JP2024519457A - （ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及び（ｓ）－３－（２－メトキシ－５－（メチルチオ）－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの酸付加塩、その特定の多形並びにそれらの製造方法 - Google Patents

（ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及び（ｓ）－３－（２－メトキシ－５－（メチルチオ）－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの酸付加塩、その特定の多形並びにそれらの製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及び（Ｓ）－３－（２－メトキシ－５－（メチルチオ）－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの特定の薬学的に許容される塩並びにその特定の多形に関する。より詳細には、本発明は、式（ＶＩ）の化合物並びにその製造のための化学経路に関する。

Description

本発明は、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及び（Ｓ）－３－（２－メトキシ－５－（メチルチオ）－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの特定の薬学的に許容される塩、並びに例えば、高い結晶化度、高い溶解度、高い安定性及び良好な熱特性を有するそれらの特定の多形に関する。本発明は又、このような塩及び多形を製造するための新しい経路に関する。
最近の研究努力（特許文献１参照）は、新しいクラスの３－（２，４，５三置換フェニル）ピペリジン、３－（２，４－ジ置換フェニル）ピペリジン又は３－（３，４－ジ置換フェニル）ピペリジンが、５－ＨＴ２Ａアゴニストとして作用すること、及びこのクラスの化合物が鬱病、特に治療抵抗性鬱病の治療に非常に大きな可能性を秘めていることを示している。したがって、これらの化合物を医薬品製造での使用に適した医薬品有効成分（ＡＰＩ）に開発する必要がある。溶解性、吸湿性、結晶化度、及び化学的／物理的安定性などの化合物特性は、安全で効果的な薬物を得るために、薬物開発において最も重要である。塩形成は、例えば、薬物の溶解度、溶解速度、吸湿性、結晶化度、安定性、更には毒性を改善するための一般的な方法である。したがって、化合物を医薬品製造のためのＡＰＩに開発するためには、適切な塩形態及びその安定な多形（すなわち、異なる結晶格子）を同定するために、様々な溶媒中での塩スクリーニングが必要である。多形は、溶解度、結晶化度、溶解速度及び安定性において顕著な差を示すことが多い。したがって、多形が製造中及び薬物の貯蔵寿命中の両方で安定であることを確実にするために、様々な塩及び特定の多形形態を特徴付けることが非常に重要である。
ＰＣＴ／ＥＰ２０２０／０８１３５７
したがって、１つの態様では、本発明は、薬物製造に適した（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及び（Ｓ）－３－（２－メトキシ－５－（メチルチオ）－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの特定の塩並びに多形形態を提供するという問題を解決することに着手する。
新規化合物の合成のための医薬品化学経路は、様々な類縁体に小規模で迅速にアクセスするために、多様性に焦点を合わせることが多い。対照的に、工業規模でＡＰＩを製造するためのプロセス化学経路は、スケーラビリティ、全体的な収率、安全性、環境ハザード、経済性、及び経路の全体的な実現可能性などの要因を考慮する必要がある。
したがって、別の態様では、本発明は、本明細書に開示される（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及び（Ｓ）－３－（２－メトキシ－５－（メチルチオ）－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの特定の塩並びに多形形体の製造のためのスケーラブルで効率的なプロセス化学経路を提供するという問題を解決する。
発明の概要
第１の態様では、本発明は、
ａ）溶媒中、遷移金属触媒の存在下で、式（ＩＩＩ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、式（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程、又は溶媒中で、式（ＩＩＩ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、式（ＩＩＩａ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000001

ｂ）工程ａ）で式（ＩＶａ）の化合物が形成された場合、式（ＩＶａ）の化合物を溶媒中で脱保護試薬と反応させて、式（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程、又は工程ａ）で式（ＩＩＩａ）の化合物が形成された場合、溶媒中、遷移金属触媒の存在下で、式（ＩＩＩａ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、式（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程；
Figure 2024519457000002

ｃ）式（ＩＶｂ）の化合物を溶媒中でキラル酸と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（ｅｅ）を有する式（Ｖ）の化合物を得る工程、及び式（Ｖ）の塩を遊離させて式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000003

ｄ）溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物をコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌと反応させて、式（ＶＩ）の結晶性化合物を得る工程；
Figure 2024519457000004

（式中、Ｙは、Ｓ又はＯから選択され、Ａは、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ、３Ｒ）－３－カルボキシ－２、３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。）
を含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法に関する。
第２の態様では、本発明は、
ａ）溶媒中、遷移金属触媒及びキラル配位子の存在下で、式（ＩＩＩ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶａ）若しくは（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程、又は溶媒中で、式（ＩＩＩ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、式（ＩＩＩａ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000005

ｂ）工程ａ）で式（Ｓ）－（ＩＶａ）の化合物が形成された場合、溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶａ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程、又は工程ａ）で式（ＩＩＩａ）の化合物が形成された場合、溶媒中、遷移金属触媒及びキラル配位子の存在下で、式（ＩＩＩａ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000006

ｃ）溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物をコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌと反応させて、式（ＶＩ）の結晶性化合物を得る工程；
Figure 2024519457000007

（式中、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ、３Ｒ）－３－カルボキシ－２、３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。）
を含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法に関する。
第３の態様では、本発明は、式（ＶＩ）の結晶性化合物に関する：
Figure 2024519457000008

式中、
Ｙは、Ｏ又はＳとして選択され、
Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ，３Ｒ）－３－カルボキシ－２，３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。
第４の態様では、本発明は、式（ＩＩＩ）又は（ＩＩＩａ）の中間体に関する：
Figure 2024519457000009

式中、
Ｙは、Ｏ又はＳから選択され、
ＰＧは、アミン保護基である。
第５の態様では、本発明は、式（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（ＩＩＩａ）、（Ｓ）－（ＩＶａ）、（Ｓ）－（ＩＶｂ）、（Ｖ）、又は（ＶＩ）の化合物の製造のための式（ＩＩＩａ）の中間体の使用又は式（ＩＶｂ）、（Ｓ）－（ＩＶｂ）、（Ｖ）、又は（ＶＩ）の化合物の製造のための式（ＩＩＩａ）の中間体の使用に関する。
ＹがＯであり、Ａ－が３－カルボキシプロパン酸である（すなわち、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及びコハク酸との間で形成される１：１塩）式（ＶＩ）の化合物の多形ＡのＸＰＲＤスペクトルを示す。 ＹがＯであり、Ａ－がクロリド（Ｃｌ－）である（すなわち、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及びＨＣｌとの間で形成される１：１塩）式（ＶＩ）の化合物の多形ＡのＸＰＲＤスペクトルを示す。 ＹがＯであり、Ａ－が（２Ｒ，３Ｒ）－３－カルボキシ－２，３－ジヒドロキシプロパン酸（すなわち、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及びＬ－酒石酸との間で形成される１：１塩）である式（ＶＩ）の化合物の多形ＢのＸＰＲＤスペクトルを示す。
本発明の実施形態は、添付の図面に関連して以下でより詳細に説明される。
発明の詳細な説明
本発明は、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン及び（Ｓ）－３－（２－メトキシ－５－（メチルチオ）－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの特定の有利な薬学的に許容される塩並びにその特定の多形に関する。本発明はまた、これらの塩及び多形を大規模に製造するための新しい経路に関する。
特に、本発明者らは、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのコハク酸塩（すなわち、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンとコハク酸との間に形成される１：１塩）、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのＬ－酒石酸塩（すなわち、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンとＬ－酒石酸との間に形成される１：１塩）及び（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのＨＣｌ塩が、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの他の塩及び遊離塩基としての（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンと比較して改善された特性を示すことを見出した。したがって、これらの塩はＡＰＩの開発に適していることが分かった。特に、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのコハク酸塩（１：１）及び（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのＨＣｌ塩は、有望な塩候補であることが分かった。
態様Ｉ
第１の態様では、本発明は、
ａ）溶媒中、遷移金属触媒の存在下で、式（ＩＩＩ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、式（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程、又は溶媒中で、式（ＩＩＩ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、式（ＩＩＩａ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000010

ｂ）工程ａ）で式（ＩＶａ）の化合物が形成された場合、溶媒中で、式（ＩＶａ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、式（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程、又は工程ａ）で式（ＩＩＩａ）の化合物が形成された場合、溶媒中、遷移金属触媒の存在下で、式（ＩＩＩａ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、式（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程；
Figure 2024519457000011

ｃ）式（ＩＶｂ）の化合物を溶媒中でキラル酸と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（ｅｅ）を有する式（Ｖ）の化合物を得る工程、及び式（Ｖ）の塩を遊離させて式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000012

ｄ）溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物をコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌと反応させて、式（ＶＩ）の結晶性化合物を得る工程；
Figure 2024519457000013

（式中、Ｙは、Ｓ又はＯから選択され、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ、３Ｒ）－３－カルボキシ－２、３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。）
を含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法に関する。
本発明の実施形態では、本方法は、工程ａ）の前に、
ａ１）溶媒中、塩基及び遷移金属触媒の存在下で、式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）の化合物と反応させて、式（ＩＩＩ）の化合物を得る工程；
を更に含む。
Figure 2024519457000014

式中、
Ｚは、ボロン酸、トリフルオロホウ酸塩及びボロン酸エステルから成る群から選択され、
ＰＧはアミン保護基であり、
ＹはＳ又はＯから選択され、
Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＯＴｆから選択される。
Figure 2024519457000015
したがって、好ましい実施形態では、本発明は、
ａ１）溶媒中、塩基及び遷移金属触媒の存在下で、式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）の化合物と反応させて式（ＩＩＩ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000016

式中、
Ｚは、ボロン酸、トリフルオロホウ酸塩及びボロン酸エステルから成る群から選択され、
ＰＧはアミン保護基であり、
ＹはＳ又はＯから選択され、
Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＯＴｆから選択される。
Figure 2024519457000017

ａ）溶媒中、遷移金属触媒の存在下で、式（ＩＩＩ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、式（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程；
Figure 2024519457000018

ｂ）工程１）で式（ＩＶａ）の化合物が形成された場合、溶媒中で、式（ＩＶａ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、式（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000019

ｃ）溶媒中で、式（ＩＶｂ）の化合物をキラル酸と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（ｅｅ）を有する式（Ｖ）の化合物を得る工程、及び式（Ｖ）の塩を遊離させて式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000020

ｄ）式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を溶媒中でコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌと反応させて、式（ＶＩ）の結晶性化合物を得る工程；
Figure 2024519457000021

（式中、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ、３Ｒ）－３－カルボキシ－２、３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。）
を含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法に関する。
水素化及び脱保護工程は、脱保護が水素化の前に行われるように逆転されてもよい。
したがって、より好ましい実施形態では、本発明は、
ａ１）溶媒中、塩基及び遷移金属触媒の存在下で、式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）の化合物と反応させて、式（ＩＩＩ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000022

式中、
Ｚは、ボロン酸、トリフルオロホウ酸塩及びボロン酸エステルから成る群から選択され、
ＰＧはアミン保護基であり、
ＹはＳ又はＯから選択され、
Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＯＴｆから選択される。
Figure 2024519457000023

ａ）溶媒中で、式（ＩＩＩ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、式（ＩＩＩａ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000024

ｂ）溶媒中、遷移金属触媒の存在下で、式（ＩＩＩａ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、式（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程；
Figure 2024519457000025

ｃ）溶媒中で、式（ＩＶｂ）の化合物をキラル酸と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（ｅｅ）を有する式（Ｖ）の化合物を得る工程、及び式（Ｖ）の塩を遊離させて式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000026

ｄ）溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物をコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌと反応させて、式（ＶＩ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000027

（式中、Ｙは、Ｓ又はＯから選択され、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ、３Ｒ）－３－カルボキシ－２、３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。）
を含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法に関する。
工程ａ１）；Ｓｕｚｕｋｉ－Ｍｉｙａｕｒａクロスカップリング（ＳＭＣ）
第１の態様による方法の工程ａ１）は、溶媒中、塩基及び遷移金属触媒の存在下での式（Ｉ）の化合物と式（ＩＩ）の化合物との間のＳＭＣ反応である。工程ａ１）において、有機ホウ素（すなわち、式（Ｉ）の化合物）を代わりに適切な有機亜鉛、有機スタンナン、又は有機シランで置き換えることによって、他の適切なクロスカップリング、例えばＮｅｇｉｓｈｉカップリング、スティルカップリング、又はＨｉｙａｍａカップリングを使用してもよい。有機亜鉛、有機スタンナン又は有機シランは、当技術分野で公知の従来の方法によって調製してもよい。
式（Ｉ）の化合物：ボロン酸（Ｒ－Ｂ（ＯＨ）２）、トリフルオロホウ酸塩（Ｒ－ＢＦ３Ｋ、すなわち、モランダー塩）及び種々のボロン酸エステル（Ｒ－Ｂ（ＯＲ）２）、例えば、ボロン酸ピナコール、ボロン酸カテコール、ボロン酸トリメチレングリコールエステル、ボロン酸ＭＩＤＡエステル及びボロン酸トリイソプロピルエステルを、ステップａ１）のＳＭＣ反応に使用してもよい。本発明の実施形態では、式（Ｉ）のＺは、ボロン酸、トリフルオロホウ酸塩、及びボロン酸エステルから成る群から選択される。最も好ましい実施形態では、Ｚはボロン酸ピナコールとして選択される。式（Ｉ）の化合物中のアミンには様々な保護基を使用してもよい。一般的なアミン保護基としては、カルバメート、例えば９－フルオレニルメチルカルバメート（Ｆｍｏｃ－ＮＲ２）、ｔ－ブチルカルバメート（Ｂｏｃ－ＮＲ２）、及びベンジルカルバメート（Ｃｂｚ－ＮＲ２）、アミド、例えばアセトアミド（Ａｃ－ＮＲ２）及びトリフルオロアセトアミド（ＣＦ３ＣＯ－ＮＲ２）；ベンジルアミン、例えばベンジルアミン（Ｂｎ－ＮＲ２）又は４－メトキシベンジルアミン（ＰＭＢ－ＮＲ２）；トリフェニルメチルアミン（Ｔｒ－ＮＲ２）；ベンジリデンアミン；並びにスルホンアミド、例えばｐ－トルエンスルホンアミド（Ｔｓ－ＮＲ２）が挙げられる。実施形態において、保護基は、９－フルオレニルメチルカルバメート（Ｆｍｏｃ－ＮＲ２）、ｔ－ブチルカルバメート（Ｂｏｃ－ＮＲ２）又はベンジルカルバメート（Ｃｂｚ－ＮＲ２）である。別の実施形態では、保護基は、アセトアミド（Ａｃ－ＮＲ２）又はトリフルオロアセトアミド（ＣＦ３ＣＯ－ＮＲ２）である。さらに別の実施形態では、保護基は、ベンジルアミン（Ｂｎ－ＮＲ２）又は４－メトキシベンジルアミン（ＰＭＢ－ＮＲ２）である。さらに別の実施形態では、保護基は、トリフェニルメチルアミン（Ｔｒ－ＮＲ２）である。さらに別の実施形態では、保護基はｐ－トルエンスルホンアミド（Ｔｓ－ＮＲ２）である。保護及び脱保護のための標準的な条件は、例えば、Ｇｒｅｅｎｅ´ｓ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓに見出すことができる。好ましくは、保護基（ＰＧ）は、Ｂｏｃ（ｔ－ブチルオキシカルボニル）又はＣＢｚ（カルボキシベンジル）などのカルバメート保護基である。Ｂｏｃ保護基は、塩形成を伴う酸性条件下で除去できるという利点を有する。このことにより、特定の実施形態では、生成物のワンポット脱保護、沈殿、及び単離を可能にしてもよい。ＣＢｚ保護基は、脱保護及び式（ＩＩＩ）の化合物中のアルケン（すなわち、ピペリジンの二重結合）の還元を、別個の脱保護ステップ（すなわち、ステップａ又はｂ）が必要とされないように単一のステップで実施してもよいという利点を有する。いくつかの実施形態において、ＳＭＣ反応は、脱保護ステップ（すなわち、ステップａ又はｂ）が必要とされないように、式（Ｉ）の化合物中のアミン保護基を使用せずに（すなわち、ＰＧ＝Ｈである式Ｉの化合物）行われてもよい。最も好ましい実施形態では、式（Ｉ）の化合物は、式（Ｉａ）の化合物である。式（Ｉａ）の化合物は以前に記載されており、市販されている［ＣＡＳ番号８８５６９３－２０－９］。
Figure 2024519457000028
式（ＩＩ）の化合物：アリールハロゲン化物（クロロ、ブロモ又はヨード）又は擬ハロゲン化物（例えば、トリフラート、４－フルオロベンゼンスルホネート、スルフロフルオリダート、メシラート、トシラート、ノナフラート、１Ｈ－イミダゾール－１－スルホネートなどのスルホネート）をステップａ１）のＳＭＣ反応に使用してもよい。したがって、本発明の実施形態では、式（ＩＩ）の化合物は、１－クロロ－２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼン又は（５－クロロ－４－メトキシ－２－（トリフルオロメチル）フェニル）（メチル）スルファンである。本発明の別の実施形態では、式（ＩＩ）の化合物は、１－ヨード－２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼン又は（５－ヨード－４－メトキシ－２－（トリフルオロメチル）フェニル）（メチル）スルファンである。本発明の最も好ましい実施形態では、式（ＩＩ）の化合物は、１－ブロモ－２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼン又は（５－ブロモ－４－メトキシ－２－（トリフルオロメチル）フェニル）（メチル）スルファンである。これらの化合物は、例えばＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌｕｍｅ ５０，Ｉｓｓｕｅ ８，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １８，２０１１，ｐａｇｅｓ １８９６－１９００に以前に記載され、様々な供給元から市販されているか、又は本明細書に示されているように市販の出発物質から数ステップで調製されてもよい。
塩基：多数の塩基をＳＭＣ反応に首尾よく使用してきた。塩基は、より反応性の高いホウ酸塩錯体の生成を助ける。ＳＭＣ用の典型的な塩基としては、炭酸塩基、リン酸塩基、アルコキシド塩基、水酸化物塩基又はアミン塩基が挙げられる。本発明の実施形態では、塩基は、炭酸塩基、例えばＮａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３、Ｃｓ２ＣＯ３、ＭｇＣＯ３若しくはＣａＣＯ３、リン酸塩基、例えばＫ３ＰＯ４、アルコキシド塩基、例えばＫＯｔＢｕ、水酸化物塩基、例えばＮａＯＨ若しくはＫＯＨ、カルボン酸塩基、例えばＫＯＡｃ、又はアミン塩基、例えばトリエチルアミンから選択される。最も好ましい実施形態では、塩基はＫ２ＣＯ３である。
典型的には、塩基は、１．２当量～１０当量など過剰に添加される。本発明の最も好ましい実施形態では、２当量の塩基が添加される。
触媒：様々な遷移金属触媒がＳＭＣ反応に首尾よく使用されてきた。典型的には、そのような触媒は、遷移金属パラジウム又はニッケルに依存する。そのようなパラジウム触媒の例としては、Ｐｄ（ｄｂａ）２、Ｐｄ（ａｃａｃ）２、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、Ｐｄ（Ｃｌ２）（ｄｐｐｆ）、Ｐｄ（Ｃｌ）２、Ｐｄ（ＯＡｃ）２が挙げられるが、これらに限定されない。
触媒中のパラジウムは、必要な酸化状態（すなわち、例えばＰｄ（ｄｂａ）２中のＰｄ０）で存在していてもよく、又はパラジウムは、より高い酸化状態（すなわち、例えばＰｄ（ＯＡｃ）２中のＰｄ＋２）で存在し、例えば、使用される塩基、アリールボロン酸又はホスフィン配位子などによってその場でＰｄ０に還元されてもよい。種々のホスフィン配位子をＳＭＣ反応に添加して活性触媒を形成してもよい。そのようなホスフィン配位子としては、ＰＰｈ３、ＰＣｙ３、Ｐ（ｏ－ｔｏｌｙｌ）３、Ｐ（ｉＰｒ）３、Ｐ（Ｏ－Ｐｒ－ｉ）３、ｎ－ＢｕＰ（１－Ａｄ）２、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）２（ｐ－ＮＭｅ２－Ｐｈ）、ＤａｖｅＰｈｏｓ、ＪｏｐｈｎＰｈｏｓ、ＳＰｈｏｓ、ＸＰｈｏｓ、ＲｕＰｈｏｓ、ＤＰＰＦ、ＤＰＰＥ及びＤＰＰＰから成るリストから選択されるホスフィン配位子が挙げられるが、これらに限定されない。同様に、様々なニッケル触媒を使用してもよい。そのような触媒としては、任意選択的に上記のホスフィン配位子の存在下、Ｎｉ（ａｃａｃ）２、Ｎｉ（ＣＯＤ）２、Ｎｉ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２、ＮｉＣｌ２から成るリストが挙げられるが、これらに限定されない。ＳＭＣ反応に適したＰｄ／Ｎｉ触媒及び適した配位子のさらなる例は、例えば、教科書Ｓｕｚｕｋｉ－Ｍｉｙａｕｒａ Ｃｒｏｓｓ－Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｒｅａｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，２０１８（ＩＳＢＮ：３０３８４２５５６７，９７８３０３８４２５５６４）に見出してもよい。最も好ましい実施形態では、触媒はＰｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２である。
ＳＭＣ中の触媒充填は、典型的には、０．１５～０．００１当量の範囲、例えば０．１０～０．００５当量の範囲、好ましくは０．０７～０．０１当量の範囲、より好ましくは０．０５～０．０２当量の範囲で用いられる。最も好ましい実施形態では、触媒はＰｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２であり、最も好ましくは、触媒充填は０．０３当量である（式（ＩＩ）の化合物に基づく）。
溶媒：種々の溶媒をＳＭＣ反応に使用してもよい。そのような溶媒としては、典型的には、ＡＣＮ、ＴＨＦ、２－Ｍｅ－ＴＨＦ、ＤＭＦ、ＮＭＰ、トルエン、Ｈ２Ｏ、ジオキサン、アセトン、ＭｅＯＨ、ＥｔＯＨ、ｉＰｒＯＨ及びｎＢｕＯＨから成るリストから選択される溶媒が挙げられるが、これらに限定されない。ほとんどすべてのＳＭＣ反応には、少なくとも微量の水が必要である。水は、ボロン酸エステルを活性ボロン酸に加水分解し、トランスメタル化において役割を果たす可能性がある。水は、溶媒又は塩基中の二相性条件又は偶発的水から生じてもよい。本発明のいくつかの実施形態では、溶媒の混合物、例えばジオキサン／Ｈ２Ｏ混合物又はＤＭＦ／Ｈ２Ｏ混合物を使用してもよい。本発明の最も好ましい実施形態では、溶媒はＡＣＮである。本発明者らは、少量のＮａＢｒ水溶液を添加すると触媒活性及び／又は安定性が増加することを見出した。したがって、最も好ましい実施形態では、ＮａＢｒ水溶液を溶媒に、好ましくは溶媒としてのＡＣＮに添加する。ＳＭＣ反応の様々な条件を調べた。見出された最も好ましい条件は、８０～８５℃でのＫ２ＣＯ３（２．０ｅｑ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２（０．０３ｅｑ）、ＡＣＮ（６Ｖ）だった。
ステップａ）又はｂ）；水素化
水素化は、ステップａ）又はステップｂ）のいずれかで実施してもよい。したがって、ステップａ）で式（ＩＩＩ）の化合物に対して水素化を実施して、式（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得てもよい。あるいは、ステップｂ）で式（ＩＩＩａ）の化合物に対して水素化を実施して、式（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得てもよい。水素化は、式（ＩＩＩ）の化合物中のアルケンを還元することに加えて、例えばＣｂｚなどのベンジルカルバメートをＰＧとして使用する場合、保護基（ＰＧ）の開裂にも効果を及ぼしてもよい。本発明者らは、式（ＩＩＩ）の化合物と比較して、式（ＩＩＩａ）の化合物では水素化がより速いことを見出した。したがって、最も好ましい実施形態では、式（ＩＩＩ）の脱保護をステップａ）で実施し、水素化をステップｂ）で実施する。
触媒：水素化反応に使用することができる触媒の範囲。そのような触媒としては、例えば、パラジウム／活性炭（Ｐｄ／Ｃ）、ＰｔＯ２、パラジウム錯体、ロジウム錯体（例えば、ウィルキンソン触媒）、ルテニウム錯体又はイリジウム錯体が挙げられるが、これらに限定されない。最も好ましい実施形態では、触媒はＰｄ／Ｃである。典型的な触媒担持量は、プロセス規模で１～２０重量％の範囲である。最も好ましい実施形態では、触媒担持量は約１０重量％Ｐｄ／Ｃである。
溶媒：一連の溶媒を水素化反応に使用してもよい。そのような溶媒としては、ＥｔＯＡｃ、ＴＨＦ、２－Ｍｅ－ＴＨＦ、ＤＭＦ、トルエン、Ｈ２Ｏ、ジオキサン、ＭｅＯＨ、ＥｔＯＨ、ｉＰｒＯＨ及びｎＢｕＯＨが挙げられるが、これらに限定されない。最も好ましい実施形態では、溶媒はＥｔＯＡｃである。
圧力：水素化は、様々な水素圧力で実施してもよい。典型的には、圧力は、所望の反応時間に応じて１～５バールの間である。いくつかの実施形態では、水素化は、加圧反応器を必要とせずに大気圧で実施される。最も好ましい実施形態では、反応時間を短縮するために、反応を約３．５バール（５０ｐｓｉ）で実施する。
水素化反応の種々の条件を調べた。見出された最適な条件は、２５～３０℃でのＰｄ／Ｃ（１０重量％）、Ｈ２（５０ｐｓｉ）、ＥｔＯＡｃ（６Ｖ）だった。
工程ａ）又は工程ｂ）；脱保護
保護基（ＰＧ）の脱保護は、工程ａ）又は工程ｂ）のいずれかで実施してもよい。ステップａ）で式（ＩＶａ）の化合物を形成する場合、アミン保護基（ＰＧ）、好ましくはカルバメートＰＧ、より好ましくはＢｏｃ ＰＧの脱保護をステップｂ）で実施して式（ＩＶｂ）の化合物を得る。あるいは、脱保護を工程ａ）で式（ＩＩＩ）の化合物に対して実施して式（ＩＩＩａ）の化合物を得てもよい。最も好ましくは、脱保護を工程ａ）で実施して式（ＩＩＩａ）の化合物を得る。選択されるアミンＰＧに応じて、様々な脱保護条件を使用してもよい。種々のアミン保護基に適した脱保護条件は、例えば、Ｇｒｅｅｎｅ’ｓ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓに見出すことができる。好ましくは、保護基は、カルバメート保護基、アミド保護基、ベンジルアミン保護基及びスルホンアミド保護基から成るリストから選択される。より好ましい実施形態では、保護基は、９－フルオレニルメチルカルバメート（Ｆｍｏｃ－ＮＲ２）、ｔ－ブチルカルバメート（Ｂｏｃ－ＮＲ２）、ベンジルカルバメート（Ｃｂｚ－ＮＲ２）、アセトアミド（Ａｃ－ＮＲ２）、トリフルオロアセトアミド（ＣＦ３ＣＯ－ＮＲ２）、ベンジルアミン（Ｂｎ－ＮＲ２）、４－メトキシベンジルアミン（ＰＭＢ－ＮＲ２）、トリフェニルメチルアミン（Ｔｒ－ＮＲ２）、及びｐ－トルエンスルホンアミド（Ｔｓ－ＮＲ２）から成るリストから選択される。好ましくは、脱保護は、工程ａ）で形成された場合、式（ＩＶａ）の生成物を溶媒中で酸と反応させてＰＧを除去し、式（ＩＶｂ）の化合物を得ることによって実施される。好ましくは、脱保護は、工程ａ）で形成された場合、式（ＩＩＩ）の生成物を溶媒中で酸と反応させてＰＧを除去し、式（ＩＩＩａ）の化合物を得ることによって実施される。
脱保護試薬：アミン保護基用の脱保護試薬の例は、例えば、Ｇｒｅｅｎｅ’ｓ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓのアミン保護基に見出してもよい。好ましくは、脱保護試薬は、ｔ－ブチルカルバメート（Ｂｏｃ－ＮＲ２）などのアミン保護基の脱保護に使用してもよい酸である。そのような酸としては、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｈ２ＳＯ４、ＴＦＡ及びＴｆＯＨから成るリストが挙げられるが、これらに限定されない。最も好ましい実施形態では、酸はＨＣｌである。
溶媒：様々な溶媒を脱保護反応に使用してもよい。そのような溶媒としては、Ｈ２Ｏ、ＡＣＮ、ＥｔＯＡｃ、ＴＨＦ、２－Ｍｅ－ＴＨＦ、ＤＭＦ、トルエン、ジオキサン、ＭｅＯＨ、ＥｔＯＨ、ｉＰｒＯＨ及びｎＢｕＯＨが挙げられるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、溶媒は、いくつかの溶媒の混合物であってもよい。水素化が脱保護の前に実施される実施形態では、溶媒の切り替えを回避するために、水素化（工程ａ）と同じ溶媒を脱保護（工程ｂ）に使用することが好ましく、それによってプロセス全体が単純化される。工程ａ）及びｂ）で同じ溶媒を使用する場合、単純な濾過を行って水素化触媒を除去し、続いて脱保護してもよい。したがって、これらの実施形態では、最も好ましくは、水素化及び脱保護の両方においてＥｔＯＡｃを溶媒として使用する。最も好ましくは、溶媒はＥｔＯＡｃであり、脱保護試薬はＨＣｌである。脱保護が水素化の前に実施される実施形態では、好ましくは脱保護工程において、ＭｅＴＨＦが、好ましくは脱保護試薬としてＨＣｌと共に使用され、水素化において好ましくはＥｔＯＡｃが使用される。
酸を脱保護に使用する場合、酸性脱保護条件下で得られたプロトン化ピペリジン中間体（すなわち、式（ＩＶｂ）のプロトン化化合物）又はプロトン化１、２、３、６－テトラヒドロピリジン（すなわち、式（ＩＩＩａ）のプロトン化化合物）を遊離させて、化合物を有機相（例えば、ＥｔＯＡｃ）と水性塩基相（例えば、２０％ Ｎａ２ＣＯ３又は飽和ＮａＨＣＯ３水溶液）との間で分配することなどの当技術分野で公知の従来技術によって式（ＩＶｂ）の化合物を得てもよい。
工程ｃ）；キラル分割
工程ｃ）は、高い鏡像体過剰率（％ｅｅ）で（Ｓ）－鏡像体を得るためのキラル分割である。本発明の実施形態では、鏡像体過剰率は、少なくとも６０％ｅｅ、例えば少なくとも７０％ｅｅ、例えば少なくとも７５％ｅｅ、例えば少なくとも８０％ｅｅ、例えば少なくとも８５％ｅｅ、好ましくは少なくとも９０％ｅｅ、より好ましくは少なくとも９５％ｅｅである。最も好ましくは、鏡像体過剰率は、最終的な結晶塩を高い鏡像体過剰率で、好ましくは再結晶を必要とせずに得ることができるように、少なくとも７５％である。いくつかの実施形態では、鏡像体過剰率は、適切な溶媒中で結晶化／再結晶を行うことによって更に改善してもよい。キラル分割は、結晶化などの従来の技術によって分離することができるジアステレオマーの対を形成する光学的に純粋な酸で式（ＩＶｂ）のラセミ化合物を誘導体化することによって実施することができる。形成された２つのジアステレオマー塩は異なる溶解度を有し、これにより一方のジアステレオマー塩を他方のジアステレオマー塩より選択的に沈殿させることが可能になる。あるいは、エナンチオマーを、例えばキラル連続クロマトグラフィー分離によって分離してもよい。
キラル酸：多数のキラル酸が市販されており、安価であるため、大規模（例えば、ｋｇスケール）に行われるプロセス化学経路での使用に適している。そのようなキラル酸としては、例えば、キラルアミノ酸、（１Ｓ）－（－）－カンファン酸、Ｌ－（＋）－マンデル酸、Ｄ－（－）－酒石酸又はＬ－（＋）－酒石酸及びそれらの誘導体が挙げられる。
本発明の実施形態では、キラル分割は、式（ＶＩｂ）の化合物を（－）－Ｏ、Ｏ’－ジ－ｐ－トルオイル－Ｌ－酒石酸又は（－）－ジ－ｐ－アニソイル－Ｌ－酒石酸、好ましくは（－）－ジ－ｐ－アニソイル－Ｌ－酒石酸から選択されるキラル酸と反応させて、ジアステレオマーの対を形成することによって行われ、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン又は（Ｓ）－３－（２－メトキシ－５－（メチルチオ）－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンとキラル酸との間のジアステレオマー塩は、（Ｒ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン又は（Ｒ）－３－（２－メトキシ－５－（メチルチオ）－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンとキラル酸との間に形成されるジアステレオマー塩よりも低い溶解度を有する。沈殿したジアステレオマー塩は、従来の濾過によって分離してもよい。
溶媒：キラル分割には様々な溶媒を使用することができる。そのような溶媒としては、例えば、２－Ｍｅ－ＴＨＦ、ＴＨＦ、ＭｅＯＨ、ＥｔＯＨ、ＡＣＮ、ＩＰＡ、ＭＴＢＥ、ＤＣＭ又はアセトンが挙げられるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、水を共溶媒として添加してもよい。
式（Ｖ）の化合物の選択的沈殿について様々な条件を試験した。キラル酸（－）－ジ－ｐ－アニソイル－Ｌ－酒石酸、（＋）－ジピバロイル－Ｄ－酒石酸、（－）－Ｏ、Ｏ´－ジ－ｐ－トルオイル－Ｌ－酒石酸、（１Ｓ）－（－）－カンファン酸、（Ｓ）－２－アセトキシ－２－フェニル酢酸、Ｌ－グルタミン酸、Ｎ－アセチル－Ｌ－イソロイシン、Ｄ－（－）－酒石酸を用いて、溶媒ＡＣＮ、ＩＰＡ、ＴＨＦ及びＭＴＢＥを試験した。溶媒ＡＣＮ、ＩＰＡ及びＴＨＦを共溶媒としての水と共に使用した（１５体積の溶媒：３体積のＨ２Ｏ）。ＭＴＢＥを共溶媒としての水と共に使用した（２０体積のＭＴＢＥ：５体積のＨ２Ｏ）。最適な条件は、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏの混合物中の（－）－ジ－ｐ－アニソイル－Ｌ－酒石酸（１当量）であることが分かった。表１は、得られた％ｅｅのいくつかの代表的な例を示す。
Figure 2024519457000029
表１ａに示すように、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの（－）－ジ－ｐ－アニソイル－Ｌ－酒石酸塩（１：１）及び（Ｒ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの（－）－ジ－ｐ－アニソイル－Ｌ－酒石酸塩（１：１）の溶解度を調べた。データは、ＤＣＭがＴＨＦ／Ｈ２Ｏよりもさらに良好な溶媒であり、さらに高い鏡像体過剰率を提供してもよいことを示唆している。したがって、別の非常に好ましい実施形態では、工程ｃ）でＤＣＭを使用する。
Figure 2024519457000030
沈殿した式（Ｖ）のエナンチオリッチな塩は、有機相（例えば、ＥｔＯＡｃ）と水性塩基相（例えば、２０％Ｎａ２ＣＯ３又は飽和ＮａＨＣＯ３水溶液）との間で化合物を分配することなどの当技術分野で公知の従来の技術によって、式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物に遊離させてもよい。式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物の大部分は有機相に留まるが、塩は水相に残る。
工程ｄ）；最終塩の調製
工程ｄ）は、式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物とコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌとを沈殿させて、式（ＶＩ）の結晶性化合物を得ることである。
以下の実験セクションに示すように、本発明者らは、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのＨＣｌ塩（多形Ａ）、Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ、酸：塩基の１：１塩）、及びコハク酸塩（多形Ａ、酸：塩基の１：１）が、例えば結晶性、熱特性、安定性、溶解性、及び吸湿性に関して全体的に良好な特性を有することを見出した。特に、ＨＣｌ塩（多形Ａ）及びコハク酸塩（多形Ａ、１：１塩）は、全体的に優れた特性を有していた。
コハク酸及びＬ－酒石酸は両方とも二塩基酸である。したがって、これらの酸は、１：１の比（酸：塩基）又は０．５：１の比（酸：塩基）で式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物と塩を形成してもよい。実施例３及び４に示すように、本発明者らは驚くべきことに、塩を１：１の比（酸：塩基）で形成した場合に、コハク酸塩及びＬ－酒石酸塩の優れた特性が得られることを見出した。これらの塩は、スクリーニングした溶媒中で無水物として単一の安定な多形をもたらしたが、ヘミＬ－酒石酸塩及びヘミコハク酸塩（０．５：１の比の酸：塩基）は、脱水を受けた水和物をもたらし、結晶性及び／又は吸湿性が低かった。したがって、非常に好ましい実施形態では、１当量の式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を１当量のコハク酸又は１当量のＨＣｌと沈殿させて１：１の比の塩（すなわち、式（ＶＩ）の化合物）を形成する。本発明の最も好ましい実施形態では、１当量の式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を１当量のコハク酸と沈殿させて１：１の比の塩（すなわち、式（ＶＩ）の化合物）を形成する。全ての溶媒が同じ安定な多形（多形Ａ）を提供したので、溶媒ＡＣＮ、ＥｔＯＨ又はアセトンのいずれも結晶化に適していることが分かった。実施例５（表１０）は、溶媒媒介平衡下で同じ多形が得られたので、広範囲の他の溶媒も使用してもよいことを示唆している。最も好ましい実施形態では、溶媒はＥｔＯＨである。式（ＶＩ）の化合物は、単純な濾過によって単離してもよい。
態様ＩＩ
本発明者らは更に、プロセス経路はキラル分割（すなわち、工程ｃ）を必要とせずに実施することができることを見出した。したがって、第２の態様において、所望の（Ｓ）－エナンチオマーは、キラル分割を回避するために、不斉水素化を用いたエナンチオ選択的合成によって得てもよい。したがって、第２の態様において、本方法は、式（ＩＩＩ）又は（ＩＩＩａ）の化合物中のアルケンのエナンチオ選択的還元（すなわち、水素化）を実施するために、態様Ｉの工程ａ）又はｂ）においてキラル触媒を含めることを含む。不斉水素化の利点は、キラル誘導体化剤を用いた態様Ｉ）におけるキラル分割（すなわち、工程ｃ）を冗長にする全体的により短いＡＰＩ経路である。
したがって、第２の態様では、本発明は、
ａ）溶媒中、遷移金属触媒及びキラル配位子の存在下で、式（ＩＩＩ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶａ）若しくは（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程、又は式（ＩＩＩ）の化合物を溶媒中で脱保護試薬と反応させて式（ＩＩＩａ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000031

ｂ）工程ａ）で式（Ｓ）－（ＩＶａ）の化合物が形成された場合、溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶａ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る、又は工程ａ）で式（ＩＩＩａ）の化合物が形成された場合、溶媒中、遷移金属触媒及びキラル配位子の存在下で、式（ＩＩＩａ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000032

ｃ）溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物をコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌと反応させて、式（ＶＩ）の結晶性化合物を得る工程；
Figure 2024519457000033

（式中、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ、３Ｒ）－３－カルボキシ－２、３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。）
を含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法に関する。
工程ａ）又は工程ｂ）；不斉水素化
第２の態様の実施形態では、キラル触媒の存在下で式（ＩＩＩａ）の化合物に水素化を実施して（すなわち、ステップｂ）、鏡像体過剰率（ｅｅ）で式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物（すなわち、所望の（Ｓ）－エナンチオマー）を得る。第２の態様の好ましい実施形態では、キラル触媒の存在下で式（ＩＩＩ）の化合物に水素化を実施して（すなわち、ステップａ）、鏡像体過剰率（ｅｅ）で式（Ｓ）－（ＩＶａ）又は（Ｓ）－（ＩＶｂ）（すなわち、所望の（Ｓ）－エナンチオマー）を得る。最も好ましくは、不斉水素化は、保護基が式（ＩＩＩａ）の脱保護化合物と比較して鏡像体過剰率を改善したので、式（ＩＩＩ）の化合物（すなわち、ステップａ）に対して実施する。好ましくは、不斉水素化における鏡像体過剰率は、少なくとも６０％ｅｅ、例えば少なくとも７０％ｅｅ、例えば少なくとも７５％ｅｅ、好ましくは少なくとも８０％ｅｅ、例えば少なくとも８５％ｅｅ、より好ましくは少なくとも９０％ｅｅ、例えば少なくとも９２％ｅｅ、更により好ましくは少なくとも９４％ｅｅ、例えば少なくとも９６％ｅｅ、更により好ましくは少なくとも９７％ｅｅ、たとえば少なくとも９８％ｅｅ、最も好ましくは、鏡像体過剰率は、＞９９％ｅｅである。得られた鏡像体過剰率は、キラルＨＰＬＣなどの当技術分野で一般的に使用される方法で検証してもよい。最も好ましくは、不斉水素化は、キラル分割が必要とされないような高い鏡像体過剰率で（Ｓ）－エナンチオマーを提供する。不斉水素化において中程度の鏡像体過剰率しか達成されない場合（例えば、少なくとも７０％ｅｅ）、鏡像体過剰率を最終沈殿ステップにおいて更に増加させて、高い鏡像体過剰率（例えば、＞９５％ｅｅ）の式（ＶＩ）の化合物を得ることができる。これは、（Ｓ）－エナンチオマーが（Ｒ）－エナンチオマーよりも高過剰に存在し、エナンチオマーが同じ溶解度を有する（すなわち、（Ｓ）－エナンチオマーが最初に沈殿する）という事実に起因する。式（ＶＩ）の化合物を形成するための最終沈殿が所望の鏡像体過剰率をもたらさない場合、式（ＶＩ）の化合物を、所望の鏡像体過剰率、例えば少なくとも９７％ｅｅ、好ましくは少なくとも９８％ｅｅ、最も好ましくは少なくとも９９％ｅｅに達するまで１回又は複数回再結晶してもよい。水素化（すなわち、態様Ｉ）の工程ａ）又はｂ）について記載される条件は、不斉水素化に等しく適用されるが、キラル配位子の存在を必要とする。
キラル配位子
不斉水素化のために、一連のキラル配位子を使用することができる。そのようなキラル配位子としては、例えば、ＢＩＮＡＰ、ＳＹＮＰＨＯＳ、ＤＩＯＰ、ＤｕＰｈｏｓ、Ｊｏｓｉｐｈｏｓ、ＢＤＰＰ、ＢＩＢＯＰ、Ｍａｎｄｙｐｈｏｓ又はホスホラミダイト、例えばＭＯＮＯＰＨＯＳに基づくホスフィン配位子が挙げられる。最も好ましくは、キラル配位子は（Ｒ，Ｒ）－ｉ－Ｐｒ－ＤｕＰｈｏｓである。不斉還元は、キラル酸によるキラル分割の必要性を回避する。したがって、不斉水素化を使用する場合、ステップｄ）（すなわち、キラル酸によるキラル分割）は必要ではない。しかしながら、残りのステップ（すなわち、ステップａ）、ＳＭＣカップリング、工程ｂ又はｃ）脱保護及びステップｄ）最終塩の調製）は、本明細書に記載されるのと同じ方法で実施してもよい。したがって、残りのステップについて本明細書に記載される実施形態は、必要な変更を加えて、不斉水素化を使用する実施形態に適用される。不斉水素化の最良の条件は、触媒としてのＲｈ（ＮＢＤ）ＢＦ４、キラル配位子としての（Ｒ，Ｒ）－ｉ－Ｐｒ－ＤｕＰｈｏｓ及び溶媒としてのＥｔＯＨであり、好ましくは触媒及びキラル配位子の予備混合を伴うことが分かった。表２は、得られた％ｅｅのいくつかの代表的な例を示す。
Figure 2024519457000034
工程ａ）又は工程ｂ）；脱保護
態様ＩＩの工程ａ）又は工程ｂ）の脱保護は、態様Ｉの工程ａ）又は工程ｂ）の脱保護と同じ方法で実施する。したがって、態様Ｉの脱保護の説明及び実施形態は、態様ＩＩにも等しく適用される。
工程ｃ）；最終塩の調製
態様ＩＩのステップｃ）は、最終結晶塩及びその特定の多形の調製であり、態様Ｉの最終塩の調製と同じ方法で実施される。したがって、態様Ｉの最終塩の調製の説明及び実施形態は、態様ＩＩにも等しく適用される。
態様ＩＩの実施形態において、方法は、工程ａ）の前に、ａ１）溶媒中、塩基及び遷移金属触媒の存在下で、式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）の化合物と反応させて、式（ＩＩＩ）の化合物を得る工程を更に含む。
Figure 2024519457000035

式中、
Ｚは、ボロン酸、トリフルオロホウ酸塩及びボロン酸エステルから成る群から選択され、
ＰＧはアミン保護基であり、
ＹはＳ又はＯから選択され、
Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＯＴｆから選択される。
Figure 2024519457000036
工程ａ１）；Ｓｕｚｕｋｉ－Ｍｉｙａｕｒａクロスカップリング（ＳＭＣ）
態様ＩＩにおけるステップａ１）は、態様Ｉにおけるステップａ１）と同一である。したがって、態様ＩにおけるＳＭＣ反応について記載される説明及び実施形態は、態様ＩＩに等しく適用される。
したがって、態様ＩＩの非常に好ましい実施形態では、本発明は、
ａ１）溶媒中、塩基及び遷移金属触媒の存在下で、式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）の化合物と反応させて、式（ＩＩＩ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000037

式中、
Ｚは、ボロン酸、トリフルオロホウ酸塩及びボロン酸エステルから成る群から選択され、
ＰＧはアミン保護基であり、
ＹはＳ又はＯから選択され、
Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＯＴｆから選択される。
Figure 2024519457000038

ａ）遷移金属触媒及びキラル配位子の存在下、式（ＩＩＩ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶａ）若しくは（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程、又は式（ＩＩＩ）の化合物を溶媒中で脱保護試薬と反応させて、式（ＩＩＩａ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000039

ｂ）工程ａ）で式（Ｓ）－（ＩＶａ）の化合物が形成された場合、溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶａ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程、又は工程ａ）で式（ＩＩＩａ）の化合物が形成された場合、溶媒中、遷移金属触媒及びキラル配位子の存在下で、式（ＩＩＩａ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
Figure 2024519457000040

ｃ）溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物をコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌと反応させて、式（ＶＩ）の結晶性化合物を得る工程；
Figure 2024519457000041

（式中、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ、３Ｒ）－３－カルボキシ－２、３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。）
を含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法に関する。
最も好ましくは、不斉水素化は、式（ＩＩＩ）の化合物（すなわち、保護中間体）に対して行われる。
式（ＩＩ）の化合物の調製
工程ａ）で使用するための式（ＩＩ）の化合物をより低コストで大量に得るために、本発明者らは、より安価な前駆体４－メトキシ－３－（トリフルオロメチル）フェノール（式ＩＩａ）から出発して１－ブロモ－２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンへの２ステップのスケーラブルなプロセス化学経路を開発した。
したがって、本発明のいくつかの実施形態では、第１及び第２の態様による方法は、工程ａ１）の前に、溶媒中、酸の存在下で、式（ＩＩａ）の化合物をハロゲン化剤と反応させて、式（ＩＩｂ）の化合物を得て、溶媒中、塩基の存在下で、式（ＩＩｂ）の化合物をメチル化剤と反応させて、式（ＩＩ）の化合物を得る、更なる工程を含む：
Figure 2024519457000042
ハロゲン化：
ハロゲン化剤：様々なハロゲン化剤が、式（ＩＩａ）の化合物に塩素、臭素又はヨウ素原子を据付けるのに適している。適した塩素化剤としては、限定されないが、シアヌル酸クロリド、Ｎ－クロロスクシンイミド、Ｎ－クロロフタルイミド、１，３－ジクロロ－５，５－ジメチルヒダントイン、ジクロロイソシアヌル酸ナトリウム、トリクロロイソシアヌル酸、Ｎ－クロロサッカリン、クロラミンＢ水和物、ｏ－クロラミン Ｔ二水和物、クロラミン Ｔ三水和物、ジクロラミンＢ、ジクロラミンＴ、ベンジルトリメチルアンモニウムテトラクロロヨウ素酸塩から成るリストが挙げられる。適切な臭素化試薬としては、Ｂｒ２、ＣＢｒ４、テトラブチルアンモニウムトリブロミド、トリメチルフェニルアンモニウムトリブロミド、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド、ピリジニウムブロミドペルブロミド、４－ジメチルアミノピリジニウムブロミドペルブロミド、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムトリブロミド、１，８－ジアザビシクロ ［５．４．０］－７－ウンデセン三臭化水素、Ｎ－ブロモスクシンイミド、Ｎ－ブロモフタルイミド、Ｎ－ブロモサッカリン、Ｎ－ブロモアセトアミド、２－ブロモ－２－シアノ－Ｎ，Ｎ－ジメチル－アセトアミド、１，３－ジブロモ５，５－ジメチルヒダントイン、ジブロモイソシアヌル酸、ブロモイソシアヌル酸一ナトリウム水和物、ＰＢｒ３、ブロモジメチルスルホニウムブロミド、５、５－ジブロモメルドラム酸、２，４，４，６－テトラブロモ２，５－シクロヘキサジエノン、ビス（２，４，６トリメチルピリジン）－ブロモニウムヘキサフルオロホスフェートを挙げてもよいが、これらに限定されない。様々なヨウ素化剤としては、Ｉ２、ＨＩ、ＣＩ４、Ｎ－ヨードスクシンイミド、Ｎ－ヨードサッカリン、１，３－ジヨード－５，５－ジメチルヒダントイン、ピリジン一塩化ヨウ素、ジクロロヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、ジクロロヨウ素酸ベンジルトリメチルアンモニウム及びビス（ピリジン）ヨードニウムテトラフルオロボラートから成るリストが挙げられるが、これらに限定されない。本発明の好ましい実施形態では、ハロゲン化試薬は臭素化試薬であり、最も好ましくはピリジニウムブロミドペルブロミド（ＰｙＨＢｒ３）である。
酸：いくつかの酸は、式（ＩＩａ）の化合物のハロゲン化反応における使用に適している。そのような酸には、ルイス酸及びブレンステッド酸の両方が含まれる。適切な酸には、ｐＴｓＯＨ、ＭｓＯＨ、ＨＣｌ、及びＴｆＯＨから成るリストから選択される酸が含まれてもよいが、これらに限定されない。
溶媒：いくつかの溶媒は、式（ＩＩａ）の化合物のハロゲン化反応に適している。そのような溶媒としては、例えば、ＭＴＢＥ、ＴＨＦ、ＡＣＮ、ＤＭＦ、２－ＭｅＴＨＦ、ＥｔＯＡｃ、ＥｔＯＨ、トルエン、アセトン又はＭｅＯＨが挙げられる。
本発明者らは、ハロゲン化の様々な条件を調査した。見出された最も好ましい条件は、０～１０℃でのピリジニウムブロミドペルブロミド（ＰｙＨＢｒ３、１当量）、ＴｆＯＨ（２．０当量）、ＤＣＭ（６Ｖ）だった。
アルキル化：
アルキル化試薬：様々なメチル化剤が、式（ＩＩｂ）の化合物のメチル化に適している。そのような試薬としては、ＭｅＩ、フルオロスルホン酸メチル、メタンスルホン酸メチル、炭酸ジメチル及び硫酸ジメチルから成るリストから選択されるメチル化剤が挙げられるが、これらに限定されない。本発明の最も好ましい実施形態では、メチル化剤はＭｅＩである。
塩基：式（ＩＩｂ）の化合物のメチル化には様々な塩基を使用してもよい。そのような塩基としては、例えば、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３、Ｃｓ２ＣＯ３などのアルカリ炭酸塩基、ＭｇＣＯ３若しくはＣａＣＯ３などのアルカリ土類金属塩基又はＮａＨなどの水素化塩基が挙げられるが、これらに限定されない。
本発明者らは、アルキル化の様々な条件を調査した。見出された最適な条件は、５０～５５でのＭｅＩ（１．１当量）、Ｋ２ＣＯ３（１．５当量）、アセトン（６Ｖ）だった。
態様ＩＩＩ
実施例３及び４に示すように、本発明者らは、ＨＣｌ塩（多形Ａ）、コハク酸塩（すなわち、多形Ａ、酸：塩基の１：１の比）、及びＬ－酒石酸塩（すなわち、多形Ｂ、酸：塩基の比１：１）が、塩スクリーニングにおいて他の塩と比較して良好な全体的特性を有することを見出した。特に、これらの塩は、高い結晶性、高い融点、良好な熱特性、吸湿性がほとんど又は全くないこと、良好な溶解性、良好なバルク安定性を示した無水物を生じ、スクリーニングされた溶媒中で単一の安定な多形を形成した。対照的に、ヘミコハク酸塩及びヘミ－Ｌ－酒石酸塩（すなわち、酸：塩基の比が１：０．５）は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって決定されるように脱水を受けた水和物を生じ、より吸湿性であり、及び／又は試験した溶媒とは異なる多形を形成した。更に、コハク酸塩（すなわち、多形Ａ、酸：塩基の１：１の比）及びＨＣｌ塩（多形Ａ）は、水中でＬ－酒石酸塩（すなわち、多形Ｂ、酸：塩基の比１：１）よりもかなり高い溶解度を示した。したがって、コハク酸塩（すなわち、多形Ａ、酸：塩基の１：１の比、図１）及びＨＣｌ塩（多形Ａ、図２）、最も好ましくは、コハク酸塩（１：１の比）は、薬物製造用のＡＰＩを開発するための最良の塩として特定された。
したがって、第３の態様では、本発明は、式（ＶＩ）の結晶性化合物に関する：
Figure 2024519457000043

式中、
Ｙは、Ｏ又はＳとして選択され、
Ａは、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ，３Ｒ）－３－カルボキシ－２，３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。
好ましい実施形態では、ＹはＯとして選択される。別の好ましい実施形態では、ＹはＳとして選択される。更に好ましい実施形態では、ＹはＯ又はＳから選択され、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸又はＣｌ－、より好ましくは３－カルボキシプロパン酸として選択される。別の好ましい実施形態では、ＹはＳとして選択され、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸又はＣｌ－、最も好ましくは３－カルボキシプロパン酸から選択される。より好ましい実施形態では、ＹはＯとして選択され、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸又はＣｌ－、最も好ましくは３－カルボキシプロパン酸から選択される。
非晶質及び結晶性化合物は、例えば顕微鏡を使用して容易に区別することができる。非晶質物質と結晶性物質とを区別する最良の方法は、ＸＲＤパターンを測定することである。結晶性物質は常に鋭い回折ピークを示すが、非晶質物質はそうではない。同様に、結晶性物質の異なる多形は、異なるＸＲＤパターンのために識別されてもよい。また、物質の結晶性は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ顕微鏡写真）を用いた制限視野電子回折（ＳＡＥＤ）パターンから確認することができる。
実施形態では、ＹはＯとして選択され、Ａ－は、（２Ｒ，３Ｒ）－３－カルボキシ－２，３－ジヒドロキシプロパン酸として選択され、塩は、図３に示すように、２θピーク５．９２５°、１０．１８３°、１１．３１３°、１１．８２３°、１２．２０９°、１２．５４２°、１５．２３３°、１５．５９２°、１５．７７６°、１６．２７５°、１６．７１９°、１７．０６３°、１７．４０６°、１７．７５２°、１８．０１２°、１９．５６８°、１９．６９２°、２０．２９１°、２０．７４６°、２１．２６１°、２１．８３９°、２２．２００°、２２．７００°、２３．２２６°、２３．３７２°、２３．６０３°、２３．９６２°、２４．５１６°、２４．７０７°、２５．０１３°、２５．４４０°、２５．９１４°、２６．５０２°、２７．００３°、２７．４９６°、２７．９０２°、２８．３６５°、２８．７８６°、２９．０７８°、２９．７９１°、３０．０２７°、３０．２９９°、３０．７８５°、３１．１８７°、３１．６８６°、３２．０７０°、３２．３９２°、３３．４３４°、３３．８６２°、３４．３５８°、３４．７９０°、３５．５８４°、３６．２７７°、３６．８０１°、３７．１９７°、３８．１２１°及び３９．６６７°を有するＸＲＰＤスペクトルを有する多形である。
非常に好ましい実施形態では、ＹはＯとして選択され、Ａ－はクロリド（Ｃｌ－）として選択され、塩は、図２に示すように、２θピーク７．４５７°、９．１８５°、１０．８９９°、１１．７３８°、１２．６０４°、１４．９５６°、１７．７０６°、１８．２１５°、１８．３８２°、１９．３０７°、１９．９０２°、２０．４４２°、２０．９５６°、２１．８５０°、２２．４４９°、２３．７８１°、２４．００７°、２４．３５７°、２４．７５２°、２５．３２７°、２５．５５７°、２６．０６４°、２７．３７７°、２７．７０２°、２８．３４０°、２８．５５７°、２９．１４４°、２９．３６６°、２９．９１５°、３０．１６４°、３０．６６９°、３０．９７５°、３２．２１３°、３２．７２５°、３３．０１８°、３３．７４２°、３４．６０５°、３５．０１２°、３５．６１８°、３６．８８３°、３７．１３１°、３７．２５０°、３７．７７２°、３８．３５８°、３８．６２６°、３９．１４０°、３９．８６９°を有するＸＲＰＤスペクトルを有する多形である。
最も好ましい実施形態では、ＹはＯとして選択され、Ａ－は３－カルボキシプロパン酸として選択され、塩は、図１に示すように、２θピーク４．０７７°、８．１０８°、１１．９９１°、１２．１５６°、１３．８９３°、１５．８７６°、１６．２１８°、１６．４１２°、１６．５９６°、１７．８４９°、１９．５０７°、１９．７８６°、２０．０３１°、２０．２９７°、２１．１２２°、２２．０１１°、２２．６３５°、２３．０００°、２３．２６８°、２４．０６５°、２４．４０８°、２５．４１４°、２５．７５８°、２６．９４７°、２７．７５１°、２８．０３２°、２８．３１４°、２９．９６６°、３０．３５８°、３０．５６２°、３０．７７０°、３１．３７８°、３２．３０６°、３２．８６８°、３３．５０５°、３４．７１０°、３５．２０６°、３６．４１８°、３６．７１４°、３７．３０６°、３８．１４７°、３８．３２２°、３８．７４５°を有するＸＲＰＤスペクトルを有する多形である。
本文脈において、ＸＲＰＤスペクトル（すなわち、与えられた２θピーク）は、一般的な機器の方法に開示されているＸ線粉末回折計及び方法を使用して得られることを理解されたい。
態様ＩＶ
第４の態様では、本発明は、式（ＩＩＩ）又は（ＩＩＩａ）の中間体に関する：
Figure 2024519457000044

式中、
Ｙは、Ｏ又はＳから選択され、
ＰＧは、アミン保護基である。
一般的なアミン保護基としては、カルバメート、例えば９－フルオレニルメチルカルバメート（Ｆｍｏｃ－ＮＲ２）、ｔ－ブチルカルバメート（Ｂｏｃ－ＮＲ２）、及びベンジルカルバメート（Ｃｂｚ－ＮＲ２）、アミド、例えばアセトアミド（Ａｃ－ＮＲ２）及びトリフルオロアセトアミド（ＣＦ３ＣＯ－ＮＲ２）；ベンジルアミン、例えばベンジルアミン（Ｂｎ－ＮＲ２）又は４－メトキシベンジルアミン（ＰＭＢ－ＮＲ２）；トリフェニルメチルアミン（Ｔｒ－ＮＲ２）；スルホンアミド、例えばｐ－トルエンスルホンアミド（Ｔｓ－ＮＲ２）が挙げられる。したがって、本発明の実施形態では、保護基ＰＧは、カルバメート、アミド、ベンジルアミン又はスルホンアミドから成るリストから選択される。好ましい実施形態では、ＰＧは、９－フルオレニルメチルカルバメート（Ｆｍｏｃ－ＮＲ２）、ｔ－ブチルカルバメート（Ｂｏｃ－ＮＲ２）、ベンジルカルバメート（Ｃｂｚ－ＮＲ２）、アセトアミド（Ａｃ－ＮＲ２）、トリフルオロアセトアミド（ＣＦ３ＣＯ－ＮＲ２）、ベンジルアミン（Ｂｎ－ＮＲ２）、４－メトキシベンジルアミン（ＰＭＢ－ＮＲ２）、トリフェニルメチルアミン（Ｔｒ－ＮＲ２）、及びｐ－トルエンスルホンアミド（Ｔｓ－ＮＲ２）から成るリストから選択される。
より好ましくは、保護基（ＰＧ）は、Ｂｏｃ（ｔ－ブチルオキシカルボニル）又はＣＢｚ（カルボキシベンジル）などのカルバメート保護基である。Ｂｏｃ保護基は、塩形成を伴う酸性条件下で除去してもよいという利点を有する。このことにより、特定の実施形態では、生成物のワンポット脱保護、沈殿、及び単離を可能にしてもよい。例えばＣＢｚ保護基は、保護基の切断及び式（ＩＩＩ）の化合物中のアルケン（すなわち、ピペリジンの二重結合）の還元を、別個の脱保護ステップ（すなわち、工程ｃ）が必要とされないように単一のステップで実施してもよいという利点を有する。当業者は、アミンの適切な保護基、それらを据付けるために使用される保護条件、並びにそれらの脱保護（すなわち、切断）条件を十分に認識しており、これらは例えばＧｒｅｅｎｅ’ｓ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓに見出すことができる、したがって、保護基は、本明細書で明示的に言及されていない他の適切なアミン保護基に変更されてもよい。
好ましい実施形態では、ＰＧはカルバメート保護基である。非常に好ましい実施形態では、カルバメートは、Ｂｏｃ又はＣｂｚから選択される。最も好ましい実施形態では、カルバメート保護基はＢｏｃ基である。最も好ましくは、ＹはＯである。
態様Ｖ
第５の態様では、本発明は、式（ＩＩＩ）の中間体の、式（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（ＩＩＩａ）、（Ｓ）－（ＩＶａ）、（Ｓ）－（ＩＶｂ）、（Ｖ）、若しくは（ＶＩ）の化合物の製造のための使用、又は式（ＩＩＩａ）の中間体の、式（ＩＶｂ）、（Ｓ）－（ＩＶｂ）、（Ｖ）、若しくは（ＶＩ）の化合物の製造のための使用に関する：
Figure 2024519457000045
適切なアミンＰＧは、例えば、Ｇｒｅｅｎｅ’ｓ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ又は態様ＩＶで述べたリストに見出すことができ、これらは態様Ｖに等しく適用される。好ましい実施形態では、ＰＧはカルバメート保護基である。非常に好ましい実施形態では、カルバメート保護基は、Ｂｏｃ又はＣｂｚから選択される。最も好ましい実施形態では、カルバメート保護基はＢｏｃ基である。最も好ましくは、ＹはＯである。
実験
一般的な機器の方法
Figure 2024519457000046
Figure 2024519457000047
Figure 2024519457000048
Figure 2024519457000049
Figure 2024519457000050

実施例１－式（ＶＩ）の化合物の合成
以下の反応スキーム１は、式（ＶＩ）の化合物の合成のために開発された全体的な経路を示す。
Figure 2024519457000051
反応スキーム１
２－ブロモ－４－メトキシ－５－（トリフルオロメチル）フェノール（２）の合成：
Figure 2024519457000052
１．オーバーヘッドスターラーを備えた２Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．Ｎ２下で１（１００ｇ、１．０±０．０５倍）をＲ１に充填する。３．Ｎ２下でＤＣＭ（７５０～８５０ｇ、７．５～８．５倍、６Ｖ）をＲ１に充填する。４．Ｒ１を０～１０℃に調整する。５．ＴｆＯＨ（１５６．２ｇ、１．５６～１．６０倍、２．０当量）をＲ１に０～１０℃で１時間にわたって添加する。６．ＰｙＨＢｒ３（１６６．５ｇ、１．６６～１．６８倍、１．０当量）をＲ１に０～１０ｏＣで１時間にわたって添加する。７．Ｒ１を０～１０℃で１６～２０時間撹拌する。８．ＰｙＨＢｒ３（８ｇ、０．０５～０．２０倍、０．０５当量）をＲ１に０～１０℃で添加する。９．Ｒ１を０～１０℃で６～１２時間撹拌する。１０．２０％Ｎａ２ＳＯ３（５５０～６５０ｇ、５．５～６．５倍、６Ｖ）を０～１０ｏＣで１時間にわたって添加する。１１．Ｒ１を１５～２５℃に調整する。１２．Ｒ１を１５～２５℃で１～２時間撹拌する。１３．Ｒ１を１～２時間放置する。１４．下層を分離し、上層を除去する。１５．７％ＮａＨＣＯ３（９５０～１１５０ｇ、８．５～１１．５倍、１０Ｖ）を添加して１５～２５ｏＣでＰＨ＝７～９に調整する。１６．Ｒ１を１５～２５℃で１～２時間撹拌する。１７．Ｒ１を１～２時間放置する。１８．下層を分離し、上層を除去する。１９．ＤＣＭ（６００～７００ｇ、６．０～７．０倍、５Ｖ）を１５～２５℃で充填する。２０．Ｒ１を１～２時間放置する。２１．下層を分離し、上層を除去する。２２．１５～２５℃で飽和ＮａＣｌ（５５０～６５０ｇ、５．５～６．５倍、６Ｖ）を充填する。２３．Ｒ１を１５～２５℃で１～２時間撹拌する。２３．Ｒ１を１～２時間放置する。２４．下層を分離し、上層を除去する。２５．Ｒ１を真空下、４０℃未満で１～３倍に濃縮する。２６．アセトン（４６８ｇ、４．５～５．０倍、６Ｖ）をＲ１に充填する。２６．Ｒ１を真空下、４０℃未満で１～３倍に濃縮する。２７．アセトン（４６８ｇ、４．５～５．０倍、６Ｖ）をＲ１に充填する。化合物２を、アセトン中の溶液として得る。実験室収率：約９０％１。１Ｈ ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３ δ７．２０（ｓ，１Ｈ），７．１０（ｓ，１Ｈ），３．８７（ｓ，３Ｈ）
１－ブロモ－２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼン（３）の合成：
Figure 2024519457000053
１．オーバーヘッドスターラーを備えた２Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．２（１００ｇ、１．０倍（０．９８～１．０２倍）、１．０当量）のアセトン溶液をＲ１に充填する。３．Ｋ２ＣＯ３（７６．５ｇ、０．７７倍（０．７２～０．８０倍）、１．５２当量）をＲ１に充填する４．ＭｅＩ（６２．４５ｇ、０．６２倍（０．５９～０．６５倍）、１．２０当量）をＲ１に充填する。５．Ｒ１をＮ２流下で３０℃（２５～３５℃）に調整する。６．Ｒ１を３０℃（２５～３５℃）で１８時間（１６～２０時間）撹拌する。７．ＭｅＩ（７．９ｇ、０．０８倍（０．０６～０．１０倍）、０．１５当量）をＲ１に充填する。８．Ｒ１を３０℃（２５～３５℃）で８時間（６～１０時間）撹拌する。９．懸濁液を濾過し、液をＲ２に移す。１０．ウェットケーキをアセトン（１５８ｇ、１．５８倍（１．５０～１．６６倍）、２Ｖ（１．９０～２．１０Ｖ））ですすぐ。１１．ウェットケーキをアセトン（１５８ｇ、１．５８倍（１．５０～１．６６倍）、２Ｖ（１．９０～２．１０Ｖ））ですすぐ。ＩＰＣ：Ｋ２ＣＯ３ケーキ中の残留ＭｅＩ：≦１００ｐｐｍ。１２．真空下、Ｒ２を４５℃未満で３～４Ｖに濃縮する。１３．Ｒ２を３０～３５℃に調整する。１４．プロセス水（６００ｇ、５．９～６．１倍）をＮ２下、３０～３５℃で４０分間にわたりＲ１に充填する。１５．Ｒ２を３０～３５℃で１～２時間撹拌する。１６．Ｒ２を１時間にわたり１０～１５℃に調整する。１７．Ｒ２を１０～１５℃で１２～１６時間撹拌する。１８．混合物を濾過する。１９．ケーキを（１４０ｇ、１．３～１．５倍）溶液（アセトン／Ｈ２Ｏ＝１／２、Ｖ／Ｖ）で洗浄する。２０．ウェットケーキを５０～５５℃で１６～２４時間乾燥させる。化合物３を固体として得る。実験室収率：約８５％。１ＨＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３ δ７．２３（ｓ，１Ｈ），７．０９（ｓ，１Ｈ），３．９７（ｓ，３Ｈ），３．８８（ｓ，３Ｈ）。
ｔｅｒｔ－ブチル５－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）－３，６－ジヒドロピリジン－１（２Ｈ）－カルボキシレート（４）の合成：
Figure 2024519457000054
１．オーバーヘッドスターラーを備えた２Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．Ｎ２下で３（１００ｇ、１．０±０．０２倍）をＲ１に充填する。３．Ｎ２下で３ｂ（１１６～１２０ｇ、１．１９～１．２１倍）をＲ１に充填する。４．ＡＣＮ（４５０～５５０ｇ、４．５～５．５倍、６Ｖ）をＲ１に充填する。５．ＮａＢｒ水溶液（２７～３０ｇ、０．２７～０．３０倍、０．２Ｖ）を充填する。６．Ｋ２ＣＯ３（９５～９８ｇ、０．９５～１．００倍）をＲ１に充填する。７．Ｒ１をＮ２で３回パージする。８．Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２．ＣＨ２Ｃｌ２（８．４～８．６ｇ、０．０８４～０．０８６倍）をＲ１に充填する。９．ＡＣＮ（５０～１００ｇ、０．５～１．０倍）をＲ１に充填する。１０．Ｒ１をＮ２で３回パージする。１１．Ｒ１を７５～８５ｏＣに調整する。１２．Ｒ１を７５～８５℃で１６～２４時間撹拌する。１３．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。１４．Ｒ１を２０～４０℃に調整する。１５．Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２．ＣＨ２Ｃｌ２（１～３ｇ、０．０１～０．０３倍）をＲ１に充填する。１５．Ｒ１をＮ２で３回パージする。１６．Ｒ１を７５～８５℃に調整する。１７．Ｒ１を７５～８５℃で６～１０時間撹拌する。１８．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。１９．混合物を４５～５５℃で濾過する。２０．ケーキをＡＣＮ（１５０～２００ｇ、１．５～２．０倍、２Ｖ）ですすぐ。２１．ケーキをＡＣＮ（１５０～２００ｇ、１．５～２．０倍、２Ｖ）ですすぐ。２２．有機相をＲ１に充填する。２３．プロセス水（８００～１２００ｇ、８．０～１２．０倍、８Ｖ）を４５～５５℃で３時間にわたって添加する。２４．Ｒ１を２時間にわたって０～１０℃に調整する。２５．Ｒ１を０～１０℃で４～８時間撹拌する。２６．ケーキを濾過し、ＡＣＮ：Ｈ２Ｏ＝１：３（Ｖ／Ｖ）で洗浄する（１００～２００ｇ、１．０～２．０倍、２Ｖ）。２７．ウェットケーキをＲ１に充填する。２８．ＡＣＮを充填する（３００～４００ｇ、３．０～４．０倍、４Ｖ）。２９．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。３０．プロセス水（４００～５００ｇ、４．０～５．０倍、４Ｖ）を４５～５５℃で３時間にわたって添加する。３１．Ｒ１を２時間にわたって０～１０℃に調整する。３２．混合物を０～１０℃で１～２時間撹拌する。３３．ケーキを濾過し、ＡＣＮ：Ｈ２Ｏ＝１：３（Ｖ／Ｖ）で洗浄する（１００～２００ｇ、１．０～２．０倍、２Ｖ）。３４．ウェットケーキをＲ１に充填する。３５．ＥｔＯＡｃ（９００～１０００ｇ、９．０～１０．０倍）をＲ１に充填する。３６．シリカチオール（１０～１５ｇ、０．１～０．１５倍）をＲ１に充填する。３７．ＥｔＯＡｃ（３００～４００ｇ、３．０～４．０倍）をＲ１に充填する。３８．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。３９．Ｒ１を４５～５５℃で１２～１８時間撹拌する。４０．Ｒ１を１５～２５℃に調整する。４１．Ｒ１を１５～２５℃で１～３時間撹拌する。４２．ケーキを濾過し、ＥｔＯＡｃ（９０～１５０ｇ、０．９～１．５倍、１Ｖ）で洗浄する。４３．有機層をＲ１中でＣＵＮＯ（ＣＵＮＯ装置；供給者：３Ｍ；モデル：ゼータカーボン；Ｚｅｔａ Ｐｌｕｓ活性炭、供給者：３Ｍ；グレード：Ｒ５５ＳＰ；炭素含有量：１．４ｇ；総重量：３ｇ；サイズ：４７＊６ｍｍ）により２５～３５℃で１０～１６時間脱色する。４４．ＣＵＮＯをＥｔＯＡｃ（２００～４００ｇ、２．０～４．０倍、３Ｖ）で２～４時間洗浄する。４５．ＣＵＮＯをＥｔＯＡｃ（２００～４００ｇ、２．０～４．０倍、３Ｖ）で２～４時間洗浄する。４６．ＣＵＮＯをＥｔＯＡｃ（２００～４００ｇ、２．０～４．０倍、３Ｖ）で３～６時間洗浄する。４７．Ｒ１を真空下、４０℃未満で２～３倍に濃縮する。４８．ＥｔＯＡｃ（６００～７００ｇ、６．０～７．０倍）をＲ１に充填する。実験室収率：約８０％。化合物４をオフホワイトの固体として得て、これは１Ｈ－ＮＭＲによって確認される。１Ｈ－ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３ δ７．０７（ｓ，１Ｈ），６．８５（ｓ，１Ｈ），５．９５（ｍ，１Ｈ），４．２２（ｍ，２Ｈ），δ３．８９（ｓ，３Ｈ），３．８２（ｓ，３Ｈ），３．６１－３．５８（ｔ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，３Ｈ），２．３３（ｍ，２Ｈ），１．５０（ｓ，９Ｈ）。
３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン（６）の合成：
Figure 2024519457000055
１．オーバーヘッドスターラーを備えた２Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．４のＥｔＯＡｃ溶液（正味：１００ｇ、１．０倍、１．０当量）をＮ２下でＲ１に充填する。３．ＥｔＯＡｃ（８９０ｇ、８．９倍、１０Ｖ）をＮ２下でＲ１に充填する。４．湿ったＰｄ／Ｃ（１０．０ｇ、０．１倍）をＮ２下でＲ１に充填する。５．０．５～１ＭＰａのＨ２でＲ１を３回パージする。６．Ｈ２流下、Ｒ１を０．５～１ＭＰａに調整する。７．Ｒ１を２５～３５℃に調整する。８．Ｒ１を２５～３５℃で２０～２４時間撹拌する。９．湿ったＰｄ／Ｃ（２．５ｇ、０．０２５倍）をＮ２下でＲ１に充填する。１０．０．５～１ＭＰａのＨ２でＲ１を３回パージする。１１．Ｈ２流下、Ｒ１を０．５～１ＭＰａに調整する。１２．Ｒ１を２５～３５℃に調整する。１３．Ｒ１を２５～３５℃で２０～２４時間撹拌する。１４．混合物を珪藻土（０．５倍～２．０倍）パッドで濾過する。１５．パッドをＥｔＯＡｃ（１６０～２４０ｇ、１．６～２．４倍）で洗浄する。１６．ＥｔＯＡｃ溶液を合わせ、Ｒ２に移す。１７．有機相を５０℃未満で７～９Ｖに濃縮する。化合物５を固体として得る。５の１Ｈ－ＮＭＲ．δ７．０４（ｓ，１Ｈ）、６．８５（ｓ，１Ｈ）、４．１７～４．１４（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ）、３．８６（ｓ，３Ｈ）、３．８３（ｓ，３Ｈ）、３．１３～３．１０（ｍ、１Ｈ）、２．７９（ｓ，１Ｈ）、１．９６～１．９４（ｄ，Ｊ＝９．２０Ｈｚ，１Ｈ）、１．７５（ｓ，１Ｈ）、１．６９～１．６１（ｍ、３Ｈ）、１．４７（ｓ，９Ｈ）。１８．Ｒ２を１０～１５℃に調整する。１９．濃ＨＣｌ（１３５ｇ、１．３０～１．４０倍、５．０当量）を１０～１５℃で１時間かけてＲ２に添加する。２０．Ｒ２を２５～３０℃に調整する。２１．Ｒ２を２５～３５℃で１６～２０時間撹拌する。２２．Ｒ２を１０～１５℃に調整する。２３．濃ＨＣｌ（２６ｇ、０．２～０．３倍、１．０当量）を１０～１５℃で１時間かけてＲ２に添加する。２４．Ｒ２を２５～３５℃で８～１０時間撹拌する。２５．２Ｎ ＮａＯＨ水溶液（６５０～９００ｇ、６．５～９．０倍）をＲ２に添加して、１０～３０℃でｐＨを８～９に調整する。２６．Ｒ２を１５～２５℃で１～２時間撹拌する。２７．Ｒ２を１～２時間放置する。２８．水相を分離する。２９．水層をＲ２に移す。３０．ＥｔＯＡｃ（１６０～２４０ｇ、１．６～２．４倍）をＲ２に充填する。３１．Ｒ２を１５～２５℃で１～２時間撹拌する。３２．Ｒ２を１～２時間放置する。３３．水相を分離する。３４．有機相を合わせる。３５．合わせた有機相を１０％ＮａＣｌ水溶液（５００～７００ｇ、５．０～７．０倍）で洗浄する。３６．Ｒ２を１５～２５℃で１～２時間撹拌する。３７．Ｒ２を１～２時間放置する。３８．水相を分離する。３９．有機相を５０℃未満で５～６Ｖに濃縮する。実験室収率：２ステップで約８８％。化合物６（１３０ｇ、粗製）をオフホワイトの固体として得て、これを１Ｈ ＮＭＲによって確認する。１Ｈ ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ７．１４（ｓ，１Ｈ），７．０４（ｓ，１Ｈ），３．８９（ｓ，３Ｈ），３．８６（ｓ，３Ｈ），３．３４－３．３２（ｍ，２Ｈ），３．２５－３．２２（ｍ，２Ｈ）２．８８－２．８１（ｍ，２Ｈ），１．９７－１．９４（ｍ，２Ｈ），１．８５－１．７９（ｍ，２Ｈ）。
３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン（８）の合成：
Figure 2024519457000056
１．オーバーヘッドスターラーを備えた３Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．Ｎ２下で６（１００ｇ、１．０±０．０２倍）をＲ１に充填する。３．ＴＨＦ（８５０～９５０ｇ、８．５～９．５倍、１０Ｖ）をＲ１に充填する。４．プロセス水（９０～１１０ｇ、２．８～３．２倍、１Ｖ）を充填する。５．Ｒ１を２５～３５℃に調整する。５．（２Ｒ，３Ｒ）－２，３－ビス［（４－メトキシベンゾイル）オキシ］ブタン二酸（１４４～１４６ｇ、１．４４～１．４６倍）をＲ１に充填する。６．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。Ｒ１を４５～５５℃で１０～１６時間撹拌する。７．Ｒ１を３０～４０℃に調整する。８．Ｒ１を真空下４０℃で２～４Ｖに濃縮する。９．ＤＣＭ（９００～１０００ｇ、９．０～１０．０倍、７Ｖ）を充填する。１０．Ｒ１を真空下４０℃で２～４Ｖに濃縮する。１１．ＤＣＭ（９００～１０００ｇ、９．０～１０．０倍、７Ｖ）を充填する。１２．Ｒ１を３５～４５℃で３～６時間撹拌する。１３．Ｒ１を２０～３０℃に調整する。１４．Ｒ１を２０～３０℃で１０～１６時間撹拌する。１５．混合物を濾過する。ＩＰＣ：ウェットケーキ中７のｅｅ％（ジ－アニソイル－酒石酸塩として）≧９８．０％。１６．ウェットケーキをＲ１に充填する。１７．ＤＣＭ（１３００～１４００ｇ、１３．０～１４．０倍、１０Ｖ）をＲ１に充填する。１８．Ｒ１を３５～４５℃に調整する。１９．Ｒ１を３５～４５℃で１～３時間撹拌する。２０．Ｒ１を２０～３０℃に調整する。２１．Ｒ１を２０～３０℃で３～６時間撹拌する。２２．混合物を濾過する。２３．ＩＰＣ：ウェットケーキ中７のｅｅ％（ジ－アニソイル－酒石酸塩として）≧９８．０％。７（ジ－アニソイル－酒石酸塩として）１Ｈ ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ８．０９－８．０６（ｍ，４Ｈ），７．１５（ｓ，１Ｈ），７．０２－６．９７（ｍ，５Ｈ），５．８８（ｓ，２Ｈ），３．８８－３．８４（ｍ，１２Ｈ），３．３４－３．３２（ｍ，３Ｈ），３．０９－３．０３（ｔ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ），２．９７（ｍ，１Ｈ），２．００（ｍ，１Ｈ），１．９１－１．８７（ｍ，３Ｈ）。２４．ウェットケーキをＲ１に充填する。２５．ＥｔＯＡｃ（４５０～５００ｇ、４．５～５．０倍、５Ｖ）をＲ１に充填する。２６．２０％Ｎａ２ＣＯ３（４５０～５００ｇ、４．５～５．０Ｖ、５Ｖ）水相をＲ１に充填する。２７．Ｒ１を２０～３０℃で２～４時間撹拌する。２８．Ｒ１を１～２時間静置させる。２９．上層を分離し、下層を除去する。３０．２０％Ｎａ２ＣＯ３（４５０～５００ｇ、４．５～５．０Ｖ、５Ｖ）水相をＲ１に充填する。３１．Ｒ１を２０～３０℃で１～３時間撹拌する。３２．Ｒ１を１～２時間放置する。３３．上層を分離し、下層を除去する。３４．Ｒ１を真空下４０℃で２～３Ｖに濃縮する。７の実験室収率：３５～４０％。１Ｈ－ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ７．１４（ｓ，１Ｈ），６．９９（ｓ，１Ｈ），３．８６－３．８４（ｄ，６Ｈ），３．２１（ｍ，１Ｈ），３．０８－３．０５（ｍ，２Ｈ），２．６５－２．５８（ｍ，２Ｈ），１．９０－１．６４（ｍ，４Ｈ）。３５．ＥｔＯＨ（４５０～５００ｇ、４．５～５．０倍、５Ｖ）をＲ１に充填する。３６．Ｒ１を真空下４０℃で２～３Ｖに濃縮する。３７．ＥｔＯＨ（５０～３００ｇ、０．５～３．０倍、２Ｖ）をＲ１に充填する。３８．コハク酸（１５～２５ｇ、０．１５～０．２５倍）をＲ１に充填する。３９．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。４０．Ｒ１を４５～５５℃で３～６時間撹拌する。４１．Ｒ１を３時間にわたって２０～３０℃に調整する。４２．Ｒ１を２０～３０℃で１６～２０時間撹拌する。４３．混合物を濾過する。４４．ウェットケーキを３５～４５℃で１８～２４時間乾燥させる。８の実験室収率：約７０％。１Ｈ－ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ７．１６（ｓ，１Ｈ），７．０８（ｓ，１Ｈ），３．８９（ｄ，６Ｈ），３．４６－３．４３（ｍ，３Ｈ），３．１５－３．０２（ｍ，２Ｈ），２．５３（ｓ，４Ｈ），２．０８－１．８９（ｍ，４Ｈ）。
ＹがＳである場合、ＸがＣｌ、Ｂｒ又はＩである以下に示される式（ＩＩ）の化合物を使用することによって、上記と同じ手順を式（ＶＩ）の化合物の合成に使用してもよい。
Figure 2024519457000057
ＹがＳである式（ＩＩ）の化合物は又、市販の４－フルオロ－３－（トリフルオロメチル）フェノールから以下の反応スキームに示されるように調製してもよい。臭素化剤は、必要であれば、本明細書に開示される塩素化剤又はヨウ素化剤で置換されて、それぞれ（５－クロロ－４－メトキシ－２－（トリフルオロメチル）フェニル）（メチル）スルファン又は（５－ヨード－４－メトキシ－２－（トリフルオロメチル）フェニル）（メチル）スルファンを得てもよい。
Figure 2024519457000058
実施例１Ａ－式（ＶＩ）の化合物の合成
以下の反応スキーム１Ａは、脱保護を水素化の前に実施する、式（ＶＩ）の化合物の合成のための代替経路を示す。
Figure 2024519457000059
反応スキーム１Ａ
２－ブロモ－４－メトキシ－５－（トリフルオロメチル）フェノール（２）の合成：
Figure 2024519457000060
１．オーバーヘッドスターラーを備えた２Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．Ｎ２下で１（１００ｇ、１．０±０．０５倍）をＲ１に充填する。３．Ｎ２下でＤＣＭ（７５０～８５０ｇ、７．５～８．５倍、６Ｖ）をＲ１に充填する。４．Ｒ１を０～１０℃に調整する。５．ＰｙＨＢｒ３（１６６．５ｇ、１．６６～１．６８倍、１．０当量）をＲ１に０～１０ｏＣで添加する。６．ＴｆＯＨ（１５６．２ｇ、１．５６～１．６０倍、２．０当量）をＲ１に０～１０℃で２時間にわたって添加する。７．Ｒ１を０～１０℃で１６～２０時間撹拌する。８．ＰｙＨＢｒ３（８ｇ、０．０５～０．２０倍、０．０５当量）をＲ１に０～１０ｏＣで添加する。９．Ｒ１を０～１０℃で６～１２時間撹拌する。１０．２０％Ｎａ２ＳＯ３（５５０～７００ｇ、５．５～７．０倍、６Ｖ）を０～１０ｏＣで４時間にわたって添加する。１１．Ｒ１を１５～２５℃に調整する。１２．Ｒ１を１５～２５℃で１～２時間撹拌する。１３．Ｒ１を１～２時間放置する。１４．下層を分離し、上層を除去する。１５．７％ＮａＨＣＯ３（９５０～１１５０ｇ、８．５～１１．５倍、１０Ｖ）を添加して１５～２５ｏＣでＰＨ＝７～９に調整する。１６．Ｒ１を１５～２５℃で１～２時間撹拌する。１７．Ｒ１を１～２時間放置する。１８．下層を分離し、上層を除去する。１９．ＤＣＭ（６００～７００ｇ、６．０～７．０倍、５Ｖ）を１５～２５℃で充填する。２０．Ｒ１を１～２時間放置する。２１．下層を分離し、上層を除去する。２２．１５～２５℃で飽和ＮａＣｌ（５５０～６５０ｇ、５．５～６．５倍、６Ｖ）を充填する。２３．Ｒ１を１５～２５℃で１～２時間撹拌する。２３．Ｒ１を１～２時間放置する。２４．下層を分離し、上層を除去する。２５．Ｒ１を真空下、４０℃未満で１～３倍に濃縮する。２６．アセトン（４６８ｇ、４．５～５．０倍、６Ｖ）をＲ１に充填する。２６．Ｒ１を真空下、４０℃未満で１～３倍に濃縮する。２７．アセトン（４６８ｇ、４．５～５．０倍、６Ｖ）をＲ１に充填する。化合物２を、アセトン中の溶液として得る。実験室収率：約９０％。１Ｈ ＮＭＲ：４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３δ７．２６（ｓ，１Ｈ）、７．１４（ｓ，１Ｈ）、５．９４（ブロードのｓ，１Ｈ）、３．８７（ｓ，３Ｈ）
１－ブロモ－２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼン（３）の合成：
Figure 2024519457000061
１．オーバーヘッドスターラーを備えた２Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．２（１００ｇ、１．０倍（０．９８～１．０２倍）、１．０当量）のアセトン溶液をＲ１に充填する。３．Ｋ２ＣＯ３（７６．５ｇ、０．７７倍（０．７２～０．８０倍）、１．５当量）をＲ１に充填する。４．ＭｅＩ（６２．４５ｇ、０．６２倍（０．５９～０．６５倍）、１．２０当量）をＲ１に充填する。５．Ｒ１をＮ２流下で３０℃（２５～３５℃）に調整する。６．Ｒ１を３０℃（２５～３５℃）で１８時間（１６～２０時間）撹拌する。７．ＭｅＩ（７．９ｇ、０．０８倍（０．０６～０．１０倍）、０．１５当量）をＲ１に充填する。８．Ｒ１を３０℃（２５～３５℃）で８時間（６～１０時間）撹拌する。９．懸濁液を濾過し、液をＲ２に移す。１０．ウェットケーキをアセトン（１５８ｇ、１．５８倍（１．５０～１．６６倍）、２Ｖ（１．９０～２．１０Ｖ））ですすぐ。１１．Ｒ２を２５～３５℃に調整する。１２．プロセス水（１６００ｇ、１５．０～１８．０倍）をＮ２下、２５～３５℃で４０分間にわたりＲ１に充填する。１３．Ｒ２を２５～３５℃で１～２時間撹拌する。１４．Ｒ２を１時間にわたり５～１５℃に調整する。１５．Ｒ２を５～１５℃で１２～１６時間撹拌する。１６．混合物を濾過する。１７．ケーキ（１５０ｇ、１．０～２．０倍）を溶液で洗浄する（アセトン／Ｈ２Ｏ＝１／２、Ｖ／Ｖ）。１８．ウェットケーキを４５～５５℃で１６～２４時間乾燥させる。化合物３を固体として得る。実験室収率：約８５％。１ＨＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３ δ７．２４（ｓ，１Ｈ），７．１０（ｓ，１Ｈ），３．８９（ｓ，３Ｈ），３．８８（ｓ，３Ｈ）。
ｔｅｒｔ－ブチル５－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）－３，６－ジヒドロピリジン－１（２Ｈ）－カルボキシレート（４）の合成：
Figure 2024519457000062
１．オーバーヘッドスターラーを備えた２Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．Ｎ２下で３（１００ｇ、１．０±０．０２倍）をＲ１に充填する。３．Ｎ２下で３ｂ（１１６～１２０ｇ、１．１９～１．２１倍）をＲ１に充填する。４．ＡＣＮ（４５０～５５０ｇ、４．５～５．５倍、６Ｖ）をＲ１に充填する。５．ＮａＢｒ水溶液（２７～３０ｇ、０．２７～０．３０倍、０．２Ｖ）を充填する。６．Ｋ２ＣＯ３（９５～９８ｇ、０．９５～１．００倍）をＲ１に充填する。７．Ｒ１をＮ２で３回パージする。８．Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２．ＣＨ２Ｃｌ２（８．４～８．６ｇ、０．０８４～０．０８６倍）をＲ１に充填する。９．ＡＣＮ（５０～１００ｇ、０．５～１．０倍）をＲ１に充填する。１０．Ｒ１をＮ２で３回パージする。１１．Ｒ１を７５～８５ｏＣに調整する。１２．Ｒ１を７５～８５℃で１６～２４時間撹拌する。１３．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。１４．Ｒ１を２０～４０℃に調整する。１５．Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２．ＣＨ２Ｃｌ２（１～３ｇ、０．０１～０．０３倍）をＲ１に充填する。１５．Ｒ１をＮ２で３回パージする。１６．Ｒ１を７５～８５℃に調整する。１７．Ｒ１を７５～８５℃で６～１０時間撹拌する。１８．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。１９．混合物を４５～５５℃で濾過する。２０．ケーキをＡＣＮ（１５０～２００ｇ、１．５～２．０倍、２Ｖ）ですすぐ。２１．有機相をＲ１に充填する。２２．シリカチオール（１０～１５ｇ、０．１～０．１５倍）をＲ１に充填する。２３．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。２４．Ｒ１を４５～５５℃で１２～１８時間撹拌する。２５．ケーキを濾過し、ＡＣＮ（１００～２００ｇ、１．０～２．０倍、２Ｖ）で洗浄する。２６．有機相をＲ１に充填する。２７．プロセス水（１０００～１５００ｇ、１０．０～１５．０倍、１１Ｖ）を４５～５５℃で３時間にわたって添加する。２８．Ｒ１を２時間にわたって０～１０℃に調整する。２９．Ｒ１を０～１０℃で４～８時間撹拌する。２６．ケーキを濾過し、ＡＣＮ：Ｈ２Ｏ＝１：３（Ｖ／Ｖ）で洗浄する（１００～２００ｇ、１．０～２．０倍、２Ｖ）。２７．ウェットケーキを３５～４５℃で１０～１６時間にわたって乾燥させる。実験室収率：約８０％。化合物４をオフホワイトの固体として得て、これは１Ｈ－ＮＭＲによって確認される。１Ｈ－ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３ δ７．０７（ｓ，１Ｈ），６．８５（ｓ，１Ｈ），５．９４（ｍ，１Ｈ），４．２２（ｍ，２Ｈ），δ３．８９（ｓ，３Ｈ），３．８３（ｓ，３Ｈ），３．６１－３．５８（ｔ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，３Ｈ），２．３３（ｍ，２Ｈ），１．５４（ｓ，９Ｈ）。
３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン（６）の合成：
Figure 2024519457000063
１．オーバーヘッドスターラーを備えた２Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．４（正味：１００ｇ、１．０倍、１．０当量）をＮ２下でＲ１に充填する。３．２．－ＭｅＴＨＦ（８６０ｇ、８．０～９．０倍、１０Ｖ）をＮ２下でＲ１に充填する。４．濃ＨＣｌ（１３５ｇ、１．３０～１．４０倍、５．０当量）を５～１５℃で１時間にわたりＲ１に添加する。５．Ｒ１を２５～３５℃に調整する。６．Ｒ１を２５～３５℃で１６～２０時間撹拌する。７．Ｒ１を５～１５℃に調整する。８．濃ＨＣｌ（２６ｇ、０．２～０．３倍、１．０当量）を５～１５℃で１時間にわたりＲ１に添加する。９．Ｒ１を２５～３５℃で８～１０時間撹拌する。１０．Ｒ１を０～１０℃に調整する。１１．３Ｎ ＮａＯＨ水溶液（８００～１５００ｇ、８．０～１５．０倍）をＲ１に添加して、０～２５℃でｐＨを１０～１３に調整する。１２．Ｒ１を１５～２５℃で１～３時間撹拌する。１３．Ｒ１を１～２時間放置する。１４．水相を分離する。１５．３Ｎ ＮａＯＨ水溶液（５００～７００ｇ、５．０～７．０倍）をＲ１に０～２５℃で添加する。１６．Ｒ１を１５～２５℃で１～３時間撹拌する。１７．Ｒ１を１～２時間放置する。１８．水相を分離する。１９．２０％ ＮａＣｌ水溶液（５００～７００ｇ、５．０～７．０Ｖ）をＲ１に１５～２５℃で充填する。２０．Ｒ１を１５～２５℃で１～３時間撹拌する。２１．Ｒ１を１～２時間放置する。２２．水相を分離する。２３．有機相を真空下、４０℃未満で２～３Ｖに濃縮する。２４．ＥｔＯＡｃ（６３０ｇ、６．０～７．０倍）をＲ１に充填する。２５．有機相を真空下、４０℃未満で２～３Ｖに濃縮する。２６．ＥｔＯＡｃ（６３０ｇ、６．０～７．０倍）をＲ１に充填する。化合物５を、ＥｔＯＡｃ中の溶液として得る。２７．湿ったＰｄ／Ｃ（８．０ｇ、０．０７～０．０９倍）をＮ２下でＲ２に充填する。２８．有機相をＲ２に充填する。２９．０．５～１ＭＰａのＮ２でＲ２を３回パージする。３０．０．５～１ＭＰａのＨ２でＲ２を３回パージする。３１．Ｈ２流下、Ｒ２を０．５～１ＭＰａに調整する。３２．Ｒ２を２５～３５℃に調整する。３３．Ｒ２を２５～３５℃で２０～２４時間撹拌する。３４．湿ったＰｄ／Ｃ（２．５ｇ、０．０２５倍）をＮ２下でＲ２に充填する。３５．０．５～１ＭＰａのＮ２でＲ２を３回パージする。３６．０．５～１ＭＰａのＨ２でＲ２を３回パージする。３７．Ｈ２流下、Ｒ２を０．５～１ＭＰａに調整する。３８．Ｒ２を２５～３５℃に調整する。３９．Ｒ２を２５～３５℃で１０～１６時間撹拌する。４０．混合物を珪藻土（０．５倍～２．０倍）パッドで濾過する。４１．パッドをＥｔＯＡｃ（２００～３００ｇ、２．０～３．０倍）で洗浄する。４２．ＥｔＯＡｃ溶液を合わせる。実験室収率：２ステップで約８８％。化合物６（１３０ｇ、粗製）をオフホワイトの固体として得て、これを１Ｈ ＮＭＲによって確認する。１Ｈ ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ７．１１（ｓ，１Ｈ），７．０２（ｓ，１Ｈ），３．８６（ｓ，３Ｈ），３．８４（ｓ，３Ｈ），３．３４－３．３２（ｍ，１Ｈ），３．２２－３．２０（ｍ，２Ｈ）２．８６－２．７７（ｍ，２Ｈ），１．９４－１．９１（ｍ，２Ｈ），１．８３－１．７７（ｍ，２Ｈ）。
３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン（８）の合成：
Figure 2024519457000064
１．オーバーヘッドスターラーを備えた３Ｌジャケット付きフラスコを設置する。２．Ｎ２下、ＥｔＯＡｃ（１００ｇ、１．０±０．０２倍）中の６の溶液をＲ１に充填する。３．Ｒ１を真空下、４０℃未満で２～３倍に濃縮する。４．ＴＨＦ（８５０～９５０ｇ、８．５～９．５倍、１０Ｖ）をＲ１に充填する。５．プロセス水（９０～１１０ｇ、０．９～１．１倍、１Ｖ）を充填する。６．Ｒ１を２５～３５℃に調整する。６．（２Ｒ，３Ｒ）－２，３－ビス［（４－メトキシベンゾイル）オキシ］ブタン二酸（１４４～１４６ｇ、１．４４～１．４６倍）をＲ１に充填する。７．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。８．Ｒ１を４５～５５℃で１０～１６時間撹拌する。９．Ｒ１を３０～４０℃に調整する。１０．Ｒ１を真空下４０℃で２～４Ｖに濃縮する。１１．ＤＣＭ（９００～１０００ｇ、９．０～１０．０倍、７Ｖ）を充填する。１２．Ｒ１を真空下４０℃で２～４Ｖに濃縮する。１３．ＤＣＭ（９００～１０００ｇ、９．０～１０．０倍、７Ｖ）を充填する。１４．Ｒ１を３５～４５℃で４～８時間撹拌する。１５．Ｒ１を２０～３０℃に調整する。１６．Ｒ１を２０～３０℃で４～８時間撹拌する。１７．混合物を濾過する。ＩＰＣ：ウェットケーキ中７のｅｅ％（ジ－アニソイル－酒石酸塩として）≧９８．０％。１８．ウェットケーキをＲ１に充填する。１９．ＤＣＭ（１３００～１４００ｇ、１３．０～１４．０倍、１０Ｖ）をＲ１に充填する。２０．Ｒ１を３０～４５℃に調整する。２１．Ｒ１を３０～４５℃で４～６時間撹拌する。２２．混合物を濾過する。２３．ＩＰＣ：ウェットケーキ中７のｅｅ％（ジ－アニソイル－酒石酸塩として）≧９８．０％。７（ジ－アニソイル－酒石酸塩として）１Ｈ ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ８．１０－８．０６（ｍ，４Ｈ），７．１５（ｓ，１Ｈ），７．０２－６．９７（ｍ，５Ｈ），５．８８（ｓ，２Ｈ），３．８８－３．８５（ｍ，１２Ｈ），３．３３－３．３２（ｍ，３Ｈ），３．０９－３．０３（ｔ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ），２．９８－２．９７（ｍ，１Ｈ），２．００（ｍ，１Ｈ），１．９１－１．８７（ｍ，３Ｈ）。２４．ウェットケーキをＲ１に充填する。２５．ＥｔＯＡｃ（４５０～５００ｇ、４．５～５．０倍、５Ｖ）をＲ１に充填する。２６．２０％Ｎａ２ＣＯ３（５５０～７００ｇ、５．５～７．５Ｖ、５Ｖ）水溶液をＲ１に充填する。２７．Ｒ１を２０～３０℃で２～４時間撹拌する。２８．Ｒ１を１～２時間静置させる。２９．上層を分離し、下層を除去する。３０．水相をＲ１に充填する。３１．ＥｔＯＡｃ（４５０～５００ｇ、４．５～５．０Ｖ、５Ｖ）をＲ１に充填する。３２．Ｒ１を２０～３０℃で１～２時間撹拌する。３３．Ｒ１を１～２時間放置する。３４．上層を分離し、下層を除去する。３５．有機相を合わせる。３６．Ｒ１を真空下４０℃で５～６Ｖに濃縮する。３７．プロセス水（４００～６００ｇ、４．０～６．０倍）をＲ１に充填する。３８．Ｒ１を２０～３０℃で１～２時間撹拌する。３９．Ｒ１を１～３時間沈降させる。４０．上層を分離し、下層を除去する。４１．プロセス水（４００～６００ｇ、４．０～６．０倍）をＲ１に充填する。４２．Ｒ１を２０～３０℃で１～３時間撹拌する。３９．Ｒ１を１～２時間放置する。４３．上層を分離し、下層を除去する。４４．Ｒ１を真空下４０℃で２～３Ｖに濃縮する。４５．ＥｔＯＨ（４５０～５００ｇ、４．５～５．０倍）を充填する。４６．Ｒ１を真空下４０℃で２～３Ｖに濃縮する。４７．ＥｔＯＨ（４５０～５００ｇ、４．５～５．０倍）を充填する。ＥｔＯＨ溶液中の７の実験室収率：３５～４０％。１Ｈ－ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ７．１４（ｓ，１Ｈ），６．９９（ｓ，１Ｈ），３．８７（ｓ，３Ｈ），３．８３（ｓ，３Ｈ），３．２２（ｍ，１Ｈ），３．０８－３．０５（ｍ，２Ｈ），２．６５－２．５９（ｍ，２Ｈ），１．９０－１．６４（ｍ，４Ｈ）。４８．７のＥｔＯＨ溶液をＲ１に充填する。４９．コハク酸（１５～２５ｇ、０．１５～０．２５倍）をＲ１に充填する。３９．Ｒ１を４５～５５ｏＣに調整する。４０．Ｒ１を４５～５５℃で３～６時間撹拌する。４１．Ｒ１を３時間にわたって２０～３０℃に調整する。４２．Ｒ１を２０～３０℃で１６～２０時間撹拌する。４３．混合物を濾過する。４４．ウェットケーキを３５～４５℃で１８～２４時間乾燥させる。８の実験室収率：約７０％。１Ｈ－ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ７．１７（ｓ，１Ｈ），７．０８（ｓ，１Ｈ），３．９０（ｓ，３Ｈ），３．８８（ｓ，３Ｈ），３．４６－３．４４（ｍ，３Ｈ），３．３４－３．３２（ｍ，１Ｈ），３．１６－３．０３（ｍ，２Ｈ），２．５３（ｓ，４Ｈ），２．００－１．９０（ｍ，４Ｈ）。
実施例２－式（ＶＩ）の化合物の合成
式（ＶＩ）の化合物はまた、ＹがＳである場合、以下の反応スキームに示すように調製してもよい。キラル分割は、本明細書中に開示されるキラル酸のいずれか、好ましくは表１に示されるキラル酸を使用して実施してもよい。
Figure 2024519457000065
実施例３：塩スクリーニング
（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンとの塩形成剤として１５種類の酸を選択した（表３参照）。約４５ｍｇを適切な溶媒に添加し、様々な当量の酸を５０℃で約２時間、次いで２５℃で少なくとも３２時間撹拌しながら添加した。スクリーニング溶媒として、エタノール、アセトン及びＡＣＮを使用した。沈殿が得られなかったか、又はわずかな固体しか得られなかった場合、溶液を結晶化のために５℃に置いた。
得られた懸濁液を取り出し、遠心分離した。得られた固体をＸＲＰＤによって分析した。塩スクリーニング結果を表４に要約する。結晶化度が高い又は中程度の塩を更に特徴付けた（表５参照）。
Figure 2024519457000066
Figure 2024519457000067
実施例４：結晶ヒットの特性評価
塩スクリーニング結果（表４参照）によれば、合計１９の潜在的な塩ヒットが特定された。全ての潜在的な塩ヒットを、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）、熱重量分析（ＴＧＡ）、１Ｈ－ＮＭＲ、イオンクロマトグラフィー（ＩＣ）、カール・フィッシャー滴定（ＫＦ）、及び偏光顕微鏡法（ＰＬＭ）によって更に調査して、塩ヒットの同一性を確認し、以下の表５に示すように塩ヒットの物理化学的特性を評価した。
Figure 2024519457000068
Figure 2024519457000069

表５で試験した塩の中で、塩酸塩（多形Ａ）、Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ）及びコハク酸塩（多形Ａ）は、他の塩よりも全体的に良好に機能し、高い結晶性、高い融点、妥当な化学量論及び良好な対イオン安全性を含む良好な物理化学的特性を示した。したがって、これらの３つの塩を候補として選択した。
ＨＣｌ塩（多形Ａ）の調製。遊離塩基（多形Ｂ）１６００ｍｇを２０ｍＬガラスバイアルに秤量し、５０℃で約５分間撹拌しながらエタノール４．２ｍＬをバイアルに添加した。（透明溶液）２．１．７９ｍＬ（約１．０５当量）ＨＣｌ溶液（０．２ｍＬのＨＣｌ及び１．８ｍＬのエタノールの混合物）を溶液にゆっくり添加した（透明溶液）。３．約２２．７ｍｇの種晶を溶液に添加し、５０℃で約２時間撹拌し続けた（懸濁液）。４．２５℃まで自然冷却し、次いで、２５℃で約４日間撹拌し続け、５℃で約５時間撹拌した。５．固体を遠心濾過によって回収し、５０℃で約１６時間乾燥させた。６．４６１ｍｇの塩酸塩（多形Ａ）をオフホワイトの固体として収率７４％で得た。１Ｈ ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ７．１５（ｓ，１Ｈ），７．０８（ｓ，１Ｈ），３．８８（ｓ，３Ｈ），３．８６（ｓ，３Ｈ），３．５０－３．４２（ｍ，３Ｈ），３．４０－３．３０（ｍ，１Ｈ），３．１０－３．０６（ｍ，１Ｈ），２．１０－２．０６（ｍ，１Ｈ），１．９８－１．９１（ｍ，３Ｈ）。
Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ）の調製。１６００ｍｇの遊離塩基（多形Ｂ）及び３３８ｍｇのＬ－酒石酸（約１．０５当量）を２０ｍＬガラスバイアルに秤量した。次いで、２ｍＬのエタノールを５０℃で撹拌しながらバイアルに添加した（薄い懸濁液）。約３分間撹拌した後、固体が沈殿した。２．４ｍＬのエタノールを溶液（懸濁液）に添加し、２．約３６．８ｍｇの種晶を溶液に添加し、５０℃で約２時間撹拌し続けた（懸濁液）。３。２５℃まで自然冷却し、次いで、２５℃で約４日間撹拌し続け、５℃で約５時間撹拌した。４．固体を遠心濾過によって回収し、５０℃で約１６時間乾燥させた。５．７８０ ｍｇのＬ－酒石酸塩（多形Ｂ）をオフホワイトの固体として収率８０％で得た。１Ｈ ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ δ７．１７（ｓ，１Ｈ），７．１６（ｓ，１Ｈ），３．８６－３．８３（ｍ，８Ｈ），３．３１－３．２８（ｍ，１Ｈ），３．２３－３．２０（ｍ，１Ｈ），３．１０－３．０６（ｍ，１Ｈ），２．８５（ｍ，１Ｈ），１．９０－１．８１（ｍ，１Ｈ），１．７９－１．７４（ｍ，３Ｈ）。
コハク酸塩（多形Ａ）の調製。１６００ｍｇの遊離塩基（多形Ｂ）及び２６８ｍｇのコハク酸（約１．０５当量）を２０ｍＬガラスバイアルに秤量した。次いで、２ｍＬのエタノールを５０℃で撹拌しながらバイアルに添加した（薄い懸濁液）。約３分間撹拌した後、固体が沈殿した。２．０ｍＬのエタノールを溶液（懸濁液）に添加した。２．約２３．７ｍｇの種晶を懸濁液に添加した。次いで、１．２ｍＬのエタノールを添加し、５０℃で約２時間撹拌し続けた（懸濁液）。３．２５℃まで自然冷却し、次いで、２５℃で約４日間撹拌し続け、５℃で約５時間撹拌した。４．固体を遠心濾過によって回収し、５０℃で約１６時間乾燥させた。５．６２５ｍｇのコハク酸塩（多形Ａ）をオフホワイトの固体として収率７０％で得た。１Ｈ ＮＭＲ：４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ δ７．１６（ｓ，１Ｈ），７．０８（ｓ，１Ｈ），３．８９（ｄ，６Ｈ），３．４６－３．４３（ｍ，３Ｈ），３．１５－３．０２（ｍ，２Ｈ），２．５３（ｓ，４Ｈ），２．０８－１．８９（ｍ，４Ｈ）
塩候補評価
（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンの塩酸塩（多形Ａ）、Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ）及びコハク酸塩（多形Ａ）をスケールアップし、遊離塩基（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン（多形Ｂ）と比較して十分に評価した。スケールアップバッチは、スクリーニングサンプルのものと同じ多形である。表６～１０に示すように、物理化学的特性、安定性、溶解性、吸湿性及び多形挙動に関して、３つの塩候補を遊離形態の多形Ｂ（すなわち、３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジン）と比較して評価した。
Figure 2024519457000070
結晶化度及び熱特性：遊離塩基（多形Ｂ）は、カール・フィッシャーにより約８％の水（モル比で１．３当量）を含有する一水和物である。結晶性が高い。ＤＳＣは、Ｔｏｎｓｅｔが５３．４℃でエンタルピーが約１８０Ｊ／ｇの脱水ピークを示し、続いて、Ｔｏｎｓｅｔが８０．０℃でエンタルピーが約６８Ｊ／ｇの融解ピークを示す。ＴＧＡは、約１００℃で約８％の質量減少率を示す。残留溶媒は１Ｈ－ＮＭＲによって検出されなかった。塩酸塩（多形Ａ）は無水物である。結晶性が高い。遊離形態の塩酸に対する化学量論比は、ＩＣによって１：０．９９である。ＤＳＣは、２３３．２℃のＴｏｎｓｅｔで融解ピークを示す。融解時に分解が起こった。ＴＧＡは、約１６０℃で約０．３％の質量減少率を示す。残留溶媒は検出されなかった。Ｌ－酒石酸塩多形Ｂは無水物である。結晶性が高い。遊離形態のＬ－酒石酸に対する化学量論比は、１Ｈ－ＮＭＲに基づいて１：１．００である。ＤＳＣは、２０３．１℃のＴｏｎｓｅｔで融解ピークを示す。融解時に分解が起こった。ＴＧＡは、約１７０℃で約０．４％の質量減少率を示す。残留溶媒は検出されなかった。コハク酸塩多形Ａは無水物である。結晶性が高い。遊離形態のコハク酸に対する化学量論比は、１Ｈ－ＮＭＲに基づいて１：１．０１である。ＤＳＣは、１６６．４℃のＴｏｎｓｅｔで融解ピークを示す。融解時に分解が起こった。ＴＧＡは、約１３５℃で約０．２％の質量減少率を示す。残留溶媒は検出されなかった。
安定性
以下の表７に示すように、遊離塩基（多形Ｂ）及び３つの塩候補のバルク安定性を、開放容器中２５℃／９２％ＲＨ、開放容器中４０℃／７５％ＲＨ及び密閉容器中６０℃で１週間にわたって調査した。
Figure 2024519457000071
初期化学純度：遊離塩基（多形Ｂ）、塩酸塩（多形Ａ）、Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ）及びコハク酸塩（多形Ａ）は、それぞれ９８．７％、９９．８％、９９．５％および９９．９％の高い化学純度を有する。塩形成は精製効果を示した。
バルク安定性：塩酸塩（多形Ａ）、Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ）、及びコハク酸塩（多形Ａ）は、ストレス条件下で化学的及び物理的に安定である。遊離形態（多形Ｂ）は、これらの条件では化学的に安定であるが、６０℃では物理的に不安定である。これを遊離塩基（多形Ａ）に変換した。このパラメータのみに基づいて、候補塩を識別することはできない。
溶解度
遊離塩基（多形Ｂ）及び３つの塩候補の溶解度を、以下の表８に示すように、４つのｐＨ緩衝液（ｐＨ１．２ ＨＣｌ緩衝液、ｐＨ４．５酢酸緩衝液、ｐＨ６．８リン酸緩衝液及び水）並びに３つの生体関連媒体（ＳＧＦ、ＦａＳＳＩＦ－Ｖ１及びＦｅＳＳＩＦ－Ｖ１）中、３７℃で２時間及び２４時間試験した。溶解度を２ｍｇ／ｍＬまで試験した。
Figure 2024519457000072
遊離塩基及び３つの塩候補は、全体的に良好な溶解度を示した。それらの溶解度は、ｐＨ６．８リン酸緩衝液を除いて、ほとんどのｐＨ緩衝液及び生体関連流体中で＞２ｍｇ／ｍＬである。この緩衝液では、溶解度をＬ－酒石酸塩（多形Ｂ）＞コハク酸塩（多形Ａ）＞ＨＣｌ塩としてランク付けした。
Figure 2024519457000073
３つの塩候補は、表９に示すように、全体的に良好な水への溶解度を示した。
水中では、溶解度をＨＣｌ塩（多形Ａ）＞コハク酸塩（多形Ａ）＞Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ）としてランク付けした。Ｌ－酒石酸塩及びコハク酸塩（１：１）は、ＨＣｌ塩などの一プロトン酸から形成される塩と比較して、増加した緩衝能力を提供するという利点を有する。したがって、溶解度データから、コハク酸塩（多形Ａ）が最も有望な塩候補であると思われる。
吸湿性
表１０に示すように、２５℃での動的水蒸気吸着（ＤＶＳ）試験により、遊離塩基（多形Ｂ）及び３つの塩候補の吸湿性を評価した。
Figure 2024519457000074
遊離塩基（多形Ｂ）は、４０％ＲＨ～９５％ＲＨで安定である。しかしながら、遊離塩基（多形Ｂ）は、相対湿度が４０％未満である場合に脱水を受け、脱水後に潜在的な無水物（多形Ａ）に変換される。脱水生成物は、０％ＲＨ～７０％ＲＨで安定である。ＲＨ＞７０％の場合、脱水生成物は水を吸収し、９０％ＲＨで含水量を回復する。結果として、無水物（多形Ａ）は、遊離塩基（多形Ｂ）に戻る。塩酸塩（多形Ａ）は、非吸湿性である。塩酸塩（多形Ａ）は、２５℃で４０％ＲＨ～９５％ＲＨで約０．１７％の水を吸収する。ＤＶＳ試験後の形態変化なし。Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ）はわずかに吸湿性である。Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ）は、２５℃で４０％ＲＨ～９５％ＲＨで約１．５％の水を吸収する。ＤＶＳ試験後の形態変化なし。コハク酸塩（多形Ａ）は非吸湿性である。コハク酸塩（多形Ａ）は、２５℃で４０％ＲＨ～９５％ＲＨで約０．２１％の水を吸収する。ＤＶＳ試験後の形態変化なし。したがって、ＨＣｌ塩（多形Ａ）及びコハク酸塩（多形Ａ）は、吸湿性に基づいて最も有望な塩候補であると思われる。
モルフィック特性
遊離塩基（多形Ｂ）は、約１０～約１００μｍの範囲の粒径を有する板状結晶から成る。塩酸塩（多形Ａ）は、約２～約３０μｍの範囲の粒径を有する凝集した小さな結晶から成る。Ｌ－酒石酸塩（多形Ｂ）は、約２～約２０μｍの範囲の粒径を有する凝集した小さな結晶から成る。コハク酸塩（多形Ａ）は、約５～約５０μｍの範囲の粒径を有する棒状結晶から成る。
多形性
塩スクリーニングでは、Ｌ－酒石酸塩の２つの多形（多形Ａ及び多形Ｂ）が同定され、コハク酸塩の１つの多形（多形Ａ）が同定された。塩酸塩の１つの多形（多形Ａ）を同定した。したがって、同定された多形の数から、コハク酸塩及びＨＣｌ塩は、スクリーニングされた溶媒からの単一の多形の形成に基づいて、最も有望な塩候補であると思われる。
結論
とりわけ、遊離塩基は、非常に低い融点及びストレス条件下での物理的不安定性を含む、遊離塩基の技術的開発性にいくつかの欠点を有する。３つの塩候補は、遊離塩基のこれらの開発可能性の問題を十分に解決した。３つの塩候補は結晶化度が高く、融点が高い。３つの塩候補は、化学的及び物理的に安定であり、非吸湿性又はわずかに吸湿性である。３つ塩は全て、ｐＨ緩衝液及び生体関連流体中で良好な溶解性を示す。塩形成が精製効果を提供することも見出された。これらに基づいて、３つの塩はすべて、遊離塩基よりも良好な開発可能性を有する。全体的な特性において、コハク酸塩及びＨＣｌ塩が最も有望な塩候補だった。コハク酸塩は、水溶液中の緩衝能を増加させてもよい遊離の追加のカルボン酸のために、製剤に関してＨＣｌ塩よりもいくつかの追加の利点を提供してもよい。
実施例５：（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのモノ－コハク酸塩の他の多形形態についてのスクリーニング。
溶媒との平衡化
溶媒媒介平衡は、新しい多形を生成する、受け入れられている形態である。おおよその溶解度結果に基づいて、約５０ｍｇの（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのコハク酸塩（多形Ａ）を溶媒中で、２５℃で２週間、５０℃で１週間、又は０．１℃／分の加熱／冷却速度で、５℃～５０℃の温度サイクルで１０サイクルにわたって、速度４００ｒｐｍの磁気撹拌プレート上の撹拌棒を用いて平衡化させた。得られた懸濁液を、１４，０００ｒｐｍでの遠心分離によって０．４５μｍナイロンメンブレンフィルターに通して濾過した。固体部分（ウェットケーキ）をＸＲＰＤによって調査した。
Figure 2024519457000075
低速又は高速蒸発による室温での結晶化
おおよその溶解度の結果に基づいて、約３０ｍｇの（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのコハク酸塩（多形Ａ）を表１２に示す溶媒に溶解した。
得られた溶液を０．４５μｍナイロン膜で濾過した。得られた透明溶液を周囲条件（約２５℃、５０％ＲＨ）でゆっくり蒸発させ、乾燥窒素流下、室温で急速蒸発させた。固体残渣をＸＲＰＤによって調査した。
Figure 2024519457000076
徐冷又は急速冷却による高温飽和溶液からの結晶化
おおよその溶解度の結果に基づいて、約５０ｍｇの（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのコハク酸塩（多形Ａ）を、５０℃で表１３に示される最小量の選択された溶媒に溶解した。得られた溶液を０．４５μｍナイロン膜で濾過した。得られた透明溶液を０．１℃／分で５℃に冷却するか（徐冷）、又は得られた透明溶液を０℃の氷浴に入れ、撹拌した（急速冷却）。沈殿物を、５℃、１４，０００ｒｐｍで０．４５μｍナイロンメンブレンフィルターによる遠心濾過によって回収した。固体部分（ウェットケーキ）をＸＲＰＤによって調査した。
Figure 2024519457000077
貧溶媒の添加による結晶化
おおよその溶解度の結果に基づいて、約５０ｍｇの（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのコハク酸塩（多形Ａ）を、周囲温度（約２５℃）で最小量の選択された良好な溶媒に溶解した。大量の固体が沈殿するまで、得られた透明溶液に２～４倍の貧溶媒をゆっくりと添加した。沈殿物を、１４，０００ｒｐｍで０．４５μｍナイロンメンブレンフィルターによる遠心濾過によって回収した。固体部分（ウェットケーキ）をＸＲＰＤによって調査した。
Figure 2024519457000078
圧縮シミュレーション実験
約１００ｍｇの（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのコハク酸塩（多形Ａ）を、油圧プレスで２ＭＰａ、５ＭＰａ及び１０ＭＰａ下で５分間圧縮した。多形形態の潜在的変化及び結晶化度を、表１５に示すようにＸＲＰＤによって評価した。
Figure 2024519457000079
乾式粉砕シミュレーション実験
約５０ｍｇの（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのコハク酸塩（多形Ａ）を乳鉢及び乳棒を用いて手動で５分間粉砕した。多形形態の潜在的変化及び結晶化度をＸＲＰＤによって評価した。多形形態及び結晶化度の変化は観察されなかった。
湿式造粒シミュレーション実験
サンプルが十分に濡れるまで、水又はエタノールを約５０ｍｇの（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのコハク酸塩（多形Ａ）に滴下した。湿ったサンプルを乳鉢及び乳棒で穏やかに粉砕した。造粒後のサンプルを周囲条件下で１０分間乾燥させた。多形形態の潜在的変化及び結晶化度をＸＲＰＤによって評価した。多形形態及び結晶化度の変化は観察されなかった。
結論
結果は、多形Ａが、（Ｓ）－３－（２，５－ジメトキシ－４－（トリフルオロメチル）フェニル）ピペリジンのモノ－コハク酸塩の唯一の同定された多形であることを示す。データは、多形が非常に安定であり、貯蔵又は製剤化中に多形Ａが他の多形形態に自発的に変換される可能性が非常に低いことを示す。多形Ａは、高い結晶化度、良好な化学的及び物理的安定性、非吸湿性並びに製剤プロセスに対する良好な耐性を有する。したがって、多形Ａは、開発に最適な多形である。

Claims (19)

  1. ａ）溶媒中、遷移金属触媒の存在下で、式（ＩＩＩ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、式（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程、又は溶媒中で、式（ＩＩＩ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、式（ＩＩＩａ）の化合物を得る工程；
    Figure 2024519457000080
    （式中、ＰＧはアミン保護基である）

    Figure 2024519457000081
    ，
    Figure 2024519457000082


    Figure 2024519457000083


    ｂ）工程ａ）で式（ＩＶａ）の化合物が形成された場合、溶媒中、式（ＩＶａ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、式（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程、又は工程ａ）で式（ＩＩＩａ）の化合物が形成された場合、溶媒中、遷移金属触媒の存在下で、式（ＩＩＩａ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、式（ＩＶｂ）のラセミ化合物を得る工程；
    Figure 2024519457000084

    ｃ）溶媒中で、式（ＩＶｂ）の化合物をキラル酸と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（ｅｅ）を有する式（Ｖ）の化合物を得る、及び式（Ｖ）の塩を遊離させて式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
    Figure 2024519457000085

    ｄ）溶媒中で、式（Ｓ）～（ＩＶｂ）の化合物をコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌと反応させて、式（ＶＩ）の結晶性化合物を得る工程；
    Figure 2024519457000086

    （式中、ＹはＳ又はＯから選択され；Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ、３Ｒ）－３－カルボキシ－２、３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。）
    を含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法。
  2. 工程ｃ）における前記キラル酸が、（－）－Ｏ、Ｏ’－ジ－ｐ－トルオイル－Ｌ－酒石酸又は（－）－ジ－ｐ－アニソイル－Ｌ－酒石酸、好ましくは（－）－ジ－ｐ－アニソイル－Ｌ－酒石酸から選択される、請求項１に記載の方法。
  3. ａ）溶媒中、遷移金属触媒及びキラル配位子の存在下で、式（ＩＩＩ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶａ）若しくは（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程、又は溶媒中で、式（ＩＩＩ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、式（ＩＩＩａ）の化合物を得る工程；
    Figure 2024519457000087

    ｂ）工程ａ）で式（Ｓ）－（ＩＶａ）の化合物が形成された場合、溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶａ）の化合物を脱保護試薬と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程、又は工程ａ）で式（ＩＩＩａ）の化合物が形成された場合、溶媒中、遷移金属触媒及びキラル配位子の存在下で、式（ＩＩＩａ）の化合物を水素ガス（Ｈ２）と反応させて、少なくとも７０％の鏡像体過剰率（％ｅｅ）を有する式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物を得る工程；
    Figure 2024519457000088

    ｃ）溶媒中で、式（Ｓ）－（ＩＶｂ）の化合物をコハク酸、Ｌ－酒石酸又はＨＣｌと反応させて、式（ＶＩ）の結晶性化合物を得る工程；
    Figure 2024519457000089

    （式中、Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ、３Ｒ）－３－カルボキシ－２、３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。）
    を含む、式（ＶＩ）の化合物を製造する方法。
  4. 前記キラル配位子が、（Ｒ，Ｒ）－ｉ－Ｐｒ－ＤｕＰｈｏｓである、請求項３に記載の方法。
  5. 工程ａ）の前に、
    ａ１）溶媒中、塩基及び遷移金属触媒の存在下で、式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）の化合物と反応させて、式（ＩＩＩ）の化合物を得る工程；
    を更に含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。
    Figure 2024519457000090

    式中、
    Ｚは、ボロン酸、トリフルオロホウ酸塩及びボロン酸エステルから成る群から選択され、
    ＰＧはアミン保護基であり、
    ＹはＳ又はＯから選択され、
    Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＯＴｆから選択される。
    Figure 2024519457000091
  6. ＰＧが、カルバメート保護基、アミド保護基、ベンジルアミン保護基、トリフェニルメチルアミン保護基、又はスルホンアミド保護基、好ましくはカルバメート保護基、最も好ましくはｔｅｒｔ－ブチルオキシカルボニル基（Ｂｏｃ）である、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記脱保護試薬が酸、好ましくはＨＣｌである、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。
  8. 式（ＶＩ）の結晶性化合物：
    Figure 2024519457000092

    式中、
    Ｙは、Ｏ又はＳとして選択され、
    Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸、（２Ｒ，３Ｒ）－３－カルボキシ－２，３－ジヒドロキシプロパン酸又はクロリド（Ｃｌ－）として選択される。
  9. 以下の構造を有する、請求項８に記載の結晶性化合物：
    Figure 2024519457000093
  10. ＹがＯである、請求項８又は９に記載の結晶性化合物。
  11. ＹがＯであり、
    Ａ－は３－カルボキシプロパン酸であり、塩は、図１に示すように、２θピーク４．０７７°、８．１０８°、１１．９９１°、１２．１５６°、１３．８９３°、１５．８７６°、１６．２１８°、１６．４１２、１６．５９６°、１７．８４９°、１９．５０７°、１９．７８６°、２０．０３１°、２０．２９７°、２１．１２２°、２２．０１１°、２２．６３５°、２３．０００°、２３．２６８°、２４．０６５°、２４．４０８°、２５．４１４°、２５．７５８°、２６．９４７°、２７．７５１°、２８．０３２°、２８．３１４°、２９．９６６°、３０．３５８°、３０．５６２°、３０．７７０°、３１．３７８°、３２．３０６°、３２．８６８°、３３．５０５°、３４．７１０°、３５．２０６°、３６．４１８°、３６．７１４°、３７．３０６°、３８．１４７°、３８．３２２°、３８．７４５°を有するＸＲＰＤスペクトルを有する多形であるか、又は
    Ａ－は（２Ｒ，３Ｒ）－３－カルボキシ－２，３－ジヒドロキシプロパン酸であり、塩は、図３に示すように、２θピーク５．９２５°、１０．１８３°、１１．３１３°、１１．８２３°、１２．２０９°、１２．５４２°、１５．２３３°、１５．５９２°、１５．７７６°、１６．２７５°、１６．７１９°、１７．０６３°、１７．４０６°、１７．７５２°、１８．０１２°、１９．５６８°、１９．６９２°、２０．２９１°、２０．７４６°、２１．２６１°、２１．８３９°、２２．２００°、２２．７００°、２３．２２６°、２３．３７２°、２３．６０３°、２３．９６２°、２４．５１６°、２４．７０７°、２５．０１３°、２５．４４０°、２５．９１４°、２６．５０２°、２７．００３°、２７．４９６°、２７．９０２°、２８．３６５°、２８．７８６°、２９．０７８°、２９．７９１°、３０．０２７°、３０．２９９°、３０．７８５°、３１．１８７°、３１．６８６°、３２．０７０°、３２．３９２°、３３．４３４°、３３．８６２°、３４．３５８°、３４．７９０°、３５．５８４°、３６．２７７°、３６．８０１°、３７．１９７°、３８．１２１°及び３９．６６７°を有するＸＲＰＤスペクトルを有する多形であるか、又は
    Ａ－はクロリド（Ｃｌ－）として選択され、塩は、図２に示すように、２θピーク７．４５７°、９．１８５°、１０．８９９°、１１．７３８°、１２．６０４°、１４．９５６°、１７．７０６°、１８．２１５°、１８．３８２°、１９．３０７°、１９．９０２°、２０．４４２°、２０．９５６°、２１．８５０°、２２．４４９°、２３．７８１°、２４．００７°、２４．３５７°、２４．７５２°、２５．３２７°、２５．５５７°、２６．０６４°、２７．３７７°、２７．７０２°、２８．３４０°、２８．５５７°、２９．１４４°、２９．３６６°、２９．９１５°、３０．１６４°、３０．６６９°、３０．９７５°、３２．２１３°、３２．７２５°、３３．０１８°、３３．７４２°、３４．６０５°、３５．０１２°、３５．６１８°、３６．８８３°、３７．１３１°、３７．２５０°、３７．７７２°、３８．３５８°、３８．６２６°、３９．１４０°、３９．８６９°を有するＸＲＰＤスペクトルを有する多形である。
  12. Ａ－は、３－カルボキシプロパン酸であり、塩は、図１に示すように、２θピーク４．０７７°、８．１０８°、１１．９９１°、１２．１５６°、１３．８９３°、１５．８７６°、１６．２１８°、１６．４１２、１６．５９６°、１７．８４９°、１９．５０７°、１９．７８６°、２０．０３１°、２０．２９７°、２１．１２２°、２２．０１１°、２２．６３５°、２３．０００°、２３．２６８°、２４．０６５°、２４．４０８°、２５．４１４°、２５．７５８°、２６．９４７°、２７．７５１°、２８．０３２°、２８．３１４°、２９．９６６°、３０．３５８°、３０．５６２°、３０．７７０°、３１．３７８°、３２．３０６°、３２．８６８°、３３．５０５°、３４．７１０°、３５．２０６°、３６．４１８°、３６．７１４°、３７．３０６°、３８．１４７°、３８．３２２°、３８．７４５°を有するＸＲＰＤスペクトルを有する多形である、請求項１１に記載の結晶性化合物。
  13. 前記結晶性化合物は、約５～約５０μｍの範囲の粒径を有する結晶を有する、請求項８～１２に記載の結晶性化合物。
  14. 式（ＩＩＩ）又は（ＩＩＩａ）の中間体化合物：
    Figure 2024519457000094

    （式中、Ｙは、Ｏ又はＳから選択され、ＰＧは、アミン保護基である。）
  15. 式（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（Ｓ）－（ＩＶａ）、（Ｓ）－（ＩＶｂ）、（Ｖ）、又は（ＶＩ）の化合物の製造のための、式（ＩＩＩ）又は（ＩＩＩａ）の中間体化合物の使用：
    Figure 2024519457000095

    （式中、Ｙは、Ｏ又はＳから選択され、ＰＧはアミン保護基である。）
  16. 前記アミン保護基が、カルバメート保護基、アミド保護基、ベンジルアミン保護基、トリフェニルメチルアミン保護基、又はスルホンアミド保護基、好ましくはカルバメート保護基である、
    請求項１４又は１５に記載の中間体化合物又は中間体化合物の使用。
  17. カルバメート保護基が、９－フルオレニルメチルカルバメート（Ｆｍｏｃ－ＮＲ２）、ｔ－ブチルカルバメート（Ｂｏｃ－ＮＲ２）又はベンジルカルバメート（Ｃｂｚ－ＮＲ２）から選択され、アミド保護基が、アセトアミド（Ａｃ－ＮＲ２）又はトリフルオロアセトアミド（ＣＦ３ＣＯ－ＮＲ２）から選択され、ベンジルアミン保護基は、ベンジルアミン（Ｂｎ－ＮＲ２）又は４－メトキシベンジルアミン（ＰＭＢ－ＮＲ２）から選択され、トリフェニルメチルアミン保護基は、トリフェニルメチルアミン（Ｔｒ－ＮＲ２）であり、スルホンアミド保護基は、ｐ－トルエンスルホンアミド（Ｔｓ－ＮＲ２）である、
    請求項１６に記載の中間体化合物又は中間体化合物の使用。
  18. 前記アミン保護基が、ｔｅｒｔ－ブチルオキシカルボニル基（Ｂｏｃ）である、請求項１４～１５に記載の中間体化合物又は中間体化合物の使用。
  19. ＹがＯである、請求項１４～１８に記載の中間体化合物又は中間体化合物の使用。
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