JP2537887B2 - タングステンの選択成長方法 - Google Patents
タングステンの選択成長方法Info
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- JP2537887B2 JP2537887B2 JP62182585A JP18258587A JP2537887B2 JP 2537887 B2 JP2537887 B2 JP 2537887B2 JP 62182585 A JP62182585 A JP 62182585A JP 18258587 A JP18258587 A JP 18258587A JP 2537887 B2 JP2537887 B2 JP 2537887B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はタングステンの化学気相成長法、特にタング
ステンの選択成長法に関するものである。
ステンの選択成長法に関するものである。
従来の技術 従来、六弗化タングステンと水素を反応系とする化学
気相成長法におけるタングステンの成長速度がシリコン
層上と絶縁膜上とで異なることを利用して、シリコン層
上にのみタングステンを選択的に形成する試みがなされ
てきた。第４図（ａ）〜（ｄ）の工程順断面図により従
来例を説明する。
気相成長法におけるタングステンの成長速度がシリコン
層上と絶縁膜上とで異なることを利用して、シリコン層
上にのみタングステンを選択的に形成する試みがなされ
てきた。第４図（ａ）〜（ｄ）の工程順断面図により従
来例を説明する。
第４図（ａ）のように、シリコン基板１上に絶縁膜２
を形成し、ついで、その所定域を、第４図（ｂ）のよう
に、既知のフォトエッチング技術を用いて開孔する。次
に、タングステンの化学気相成長雰囲気内で、タングス
テンを成長させるとシリコン基板１の開孔部では成長速
度が大きく、絶縁膜上では成長速度が小さいために、成
長初期では、第４図（ｃ）のように、開孔部にのみタン
グステン４が選択的に形成される。
を形成し、ついで、その所定域を、第４図（ｂ）のよう
に、既知のフォトエッチング技術を用いて開孔する。次
に、タングステンの化学気相成長雰囲気内で、タングス
テンを成長させるとシリコン基板１の開孔部では成長速
度が大きく、絶縁膜上では成長速度が小さいために、成
長初期では、第４図（ｃ）のように、開孔部にのみタン
グステン４が選択的に形成される。
発明が解決しようとする問題点 上記従来法では、成長初期には所定域にタングステン
を選択的に成長できるが、タングステンの所望膜厚が0.
2〜0.3μｍ以上の必要な場合には、第４図（ｄ）に示す
ように、絶縁膜上にもタングステンの核が成長し、タン
グステン粒子５が発生してしまう。上記問題点は、絶縁
膜上のタングステンの成長速度とシリコン上のタングス
テンの成長速度とに大きな差がないことが原因である。
つまり、絶縁膜上においてもタングステンを形成するよ
うな反応サイトが存在していることになる。従って、他
の金属と所定域のタングステンとを接合させる場合には
滑らかな形状が得られず、微細配線等の実現が不可能と
なっている。
を選択的に成長できるが、タングステンの所望膜厚が0.
2〜0.3μｍ以上の必要な場合には、第４図（ｄ）に示す
ように、絶縁膜上にもタングステンの核が成長し、タン
グステン粒子５が発生してしまう。上記問題点は、絶縁
膜上のタングステンの成長速度とシリコン上のタングス
テンの成長速度とに大きな差がないことが原因である。
つまり、絶縁膜上においてもタングステンを形成するよ
うな反応サイトが存在していることになる。従って、他
の金属と所定域のタングステンとを接合させる場合には
滑らかな形状が得られず、微細配線等の実現が不可能と
なっている。
問題点を解決するための手段 本発明は、化学気相成長法によるタングステン成長に
おいて、基板表面に形成された絶縁膜上に10重量パーセ
ント濃度以上の燐を含む酸化シリコン膜を形成し、前記
基板表面を露出する開口部を選択的形成したのち、タン
グステンを成長させ前記開口部のみにタングステンを成
長させるものである。
おいて、基板表面に形成された絶縁膜上に10重量パーセ
ント濃度以上の燐を含む酸化シリコン膜を形成し、前記
基板表面を露出する開口部を選択的形成したのち、タン
グステンを成長させ前記開口部のみにタングステンを成
長させるものである。
作用 リンを含む酸化シリコン膜は、六弗化タングステンと
水素を反応系とする化学気相成長雰囲気において、タン
グステンを形成する速度がリン濃度により変化し、とり
わけ、リン濃度が10wt％を越える場合にはシリコン上に
0.1μｍのタングステン膜を形成しても、前記酸化シリ
コン膜上にタングステン核の生成は全く認められないこ
とを見出した。したがって、高濃度のリンを含む酸化シ
リコン膜を絶縁膜上にマスクとして被着することによ
り、タングステンの選択成長が可能となる。
水素を反応系とする化学気相成長雰囲気において、タン
グステンを形成する速度がリン濃度により変化し、とり
わけ、リン濃度が10wt％を越える場合にはシリコン上に
0.1μｍのタングステン膜を形成しても、前記酸化シリ
コン膜上にタングステン核の生成は全く認められないこ
とを見出した。したがって、高濃度のリンを含む酸化シ
リコン膜を絶縁膜上にマスクとして被着することによ
り、タングステンの選択成長が可能となる。
実施例 本発明の実施例を第１図（ａ）〜（ｄ）の工程順断面
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
まず、第１図（ａ）のように、シリコン基板１上に厚
さ1.2μｍの絶縁膜２を形成したものに、第１図（ｂ）
のように、シラン（SiH4），ホスフィン（PH3），酸素
（O2）を反応系とした化学気相成長法により、10重量パ
ーセント（wt％）のリン濃度の酸化シリコン膜３を0.2
μｍ形成した。ついで、第１図（ｃ）のように、既知の
フォトエッチング技術で所定域を開孔した後、第１図
（ｄ）のように、六弗化タングステン（WF6）と水素（H
2）を反応系とした化学気相成長法により、タングステ
ン膜４を成長した。第１図（ｄ）では、前記リン含有酸
化シリコン膜３のために、タングステン粒子５は発生し
ない。タングステン４は1.0μｍの厚さが得られた。第
２図は、リン含有酸化シリコン膜３中のリン濃度とその
上に形成されるタングステン核の生成速度比との関係特
性図である。この図からも、リン濃度が10wt％以上では
タングステン核が成長しないことがわかる。
さ1.2μｍの絶縁膜２を形成したものに、第１図（ｂ）
のように、シラン（SiH4），ホスフィン（PH3），酸素
（O2）を反応系とした化学気相成長法により、10重量パ
ーセント（wt％）のリン濃度の酸化シリコン膜３を0.2
μｍ形成した。ついで、第１図（ｃ）のように、既知の
フォトエッチング技術で所定域を開孔した後、第１図
（ｄ）のように、六弗化タングステン（WF6）と水素（H
2）を反応系とした化学気相成長法により、タングステ
ン膜４を成長した。第１図（ｄ）では、前記リン含有酸
化シリコン膜３のために、タングステン粒子５は発生し
ない。タングステン４は1.0μｍの厚さが得られた。第
２図は、リン含有酸化シリコン膜３中のリン濃度とその
上に形成されるタングステン核の生成速度比との関係特
性図である。この図からも、リン濃度が10wt％以上では
タングステン核が成長しないことがわかる。
この後、酸化シリコン膜３をエッチング除去し、アル
ミニウム配線を形成して、第３図の断面図のような半導
体装置に完成する。
ミニウム配線を形成して、第３図の断面図のような半導
体装置に完成する。
発明の効果 本発明によると、高濃度のリン含有酸化シリコン膜を
マスクとして用いることにより、同酸化シリコン膜上に
はタングステン粒子は発生しないので、これにより、タ
ングステンを選択成長させることが可能である。なお、
被成長基板にはシリコンを挙げたが、高濃度のリンを含
む酸化シリコン膜上の成長速度よりも、大幅に大きい成
長速度をもつ材料でも、本発明は使用可能である。
マスクとして用いることにより、同酸化シリコン膜上に
はタングステン粒子は発生しないので、これにより、タ
ングステンを選択成長させることが可能である。なお、
被成長基板にはシリコンを挙げたが、高濃度のリンを含
む酸化シリコン膜上の成長速度よりも、大幅に大きい成
長速度をもつ材料でも、本発明は使用可能である。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順断面図、第２図は本発明に実施したリン含有
酸化シリコン膜上のタングステン成長特性図、第３図は
実施例により完成した半導体装置の断面図、第４図は従
来例を説明するための工程順断面図である。 １……シリコン基板、２……絶縁膜、３……高濃度（10
wt％Ｐ以上）のリンを含む酸化シリコン膜、４……タン
グステン膜、５……タングステン粒子、６……金属（こ
こではアルミニウム）配線。
めの工程順断面図、第２図は本発明に実施したリン含有
酸化シリコン膜上のタングステン成長特性図、第３図は
実施例により完成した半導体装置の断面図、第４図は従
来例を説明するための工程順断面図である。 １……シリコン基板、２……絶縁膜、３……高濃度（10
wt％Ｐ以上）のリンを含む酸化シリコン膜、４……タン
グステン膜、５……タングステン粒子、６……金属（こ
こではアルミニウム）配線。
Claims (1)
- 【請求項１】化学気相成長法によるタングステン成長に
おいて、基板表面に形成された絶縁膜上に10重量パーセ
ント濃度以上の燐を含む酸化シリコン膜を形成し、前記
基板表面を露出する開口部を選択的形成したのち、タン
グステンを成長させ前記開口部のみにタングステンを成
長させることを特徴とするタングステンの選択成長方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62182585A JP2537887B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | タングステンの選択成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62182585A JP2537887B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | タングステンの選択成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6428374A JPS6428374A (en) | 1989-01-30 |
| JP2537887B2 true JP2537887B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=16120854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62182585A Expired - Fee Related JP2537887B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | タングステンの選択成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537887B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37737E1 (en) | 1990-09-06 | 2002-06-11 | Tokai Kogyo Kabushiki Kaisha | Automobile windshield molding and method of producing the same |
| US6196615B1 (en) | 1990-10-23 | 2001-03-06 | Tokai Kogyo Kabushiki Kaisha | Automobile windshield molding and the method of producing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0670983B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1994-09-07 | 富士通株式会社 | 化学気相成長方法 |
-
1987
- 1987-07-22 JP JP62182585A patent/JP2537887B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6428374A (en) | 1989-01-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |