JP2539169B2 - ガラスセラミックス組成物 - Google Patents
ガラスセラミックス組成物Info
- Publication number
- JP2539169B2 JP2539169B2 JP5303833A JP30383393A JP2539169B2 JP 2539169 B2 JP2539169 B2 JP 2539169B2 JP 5303833 A JP5303833 A JP 5303833A JP 30383393 A JP30383393 A JP 30383393A JP 2539169 B2 JP2539169 B2 JP 2539169B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- ceramic
- multilayer substrate
- powder
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス多層基板
の絶縁材料として用いられるガラスセラミックス組成物
に関するものである。
の絶縁材料として用いられるガラスセラミックス組成物
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、厚膜回路部品、ＩＣ、ＬＳＩ等が
高密度実装されるセラミックス多層基板の絶縁材料とし
て、アルミナセラミックスや、ガラス粉末とフィラー粉
末とからなるガラスセラミックス組成物が知られてい
る。中でもガラスセラミックス組成物は、１０００℃以
下の温度で焼成することができるため、導体抵抗の低い
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の低融点の金属材料を内層導体とし
て使用することが可能であり、注目されている。
高密度実装されるセラミックス多層基板の絶縁材料とし
て、アルミナセラミックスや、ガラス粉末とフィラー粉
末とからなるガラスセラミックス組成物が知られてい
る。中でもガラスセラミックス組成物は、１０００℃以
下の温度で焼成することができるため、導体抵抗の低い
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の低融点の金属材料を内層導体とし
て使用することが可能であり、注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところでセラミックス
多層基板の絶縁材料に要求される特性として、１０００
℃以下の温度で焼成できることの他に、機械的強度が高
いこと、シリコンチップを直接搭載できるようにシリコ
ン（熱膨張係数３５×１０-7／℃）と近似した熱膨張係
数を示すこと等が要求される。また高速演算処理を行う
高速信号回路用の基板については、これらの特性に加
え、６以下の低い誘電率（ε）を有することが求められ
ている。
多層基板の絶縁材料に要求される特性として、１０００
℃以下の温度で焼成できることの他に、機械的強度が高
いこと、シリコンチップを直接搭載できるようにシリコ
ン（熱膨張係数３５×１０-7／℃）と近似した熱膨張係
数を示すこと等が要求される。また高速演算処理を行う
高速信号回路用の基板については、これらの特性に加
え、６以下の低い誘電率（ε）を有することが求められ
ている。
【０００４】しかしながら、従来より知られているガラ
スセラミックス組成物においては、上記した要求特性全
てを満足するものは存在しないのが現状である。
スセラミックス組成物においては、上記した要求特性全
てを満足するものは存在しないのが現状である。
【０００５】本発明の目的は、機械的強度が高く、シリ
コンと近似した熱膨張係数を示し、しかも高速演算処理
に対応できるように６以下の誘電率を有するセラミック
ス多層基板を作製することが可能なガラスセラミックス
組成物を提供することである。
コンと近似した熱膨張係数を示し、しかも高速演算処理
に対応できるように６以下の誘電率を有するセラミック
ス多層基板を作製することが可能なガラスセラミックス
組成物を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は種々の実験
を行った結果、ガラス粉末として、コージエライト（２
ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）とガーナイト（Ｚ
ｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）を析出する性質を有するガラスを使
用することにより、上記目的が達成できることを見いだ
し、本発明を提案するに至った。
を行った結果、ガラス粉末として、コージエライト（２
ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）とガーナイト（Ｚ
ｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）を析出する性質を有するガラスを使
用することにより、上記目的が達成できることを見いだ
し、本発明を提案するに至った。
【０００７】即ち、本発明のガラスセラミックス組成物
は、重量百分率でガラス粉末４０〜８０％、フィラー粉
末２０〜６０％からなり、該ガラス粉末がＳｉＯ2 ３５
〜５０％、Ａｌ2 Ｏ3 ２１〜３０％、ＭｇＯ１５〜３０
％、Ｂ2 Ｏ3 ２〜１５％、ＣａＯ０．１〜５％、ＺｎＯ
１〜６％の組成を有することを特徴とする。
は、重量百分率でガラス粉末４０〜８０％、フィラー粉
末２０〜６０％からなり、該ガラス粉末がＳｉＯ2 ３５
〜５０％、Ａｌ2 Ｏ3 ２１〜３０％、ＭｇＯ１５〜３０
％、Ｂ2 Ｏ3 ２〜１５％、ＣａＯ０．１〜５％、ＺｎＯ
１〜６％の組成を有することを特徴とする。
【０００８】ガラス粉末とフィラー粉末の割合を上記の
ように限定した理由は、ガラス粉末の割合が４０％より
少ない（即ち、フィラー粉末が６０％より多い）と焼結
体が緻密化し難いために基板強度が著しく低下し、ガラ
ス粉末が８０％より多い（即ち、フィラー粉末が２０％
より少ない）と焼成後にガラス成分が基板表面から浮き
出し、表面に印刷される導体との接着強度が低下するた
めである。
ように限定した理由は、ガラス粉末の割合が４０％より
少ない（即ち、フィラー粉末が６０％より多い）と焼結
体が緻密化し難いために基板強度が著しく低下し、ガラ
ス粉末が８０％より多い（即ち、フィラー粉末が２０％
より少ない）と焼成後にガラス成分が基板表面から浮き
出し、表面に印刷される導体との接着強度が低下するた
めである。
【０００９】次に、ガラス粉末の組成を上記のように限
定した理由を以下に示す。
定した理由を以下に示す。
【００１０】ＳｉＯ2 はガラスのネットワークフォーマ
ーであるとともに、コージエライトの構成成分となり、
その含有量は３５〜５０％、好ましくは３９〜４５％で
ある。ＳｉＯ2 が３５％より少ないとコージエライトの
析出量が少なくなり、機械的強度が低下するとともに、
低い誘電率が得られなくなる。一方５０％より多いとガ
ラスの溶融性が悪くなるとともに、軟化点が高くなって
１０００℃以下での焼成が困難となる。
ーであるとともに、コージエライトの構成成分となり、
その含有量は３５〜５０％、好ましくは３９〜４５％で
ある。ＳｉＯ2 が３５％より少ないとコージエライトの
析出量が少なくなり、機械的強度が低下するとともに、
低い誘電率が得られなくなる。一方５０％より多いとガ
ラスの溶融性が悪くなるとともに、軟化点が高くなって
１０００℃以下での焼成が困難となる。
【００１１】Ａｌ2 Ｏ3 はコージエライト及びガーナイ
トの構成成分となり、その含有量は２１〜３０％、好ま
しくは２１〜２５％である。Ａｌ2 Ｏ3 が２１％より少
ないとこれらの結晶の析出量が少なくなって機械的強度
が低くなり、また低膨張、低誘電率を達成することがで
きなくなる。一方３０％より多いと溶融性が悪くなる。
トの構成成分となり、その含有量は２１〜３０％、好ま
しくは２１〜２５％である。Ａｌ2 Ｏ3 が２１％より少
ないとこれらの結晶の析出量が少なくなって機械的強度
が低くなり、また低膨張、低誘電率を達成することがで
きなくなる。一方３０％より多いと溶融性が悪くなる。
【００１２】ＭｇＯはコージエライトの構成成分とな
り、その含有量は１５〜３０％、好ましくは２０〜２５
％である。ＭｇＯが１５％より少ないとコージエライト
が十分に析出しないために低膨張、低誘電率を達成でき
なくなり、３０％より多いとガラスの成形時に失透し易
くなる。
り、その含有量は１５〜３０％、好ましくは２０〜２５
％である。ＭｇＯが１５％より少ないとコージエライト
が十分に析出しないために低膨張、低誘電率を達成でき
なくなり、３０％より多いとガラスの成形時に失透し易
くなる。
【００１３】Ｂ2 Ｏ3 はガラスの溶融性を向上させる成
分であり、その含有量は２〜１５％、好ましくは５〜１
０％である。Ｂ2 Ｏ3 が２％より少ないとその効果がな
く、逆に１５％より多いとガラスの耐水性が悪化し、高
温多湿の条件下で使用すると基板の変質が起こってしま
う。
分であり、その含有量は２〜１５％、好ましくは５〜１
０％である。Ｂ2 Ｏ3 が２％より少ないとその効果がな
く、逆に１５％より多いとガラスの耐水性が悪化し、高
温多湿の条件下で使用すると基板の変質が起こってしま
う。
【００１４】ＣａＯはＢ2 Ｏ3 と同様にガラスの溶融性
を向上させる成分であり、その含有量は０．１〜５％、
好ましくは１〜５％である。ＣａＯが０．１％より少な
いとその効果がなく、５％より多いとコージエライトの
析出を阻害してしまう。
を向上させる成分であり、その含有量は０．１〜５％、
好ましくは１〜５％である。ＣａＯが０．１％より少な
いとその効果がなく、５％より多いとコージエライトの
析出を阻害してしまう。
【００１５】ＺｎＯはガーナイトの構成成分となり、そ
の含有量は１〜６％、好ましくは１〜５％である。Ｚｎ
Ｏが１％より少ないとガーナイトが殆ど析出しなくなっ
て機械的強度が低下する。一方６％より多いと熱膨張係
数が大きくなり過ぎる。
の含有量は１〜６％、好ましくは１〜５％である。Ｚｎ
Ｏが１％より少ないとガーナイトが殆ど析出しなくなっ
て機械的強度が低下する。一方６％より多いと熱膨張係
数が大きくなり過ぎる。
【００１６】本発明において使用するフィラー粉末とし
ては、アルミナ、ムライト、コージエライト、ジルコニ
ア、ケイ酸ジルコニウムの群から選ばれる１種以上であ
ることが好ましい。
ては、アルミナ、ムライト、コージエライト、ジルコニ
ア、ケイ酸ジルコニウムの群から選ばれる１種以上であ
ることが好ましい。
【００１７】次に、本発明のガラスセラミックス組成物
を用いたセラミックス多層基板の作製方法の一例を述べ
る。
を用いたセラミックス多層基板の作製方法の一例を述べ
る。
【００１８】まず上記組成を有するガラス粉末とフィラ
ー粉末を所定の混合割合で秤取し、バインダー、可塑剤
及び溶剤等と混合してスラリーを調製する。バインダー
としては、例えばポリビニルブチラール樹脂やメタアク
リル酸樹脂等を用いることができ、可塑剤としてはフタ
ル酸ジブチル等を使用することができる。また溶剤とし
ては、例えばトルエン、メチルエチルケトン等を用いる
ことができる。
ー粉末を所定の混合割合で秤取し、バインダー、可塑剤
及び溶剤等と混合してスラリーを調製する。バインダー
としては、例えばポリビニルブチラール樹脂やメタアク
リル酸樹脂等を用いることができ、可塑剤としてはフタ
ル酸ジブチル等を使用することができる。また溶剤とし
ては、例えばトルエン、メチルエチルケトン等を用いる
ことができる。
【００１９】このようにして得られたスラリーをポリエ
ステルフィルム上にドクターブレード法により塗布し、
厚み０．２ｍｍ程度のグリーンシートを製造する。これ
を乾燥し、所定の大きさに切断した後、各グリーンシー
トに機械的加工によりスルーホールを形成し、導体とな
るＣｕペーストをスルーホール及びグリーンシート表面
に印刷し形成する。さらにこれらのグリーンシートを複
数枚積層し、熱圧着により一体化する。
ステルフィルム上にドクターブレード法により塗布し、
厚み０．２ｍｍ程度のグリーンシートを製造する。これ
を乾燥し、所定の大きさに切断した後、各グリーンシー
トに機械的加工によりスルーホールを形成し、導体とな
るＣｕペーストをスルーホール及びグリーンシート表面
に印刷し形成する。さらにこれらのグリーンシートを複
数枚積層し、熱圧着により一体化する。
【００２０】続いてこの積層グリーンシートを毎分３℃
の速度で昇温し、５００℃の温度で３０分間保持するこ
とによって、グリーンシート中のバインダー、可塑剤等
の有機物質を除去する。その後毎分３℃の速度で９００
〜１０００℃まで昇温し、１０分〜１時間保持して焼結
させ、多層基板を得る。
の速度で昇温し、５００℃の温度で３０分間保持するこ
とによって、グリーンシート中のバインダー、可塑剤等
の有機物質を除去する。その後毎分３℃の速度で９００
〜１０００℃まで昇温し、１０分〜１時間保持して焼結
させ、多層基板を得る。
【００２１】
【作用】本発明のガラスセラミックス組成物は、焼成す
るとガラス相から低膨張、低誘電率のコージエライトと
高強度のガーナイトが析出するため、機械的強度が高
く、シリコンに近似した熱膨張係数を示し、しかも誘電
率の低い焼結体となる。
るとガラス相から低膨張、低誘電率のコージエライトと
高強度のガーナイトが析出するため、機械的強度が高
く、シリコンに近似した熱膨張係数を示し、しかも誘電
率の低い焼結体となる。
【００２２】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明のガラスセラ
ミックス組成物を説明する。
ミックス組成物を説明する。
【００２３】表１及び表２は本発明の実施例（試料Ｎ
ｏ．１〜６）及び比較例（試料Ｎｏ．７〜９）を示して
いる。
ｏ．１〜６）及び比較例（試料Ｎｏ．７〜９）を示して
いる。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】表中の組成になるように、二酸化珪素、酸
化アルミニウム、酸化マグネシウム、ホウ酸、炭酸カル
シウム、酸化亜鉛を調合し、これを白金坩堝に入れ、１
５００℃で２時間保持して溶融した。次いでこの溶融ガ
ラスを薄板状に成形した後、アルミナボールで粉砕し、
分級することによって、平均粒径が約２μｍのガラス粉
末を得た。
化アルミニウム、酸化マグネシウム、ホウ酸、炭酸カル
シウム、酸化亜鉛を調合し、これを白金坩堝に入れ、１
５００℃で２時間保持して溶融した。次いでこの溶融ガ
ラスを薄板状に成形した後、アルミナボールで粉砕し、
分級することによって、平均粒径が約２μｍのガラス粉
末を得た。
【００２７】次に、ガラス粉末と表中に示すフィラー粉
末とを所定の割合で混合し、試料を得た。なおフィラー
粉末は、平均粒径が約２μｍのものを使用した。
末とを所定の割合で混合し、試料を得た。なおフィラー
粉末は、平均粒径が約２μｍのものを使用した。
【００２８】このようして得られた各試料を、幅１５ｍ
ｍ、長さ５０ｍｍ、厚み１ｍｍの短冊状試験体、直径５
ｍｍ、長さ５０ｍｍの丸棒状試験体、及び直径４０ｍ
ｍ、厚み２ｍｍの円板状試験体にプレス成形した後、９
００℃で１０分間焼成した。続いて短冊状試験体を用い
て曲げ強度（三点荷重方式）を測定し、丸棒状試験体を
用い、ディラトメーターにて３０〜３８０℃における熱
膨張係数を測定し、円板状試験体を用いて誘電率を測定
した。
ｍ、長さ５０ｍｍ、厚み１ｍｍの短冊状試験体、直径５
ｍｍ、長さ５０ｍｍの丸棒状試験体、及び直径４０ｍ
ｍ、厚み２ｍｍの円板状試験体にプレス成形した後、９
００℃で１０分間焼成した。続いて短冊状試験体を用い
て曲げ強度（三点荷重方式）を測定し、丸棒状試験体を
用い、ディラトメーターにて３０〜３８０℃における熱
膨張係数を測定し、円板状試験体を用いて誘電率を測定
した。
【００２９】結果を表１及び表２に示す。
【００３０】表から明らかなように、本発明の実施例で
ある試料Ｎｏ．１〜６を用いた試験体は、曲げ強度が１
８００〜２３００ｋｇ／ｃｍ2 、３０〜３８０℃におけ
る熱膨張係数が３０〜４５×１０-7／℃、誘電率が５．
０〜５．８であった。
ある試料Ｎｏ．１〜６を用いた試験体は、曲げ強度が１
８００〜２３００ｋｇ／ｃｍ2 、３０〜３８０℃におけ
る熱膨張係数が３０〜４５×１０-7／℃、誘電率が５．
０〜５．８であった。
【００３１】これに対して比較例である試料Ｎｏ．７を
用いた試験体は、ＭｇＯの含有量が少ないために熱膨張
係数が５２×１０-7／℃と高く、また誘電率も７．２と
高い値を示した。試料Ｎｏ．８を用いた試験体は、Ｚｎ
Ｏを含有していないために、曲げ強度が９００ｋｇ／ｃ
ｍ2 と低かった。また試料Ｎｏ．９を用いた試験体はＡ
ｌ2 Ｏ3 の含有量が少ないために曲げ強度が１３００ｋ
ｇ／ｃｍ2 と低く、熱膨張係数が５０×１０-7／℃と高
く、しかも誘電率が６．９と高かった。
用いた試験体は、ＭｇＯの含有量が少ないために熱膨張
係数が５２×１０-7／℃と高く、また誘電率も７．２と
高い値を示した。試料Ｎｏ．８を用いた試験体は、Ｚｎ
Ｏを含有していないために、曲げ強度が９００ｋｇ／ｃ
ｍ2 と低かった。また試料Ｎｏ．９を用いた試験体はＡ
ｌ2 Ｏ3 の含有量が少ないために曲げ強度が１３００ｋ
ｇ／ｃｍ2 と低く、熱膨張係数が５０×１０-7／℃と高
く、しかも誘電率が６．９と高かった。
【００３２】次に実施例１〜６のガラスセラミックス組
成物を使用してセラミックス多層基板を作製した。図１
は焼成後のセラミックス多層基板の断面図を示したもの
であり、１はビア導体、２は内層導体パターン、３は最
外層導体、４はベアＩＣチップ、５は突起電極、６は接
合材である。また表３は作製したセラミックス多層基板
の反りや変形の有無、端子強度、接続抵抗値の変化量を
それぞれ示している。
成物を使用してセラミックス多層基板を作製した。図１
は焼成後のセラミックス多層基板の断面図を示したもの
であり、１はビア導体、２は内層導体パターン、３は最
外層導体、４はベアＩＣチップ、５は突起電極、６は接
合材である。また表３は作製したセラミックス多層基板
の反りや変形の有無、端子強度、接続抵抗値の変化量を
それぞれ示している。
【００３３】
【表３】
【００３４】まず実施例１〜６の組成を有するガラスセ
ラミックス組成物を用い、公知の技術によりグリーンシ
ートを複数枚作製した。さらに得られた各グリーンシー
トの所定の位置にビア孔を設け、ＣｕＯビア導体を充填
してビア導体１を形成し、また印刷法によりＣｕＯ内層
導体を用いて内層導体パターン２を形成した。その後、
これらのグリーンシートを積層して多層化し、脱バイン
ダーの後、Ｈ2 ／Ｎ2グリーンガスにより還元し、９０
０〜９５０℃の窒素雰囲気中で１０分間焼成した。この
ようにして内層導体と同時焼成されたセラミックス多層
基板には、反りや変形は認められなかった。
ラミックス組成物を用い、公知の技術によりグリーンシ
ートを複数枚作製した。さらに得られた各グリーンシー
トの所定の位置にビア孔を設け、ＣｕＯビア導体を充填
してビア導体１を形成し、また印刷法によりＣｕＯ内層
導体を用いて内層導体パターン２を形成した。その後、
これらのグリーンシートを積層して多層化し、脱バイン
ダーの後、Ｈ2 ／Ｎ2グリーンガスにより還元し、９０
０〜９５０℃の窒素雰囲気中で１０分間焼成した。この
ようにして内層導体と同時焼成されたセラミックス多層
基板には、反りや変形は認められなかった。
【００３５】またセラミックス多層基板にＣｕ導体を印
刷して焼成し、最外層導体３を形成し、その端子強度を
測定した。端子強度が１．５ｍｍ角の電極で１．０ｋｇ
以上であれば実用レベルであるが、本実施例では表３に
示すように１．５〜１．９ｋｇ／１．５ｍｍ角の値を示
し、実用に十分耐え得ることがわかった。
刷して焼成し、最外層導体３を形成し、その端子強度を
測定した。端子強度が１．５ｍｍ角の電極で１．０ｋｇ
以上であれば実用レベルであるが、本実施例では表３に
示すように１．５〜１．９ｋｇ／１．５ｍｍ角の値を示
し、実用に十分耐え得ることがわかった。
【００３６】さらに６ｍｍ角のベアＩＣチップ４を、接
合材に共晶ハンダを用い、フリップチップ実装法により
セラミックス多層基板にハンダ付けした。チップ実装後
の多層基板に対して、ヒートサイクル−４０〜＋１２５
℃、１００サイクルの試験を行ったところ、接続部の断
線はなく１バンプ（ＩＣパッドの大きさは１００μｍ）
当たりの抵抗値の変化量は±２０ｍΩと良好な値を示し
た。このように熱膨張係数をシリコンチップに近づけた
組成により、優れた信頼性のフリップチップ実装された
多層基板を得ることができた。
合材に共晶ハンダを用い、フリップチップ実装法により
セラミックス多層基板にハンダ付けした。チップ実装後
の多層基板に対して、ヒートサイクル−４０〜＋１２５
℃、１００サイクルの試験を行ったところ、接続部の断
線はなく１バンプ（ＩＣパッドの大きさは１００μｍ）
当たりの抵抗値の変化量は±２０ｍΩと良好な値を示し
た。このように熱膨張係数をシリコンチップに近づけた
組成により、優れた信頼性のフリップチップ実装された
多層基板を得ることができた。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明に従うガラスセラ
ミックス組成物をセラミックス多層基板のセラミックス
材料として用いることにより、１０００℃以下の温度で
焼成が可能であり、シリコンチップを直接搭載できる低
い熱膨張係数を有し、高速演算処理に十分に対応できる
６以下の低い誘電率を有し、かつ高い機械的強度を有す
るセラミックス多層基板を作製することができる。
ミックス組成物をセラミックス多層基板のセラミックス
材料として用いることにより、１０００℃以下の温度で
焼成が可能であり、シリコンチップを直接搭載できる低
い熱膨張係数を有し、高速演算処理に十分に対応できる
６以下の低い誘電率を有し、かつ高い機械的強度を有す
るセラミックス多層基板を作製することができる。
【図１】本発明のガラスセラミックス組成物を用いてセ
ラミックス多層基板を作製し、ＩＣチップを実装した状
態を示す断面図。
ラミックス多層基板を作製し、ＩＣチップを実装した状
態を示す断面図。
１・・・ビア導体 ２・・・内層導体パターン ３・・・最外層導体 ４・・・ベアＩＣチップ ５・・・突起電極 ６・・・接合材
フロントページの続き (72)発明者 越智 博 香川県高松市古新町８番地の１ 松下寿 電子工業株式会社内 (72)発明者 馬屋原 芳夫 滋賀県大津市晴嵐二丁目７番１号 日本 電気硝子株式会社内 (72)発明者 渡邊 広光 滋賀県大津市晴嵐二丁目７番１号 日本 電気硝子株式会社内 (72)発明者 新藤 和義 滋賀県大津市晴嵐二丁目７番１号 日本 電気硝子株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 重量百分率でガラス粉末４０〜８０％、
フィラー粉末２０〜６０％からなり、該ガラス粉末がＳ
ｉＯ2 ３５〜５０％、Ａｌ2 Ｏ3 ２１〜３０％、ＭｇＯ
１５〜３０％、Ｂ2 Ｏ3 ２〜１５％、ＣａＯ０．１〜５
％、ＺｎＯ１〜６％の組成を有することを特徴とするガ
ラスセラミックス組成物。 - 【請求項２】 フィラー粉末が、アルミナ、ムライト、
コージエライト、ジルコニア及びケイ酸ジルコニウムの
群から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項
１のガラスセラミックス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303833A JP2539169B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ガラスセラミックス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303833A JP2539169B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ガラスセラミックス組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07157363A JPH07157363A (ja) | 1995-06-20 |
| JP2539169B2 true JP2539169B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=17925862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5303833A Expired - Lifetime JP2539169B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | ガラスセラミックス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2539169B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100758440B1 (ko) * | 2001-08-24 | 2007-09-14 | 주식회사 포스코 | 알루미나-지르코니아/알루미늄 복합체의 제조방법 |
| KR100850658B1 (ko) | 2001-11-05 | 2008-08-07 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 글라스 세라믹 조성물 |
| JP3988533B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2007-10-10 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック、およびセラミック多層基板 |
| KR100506417B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2005-08-05 | 임범순 | 치과용 가공성 글라스-세라믹 수복 및 보철재료 |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP5303833A patent/JP2539169B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07157363A (ja) | 1995-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3240271B2 (ja) | セラミック基板 | |
| KR20100029142A (ko) | 세라믹 기판용 도체 페이스트 및 전기 회로 | |
| JP3426926B2 (ja) | 配線基板およびその実装構造 | |
| JPH08242062A (ja) | 低温焼成セラミック回路基板 | |
| JP3121990B2 (ja) | ガラス−セラミック基板 | |
| JP2598872B2 (ja) | ガラスセラミックス多層基板 | |
| JP2539169B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JP2695587B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JP4859288B2 (ja) | ガラス組成物、ガラス焼結体およびそれを用いた配線基板 | |
| JP3890779B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JP2695602B2 (ja) | ガラスセラミックス多層基板 | |
| JP2712031B2 (ja) | 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品 | |
| JP2003277852A (ja) | 銅メタライズ組成物およびセラミック配線基板 | |
| JP4045127B2 (ja) | セラミック基板 | |
| JPS5817695A (ja) | 多層回路板とその製造方法 | |
| JP3125500B2 (ja) | セラミックス基板 | |
| JP2002198626A (ja) | 低温焼成セラミック回路基板の製造方法 | |
| JP2002076609A (ja) | 回路基板 | |
| JP3642648B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP3494184B2 (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| JPH11135899A (ja) | セラミック回路基板 | |
| JPH11186727A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPH07326835A (ja) | 低温焼成セラミック回路基板 | |
| JP2001284754A (ja) | ガラスセラミック回路基板 | |
| JP3643264B2 (ja) | 導体ペーストおよびこれを用いた配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070708 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130708 Year of fee payment: 17 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |