JP2511477Y2 - 半導体レ―ザ装置 - Google Patents
半導体レ―ザ装置Info
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- JP2511477Y2 JP2511477Y2 JP1989029956U JP2995689U JP2511477Y2 JP 2511477 Y2 JP2511477 Y2 JP 2511477Y2 JP 1989029956 U JP1989029956 U JP 1989029956U JP 2995689 U JP2995689 U JP 2995689U JP 2511477 Y2 JP2511477 Y2 JP 2511477Y2
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- Japan
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- semiconductor laser
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- diffraction grating
- stem
- light
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Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
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Description
【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案は光情報機器等に用いられる半導体レーザ装置
に関する。
に関する。
(ロ)従来の技術 近年、CD、VD等光ディスクの情報読取用光源として半
導体レーザ装置が多く用いられている。
導体レーザ装置が多く用いられている。
第2図は従来の半導体レーザ装置を示し、例えば実開
昭58−58368号公報に開示されている。
昭58−58368号公報に開示されている。
図において、(1)はステム、(2)はステム(1)
に固着されたブロック、(3)はブロック(2)に固着
されたヒートシンク等のサブマウント、(4)はサブマ
ウント(3)に載置固着された半導体レーザ素子、
(5)(5)は半導体レーザ素子(4)の給電路となる
リード端子で、図ではその接続を省略している。(6)
は半導体レーザ素子(4)を覆うように配置され、ステ
ムに固着されたキャップで、半導体レーザ素子(4)か
ら出射されるレーザ光の進行方向に窓部(7)が設けら
れている。(11)は窓部(7)上に配され、キャップに
固着された透明な平板ガラスである。尚、本図におい
て、レーザ光のモニタ用受光素子及びその接続は省略し
ている。
に固着されたブロック、(3)はブロック(2)に固着
されたヒートシンク等のサブマウント、(4)はサブマ
ウント(3)に載置固着された半導体レーザ素子、
(5)(5)は半導体レーザ素子(4)の給電路となる
リード端子で、図ではその接続を省略している。(6)
は半導体レーザ素子(4)を覆うように配置され、ステ
ムに固着されたキャップで、半導体レーザ素子(4)か
ら出射されるレーザ光の進行方向に窓部(7)が設けら
れている。(11)は窓部(7)上に配され、キャップに
固着された透明な平板ガラスである。尚、本図におい
て、レーザ光のモニタ用受光素子及びその接続は省略し
ている。
一方、光ディスクのピックアップには、信号読取方法
として、3本のビームを用いて、情報信号検出、フォー
カスエラー検出、トラッキングエラー検出を行う3ビー
ム法が多く採用されている。第3図は3ビーム法を用い
たピックアップの構成を示し、(12)は第2図に示す如
き従来の半導体レーザ装置、(13)は一主面上に回折格
子(14)が形成された回折格子板、(15)はコリメータ
レンズ、(16)はビームスプリッタ、(17)は対物レン
ズ、(18)は光情報が記録されている光ディスク、(1
9)は集光レンズ、(20)、(21)、(22)は光信号を
電気信号に変換する受光素子である。而して半導体レー
ザ装置(12)から出射されたレーザビームは回折格子
(14)によって0次光、+1次光、−1次光の3本のビ
ームに回折される。斯る3本のビームはコリメータレン
ズ(15)によって平行光となり、ビームスプリッタ(1
6)を透過し、対物レンズ(17)によって、夫々光ディ
スク(18)上に集光される。ここで0次光のビームは記
録信号の検出に用いられ、+1次光と−1次光の2本の
ビームがトラッキングエラー信号の検出に用いられる。
3本のビームは光ディスク(17)の記録面で回折し、各
信号情報を得て反射する。そして対物レンズ(17)を通
り、ビームスプリッタ(16)によって各ビームの一部が
受光素子(20)、(21)、(22)側に分岐される。分岐
された3つのビームは集光レンズ(19)で集光され、各
々対応する受光素子(20)、(21)、(22)に入射す
る。また、フォーカスエラーの検出は、集光レンズ(1
9)の後にシリンドリカルレンズを加え、記録信号の検
出に用いられた0次光を受光する受光素子(21)に4分
割受光素子を用いる非点収差法によって行われるが、図
では省略している。
として、3本のビームを用いて、情報信号検出、フォー
カスエラー検出、トラッキングエラー検出を行う3ビー
ム法が多く採用されている。第3図は3ビーム法を用い
たピックアップの構成を示し、(12)は第2図に示す如
き従来の半導体レーザ装置、(13)は一主面上に回折格
子(14)が形成された回折格子板、(15)はコリメータ
レンズ、(16)はビームスプリッタ、(17)は対物レン
ズ、(18)は光情報が記録されている光ディスク、(1
9)は集光レンズ、(20)、(21)、(22)は光信号を
電気信号に変換する受光素子である。而して半導体レー
ザ装置(12)から出射されたレーザビームは回折格子
(14)によって0次光、+1次光、−1次光の3本のビ
ームに回折される。斯る3本のビームはコリメータレン
ズ(15)によって平行光となり、ビームスプリッタ(1
6)を透過し、対物レンズ(17)によって、夫々光ディ
スク(18)上に集光される。ここで0次光のビームは記
録信号の検出に用いられ、+1次光と−1次光の2本の
ビームがトラッキングエラー信号の検出に用いられる。
3本のビームは光ディスク(17)の記録面で回折し、各
信号情報を得て反射する。そして対物レンズ(17)を通
り、ビームスプリッタ(16)によって各ビームの一部が
受光素子(20)、(21)、(22)側に分岐される。分岐
された3つのビームは集光レンズ(19)で集光され、各
々対応する受光素子(20)、(21)、(22)に入射す
る。また、フォーカスエラーの検出は、集光レンズ(1
9)の後にシリンドリカルレンズを加え、記録信号の検
出に用いられた0次光を受光する受光素子(21)に4分
割受光素子を用いる非点収差法によって行われるが、図
では省略している。
(ハ)考案が解決しようとする課題 しかるに、従来の光ピックアップでは回折格子におい
て回折格子面と半導体レーザ素子との距離及びレーザ光
の光軸に対する回折格子面の角度、更に、レーザ光のニ
アフィールドパターンに対する回折格子の縞の方向を夫
々調整する必要があり、組立ての際に煩雑なものとなっ
ていた。また、これらの調整のため、回折格子を回転、
移動可能なホルダーに取り付けた場合では、この調整用
のホルダーにより光ピックアップ全体が大型化するとい
った問題が生じる。
て回折格子面と半導体レーザ素子との距離及びレーザ光
の光軸に対する回折格子面の角度、更に、レーザ光のニ
アフィールドパターンに対する回折格子の縞の方向を夫
々調整する必要があり、組立ての際に煩雑なものとなっ
ていた。また、これらの調整のため、回折格子を回転、
移動可能なホルダーに取り付けた場合では、この調整用
のホルダーにより光ピックアップ全体が大型化するとい
った問題が生じる。
本考案は斯る煩雑な調整を容易に行える光ピックアッ
プ用の半導体レーザ装置を提供するものである。
プ用の半導体レーザ装置を提供するものである。
(ニ)課題を解決するための手段 本考案装置は、ステムと、該ステム上に取り付けられ
た半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の光を取り
出す窓部に回折格子を有し、当該半導体レーザ素子を覆
ってステムに載置固着されたキャップと、を具備した半
導体レーザ装置であって、上記キャップと上記回折格子
が樹脂により一体成型され、上記ステムと上記キャップ
が位置合わせ用の印を有することを特徴とする。
た半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の光を取り
出す窓部に回折格子を有し、当該半導体レーザ素子を覆
ってステムに載置固着されたキャップと、を具備した半
導体レーザ装置であって、上記キャップと上記回折格子
が樹脂により一体成型され、上記ステムと上記キャップ
が位置合わせ用の印を有することを特徴とする。
(ホ)作用 本考案装置においては、キャップと回折格子が一体成
型されているので、光ピックアップの組立ての際の半導
体レーザ素子と回折格子の距離及び、レーザ光の光軸と
回折格子面との角度の調整を簡単に行える。
型されているので、光ピックアップの組立ての際の半導
体レーザ素子と回折格子の距離及び、レーザ光の光軸と
回折格子面との角度の調整を簡単に行える。
(ヘ)実施例 第1図は本考案半導体レーザ装置の一実施例を示し、
第2図と同じものには同番号を付し、説明を省略する。
第2図と同じものには同番号を付し、説明を省略する。
図において、(6′)は透明な合成樹脂製のキャップ
で、窓部(7)には回折格子(9)が一体成型されてい
る。斯るキャップ(6′)は、ステム(1)にUV光硬化
接着剤(10)を用いて固着される。この時、レーザ光の
ニアフィールドパターンに対する回折格子(9)の縞方
向の調整は組立ての際に位置合わせ用の印(図示せず)
を合わせることによって行うが、本実施例装置では、回
折格子(9)がキャップ(6′)に一体成型されている
ので、キャップ(6′)とステム(1)のみに印をつけ
ればよく、1回の調整だけで良い。
で、窓部(7)には回折格子(9)が一体成型されてい
る。斯るキャップ(6′)は、ステム(1)にUV光硬化
接着剤(10)を用いて固着される。この時、レーザ光の
ニアフィールドパターンに対する回折格子(9)の縞方
向の調整は組立ての際に位置合わせ用の印(図示せず)
を合わせることによって行うが、本実施例装置では、回
折格子(9)がキャップ(6′)に一体成型されている
ので、キャップ(6′)とステム(1)のみに印をつけ
ればよく、1回の調整だけで良い。
本実施例では、半導体レーザ素子(4)と回折格子
(9)との距離及びレーザ光の光軸に対する回折格子
(9)面の角度が、キャップ(6′)の窓部(7)に回
折格子(9)が一体成型されていることにより夫々一義
的に決定されるので、これらの調整はキャップ(6′)
を予め所定の寸法に形成することにより容易に行うこと
ができる。ここで、キャップ(6′)は周知の加工、成
形技術によって精度良く形成できる。
(9)との距離及びレーザ光の光軸に対する回折格子
(9)面の角度が、キャップ(6′)の窓部(7)に回
折格子(9)が一体成型されていることにより夫々一義
的に決定されるので、これらの調整はキャップ(6′)
を予め所定の寸法に形成することにより容易に行うこと
ができる。ここで、キャップ(6′)は周知の加工、成
形技術によって精度良く形成できる。
また本実施例装置ではキャップ(6′)を透明な合成
樹脂で形成したが、装置内部での迷光を抑えるため、キ
ャップ(6′)の成型時に側壁のみに着色料を添加した
り、側壁の内面に接着剤を塗布しても良い。
樹脂で形成したが、装置内部での迷光を抑えるため、キ
ャップ(6′)の成型時に側壁のみに着色料を添加した
り、側壁の内面に接着剤を塗布しても良い。
(ト)考案の効果 本考案装置によれば、キャップと回折格子が一体成型
されているので、回折格子とキャップの位置合わせは不
要であり、よって、光ピックアップを組み立てる際に、
回折格子と半導体レーザ素子の位置及び角度の調整は、
キャップの寸法設定、及びキャップとステムに夫々有す
る位置合わせ用の印を合わせることによって容易に行う
ことができる。
されているので、回折格子とキャップの位置合わせは不
要であり、よって、光ピックアップを組み立てる際に、
回折格子と半導体レーザ素子の位置及び角度の調整は、
キャップの寸法設定、及びキャップとステムに夫々有す
る位置合わせ用の印を合わせることによって容易に行う
ことができる。
また、本考案装置では、回折格子と半導体レーザ素子
の位置及び角度を調整するホルダーが必要なくなるの
で、光ピックアップをより小型化することができる。
の位置及び角度を調整するホルダーが必要なくなるの
で、光ピックアップをより小型化することができる。
第1図は本考案装置の一実施例を示す断面図、 第2図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図、 第3図は3ビーム方式の光ピックアップを示す模式図で
ある。
ある。
Claims (1)
- 【請求項1】ステムと、該ステム上に取り付けられた半
導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の光を取り出す
窓部に回折格子を有し、当該半導体レーザ素子を覆って
ステムに載置固着されたキャップと、を具備した半導体
レーザ装置であって、上記キャップと上記回折格子が樹
脂により一体成型され、上記ステムと上記キャップが位
置合わせ用の印を有することを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989029956U JP2511477Y2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体レ―ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989029956U JP2511477Y2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体レ―ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02120857U JPH02120857U (ja) | 1990-09-28 |
| JP2511477Y2 true JP2511477Y2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=31254588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989029956U Expired - Lifetime JP2511477Y2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体レ―ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511477Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10126002A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Matsushita Electron Corp | 光伝送モジュール |
| JP2014149465A (ja) * | 2013-02-02 | 2014-08-21 | Konica Minolta Inc | 光学部品及びこれを備える光学装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092680A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-24 | Seiko Epson Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS60130663U (ja) * | 1984-02-09 | 1985-09-02 | 株式会社ニコン | 半導体レ−ザ−装置 |
| JPS60181715U (ja) * | 1985-04-12 | 1985-12-03 | 三菱電機株式会社 | 投光装置 |
| JPH07109921B2 (ja) * | 1988-06-14 | 1995-11-22 | シャープ株式会社 | 半導体レーザー装置 |
| JPH02165684A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1989029956U patent/JP2511477Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02120857U (ja) | 1990-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |