JPH07109921B2 - 半導体レーザー装置 - Google Patents
半導体レーザー装置Info
- Publication number
- JPH07109921B2 JPH07109921B2 JP63147169A JP14716988A JPH07109921B2 JP H07109921 B2 JPH07109921 B2 JP H07109921B2 JP 63147169 A JP63147169 A JP 63147169A JP 14716988 A JP14716988 A JP 14716988A JP H07109921 B2 JPH07109921 B2 JP H07109921B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- receiving element
- laser chip
- light receiving
- stem
- chip
- Prior art date
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- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、レーザーチップ、モニター用受光素子及び信
号読み取り用受光素子を１パッケージに内蔵した半導体
レーザー装置に係り、特にそのパッケージ構造に関する
ものである。
号読み取り用受光素子を１パッケージに内蔵した半導体
レーザー装置に係り、特にそのパッケージ構造に関する
ものである。
〈従来の技術〉 最近、光分割素子としてビームスプリッタの代わりにホ
ログラム素子を用い、１つのパッケージに、レーザーチ
ップ、モニター用受光素子及び信号読み取り用受光素子
を内蔵することが提案されている。
ログラム素子を用い、１つのパッケージに、レーザーチ
ップ、モニター用受光素子及び信号読み取り用受光素子
を内蔵することが提案されている。
第５図にその構成例を示す。１はステム、２はレーザー
チップ、３はモニター用受光素子、４は信号読み取り用
受光素子、５はキャップ（パッケージ）、６はキャップ
５上に接着剤等により直接取り付けられたホログラム素
子である。このレーザーユニットＡは、同図に示すよう
に、コリメートレンズ７、対物レンズ８及び図示しない
対物レンズの駆動用アクチュエータと組み合わせるだけ
で光ピックアップ装置を構成できる。
チップ、３はモニター用受光素子、４は信号読み取り用
受光素子、５はキャップ（パッケージ）、６はキャップ
５上に接着剤等により直接取り付けられたホログラム素
子である。このレーザーユニットＡは、同図に示すよう
に、コリメートレンズ７、対物レンズ８及び図示しない
対物レンズの駆動用アクチュエータと組み合わせるだけ
で光ピックアップ装置を構成できる。
すなわち、レーザーユニットＡのレーザーチップ２から
出射したビームはホログラム素子６を通過し、その０次
光がコリメートレンズ７、対物レンズ８を通過し、記録
坦体であるディスク９に入射する。そして、このディス
ク９の記録情報で変調を受けた反射ビームは、再び対物
レンズ８、コリメートレンズ７を通過し、ホログラム素
子６に入射する。ホログラム素子７ではその出射ビーム
のうち１次光を４分割、５分割タイプ等の信号読み取り
用受光素子４に入射させる。この信号読み取り用受光素
子４からの出力信号により、RF信号やサーボ信号用の誤
差信号が得られる。このように、従来のビームスプリッ
タを用いた光ピックアップ装置より、はるかにコンパク
トに容易に光ピックアップ装置を構成できる。
出射したビームはホログラム素子６を通過し、その０次
光がコリメートレンズ７、対物レンズ８を通過し、記録
坦体であるディスク９に入射する。そして、このディス
ク９の記録情報で変調を受けた反射ビームは、再び対物
レンズ８、コリメートレンズ７を通過し、ホログラム素
子６に入射する。ホログラム素子７ではその出射ビーム
のうち１次光を４分割、５分割タイプ等の信号読み取り
用受光素子４に入射させる。この信号読み取り用受光素
子４からの出力信号により、RF信号やサーボ信号用の誤
差信号が得られる。このように、従来のビームスプリッ
タを用いた光ピックアップ装置より、はるかにコンパク
トに容易に光ピックアップ装置を構成できる。
〈発明が解決しょうとする課題〉 ところで、信号読み取り用受光素子４を１パッケージに
内蔵する場合、該素子４は通常1mm×1.5mm程度と比較的
大きなものであり、かつこれら素子の内蔵により外部へ
のリードピンも８〜10本程度と多くなり、信号読み取り
用受光素子４の取付に工夫が必要である。信号読み取り
用受光素子４の内蔵で、パッケージが複雑になりコスト
アップとなり、さらに外形が大型化することは実用上好
ましいことではない。
内蔵する場合、該素子４は通常1mm×1.5mm程度と比較的
大きなものであり、かつこれら素子の内蔵により外部へ
のリードピンも８〜10本程度と多くなり、信号読み取り
用受光素子４の取付に工夫が必要である。信号読み取り
用受光素子４の内蔵で、パッケージが複雑になりコスト
アップとなり、さらに外形が大型化することは実用上好
ましいことではない。
本発明は上述のような点に鑑みなされたもので、小型で
容易に信号読み取り用受光素子を内蔵し得る半導体レー
ダー装置のパッケージ構造を提供することを目的とす
る。
容易に信号読み取り用受光素子を内蔵し得る半導体レー
ダー装置のパッケージ構造を提供することを目的とす
る。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために本発明は、レーザーチップ
と、該レーザーチップから出射され外部の記録担体で反
射された光を受光する信号読み取り用受光素子と、前記
レーザーチップの出力検知を行うモニター用受光素子と
が、ステムを基台としてキャップ内に１パッケージに内
蔵されるとともに、前記キャップ上には前記記録担体と
の間にホログラム素子が設けられ、且つ前記ステムの外
周縁内側の表裏を貫通する外部接続用のリードピンが前
記ステム外周に沿って円形状をなすよう複数設けられて
いる半導体レーザー装置において、前記レーザーチップ
及び前記信号読み取り用受光素子はそれぞれ、ステム上
に搭載された取付台の側面及び上面に各々ダイボンドさ
れ、前記モニター用受光素子は前記レーザーチップの下
方で前記ステム上に搭載されてなり、前記取付台には、
前記レーザーチップのチップダイボンド面から前方に曲
げて、前記チップダイボンド面の左右少なくとも一方向
に延びる、前記読み取り用受光素子のダイボンド領域拡
張用の延設部が設けられ、且つ、前記複数のリードピン
の内、前記レーザーチップダイボンド面に対向する箇所
のリードピンの高さを、他のリードピンよりも低くして
なることを特徴とする。
と、該レーザーチップから出射され外部の記録担体で反
射された光を受光する信号読み取り用受光素子と、前記
レーザーチップの出力検知を行うモニター用受光素子と
が、ステムを基台としてキャップ内に１パッケージに内
蔵されるとともに、前記キャップ上には前記記録担体と
の間にホログラム素子が設けられ、且つ前記ステムの外
周縁内側の表裏を貫通する外部接続用のリードピンが前
記ステム外周に沿って円形状をなすよう複数設けられて
いる半導体レーザー装置において、前記レーザーチップ
及び前記信号読み取り用受光素子はそれぞれ、ステム上
に搭載された取付台の側面及び上面に各々ダイボンドさ
れ、前記モニター用受光素子は前記レーザーチップの下
方で前記ステム上に搭載されてなり、前記取付台には、
前記レーザーチップのチップダイボンド面から前方に曲
げて、前記チップダイボンド面の左右少なくとも一方向
に延びる、前記読み取り用受光素子のダイボンド領域拡
張用の延設部が設けられ、且つ、前記複数のリードピン
の内、前記レーザーチップダイボンド面に対向する箇所
のリードピンの高さを、他のリードピンよりも低くして
なることを特徴とする。
〈作用〉 この種の半導体レーザー装置は、光学的システム上レー
ザーチップをパッケージの中心部に配置することが必要
である。上記構成により、レーザーチップはパッケージ
の中心部に配置するすることが容易である。また、延設
部を含む取付台は多数のリードピンを避けて広い面積が
得られ、ホログラム素子の設置状態に従い、取付台上面
の任意位置に信号読み取り用受光素子を取り付けること
ができるので、種々の記録担体に対して１つの取付台で
対応できる。
ザーチップをパッケージの中心部に配置することが必要
である。上記構成により、レーザーチップはパッケージ
の中心部に配置するすることが容易である。また、延設
部を含む取付台は多数のリードピンを避けて広い面積が
得られ、ホログラム素子の設置状態に従い、取付台上面
の任意位置に信号読み取り用受光素子を取り付けること
ができるので、種々の記録担体に対して１つの取付台で
対応できる。
さらに、複数のリードピンの内、レーザーチップダイボ
ンド面に対向する箇所のリードピンの高さを、他のリー
ドピンよりも低くしているので、レーザーチップをダイ
ボンドする際の作業性が向上する。同時に、従来であれ
ば、コレットがリードピンにあたることを避けるために
はレーザーチップとリードピン間に余裕を持たせる必要
があり、この結果ステム全体が大型化してしまうという
問題があったが、本願発明によればこの問題もなく、小
型の半導体レーザー装置を実現できる。
ンド面に対向する箇所のリードピンの高さを、他のリー
ドピンよりも低くしているので、レーザーチップをダイ
ボンドする際の作業性が向上する。同時に、従来であれ
ば、コレットがリードピンにあたることを避けるために
はレーザーチップとリードピン間に余裕を持たせる必要
があり、この結果ステム全体が大型化してしまうという
問題があったが、本願発明によればこの問題もなく、小
型の半導体レーザー装置を実現できる。
〈実施例〉 以下図面に従って本発明の一実施例を説明する。
第１図（Ａ）（Ｂ）、第２図は一実施例を示す要部斜視
図である。１はステム、２はレーザーチップで、取付台
11側面の垂直な１面11aをこのチップ２のダイボンド面
としている。また取付台11はチップ２のダイボンド面11
aから前方に曲げて、ダイボンド面11aの左右少なくとも
一方向に延びる延設部11′が設けられる。この延設部1
1′を含む取付台11の上面11bが、信号読み取り用受光素
子４を取り付けるためのダイボンド面となる。
図である。１はステム、２はレーザーチップで、取付台
11側面の垂直な１面11aをこのチップ２のダイボンド面
としている。また取付台11はチップ２のダイボンド面11
aから前方に曲げて、ダイボンド面11aの左右少なくとも
一方向に延びる延設部11′が設けられる。この延設部1
1′を含む取付台11の上面11bが、信号読み取り用受光素
子４を取り付けるためのダイボンド面となる。
本例によれば図示のように、取付台11の上面11bは、パ
ッケージを大きくすることなしにリードピン12を避けて
その面積を大きく取ることができ、ホログラム素子６
（後述する）の設置状態に従い、第１図（Ａ）又は同図
（Ｂ）、さらには図示しないがチップ２のダイボンド面
後方部上面等、それぞれの場合に適した任意位置に信号
読み取り用受光素子４をダイボンドすることができる。
ッケージを大きくすることなしにリードピン12を避けて
その面積を大きく取ることができ、ホログラム素子６
（後述する）の設置状態に従い、第１図（Ａ）又は同図
（Ｂ）、さらには図示しないがチップ２のダイボンド面
後方部上面等、それぞれの場合に適した任意位置に信号
読み取り用受光素子４をダイボンドすることができる。
また、レーザーチップ２のダイボンド面11aに対応して
その前方に配置されるリードピン12′の高さは、他のも
のよりを低く形成されている。一般にリードピン12は、
取付台11の信号読み取り用受光素子４の高さに合わせて
形成されるのが普通である。しかし、リードピン12′も
他のものと同様の高さであれば、レーザーチップ２をダ
イボンドするときコレットがリードピン12′に当たり作
業性を悪くする。上記はこれを改善するものであり、レ
ーザーチップ２のダイボンドが何等支障なく行える。
その前方に配置されるリードピン12′の高さは、他のも
のよりを低く形成されている。一般にリードピン12は、
取付台11の信号読み取り用受光素子４の高さに合わせて
形成されるのが普通である。しかし、リードピン12′も
他のものと同様の高さであれば、レーザーチップ２をダ
イボンドするときコレットがリードピン12′に当たり作
業性を悪くする。上記はこれを改善するものであり、レ
ーザーチップ２のダイボンドが何等支障なく行える。
第３図は各チップ又は素子をダイボンドしこれらにワイ
ヤー配線を行った後の状態、第４図はさらにキャップに
よるパッケージを施した後の状態をそれぞれ示す斜視図
である。13はレーザーチップ2,モニター用受光素子3,信
号読み取り用受光素子４と各リードピン12（12′も含
む）の配線を行うワイヤー線、また、５は各チップ又は
素子を内蔵するキャップで、従前のレーザーチップとモ
ニター用受光素子を内蔵する半導体パッケージと同様に
ステム１に取り付けられるものである。６はキャップ５
は上に接着剤等により直接取り付けられたホログラム素
子である。
ヤー配線を行った後の状態、第４図はさらにキャップに
よるパッケージを施した後の状態をそれぞれ示す斜視図
である。13はレーザーチップ2,モニター用受光素子3,信
号読み取り用受光素子４と各リードピン12（12′も含
む）の配線を行うワイヤー線、また、５は各チップ又は
素子を内蔵するキャップで、従前のレーザーチップとモ
ニター用受光素子を内蔵する半導体パッケージと同様に
ステム１に取り付けられるものである。６はキャップ５
は上に接着剤等により直接取り付けられたホログラム素
子である。
なお、ここではホログラム素子６をキャップ５に一体化
して取り付けているが、この一体化は必ずしも必要でな
い。
して取り付けているが、この一体化は必ずしも必要でな
い。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、信号読み取り用受光素を
も内蔵する半導体レーザー装置において、小型でかつ信
号読み取り用受光素子を任意位置に配置できる等の利点
があり、ホログラム素子とともに光学的システムを構成
する場合などにおいて非常に有用な半導体レーザー装置
が提供できる。
も内蔵する半導体レーザー装置において、小型でかつ信
号読み取り用受光素子を任意位置に配置できる等の利点
があり、ホログラム素子とともに光学的システムを構成
する場合などにおいて非常に有用な半導体レーザー装置
が提供できる。
第１図（ａ）（ｂ）及び第２図は本発明の一実施例を示
す要部斜視図、第３図は第１図のダイボンド，ワイヤー
配線後の状態を示す斜視図、第４図はパッケージ後の状
態を示す斜視図、第５図はピックアップとしての構成例
を示す断面図である。 ２……レーザーチップ、３……モニター用受光素子、４
……信号読み取り用受光素子、５……キャップ、６……
ホログラム素子、11……取付台、11′……延設部、11a
……レーザーチップダイボンド面、11b……信号読み取
り用受光素子ダイボンド面。
す要部斜視図、第３図は第１図のダイボンド，ワイヤー
配線後の状態を示す斜視図、第４図はパッケージ後の状
態を示す斜視図、第５図はピックアップとしての構成例
を示す断面図である。 ２……レーザーチップ、３……モニター用受光素子、４
……信号読み取り用受光素子、５……キャップ、６……
ホログラム素子、11……取付台、11′……延設部、11a
……レーザーチップダイボンド面、11b……信号読み取
り用受光素子ダイボンド面。
Claims (1)
- 【請求項１】レーザーチップと、該レーザーチップから
出射され外部の記録担体で反射された光を受光する信号
読み取り用受光素子と、前記レーザーチップの出力検知
を行うモニター用受光素子とが、ステムを基台としてキ
ャップ内に１パッケージに内蔵されるとともに、前記キ
ャップ上には前記記録担体との間にホログラム素子が設
けられ、且つ前記ステムの外周縁内側の表裏を貫通する
外部接続用のリードピンが前記ステム外周に沿って円形
状をなすよう複数設けられている半導体レーザー装置に
おいて、 前記レーザーチップ及び前記信号読み取り用受光素子は
それぞれ、ステム上に搭載された取付台の側面及び上面
に各々ダイボンドされ、前記モニター用受光素子は前記
レーザーチップの下方で前記ステム上に搭載されてな
り、前記取付台には、前記レーザーチップのチップダイ
ボンド面から前方に曲げて、前記チップダイボンド面の
左右少なくとも一方向に延びる、前記読み取り用受光素
子のダイボンド領域拡張用の延設部が設けられ、且つ、
前記複数のリードピンの内、前記レーザーチップダイボ
ンド面に対向する箇所のリードピンの高さを、他のリー
ドピンよりも低くしてなることを特徴とする半導体レー
ザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147169A JPH07109921B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147169A JPH07109921B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 半導体レーザー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313986A JPH01313986A (ja) | 1989-12-19 |
| JPH07109921B2 true JPH07109921B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=15424145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63147169A Expired - Fee Related JPH07109921B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109921B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2511477Y2 (ja) * | 1989-03-15 | 1996-09-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体レ―ザ装置 |
| JP2018139238A (ja) * | 2015-07-16 | 2018-09-06 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源モジュール |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170091A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS60106039A (ja) * | 1984-09-28 | 1985-06-11 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
| US4757197A (en) * | 1986-05-01 | 1988-07-12 | Lee Wai Hon | Semiconductor laser and detector device |
| JPS6384184A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63178372A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Nec Corp | 多面体形状作成装置 |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP63147169A patent/JPH07109921B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01313986A (ja) | 1989-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |