JPH07224385A - 金属薄膜選択気相成長方法 - Google Patents
金属薄膜選択気相成長方法Info
- Publication number
- JPH07224385A JPH07224385A JP6035159A JP3515994A JPH07224385A JP H07224385 A JPH07224385 A JP H07224385A JP 6035159 A JP6035159 A JP 6035159A JP 3515994 A JP3515994 A JP 3515994A JP H07224385 A JPH07224385 A JP H07224385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- selective
- growth
- region
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 17
- FVICENFBEMJOCE-RTFNQGFNSA-N [(7r,8r,9s,10r,11s,13s,14s,17s)-7,11,13-trimethyl-3-oxo-2,6,7,8,9,10,11,12,14,15,16,17-dodecahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-17-yl] undecanoate Chemical compound C([C@H]1C)C2=CC(=O)CC[C@@H]2[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H](OC(=O)CCCCCCCCCC)[C@@]1(C)C[C@@H]2C FVICENFBEMJOCE-RTFNQGFNSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 38
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 25
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 49
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisobutyric acid Chemical compound CC(C)(O)C(O)=O BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000003421 catalytic decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- SDIXRDNYIMOKSG-UHFFFAOYSA-L disodium methyl arsenate Chemical compound [Na+].[Na+].C[As]([O-])([O-])=O SDIXRDNYIMOKSG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 hyl gold Chemical compound 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
- H01L21/76879—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属薄膜選択気相成長方法に関し、成長速度
が大きく、かつ成長基板による成長速度の選択比が高い
金属薄膜選択気相成長方法を提供する。 【構成】 基板の非選択成長領域を原料物質内の分子基
と結合しやすい物質で形成し、基板の選択成長領域を位
置ポテンシャルが低く、原料物質内の分子基と接合し難
い物質で形成する。気相成長しようとする薄膜をＡｕに
し、原料物質をＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）にし、非選択領域
をＣｕにし、選択領域をＡｕ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｔｉ
Ｎ，ＳｉＮ，ＳｉＯ2 等にすることができる。
が大きく、かつ成長基板による成長速度の選択比が高い
金属薄膜選択気相成長方法を提供する。 【構成】 基板の非選択成長領域を原料物質内の分子基
と結合しやすい物質で形成し、基板の選択成長領域を位
置ポテンシャルが低く、原料物質内の分子基と接合し難
い物質で形成する。気相成長しようとする薄膜をＡｕに
し、原料物質をＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）にし、非選択領域
をＣｕにし、選択領域をＡｕ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｔｉ
Ｎ，ＳｉＮ，ＳｉＯ2 等にすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ａｕ，Ｐｔ等の金属薄
膜選択気相成長方法に関する。
膜選択気相成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路装置の配線、多層配線の
コンタクトホール、あるいはＸ線露光用マスクのＸ線マ
スク材として、低抵抗、耐蝕性、Ｘ線不透過性を有する
Ａｕを選択気相成長する技術を確立することが強く要望
されている。
コンタクトホール、あるいはＸ線露光用マスクのＸ線マ
