiC粒子の表面に所定厚みのSiO₂膜を形成す
る。

実施例 たとえば一端を開放したフィルターは、SiC焼結体で
ある。SiC焼結体のSiC粒子はマトリックスを構成してい
る。これらのSiC粒子の粒界部分を除くSiC粒子のほぼ全
表面にはたとえば5000オングストロームのSiO₂膜が形成
されている。このSiO₂膜の存在により、高温で使用して
SiC粒子内部に存在する不純物が移動しても、高純度のS
iO₂膜でトラップされるのでSiC粒子から不純物が出るこ
とがなく雰囲気を汚染することがない。

この実施例のフィルターは、すべてのSiC粒子に対し
て酸化雰囲気においてたとえば1000℃で熱処理すること
によって得られる。1000℃１時間熱処理をすることによ
り100オングストロームのSiO₂膜を形成可能である。こ
の熱処理時間を変化させることにより、SiC粒子表面に
生成するSiO₂膜を自由に設定できる。

ところでこの発明は上述のフィルター形状に限るもの
ではない。

発明の効果 この発明によれば全SiC粒子がSiO₂膜で保護されるの
で、SiC粒子内に含まれる不純物が高温になっても粒子
の外に放出されることがなく、安定してロ過を行うこと
ができる。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】SiC粒子をマトリックスとするフィルター
   において、粒界部分を除くSiC粒子のほぼ全表面に500オ
   ングストローム〜50μｍの厚みのSiO₂膜を設けたことを
   特徴とするフィルター。