JP2505571B2 - 記憶装置の診断方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術（第４図〜第５図） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（第１図） 作用（第１図） 実施例（第２図〜第３図） 発明の効果 〔概要〕 記憶装置の診断方法に関し， 従来のような内蔵テスタを用いることなく，簡単な構
成で記憶装置の診断が行えるようにすることを目的と
し，ダイナミック型RAMから成る記憶装置の診断を行う
記憶装置の診断方法において、前記記憶装置に対するリ
フレッシュをパイプライン処理で行うリフレッシュパイ
プラインと、前記リフレッシュパイプラインの出力側、
及び前記記憶装置に対しリード／ライトを行うためのリ
ード／ライト信号が伝送される外部信号ライン側の切り
替えを行うセレクタと、前記セレクタに対するセレクト
信号を生成するセレクト信号生成部と、前記セレクタの
出力側に接続され、前記記憶装置に対するリード／ライ
トをパイプライン処理で行うリード／ライトパイプライ
ンとを備え、 前記記憶装置の診断時には、セレクト信号生成部で生
成したセレクト信号により、セレクタをリフレッシュパ
イプラインの出力側が選択されるように切り替えて、リ
フレッシュパイプラインとリード／ライトパイプライン
とを接続し、リフレッシュ終了時にリフレッシュパイプ
ラインから出力される信号をリード／ライト信号と見な
して、リード／ライトパイプラインへ起動をかけること
により診断を行うように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は記憶装置の診断方法に関し，更に詳しくいえ
ば，半導体記憶装置，例えばＤ−RAM（ダイナミック型R
AM）を使用した記憶装置に利用され，特に，構成の簡単
化を図った記憶装置の診断方法に関する。

〔従来の技術〕

第４図は，従来のＤ−RAMを用いた記憶装置の診断方
式のブロック図であり，第５図はそのタイミングチャー
トである。

図において,1は記憶装置に対するリフレッシュをパイ
プライン処理で行うリフレッシュパイプライン,2は内蔵
テスタ（診断回路）,4,7はAND,5,8はＤ−FF,9はセレク
タ,10は記憶装置に対するリード／ライトをパイプライ
ン処理で行うリード／ライトパイプラインである。

内蔵テスタ２には,SR型（セット，リセット型）フリ
ップフロップ3,6,D−FF5,AND4を設ける。

また，リフレッシュパイプライン１には，例えば７個
のフリップフロップFF1〜FF7が設けられており，最後段
のFF7はリフレッシュ終了時に第５図（ト）のようなハ
イレベル信号「１」を出す。

通常のリードまたはライト時には，セレクタ９はMCU
（メモリ制御装置）からのR/W−GO信号が出力されるよ
うに切り替えられており，前記信号をR/W（リード／ラ
イト）パイプライン10へ送り，リード，またはライトが
行われる。

次に，記憶装置（Ｄ−RAM）の診断をするには次のよ
うにする。

先ず,SVP（サービスプロセッサ）よりテストモード信
号をセレクタ９に送り，テスト側に切り替える（MCUか
らのR/W−GOを断として，テスト側にする）。

次に,SVPより,R/W−GO（リード／ライト，ゴー）を内
蔵テスタ２へ送り，タイミングを作ってセレクタ９へ送
れば，セレクタ９はテスト側に切り替わっているから,R
/W−GO信号はそのままリード／ライトパイプライン10へ
送られて処理される。

この時，メモリとしてＤ−RAMを使っている場合は，
一定時間毎にリフレッシュをしなければならない。この
ため，リフレッシュが行われている時は,D−RAMに対し
てリードまたはライトは行うことができない。

したがって,SVPから内蔵テスタ２へR/W−GOを送った
時,D−RAMに対してリフレッシュを行っていなければ，
そのままR/W−GOをリード／ライトパイプライン10へ送
ってリード／ライトが行われるが，もし，リフレッシュ
中であれば，内蔵テスタ２でタイミングをとり，リフレ
ッシュ終了後にリード／ライトを行う。

今，第５図（ロ）のようにリフレッシュゴー（REF−G
O）が来た場合，（ハ）のように，リフレッシュビジイ
（REF−BUSY）という信号を出し，リフレッシュを行う
ために必要な時間を確保し，その時間内に（イ）に示す
Ｄ−RAMへのリード／ライトゴー（R/W−GO）が来た場合
は，リフレッシュパイプライン１と内蔵テスタ２を用い
てリフレッシュビジイ終了後，（ハ）のようにリード／
ライトを行うタイミングをとり，リード／ライトパイプ
ライン10へ送り出してリード／ライトを行う。

しかし，（イ）のR/W−GOが来た時，ビジーでなけれ
ば（ホ）のようにタイミングをとることなくリード／ラ
イトパイプライン10へ送出して起動をかける。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような従来のものにおいては次のような欠点が
あった。

すなわち，テストを行うためにリード／ライトを行う
には，リード／ライトを行うタイミングを作る必要があ
り，このために内蔵テスタ（診断回路）が不可欠であっ
た。

しかし，内蔵テスタは，構成が複雑で，かつ大型化す
る欠点があった。

本発明は，このような従来の欠点を解消し，従来のよ
うな内蔵テスタを用いることなく，簡単な構成で記憶装
置の診断が行えるようにすることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の原理図であり，以下，この図に基づ
いて本発明の原理を説明する。

先ず,SVP（サービスプロセッサ）のディスプレイよ
り，リード／ライトレジスタ，アドレスレジスタに情報
をセットしておく。

リフレッシュ中にテストモードオン（診断状態）にな
った場合，リフレッシュパイプライン１を通過してきた
信号が，リード／ライトパイプライン10へのリード／ラ
イトゴー信号となり，起動をかける。

その際，各レジスタにセットしておいた情報も実行さ
れる。

このように,SVPからのリード／ライト信号は，テスト
モード信号によって診断状態と判断され,MCU（メモリ制
御装置）からのリード／ライトゴー信号を受け付けず
に、リフレッシュ終了時にリフレッシュパイプライン１
から出力される信号をリード／ライトゴー信号と見なし
てリード／ライトパイプライン10へ起動をかける。

すなわち，通常のＤ−RAMに対するリード／ライト時
は，セレクタ16が図示実線のようになっており,MCUから
のリード／ライトゴーはそのままパイプライン10に送ら
れ処理が行われる。

これに対して，診断時はSVPよりテスト信号がセレク
ト信号生成部15に入る。

セレクト信号生成部15では，セレクタ16に対してセレ
クト信号を出し，図示点線のように切り替える。

このような診断状態では，リード／ライトゴーは受け
つけず（セレクタ16で断となっている），リフレッシュ
ゴーを用いてリード／ライトゴーと同様の起動をかけ
る。

この場合，リフレッシュパイプライン１には，例えば
FF1〜FF7の７個のフリップフロップがあり，最後段のフ
リップフロップであるFF7の出力信号を用いる。このフ
リップフロップFF7は，リフレッシュゴー信号が入って
Ｄ−RAMのリフレッシュを行い，その終了時にハイレベ
ルの出力「１」を出す。

このハイレベルの信号「１」をリード／ライト信号と
みなしてリード／ライトパイプライン10に起動をかけ
る。

これにより，リード／ライトパイプライン10で処理が
なされると共に，リード／ライトパイプライン10からの
信号でセレクト信号生成部15はリセットされ，その結
果，セレクタ16は図示点線位置に戻る。

〔作用〕

上記のようにしたので，記憶装置の診断を行う際に，
リード／ライトを行うタイミングを作る必要がなくな
る。

このため，従来のような内蔵テスタは不要となり，従
来と同様な診断が簡単な構成の装置で実現できる。

〔実施例〕

以下，本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第２図は，本発明の１実施例のブロック図であり，第
３図はそのタイミングチャートである。

図において,1はリフレッシュパイプラインであり，内
部に，例えば７個のフリップフロップ回路FF1〜FF7があ
る。

14はセレクト信号生成部としてのフリップフロップ回
路（セット，リセット型）,10はリード／ライトパイプ
ラインである。

また，アンド回路12,13及びオア回路11はセレクタを
構成する。

テストモードでない時は，フリップフロップ回路14か
ら，アンド回路12にはのハイレベル信号「１」が入
り，アンド回路13にはＱのローレベル信号「０」が入
る。

この状態でMCU（メモリ制御装置）から，リード／ラ
イトゴー（R/W−GO）が来ると，アンド回路12,オア回路
11を通りリード／ライトパイプライン10に入り，起動を
かけ，処理をする。

次に，診断時,SVPより出されたテストモードの信号が
フリップフロップ回路14に入ると，このフリップフロッ
プ回路はセットされ，その出力Ｑを「１」とし，出力
を「０」にする。

したがって，アンド回路12の一方の入力には，「０」
が入るから,MCUからのリード／ライト信号は，このアン
ド回路12で断となる。

この状態で（イ）のようにリフレッシュゴー（REF−G
O）信号がリフレッシュパイプライン１に入ると，リフ
レッシュが行われる。

そして，リフレッシュ終了の際，リフレッシュパイプ
ライン１内の最後部のフリップフロップFF7からハイレ
ベル信号「１」が出される。

この信号「１」はアンド13を通り（アンド13の一方の
入力にはハイレベルのＱ信号が入っている），オア回路
11を通ってリード／ライトパイプライン10へ送られ，
（ロ）のようなリード／ライトゴー（R/W−GO）信号と
して起動をかける。

これにより，リード／ライト処理が行われると共に，
フリップフロップ回路14をリセットする。

〔発明の効果〕

以上説明したように，本発明によれば次のような効果
がある。

すなわち，従来のような複雑な構成で大型の内蔵テス
タが不要であるから，記憶装置の診断方式が簡単な構成
で実現できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は，本発明の原理図， 第２図は，本発明の１実施例のブロック図， 第３図は前記実施例のタイミングチャート， 第４図は従来例のブロック図， 第５図は従来例のタイミングチャートである。 １…リフレッシュパイプライン,10…リード／ライトパ
イプライン,15…セレクト信号生成部,16…セレクタ,R/W
−GO…リード／ライトゴー信号,REF−GO…リフレッシュ
ゴー信号,FF…フリップフロップ。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ダイナミック型RAMから成る記憶装置の診
   断を行う記憶装置の診断方法において、 前記記憶装置に対するリフレッシュをパイプライン処理
   で行うリフレッシュパイプライン（１）と、前記リフレ
   ッシュパイプライン（１）の出力側、及び前記記憶装置
   に対しリード／ライトを行うためのリード／ライト信号
   が伝送される外部信号ライン側の切り替えを行うセレク
   タ（16）と、前記セレクタ（16）に対するセレクト信号
   を生成するセレクト信号生成部（15）と、前記セレクタ
   （16）の出力側に接続され、前記記憶装置に対するリー
   ド／ライトをパイプライン処理で行うリード／ライトパ
   イプライン（10）とを備え、 前記記憶装置の診断時には、セレクト信号生成部（15）
   で生成したセレクト信号により、セレクタ（16）をリフ
   レッシュパイプライン（１）の出力側が選択されるよう
   に切り替えて、リフレッシュパイプライン（１）とリー
   ド／ライトパイプライン（10）とを接続し、 リフレッシュ終了時にリフレッシュパイプライン（１）
   から出力される信号をリード／ライト信号と見なして、
   リード／ライトパイプライン（10）へ起動をかけること
   により診断を行うことを特徴とした記憶装置の診断方
   法。