スク材として、低抵抗、耐蝕性、Ｘ線不透過性を有する
Ａｕを選択気相成長する技術を確立することが強く要望
されている。
【０００３】そして、原料物質をＣＨ3 ＣＨ2 ＡｕＰ
（ＣＨ3 ）3 とし、選択成長領域の触媒分解作用を利用
したＡｕ薄膜選択気相成長方法が報告されている（１９
９２，Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｆａｌｌ
Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｐ．Ｆ．Ｓｅｉｄｌｅｒ ｅｔ ａ
ｌ．Ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｅｌｅｃｔｉ
ｖｅ ａｒｅａ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆｇｏｌｄ ｆｉｌｍｓ’Ｇｒｏ
ｗｔｈ ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ参
照）。
（ＣＨ3 ）3 とし、選択成長領域の触媒分解作用を利用
したＡｕ薄膜選択気相成長方法が報告されている（１９
９２，Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｆａｌｌ
Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｐ．Ｆ．Ｓｅｉｄｌｅｒ ｅｔ ａ
ｌ．Ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｅｌｅｃｔｉ
ｖｅ ａｒｅａ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆｇｏｌｄ ｆｉｌｍｓ’Ｇｒｏ
ｗｔｈ ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ参
照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図８は、従来のＡｕ薄
膜選択気相成長の説明図である。この図において、横軸
は温度を示し、縦軸は成長速度を示している。この図に
示されているように、前記従来のＡｕ薄膜選択気相成長
方法によると、Ａｕの、Ａｕ基板上とＣｕ基板上への気
相成長の選択性は成長温度３０℃〜１０９℃の範囲で得
られるが、その範囲におけるＡｕ基板上への成長速度は
高々３０Å／ｍｉｎ程度に過ぎず、実用的とはいえな
い。
膜選択気相成長の説明図である。この図において、横軸
は温度を示し、縦軸は成長速度を示している。この図に
示されているように、前記従来のＡｕ薄膜選択気相成長
方法によると、Ａｕの、Ａｕ基板上とＣｕ基板上への気
相成長の選択性は成長温度３０℃〜１０９℃の範囲で得
られるが、その範囲におけるＡｕ基板上への成長速度は
高々３０Å／ｍｉｎ程度に過ぎず、実用的とはいえな
い。
【０００５】このように、Ａｕ等の他物質と反応し難い
金属を、従来から通常用いられている原料物質を選択成
長領域に形成した触媒によって分解して析出させる気相
成長法によって成長することは、その成長速度が極めて
小さいため効率的でなく、前記の例にみられるように、
成長速度は高々３０Å／ｍｉｎ程度であり、実用的とは
いえない。
金属を、従来から通常用いられている原料物質を選択成
長領域に形成した触媒によって分解して析出させる気相
成長法によって成長することは、その成長速度が極めて
小さいため効率的でなく、前記の例にみられるように、
成長速度は高々３０Å／ｍｉｎ程度であり、実用的とは
いえない。
【０００６】その理由は、反応が不活発なＡｕ等の金属
を高い選択性が生じる条件で成長する場合には、非選択
領域での反応速度を小さくする必要があり、そうする
と、選択領域での成長速度も小さくなるからである。
を高い選択性が生じる条件で成長する場合には、非選択
領域での反応速度を小さくする必要があり、そうする
と、選択領域での成長速度も小さくなるからである。
【０００７】本発明は、成長速度が大きく、かつ成長基
板による成長速度の選択比が高い金属薄膜選択気相成長
方法を提供することを目的とする。
板による成長速度の選択比が高い金属薄膜選択気相成長
方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる金属薄膜
選択気相成長方法においては、成長速度を大きくし、か
つ選択比を大きくするために、基板の非選択成長領域を
原料物質内の分子基と結合しやすい物質で形成し、基板
の選択成長領域を原料物質内の分子基と結合し難い物質
で形成する工程を採用した。
選択気相成長方法においては、成長速度を大きくし、か
つ選択比を大きくするために、基板の非選択成長領域を
原料物質内の分子基と結合しやすい物質で形成し、基板
の選択成長領域を原料物質内の分子基と結合し難い物質
で形成する工程を採用した。
【０００９】この場合、選択成長領域を位置ポテンシャ
ルが低い領域とすることができ、また、気相成長しよう
とする薄膜をＡｕとし、原料物質をＤＭＡｕ（ｈｆａ
ｃ）とし、非選択成長領域をＣｕとすることができる。
ルが低い領域とすることができ、また、気相成長しよう
とする薄膜をＡｕとし、原料物質をＤＭＡｕ（ｈｆａ
ｃ）とし、非選択成長領域をＣｕとすることができる。
【００１０】
【作用】以下に、本発明をＡｕを選択気相成長する場合
について説明する。本発明の金属薄膜選択気相成長方法
は、原料物質であるＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）（Ｄｉｍｅｔ
ｈｙｌ ｇｏｌｄ ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌ
ａｃｅｔｏｎａｔｅ）がＣｕ等の位置ポテンシャルが高
い領域に触れると、ＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）のｈｆａｃ基
がＣｕ等と反応してＣｕ等の上にＣｕ（ｈｆａｃ）等が
形成され、このＣｕ（ｈｆａｃ）がそれ以後のＤＭＡｕ
（ｈｆａｃ）の付着を阻止するためにＡｕの析出が抑え
られ、Ａｕ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，ＴｉＮ，ＳｉＮ，ＳｉＯ
2 のように位置ポテンシャルが低い領域と接触するとＤ
ＭＡｕ（ｈｆａｃ）がそのまま付着し、ここで分解して
Ａｕを析出するという原理を用いている。この原料物質
ＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）と基板との反応は、反応温度によ
っても著しく異なる。
について説明する。本発明の金属薄膜選択気相成長方法
は、原料物質であるＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）（Ｄｉｍｅｔ
ｈｙｌ ｇｏｌｄ ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌ
ａｃｅｔｏｎａｔｅ）がＣｕ等の位置ポテンシャルが高
い領域に触れると、ＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）のｈｆａｃ基
がＣｕ等と反応してＣｕ等の上にＣｕ（ｈｆａｃ）等が
形成され、このＣｕ（ｈｆａｃ）がそれ以後のＤＭＡｕ
（ｈｆａｃ）の付着を阻止するためにＡｕの析出が抑え
られ、Ａｕ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，ＴｉＮ，ＳｉＮ，ＳｉＯ
2 のように位置ポテンシャルが低い領域と接触するとＤ
ＭＡｕ（ｈｆａｃ）がそのまま付着し、ここで分解して
Ａｕを析出するという原理を用いている。この原料物質
ＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）と基板との反応は、反応温度によ
っても著しく異なる。
【００１１】図１は、本発明の金属薄膜選択気相成長の
原理説明図であり、（Ａ）は高温成長、（Ｂ）は低温成
長を示している。この図の（Ａ）は、約２００℃以上の
高温で本発明の金属薄膜選択気相成長方法の原理によっ
てＣｕの上にＡｕを成長する際の反応モデルを示してお
り、高温では気相中でＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）のＨＦＡ基
がＣｕの表面と反応して、このＨＦＡ基がＣｕ表面を被
覆する（（１）参照）。この状態では、Ｃｕの表面を覆
うＨＦＡ基が、ＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）がＣｕの表面に付
着するのを妨げるため、Ａｕの析出は起こらない
（（２）参照）。
原理説明図であり、（Ａ）は高温成長、（Ｂ）は低温成
長を示している。この図の（Ａ）は、約２００℃以上の
高温で本発明の金属薄膜選択気相成長方法の原理によっ
てＣｕの上にＡｕを成長する際の反応モデルを示してお
り、高温では気相中でＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）のＨＦＡ基
がＣｕの表面と反応して、このＨＦＡ基がＣｕ表面を被
覆する（（１）参照）。この状態では、Ｃｕの表面を覆
うＨＦＡ基が、ＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）がＣｕの表面に付
着するのを妨げるため、Ａｕの析出は起こらない
（（２）参照）。
【００１２】この図の（Ｂ）は、約２００℃以下の低温
で本発明の金属薄膜選択気相成長方法によってＣｕの上
にＡｕを成長する際の反応モデルを示しており、低温で
はＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）が分解せずにＣｕの表面に付着
し（（１）参照）、付着したＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）がこ
こで分解されてＡｕを析出する（（２）参照）。
で本発明の金属薄膜選択気相成長方法によってＣｕの上
にＡｕを成長する際の反応モデルを示しており、低温で
はＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）が分解せずにＣｕの表面に付着
し（（１）参照）、付着したＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）がこ
こで分解されてＡｕを析出する（（２）参照）。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図２は、
本発明の一実施例の金属薄膜選択気相成長装置の説明図
である。この図において、１は反応チャンバー、２はヒ
ーター、３はヒーター用電極、４はサセプター、５はウ
ェハー、６は熱電対、７はキャリヤーガス導入口、８は
バブラー、９は原料物質、１０は圧力計、１１は可変コ
ンダクタンスバルブ、１２は希釈ガス導入口、１３は排
気口である。
本発明の一実施例の金属薄膜選択気相成長装置の説明図
である。この図において、１は反応チャンバー、２はヒ
ーター、３はヒーター用電極、４はサセプター、５はウ
ェハー、６は熱電対、７はキャリヤーガス導入口、８は
バブラー、９は原料物質、１０は圧力計、１１は可変コ
ンダクタンスバルブ、１２は希釈ガス導入口、１３は排
気口である。
【００１４】本発明の一実施例の金属薄膜選択気相成長
方法に用いる成長装置を、基板上にＡｕを成長する場合
を例にとって説明すると、Ａｕを成長しようとするウェ
ハー５をヒーター２と熱電対６とヒーター用電極を具え
るサセプター４の上に載置し、反応チャンバー１の中央
部に挿入し、バブラー８に収容したＤＭＡｕ（ｈｆａ
ｃ）である原料物質９をキャリヤーガス導入口７を通し
て流量２００ｓｃｃｍで導入するＨ2 によってバブル
し、バブラー８から出るＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）を含むＨ
2 の圧力を圧力計１０によって測定して２０℃の温度で
３７Ｔｏｒｒになるように調整し、流量を可変コンダク
タンスバルブ１１によって調節し、希釈ガス導入口１２
を通して流量５０ｓｃｃｍで導入されるＨ2 とともに反
応チャンバー１に導入し、反応チャンバー１内の圧力を
２．３Ｔｏｒｒに調整して排気口１３を通して排出する
ようになっている。
方法に用いる成長装置を、基板上にＡｕを成長する場合
を例にとって説明すると、Ａｕを成長しようとするウェ
ハー５をヒーター２と熱電対６とヒーター用電極を具え
るサセプター４の上に載置し、反応チャンバー１の中央
部に挿入し、バブラー８に収容したＤＭＡｕ（ｈｆａ
ｃ）である原料物質９をキャリヤーガス導入口７を通し
て流量２００ｓｃｃｍで導入するＨ2 によってバブル
し、バブラー８から出るＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）を含むＨ
2 の圧力を圧力計１０によって測定して２０℃の温度で
３７Ｔｏｒｒになるように調整し、流量を可変コンダク
タンスバルブ１１によって調節し、希釈ガス導入口１２
を通して流量５０ｓｃｃｍで導入されるＨ2 とともに反
応チャンバー１に導入し、反応チャンバー１内の圧力を
２．３Ｔｏｒｒに調整して排気口１３を通して排出する
ようになっている。
【００１５】図３は、原料物質ＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）の
分子構造図である。この図は、この実施例の金属薄膜選
択気相成長方法によってＡｕを成長する場合に原料物質
として用いるＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ
ｇｏｌｄｈｅｘａｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔ
ｏｎａｔｅ）の分子構造を示している。この物質の２４
℃における蒸気圧は４００ｍＴｏｒｒである。
分子構造図である。この図は、この実施例の金属薄膜選
択気相成長方法によってＡｕを成長する場合に原料物質
として用いるＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ
ｇｏｌｄｈｅｘａｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌａｃｅｔ
ｏｎａｔｅ）の分子構造を示している。この物質の２４
℃における蒸気圧は４００ｍＴｏｒｒである。
【００１６】図４は、本発明の一実施例の金属薄膜選択
気相成長方法によるＡｕの成長速度説明図である。この
図の横軸は温度を示し、縦軸は成長速度を示している。
気相成長方法によるＡｕの成長速度説明図である。この
図の横軸は温度を示し、縦軸は成長速度を示している。
【００１７】この図に示されているように、成長圧力が
２Ｔｏｒｒである場合も３０Ｔｏｒｒである場合も、１
８０℃程度以下では成長速度の選択性がくずれるが、１
９０℃以上ではＣｕ上への成長速度と、Ｓｉ上とＷ上へ
の成長速度の間に著しい選択性が現れている。そして、
Ｗ上への成長速度は６００Å／ｍｉｎ、Ｓｉ上への成長
速度は５００Å／ｍｉｎであり、従来のＡｕ上への成長
速度３０Å／ｍｉｎの約２０倍に達している。
２Ｔｏｒｒである場合も３０Ｔｏｒｒである場合も、１
８０℃程度以下では成長速度の選択性がくずれるが、１
９０℃以上ではＣｕ上への成長速度と、Ｓｉ上とＷ上へ
の成長速度の間に著しい選択性が現れている。そして、
Ｗ上への成長速度は６００Å／ｍｉｎ、Ｓｉ上への成長
速度は５００Å／ｍｉｎであり、従来のＡｕ上への成長
速度３０Å／ｍｉｎの約２０倍に達している。
【００１８】図５は、本発明の一実施例の金属薄膜選択
気相成長方法によってＡｕを基板上に選択成長したパタ
ーンの顕微鏡写真であり、（Ａ），（Ｂ）は異なるパタ
ーンのＡｕ薄膜を示している。
気相成長方法によってＡｕを基板上に選択成長したパタ
ーンの顕微鏡写真であり、（Ａ），（Ｂ）は異なるパタ
ーンのＡｕ薄膜を示している。
【００１９】この図の（Ａ）は、基板の上に形成された
Ｗ薄膜の上に、一辺が４μｍの正方形の開口を有するＣ
ｕ薄膜（写真で黒く見える領域）を形成した試料の上
に、この実施例の金属薄膜選択気相成長方法によってＡ
ｕを成長した場合のパターンを示しており、Ｃｕ薄膜の
開口の底面に露出するＷ薄膜の上から、Ｃｕ薄膜の開口
の側壁を経て、開口の縁部まで延びて成長したＡｕ薄膜
（写真で白く見える領域）を示している。
