JP2521230B2 - 半導体装置用ヒ―トシンク及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用ヒ―トシンク及びその製造方法Info
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- JP2521230B2 JP2521230B2 JP5194146A JP19414693A JP2521230B2 JP 2521230 B2 JP2521230 B2 JP 2521230B2 JP 5194146 A JP5194146 A JP 5194146A JP 19414693 A JP19414693 A JP 19414693A JP 2521230 B2 JP2521230 B2 JP 2521230B2
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- dimple
- semiconductor device
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- strip plate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導
体装置を搭載する放熱用のヒートシンクを製造する方法
の改良に関するものである。
体装置を搭載する放熱用のヒートシンクを製造する方法
の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は、図６に示すよう
に、ヒートシンク１の周縁部をリード２に接着剤３で接
着し、半導体Ｓを載せて接着剤４で接着し、ボンディン
グワイヤＷで接続した後、樹脂５で封止している。接着
剤３，４は導電性が異なっている。ヒートシンク１は、
図７に示すように、所要の寸法形状にした後に放熱用の
ディンプル６が形成される。このディンプル６は、プレ
スあるいはエッチング加工により形成され、図８に示す
ように円錐形状あるいは半球状を成す。
に、ヒートシンク１の周縁部をリード２に接着剤３で接
着し、半導体Ｓを載せて接着剤４で接着し、ボンディン
グワイヤＷで接続した後、樹脂５で封止している。接着
剤３，４は導電性が異なっている。ヒートシンク１は、
図７に示すように、所要の寸法形状にした後に放熱用の
ディンプル６が形成される。このディンプル６は、プレ
スあるいはエッチング加工により形成され、図８に示す
ように円錐形状あるいは半球状を成す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のヒートシン
ク１は、装置の組立前にディンプル加工が一つずつ個別
的に施されるので、作業が煩雑で容易でないし、量産に
適さず、全体としての製造効率が悪い。また、プレス加
工で反りが生じて半導体やリードとの接合性が悪くなっ
たり、延びによる寸法誤差が生じてしまう。さらに、デ
ィンプルによる封止樹脂の食い付きが十分でないという
問題がある。従って、本発明は、量産が可能で、反りや
延びがなく、封止樹脂の食い付きが良好なヒートシンク
を提供することを課題としている。
ク１は、装置の組立前にディンプル加工が一つずつ個別
的に施されるので、作業が煩雑で容易でないし、量産に
適さず、全体としての製造効率が悪い。また、プレス加
工で反りが生じて半導体やリードとの接合性が悪くなっ
たり、延びによる寸法誤差が生じてしまう。さらに、デ
ィンプルによる封止樹脂の食い付きが十分でないという
問題がある。従って、本発明は、量産が可能で、反りや
延びがなく、封止樹脂の食い付きが良好なヒートシンク
を提供することを課題としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明においては、半導体Ｓを搭載し、周縁部をリ
ード１２に接着し、かつ下面に放熱用のディンプル１７
を有するヒートシンク１１において、ディンプル１７の
開放部を内側の径より狭く形成して半導体装置用ヒート
シンクを構成した。また、この半導体装置用ヒートシン
ク１１は、長尺帯板材１６にロール加工又は叩き加工に
よりディンプル１７を形成し、この長尺帯板材１６から
複数分離する製造方法を採用した。さらに、半導体装置
用ヒートシンク１１は、長尺帯板材１６にロール加工又
は叩き加工によりディンプル１７を形成した後、ロール
で圧延してディンプル１７の開放部を内側より狭める製
造方法を採用した。
め、本発明においては、半導体Ｓを搭載し、周縁部をリ
ード１２に接着し、かつ下面に放熱用のディンプル１７
を有するヒートシンク１１において、ディンプル１７の
開放部を内側の径より狭く形成して半導体装置用ヒート
シンクを構成した。また、この半導体装置用ヒートシン
ク１１は、長尺帯板材１６にロール加工又は叩き加工に
よりディンプル１７を形成し、この長尺帯板材１６から
複数分離する製造方法を採用した。さらに、半導体装置
用ヒートシンク１１は、長尺帯板材１６にロール加工又
は叩き加工によりディンプル１７を形成した後、ロール
で圧延してディンプル１７の開放部を内側より狭める製
造方法を採用した。
【０００５】
【作用】本発明のヒートシンク１１は、長尺帯板材１６
にディンプル１７を形成するために、先ず、ロール加工
又は叩き加工を行う。そして、この長尺帯板材１６から
複数のヒートシンク１１を分離する。ヒートシンク１１
は長尺帯板材１６から連続的に複数形成されるので、量
産が可能である。また、ヒートシンク１１には長尺帯板
材１６から分離された後に延びや反りが生じることがな
い。また、ロール加工又は叩き加工後にロールＲ2で圧
延してディンプル１７の開放部を内側より狭めれば、放
熱効果が高まるし、ヒートシンク１１を樹脂封止したと
きの樹脂の食い付きが良好になる。
にディンプル１７を形成するために、先ず、ロール加工
又は叩き加工を行う。そして、この長尺帯板材１６から
複数のヒートシンク１１を分離する。ヒートシンク１１
は長尺帯板材１６から連続的に複数形成されるので、量
産が可能である。また、ヒートシンク１１には長尺帯板
材１６から分離された後に延びや反りが生じることがな
い。また、ロール加工又は叩き加工後にロールＲ2で圧
延してディンプル１７の開放部を内側より狭めれば、放
熱効果が高まるし、ヒートシンク１１を樹脂封止したと
きの樹脂の食い付きが良好になる。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を図面について説明する。図
１は半導体装置の縦断面図、図２はヒートシンクの一部
拡大断面図、図３はディンプル加工の概略的説明図、図
４はディンプル加工後の長尺帯板材の平面図、図５はデ
ィンプル加工後の長尺帯板材の一部拡大断面図である。
図１において、１１は半導体Ｓを載せるヒートシンクで
ある。半導体Ｓは接着剤１３でヒートシンク１１に接着
される。ヒートシンク１１の周縁部は接着剤１４でリー
ド１２に接着される。接着剤１３，１４は従来同様導電
性が異なる。リード１２はボンディングワイヤＷで半導
体Ｓと接続される。半導体Ｓ、ヒートシンク１１、リー
ド１２の内側端部は樹脂１５で封止される。
１は半導体装置の縦断面図、図２はヒートシンクの一部
拡大断面図、図３はディンプル加工の概略的説明図、図
４はディンプル加工後の長尺帯板材の平面図、図５はデ
ィンプル加工後の長尺帯板材の一部拡大断面図である。
図１において、１１は半導体Ｓを載せるヒートシンクで
ある。半導体Ｓは接着剤１３でヒートシンク１１に接着
される。ヒートシンク１１の周縁部は接着剤１４でリー
ド１２に接着される。接着剤１３，１４は従来同様導電
性が異なる。リード１２はボンディングワイヤＷで半導
体Ｓと接続される。半導体Ｓ、ヒートシンク１１、リー
ド１２の内側端部は樹脂１５で封止される。
【０００７】この半導体装置のヒートシンク１１は、図
３に示すように、所要の基本的形状の素材である長尺帯
板材１６を第１ロールＲ1に通すことにより、図４，図
５（Ａ）に示すように、片面にディンプル１７を形成す
る。次に、第２ロールＲ2によって圧延して、図５
（Ｂ）に示すように、ディンプル１７の開口縁部を水平
に押し出して開口を内部の径より狭める。そして、長尺
帯板材１６からリード１２に接着するのに必要な寸法形
状の複数のヒートシンク１１を分離する。
３に示すように、所要の基本的形状の素材である長尺帯
板材１６を第１ロールＲ1に通すことにより、図４，図
５（Ａ）に示すように、片面にディンプル１７を形成す
る。次に、第２ロールＲ2によって圧延して、図５
（Ｂ）に示すように、ディンプル１７の開口縁部を水平
に押し出して開口を内部の径より狭める。そして、長尺
帯板材１６からリード１２に接着するのに必要な寸法形
状の複数のヒートシンク１１を分離する。
【０００８】ヒートシンク１１は、長尺帯板材１６から
連続的に複数形成されるので、量産が可能である。ま
た、ヒートシンク１１には長尺帯板材１６から分離され
た後に延びや反りが生じることがないし、長尺帯板材１
６の状態で熱処理等を施すこともできる。ディンプル１
７の開放部は内側より狭まいので、放熱効果が高まる
し、ヒートシンク１１を樹脂封止したときの樹脂１５の
食い付きが良好になる。ディンプル１７を形成するとき
にロールＲ1，Ｒ2を通し、さらに平坦出しのローラやベ
ラーをかけることにより平坦になる。さらに、ディンプ
ル１７は、開放部が内側より狭まるので、放熱効果が高
まるし、封止樹脂１５の食い付きが良好になる。
連続的に複数形成されるので、量産が可能である。ま
た、ヒートシンク１１には長尺帯板材１６から分離され
た後に延びや反りが生じることがないし、長尺帯板材１
６の状態で熱処理等を施すこともできる。ディンプル１
７の開放部は内側より狭まいので、放熱効果が高まる
し、ヒートシンク１１を樹脂封止したときの樹脂１５の
食い付きが良好になる。ディンプル１７を形成するとき
にロールＲ1，Ｒ2を通し、さらに平坦出しのローラやベ
ラーをかけることにより平坦になる。さらに、ディンプ
ル１７は、開放部が内側より狭まるので、放熱効果が高
まるし、封止樹脂１５の食い付きが良好になる。
【０００９】なお、上記実施例では、長尺帯板材１６へ
のディンプル１７の形成工程で第１ロールＲ1を用いた
が、これに代えて叩き加工によってディンプル１６を形
成しても同様の作用を行う。
のディンプル１７の形成工程で第１ロールＲ1を用いた
が、これに代えて叩き加工によってディンプル１６を形
成しても同様の作用を行う。
【００１０】
【発明の効果】以上のように、本発明は、半導体Ｓを搭
載し、周縁部をリード１２に接着し、かつ下面に放熱用
のディンプル１７を有するヒートシンク１１において、
ディンプル１７の開放部を内側の径より狭く形成して半
導体装置用ヒートシンクを構成し、またこの半導体装置
用ヒートシンク１１は、長尺帯板材１６にロール加工又
は叩き加工によりディンプル１７を形成し、この長尺帯
板材１５から複数分離する製造方法を採用し、さらに、
半導体装置用ヒートシンク１１は、長尺帯板材１６にロ
ール加工又は叩き加工によりディンプル１７を形成した
後、ロールで圧延してディンプル１７の開放部を内側よ
り狭める製造方法を採用したため、長尺帯板材１６から
多数のヒートシンク１１を形成することができるので、
大量、安価に提供することができるし、ヒートシンク１
１の形成後に反りや延びが生じないので、半導体やリー
ドとの良好な接着性を得ることができ、しかも封止樹脂
の食い付きを向上させることができるという効果を有す
る。
載し、周縁部をリード１２に接着し、かつ下面に放熱用
のディンプル１７を有するヒートシンク１１において、
ディンプル１７の開放部を内側の径より狭く形成して半
導体装置用ヒートシンクを構成し、またこの半導体装置
用ヒートシンク１１は、長尺帯板材１６にロール加工又
は叩き加工によりディンプル１７を形成し、この長尺帯
板材１５から複数分離する製造方法を採用し、さらに、
半導体装置用ヒートシンク１１は、長尺帯板材１６にロ
ール加工又は叩き加工によりディンプル１７を形成した
後、ロールで圧延してディンプル１７の開放部を内側よ
り狭める製造方法を採用したため、長尺帯板材１６から
多数のヒートシンク１１を形成することができるので、
大量、安価に提供することができるし、ヒートシンク１
１の形成後に反りや延びが生じないので、半導体やリー
ドとの良好な接着性を得ることができ、しかも封止樹脂
の食い付きを向上させることができるという効果を有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の縦断面図である。
【図２】ヒートシンクの一部拡大断面図である。
【図３】ディンプル加工の概略的説明図である。
【図４】ディンプル加工後の長尺帯板材の平面図であ
る。
る。
【図５】ディンプル加工後の長尺帯板材の一部拡大断面
図である。
図である。
【図６】従来の半導体装置の縦断面図である。
【図７】従来のヒートシンクの平面図である。
【図８】従来のヒートシンクの一部拡大断面図である。
１１ ヒートシンク １２ リード １３ 接着剤 １４ 樹脂 １５ 長尺帯板材 １６ ディンプル Ｓ 半導体
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体を搭載し、周縁部をリードフレー
ムに接着し、かつ下面に放熱用のディンプルを有するヒ
ートシンクにおいて、 前記ディンプルの開放部が、内側の径より狭いことを特
徴とする半導体装置用ヒートシンク。 - 【請求項２】 半導体装置を搭載し、周縁部をリードフ
レームに接着し、かつ下面に放熱用のディンプルを有す
るヒートシンクの製造方法において、 長尺帯板材にロール加工又は叩き加工により前記ディン
プルを形成し、この長尺帯板材からヒートシンクを複数
分離することを特徴とする半導体装置用ヒートシンクの
製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のヒートシンクの製造方
法において、 長尺帯板材にロール加工又は叩き加工により前記ディン
プルを形成した後、ロールで圧延してディンプルの開放
部を内側より狭め、次いでこの長尺帯板材からヒートシ
ンクを複数分離することを特徴とする半導体装置用ヒー
トシンクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5194146A JP2521230B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 半導体装置用ヒ―トシンク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5194146A JP2521230B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 半導体装置用ヒ―トシンク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730021A JPH0730021A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2521230B2 true JP2521230B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=16319684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5194146A Expired - Lifetime JP2521230B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 半導体装置用ヒ―トシンク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2521230B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211761A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH02125454A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-14 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0575006A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP5194146A patent/JP2521230B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211761A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH02125454A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-14 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0575006A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0730021A (ja) | 1995-01-31 |
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