Ｗ薄膜の上に、一辺が４μｍの正方形の開口を有するＣ
ｕ薄膜（写真で黒く見える領域）を形成した試料の上
に、この実施例の金属薄膜選択気相成長方法によってＡ
ｕを成長した場合のパターンを示しており、Ｃｕ薄膜の
開口の底面に露出するＷ薄膜の上から、Ｃｕ薄膜の開口
の側壁を経て、開口の縁部まで延びて成長したＡｕ薄膜
（写真で白く見える領域）を示している。
【００２０】この図の（Ｂ）は、基板の上に形成された
Ｗ薄膜の上に、幅が２μｍの細条状のＣｕ薄膜（写真で
黒く見える領域）を形成した試料の上に、この実施例の
金属薄膜選択気相成長方法によってＡｕを成長した場合
のパターンを示しており、細条状のＣｕ薄膜が存在しな
いＳｉＯ2 薄膜の上から、Ｃｕ薄膜の側壁を経て、細条
状のＣｕ薄膜の縁部まで延びて成長したＡｕ薄膜（写真
で白く見える領域）を示している。この図（Ａ），
（Ｂ）によって、Ａｕ薄膜が、Ｃｕ薄膜上には成長せ
ず、Ｗ，ＳｉＯ2 薄膜の上のみに選択的に成長している
ことがわかる。
Ｗ薄膜の上に、幅が２μｍの細条状のＣｕ薄膜（写真で
黒く見える領域）を形成した試料の上に、この実施例の
金属薄膜選択気相成長方法によってＡｕを成長した場合
のパターンを示しており、細条状のＣｕ薄膜が存在しな
いＳｉＯ2 薄膜の上から、Ｃｕ薄膜の側壁を経て、細条
状のＣｕ薄膜の縁部まで延びて成長したＡｕ薄膜（写真
で白く見える領域）を示している。この図（Ａ），
（Ｂ）によって、Ａｕ薄膜が、Ｃｕ薄膜上には成長せ
ず、Ｗ，ＳｉＯ2 薄膜の上のみに選択的に成長している
ことがわかる。
【００２１】図６は、本発明の一実施例の金属薄膜選択
気相成長方法をＸ線露光用マスクに適用した場合の説明
図である。この図において、２１はＳｉＣ基板、２２は
Ｓｉ膜、２３はポリイミド膜、２３1 は開口、２４はＣ
ｕ薄膜、２５はＡｕ膜である。
気相成長方法をＸ線露光用マスクに適用した場合の説明
図である。この図において、２１はＳｉＣ基板、２２は
Ｓｉ膜、２３はポリイミド膜、２３1 は開口、２４はＣ
ｕ薄膜、２５はＡｕ膜である。
【００２２】本発明の金属薄膜選択気相成長方法を用い
てＸ線露光用マスクを製造する場合は、まず、ＳｉＣ基
板２１の上面に、本発明の金属成長方法によってＡｕが
成長し易いＳｉ膜２２を形成し、その上にポリイミド膜
２３を形成し、このポリイミド膜２３のＸ線を遮断する
領域に開口２３1 を形成し、その上面にＣｕ薄膜２４を
スパッタリングする。この際、ポリイミド膜２３の上面
にはＣｕ薄膜２４が形成されるが、スパッタリングのシ
ャドウ効果によって、ポリイミド膜２３の開口２３1 の
底面にはＣｕ薄膜２４が形成されない。
てＸ線露光用マスクを製造する場合は、まず、ＳｉＣ基
板２１の上面に、本発明の金属成長方法によってＡｕが
成長し易いＳｉ膜２２を形成し、その上にポリイミド膜
２３を形成し、このポリイミド膜２３のＸ線を遮断する
領域に開口２３1 を形成し、その上面にＣｕ薄膜２４を
スパッタリングする。この際、ポリイミド膜２３の上面
にはＣｕ薄膜２４が形成されるが、スパッタリングのシ
ャドウ効果によって、ポリイミド膜２３の開口２３1 の
底面にはＣｕ薄膜２４が形成されない。
【００２３】その後、本発明の金属薄膜選択気相成長方
法によって、上面にＣｕ薄膜２４が形成され、ポリイミ
ド膜２３の開口２３1 の底面にはＣｕ薄膜２４が形成さ
れていないポリイミド膜２３の上にＡｕ膜２５を成長す
る。この工程によって、ポリイミド膜２３の開口２３1
の底面に露出するＳｉ膜２２からポリイミド膜２３の上
面までＡｕ膜２５が形成される。この工程の前に、Ｓｉ
Ｃ基板２１の底面の中央部を選択的にエッチングして中
央部にメンブレンを形成する。
法によって、上面にＣｕ薄膜２４が形成され、ポリイミ
ド膜２３の開口２３1 の底面にはＣｕ薄膜２４が形成さ
れていないポリイミド膜２３の上にＡｕ膜２５を成長す
る。この工程によって、ポリイミド膜２３の開口２３1
の底面に露出するＳｉ膜２２からポリイミド膜２３の上
面までＡｕ膜２５が形成される。この工程の前に、Ｓｉ
Ｃ基板２１の底面の中央部を選択的にエッチングして中
央部にメンブレンを形成する。
【００２４】この工程によって得られたＸ線露光用マス
クは、Ａｕ膜２５が存在している領域はＸ線を遮断し、
Ａｕ膜２５が存在しない領域はＸ線を透過するため、開
口２３1 が形成された領域のネガパターンを半導体集積
回路を形成するための基板上に転写することができる。
クは、Ａｕ膜２５が存在している領域はＸ線を遮断し、
Ａｕ膜２５が存在しない領域はＸ線を透過するため、開
口２３1 が形成された領域のネガパターンを半導体集積
回路を形成するための基板上に転写することができる。
【００２５】図７は、本発明の金属薄膜選択気相成長方
法をコンタクトホールに適用した場合の説明図であり、
（Ａ），（Ｂ）は各工程を示している。この図におい
て、３１はシリコン基板、３２はタングステン電極、３
２1 はＴｉＮ膜、３３は層間絶縁膜、３３1 はコンタク
トホール、３４はＣｕ薄膜、３５はＡｕ膜である。
法をコンタクトホールに適用した場合の説明図であり、
（Ａ），（Ｂ）は各工程を示している。この図におい
て、３１はシリコン基板、３２はタングステン電極、３
２1 はＴｉＮ膜、３３は層間絶縁膜、３３1 はコンタク
トホール、３４はＣｕ薄膜、３５はＡｕ膜である。
【００２６】本発明の金属薄膜選択気相成長方法を用い
てコンタクトホールを形成する場合は、ウェハープロセ
スを経た後タングステン電極３２とその上にバリアメタ
ルとしてのＴｉＮ膜３２1 を形成したシリコン基板３１
の上面に二酸化シリコンからなる層間絶縁膜３３を形成
し、この層間絶縁膜３３のタングステン電極３２を形成
すべき部分にコンタクトホール３３1 を形成し、その上
面にＣｕ薄膜３４をスパッタリングする。この際、層間
絶縁膜３３の上面にはＣｕ薄膜３４が形成されるが、ス
パッタリングのシャドウ効果によって、層間絶縁膜３３
のコンタクトホール３３1 の底面にはＣｕ薄膜３４が形
成されない（図７（Ａ）参照）。
てコンタクトホールを形成する場合は、ウェハープロセ
スを経た後タングステン電極３２とその上にバリアメタ
ルとしてのＴｉＮ膜３２1 を形成したシリコン基板３１
の上面に二酸化シリコンからなる層間絶縁膜３３を形成
し、この層間絶縁膜３３のタングステン電極３２を形成
すべき部分にコンタクトホール３３1 を形成し、その上
面にＣｕ薄膜３４をスパッタリングする。この際、層間
絶縁膜３３の上面にはＣｕ薄膜３４が形成されるが、ス
パッタリングのシャドウ効果によって、層間絶縁膜３３
のコンタクトホール３３1 の底面にはＣｕ薄膜３４が形
成されない（図７（Ａ）参照）。
【００２７】上記の工程を経た後、本発明の金属薄膜選
択気相成長方法によって、層間絶縁膜の上面にＣｕ薄膜
３４が形成され、層間絶縁膜３３のコンタクトホール３
３1の底面にはＣｕ薄膜３４が形成されていない層間絶
縁膜３３の上にＡｕ膜３５を気相成長する。このＡｕ膜
３５の選択気相成長によって、層間絶縁膜３３のコンタ
クトホール３３1 の底面に露出するＴｉＮ膜３２1 によ
ってカバーされたタングステン電極３２から層間絶縁膜
３３の上面までＡｕ膜３５を成長させる。
択気相成長方法によって、層間絶縁膜の上面にＣｕ薄膜
３４が形成され、層間絶縁膜３３のコンタクトホール３
３1の底面にはＣｕ薄膜３４が形成されていない層間絶
縁膜３３の上にＡｕ膜３５を気相成長する。このＡｕ膜
３５の選択気相成長によって、層間絶縁膜３３のコンタ
クトホール３３1 の底面に露出するＴｉＮ膜３２1 によ
ってカバーされたタングステン電極３２から層間絶縁膜
３３の上面までＡｕ膜３５を成長させる。
【００２８】この工程によってバリアメタルであるＴｉ
Ｎ膜３２1 から層間絶縁膜３３の上縁に達するＡｕ膜３
５によってタングステン電極３２からのコンタクトを形
成することができる（図７（Ｂ）参照）。
Ｎ膜３２1 から層間絶縁膜３３の上縁に達するＡｕ膜３
５によってタングステン電極３２からのコンタクトを形
成することができる（図７（Ｂ）参照）。
【００２９】上記の実施例においては、Ａｕ薄膜を選択
成長する場合を説明したが、本発明の金属薄膜選択気相
成長方法はＰｔ等の選択成長にも適用される。Ｐｔの場
合、原料物質をＰｔ（ｈｆａｃ）2 もしくはＰｔがｈｆ
ａｃ基と結合した蒸気圧のある物質とし、非選択成長領
域に形成する金属薄膜をＣｕとすることができる。
成長する場合を説明したが、本発明の金属薄膜選択気相
成長方法はＰｔ等の選択成長にも適用される。Ｐｔの場
合、原料物質をＰｔ（ｈｆａｃ）2 もしくはＰｔがｈｆ
ａｃ基と結合した蒸気圧のある物質とし、非選択成長領
域に形成する金属薄膜をＣｕとすることができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の金属薄膜
選択気相成長方法によるとＡｕ等の他物質と反応し難い
金属を、従来の成長速度の２０倍に相当する６００Å／
ｍｉｎ程度の成長速度でサブミクロンオーダーの微細な
領域に成長させることができるため、半導体集積回路製
造技術分野等において寄与するところが大きい。
選択気相成長方法によるとＡｕ等の他物質と反応し難い
金属を、従来の成長速度の２０倍に相当する６００Å／
ｍｉｎ程度の成長速度でサブミクロンオーダーの微細な
領域に成長させることができるため、半導体集積回路製
造技術分野等において寄与するところが大きい。
【図１】本発明の金属薄膜選択気相成長の原理説明図で
あり、（Ａ）は高温成長、（Ｂ）は低温成長を示してい
る。
あり、（Ａ）は高温成長、（Ｂ）は低温成長を示してい
る。
【図２】本発明の一実施例の金属薄膜選択気相成長装置
の説明図である。
の説明図である。
【図３】原料物質ＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）の分子構造図で
ある。
ある。
【図４】本発明の一実施例の金属薄膜選択気相成長方法
によるＡｕの成長速度説明図である。
によるＡｕの成長速度説明図である。
【図５】本発明の一実施例の金属薄膜選択気相成長方法
によってＡｕを基板上に選択成長したパターンの顕微鏡
写真であり、（Ａ），（Ｂ）は異なるパターンのＡｕ薄
膜を示している。
によってＡｕを基板上に選択成長したパターンの顕微鏡
写真であり、（Ａ），（Ｂ）は異なるパターンのＡｕ薄
膜を示している。
【図６】本発明の一実施例の金属薄膜選択気相成長方法
をＸ線露光用マスクに適用した場合の説明図である。
をＸ線露光用マスクに適用した場合の説明図である。
【図７】本発明の金属薄膜選択気相成長方法をコンタク
トホールに適用した場合の説明図であり、（Ａ），
（Ｂ）は各工程を示している。
トホールに適用した場合の説明図であり、（Ａ），
（Ｂ）は各工程を示している。
【図８】従来のＡｕ薄膜選択気相成長の説明図である。
１ 反応チャンバー ２ ヒーター ３ ヒーター用電極 ４ サセプター ５ ウェハー ６ 熱電対 ７ キャリヤーガス導入口 ８ バブラー ９ 原料物質 １０ 圧力計 １１ 可変コンダクタンスバルブ １２ 希釈ガス導入口 １３ 排気口 ２１ ＳｉＣ基板 ２２ Ｓｉ膜 ２３ ポリイミド膜 ２３1 開口 ２４ Ｃｕ薄膜 ２５ Ａｕ膜 ３１ シリコン基板 ３２ タングステン電極 ３２1 ＴｉＮ膜 ３３ 層間絶縁膜 ３３1 コンタクトホール ３４ Ｃｕ薄膜 ３５ Ａｕ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の非選択成長領域を原料物質内の分
子基と結合しやすい物質で形成し、基板の選択成長領域
を原料物質内の分子基と結合し難い物質で形成すること
を特徴とする金属薄膜選択気相成長方法。 - 【請求項２】 選択成長領域を位置ポテンシャルが低い
領域とすることを特徴とする請求項１に記載された金属
薄膜選択気相成長方法。 - 【請求項３】 気相成長しようとする薄膜をＡｕとし、
原料物質をＤＭＡｕ（ｈｆａｃ）とし、非選択成長領域
をＣｕとすることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載された金属薄膜選択気相成長方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6035159A JPH07224385A (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 金属薄膜選択気相成長方法 |
| US08/350,036 US5589425A (en) | 1994-02-09 | 1994-11-29 | Process of selective area chemical vapor deposition of metal films |
| KR1019940031716A KR0139718B1 (ko) | 1994-02-09 | 1994-11-29 | 금속막 선택영역 기상성장방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6035159A JPH07224385A (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 金属薄膜選択気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07224385A true JPH07224385A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=12434104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6035159A Withdrawn JPH07224385A (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 金属薄膜選択気相成長方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5589425A (ja) |
| JP (1) | JPH07224385A (ja) |
| KR (1) | KR0139718B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6418699B1 (en) | 1991-05-28 | 2002-07-16 | Southpac Trust Int'l. Inc. | Sticky element and materials and methods |
| DE19703205A1 (de) * | 1997-01-29 | 1998-07-30 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen einer edelmetallhaltigen Struktur auf einer Unterlage und Halbleiterbauelement mit einer solchen edelmetallhaltigen Struktur |
| US5846615A (en) * | 1997-02-28 | 1998-12-08 | The Whitaker Corporation | Direct deposition of a gold layer |
| US6120846A (en) * | 1997-12-23 | 2000-09-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition |
| US6245655B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-06-12 | Cvc Products, Inc. | Method for planarized deposition of a material |
| DE10063717C1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-02-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten durch Chemical Vapor Deposition |
| KR100396891B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2003-09-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| US6787460B2 (en) * | 2002-01-14 | 2004-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming metal layers in integrated circuit devices using selective deposition on edges of recesses and conductive contacts so formed |
| KR100455382B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 다마신 구조를 가지는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888204A (en) * | 1988-09-12 | 1989-12-19 | Hughes Aircraft Company | Photochemical deposition of high purity gold films |
| KR940002439B1 (ko) * | 1990-03-09 | 1994-03-24 | 니뽄 덴신 덴와 가부시끼가이샤 | 금속 박막 성장방법 및 장치 |
-
1994
- 1994-02-09 JP JP6035159A patent/JPH07224385A/ja not_active Withdrawn
- 1994-11-29 US US08/350,036 patent/US5589425A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-29 KR KR1019940031716A patent/KR0139718B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950025882A (ko) | 1995-09-18 |
| US5589425A (en) | 1996-12-31 |
| KR0139718B1 (ko) | 1998-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0174543B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 상에 텅스텐 층을 증착시키는 방법 | |
| US4617087A (en) | Method for differential selective deposition of metal for fabricating metal contacts in integrated semiconductor circuits | |
| US6472309B1 (en) | In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications | |
| KR910019113A (ko) | 집적 공정 시스템에서 티타늄과 질소함유 가스의 반응에 의해 반도체 웨이퍼상에 질화티타늄을 형성시키는 방법 | |
| KR920018852A (ko) | 저항 및 결함밀도가 낮은 텅스텐 접점을 실리콘 반도체 웨이퍼에 형성하기 위한 방법 | |
| JPH0548935B2 (ja) | ||
| JPH07224385A (ja) | 金属薄膜選択気相成長方法 | |
| JPH07249618A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0376220A (ja) | 化学気相成長装置及び化学気相成長法 | |
| JPS60145376A (ja) | タングステンシリサイド膜の成長方法 | |
| KR930005947B1 (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| JP3287042B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3080809B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3189767B2 (ja) | 銅配線の製造方法 | |
| JPS6235539A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07110992B2 (ja) | 選択気相成長方法 | |
| JP2677230B2 (ja) | ＴｉＮ膜の形成方法 | |
| JPS6376876A (ja) | 気相成長法 | |
| JPH07321108A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06132281A (ja) | 酸化シリコン膜の製造方法 | |
| JPH05291240A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6233768A (ja) | タングステン膜の選択成長方法 | |
| JPH04278533A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04369218A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05102081A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |