JP2024003672A - インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】インダクタ部品と、他の電子部品と、の干渉を抑制する。【解決手段】第１端面１１Ｃに垂直な方向での、第１端面１１Ｃから第１被覆電極７１の表面までの距離を、第１被覆電極７１の厚みとする。第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃを通り第１主面１１Ａに垂直な第２仮想線ＶＬ２上において、第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所が、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側にずれている。【選択図】図４

Description

本発明は、インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法に関する。

特許文献１に記載のインダクタ部品は、素体と、インダクタ配線と、第１被覆電極と、第２被覆電極と、を備えている。素体は、６つの外面を有する直方体状である。インダクタ配線は、素体の内部で延びている。素体は、第１電極と、第２電極と、を有している。第１電極は、インダクタ配線の第１端に接続している。第２電極は、インダクタ配線の第２端に接続している。素体の外面のうちの１つを主面とし、主面に垂直な面の１つを第１端面とし、第１端面に平行な面を第２端面とし、主面及び第１端面のいずれにも垂直な面の１つを底面とする。この場合、第１電極は、底面から第１端面にかけての領域で素体の外部に露出している。第２電極は、底面から第２端面にかけての領域で素体の外部に露出している。そして、第１被覆電極は、第１電極の表面を覆っている。第２被覆電極は、第２電極の表面を覆っている。

特開２０２１－２７２５０号公報

特許文献１に記載のようなインダクタ部品は、他の電子部品と隣り合って、基板上に配置される。ここで、第１端面上において第１被覆電極の厚みが均一であるとは限らず、第１被覆電極が、部分的に第１端面が向く方向に突出していることがある。そして、第１被覆電極が過度に突出していると、第１端面と向かい合うように配置される他の電子部品に干渉することがある。このような干渉を避けるためには、インダクタ部品と他の電子部品との間に相当なスペースを確保せざるを得ない。したがって、インダクタ部品及び他の電子部品の高密度な実装の妨げとなっている。

上記課題を解決するため、本発明の一態様は、６つの外面を有する直方体状の素体と、前記素体の内部で延びているインダクタ配線と、前記外面のうちの１つの面である底面を被覆し、前記インダクタ配線の第１端に電気的に接続された第１被覆電極と、前記底面を被覆し、前記インダクタ配線の第２端に電気的に接続された第２被覆電極と、を備え、前記素体の６つの前記外面のうち、前記底面に垂直な面の１つの面を主面とし、前記底面及び前記主面のいずれにも垂直な面を第１端面及び第２端面としたとき、前記第１被覆電極及び前記第２被覆電極は、前記底面の幾何中心を通り前記第１端面に垂直な第１仮想線上の一部を被覆しており、前記第１被覆電極は前記第１端面を、前記第２被覆電極は前記第２端面を覆っており、前記第１端面に垂直な方向での、前記第１端面から前記第１被覆電極の表面までの距離を、前記第１被覆電極の厚みとしたとき、前記第１端面の幾何中心を通り前記主面に垂直な第２仮想線上において、前記第１被覆電極の厚みが最大となる箇所が、前記第１端面の幾何中心よりも前記主面側にずれているインダクタ部品である。

例えば、インダクタ部品の第１端面と隣り合うように配置される他の電子部品として、直方体の素体の端面全域に電極がめっきされたものが挙げられる。このような電子部品においては、端面の中央において電極の厚みが大きくなっている。つまり、この種の電子部品では、素体の端面の中央が膨らんだ形状になっている。また、実質的に電子部品の外径サイズが規格化されつつある現状で、高密度な実装を図る上では、各電子部品を配置する基板上のランドパターンは整列されている。つまり、基板の主面に垂直な方向から視て、インダクタ部品の第１端面の幾何中心と、隣り合う他の電子部品の端面の幾何中心とは、同一直線状に並んで隣り合っている場合が多い。

上記構成によれば、第１被覆電極の厚みが最大となる箇所が、第１端面の幾何中心よりも主面側にずれている。したがって、インダクタ部品と上記他の電子部品を、基板上の整列されたランドパターンの隣り合う位置に配置した場合であっても、インダクタ部品の第１被覆電極の厚みが最大となる箇所と、上記他の電子部品の電極の厚みが最大となる箇所と、がずれるため、両部品の電極同士が干渉しにくい。したがって、基板上での部品の高密度化に寄与できる。

上記課題を解決するため、本発明の他の態様は、絶縁性の絶縁ペースト及び金属粉を含む導電ペーストを用いて、前記絶縁ペーストの内部で螺旋状に延びている前記導電ペーストのパターンと、前記パターンの第１端に接続し前記絶縁ペーストから露出する前記導電ペーストの第１導電部と、前記パターンの第２端に接続し前記絶縁ペーストから露出する前記導電ペーストの第２導電部と、を有する直方体状の積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体を焼成して前記第１導電部が焼結した第１埋込電極、前記第２導電部が焼結した第２埋込電極をそれぞれ有する素体を形成する焼成工程と、前記素体の表面に露出している前記第１埋込電極及び前記第２埋込電極の表面にめっきして、前記第１埋込電極の表面を被覆する第１被覆電極及び前記第２埋込電極の表面を被覆する第２被覆電極を形成するめっき工程と、を備え、前記素体の６つの外面のうち、１つの面を底面とし、前記底面に垂直な面の１つを主面とし、前記底面及び前記主面のいずれにも垂直な面を第１端面及び第２端面としたとき、前記第１埋込電極及び前記第２埋込電極は、前記底面において前記素体の外部に露出し、前記第１埋込電極は、前記第１端面において前記素体の外部に露出する端面電極部を有しており、前記めっき工程において、前記第１端面の幾何中心を絶縁性のカバーで覆うとともに、前記端面電極部のうち、前記第１端面の幾何中心を通り前記主面に垂直な仮想線上において、前記幾何中心に対して前記主面側の部分を前記カバーから露出させてめっきするインダクタ部品の製造方法である。

上記構成によれば、端面電極部に電気めっきをする際に、幾何中心では、カバーによって電流が流れないため電気めっきされない。そのため、仮想線上において、幾何中心に対して主面側の部分のみを電気めっきすることで、端面電極部上における幾何中心に対して主面側の部分のみに第１被覆電極を形成できる。その結果、第１被覆電極の厚みが最大となる箇所が、第１端面の幾何中心よりも主面側にずれた形状になる。

インダクタ部品と、他の電子部品と、の干渉を抑制できる。

図１は、第１実施形態のインダクタ部品の斜視図である。 図２は、第１実施形態のインダクタ部品の分解斜視図である。 図３は、第１実施形態の第１層の平面図である。 図４は、第１実施形態のインダクタ部品の端面図である。 図５は、図４の５－５線に沿う断面図である。 図６は、第１実施形態のインダクタ部品の製造方法を説明する説明図である。 図７は、第２実施形態のインダクタ部品の分解斜視図である。 図８は、第２実施形態のインダクタ部品の端面図である。 図９は、図８の９－９線に沿う断面図である。 図１０は、変更例のインダクタ部品の端面図である。 図１１は、変更例のインダクタ部品の端面図である。 図１２は、変更例のインダクタ部品の端面図である。 図１３は、変更例のインダクタ部品の端面図である。 図１４は、変更例のインダクタ部品の端面図である。 図１５は、変更例のインダクタ部品の端面図である。 図１６は、変更例のインダクタ部品の端面図である。 図１７は、変更例のインダクタ部品の端面図である。

＜第１実施形態について＞
以下、インダクタ部品の第１実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするために、構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。

（インダクタ部品の全体構成）
図１に示すように、インダクタ部品１０は、直方体状の素体１１を備えている。また、図２及び図３に示すように、インダクタ部品１０は、素体１１の内部で延びているインダクタ配線３０を備えている。素体１１は、インダクタ配線３０の第１端に接続している第１埋込電極４０と、インダクタ配線３０の第２端に接続している第２埋込電極５０と、を有している。

図２に示すように、素体１１は、全体として、複数の板状の層が積層されたような構造になっている。また、各層は、平面視で長方形状になっている。そして、素体１１は直方体状であることから平面状の６つの外面を有している。図１に示すように、これら６つの外面のうち、１つの面を底面１１Ｅとする。また、６つの外面のうち、底面１１Ｅに垂直な面の１つの面を第１主面１１Ａとする。また、第１主面１１Ａと平行な面を第２主面１１Ｂとする。そして、底面１１Ｅ及び第１主面１１Ａのいずれにも垂直な面の１つを第１端面１１Ｃとする。また、第１端面１１Ｃに平行な面を第２端面１１Ｄとする。また、底面１１Ｅと平行な面を天面１１Ｆとする。

なお、以下の説明では、複数の層が積層する方向に沿う軸、すなわち第１主面１１Ａに垂直な軸を第１軸Ｘとする。また、第１端面１１Ｃに垂直な軸を第２軸Ｙとする。さらに、底面１１Ｅに垂直な軸を第３軸Ｚとする。そして、第１軸Ｘに沿う方向のうちの第１主面１１Ａが向く方向を第１正方向Ｘ１とし、第１正方向Ｘ１と反対方向を第１負方向Ｘ２とする。また、第２軸Ｙに沿う方向のうちの第１端面１１Ｃが向く方向を第２正方向Ｙ１とし、第２正方向Ｙ１と反対方向を第２負方向Ｙ２とする。さらに、第３軸Ｚに沿う方向のうちの天面１１Ｆが向く方向を第３正方向Ｚ１とし、第３正方向Ｚ１と反対方向を第３負方向Ｚ２とする。

図２に示すように、素体１１は、第１層Ｌ１～第９層Ｌ９を有している。第１層Ｌ１～第９層Ｌ９は、この順で第１負方向Ｘ２に並んでいる。第１層Ｌ１～第９層Ｌ９の厚み、すなわちＸ軸に沿う方向の寸法は、すべて略同一である。図３に示すように、第１層Ｌ１は、第１電極部４１と、第２電極部５１と、第１配線部３１と、第１絶縁部２１と、によって構成されている。

第１電極部４１は、銀などの導電性材料からなっている。第１負方向Ｘ２を向いて第１層Ｌ１を視たときに、第１電極部４１は、全体としてＬ字状になっている。第１電極部４１は、第１負方向Ｘ２を向いて第１層Ｌ１を視たときに、第１層Ｌ１の中心よりも第２正方向Ｙ１側且つ第３負方向Ｚ２側に位置している。より具体的には、第１電極部４１は、第１負方向Ｘ２を向いて第１層Ｌ１を視たときに、第１層Ｌ１の第２正方向Ｙ１側且つ第３負方向Ｚ２側の角を含む箇所に位置している。

第２電極部５１は、銀などの導電性材料からなっている。第２電極部５１は、棒状である。第２電極部５１は、底面１１Ｅに沿って延びている。第２電極部５１の第２負方向Ｙ２側の端は、第２端面１１Ｄに位置している。第２電極部５１の第２正方向Ｙ１側の端は、底面１１Ｅにおける第２軸Ｙに沿う方向の中央よりも第２負方向Ｙ２側に位置している。

第１配線部３１は、銀などの導電性材料からなっている。第１負方向Ｘ２を向いて第１層Ｌ１を視たときに、第１配線部３１は、全体として、第１層Ｌ１の中心を概ねの中心とした渦巻状に延びている。具体的には、第１配線部３１の第１端部３１Ａは、第１電極部４１の第３軸Ｚに沿う方向における第３正方向Ｚ１側の端部に接続している。なお、第１端部３１Ａは、第１負方向Ｘ２を向いて視たときに第１層Ｌ１～第９層Ｌ９の配線部が重なって構成される周回経路から外れた部分である。すなわち、第１端部３１Ａは、インダクタ配線３０の第１端である。第１配線部３１の配線幅は、第２端部３１Ｂを除いて略一定となっている。第１配線部３１の第２端部３１Ｂの第３軸Ｚに沿う方向における位置は、第３軸Ｚに沿う方向における第１層Ｌ１の中央より第３正方向Ｚ１側である。また、第１配線部３１の第２端部３１Ｂの第２軸Ｙに沿う方向における位置は、第２軸Ｙに沿う方向における第１層Ｌ１の中央より第２正方向Ｙ１側である。そして、第１負方向Ｘ２を向いて第１配線部３１を視たときに、第１配線部３１は、第１端部３１Ａから第２端部３１Ｂに向かって時計回りに延びている。

第１配線部３１の第２端部３１Ｂは、後述するビア３２と接続するためのパッドとして機能している。第１負方向Ｘ２を向いて第１層Ｌ１を視たときに、第２端部３１Ｂは、略円形状になっている。また、第１配線部３１の第２端部３１Ｂは、第１配線部３１の他の部分よりも配線幅が大きくなっている。

第１層Ｌ１において、第１電極部４１と、第２電極部５１と、第１配線部３１と、を除く部分は、第１絶縁部２１である。第１絶縁部２１は、ガラス、樹脂、アルミナなど非磁性の絶縁体からなっている。

図２に示すように、第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１の第１負方向Ｘ２を向く主面に積層されている。第１負方向Ｘ２を向いて第２層Ｌ２を視たときに、第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第２層Ｌ２は、第３電極部４２と、第４電極部５２と、ビア３２と、第２絶縁部２２と、によって構成されている。

第３電極部４２は、第１電極部４１と同じ材料からなっている。第３電極部４２は、棒状である。第３電極部４２は、底面１１Ｅに沿って延びている。第３電極部４２の第２正方向Ｙ１側の端は、第１端面１１Ｃに位置している。第３電極部４２の第２負方向Ｙ２側の端は、第１電極部４１の第２負方向Ｙ２側の端と一致している。そのため、第１負方向Ｘ２を向いて第２層Ｌ２を視たときに、第３電極部４２は、第１電極部４１の底面１１Ｅに沿って延びる部分と箇所に位置している。よって、第３電極部４２は、第１電極部４１の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第４電極部５２は、第２電極部５１と同じ材料からなっている。第４電極部５２は、第２電極部５１と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第２層Ｌ２を視たときに、第４電極部５２は、第２電極部５１と同じ箇所に位置している。そのため、第４電極部５２は、第２電極部５１の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

ビア３２は、第１配線部３１と同じ材料からなっている。ビア３２は、第１軸Ｘに沿う方向に延びる円柱状である。ビア３２は、第１配線部３１の第２端部３１Ｂにおける第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。そのため、ビア３２は、第１配線部３１の第２端部３１Ｂと電気的に接続している。そして、ビア３２は、第１配線部３１の第２端部３１Ｂから第１負方向Ｘ２に延びている。

第２層Ｌ２において、第３電極部４２と、第４電極部５２と、ビア３２と、を除く部分は、第２絶縁部２２である。第２絶縁部２２は、第１絶縁部２１と同じ材料の非磁性の絶縁体からなっている。

第３層Ｌ３は、第２層Ｌ２の第１負方向Ｘ２を向く主面に積層されている。第１負方向Ｘ２を向いて第３層Ｌ３を視たときに、第３層Ｌ３は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第３層Ｌ３は、第５電極部４３と、第６電極部５３と、第２配線部３３と、第３絶縁部２３と、によって構成されている。

第５電極部４３は、第１電極部４１と同じ材料からなっている。第５電極部４３は、第３電極部４２と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第３層Ｌ３を視たときに、第５電極部４３は、第３電極部４２と同じ箇所に位置している。そのため、第５電極部４３は、第３電極部４２の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第６電極部５３は、第２電極部５１と同じ材料からなっている。第６電極部５３は、第４電極部５２と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第３層Ｌ３を視たときに、第６電極部５３は、第４電極部５２と同じ箇所に位置している。そのため、第６電極部５３は、第４電極部５２の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第２配線部３３は、第１配線部３１と同じ材料からなっている。第１負方向Ｘ２を向いて第３層Ｌ３を視たときに、第２配線部３３は、全体として、第３層Ｌ３の中心を概ねの中心とした渦巻状に延びている。具体的には、第２配線部３３の第１端部３３Ａの位置は、ビア３２の第１負方向Ｘ２を向く面上である。そのため、第２配線部３３の第１端部３３Ａは、ビア３２に接続している。第２配線部３３の配線幅は、第１端部３３Ａ及び第２端部３３Ｂを除いて略一定となっている。第２配線部３３の第２端部３３Ｂの第３軸Ｚに沿う方向における位置は、第３軸Ｚに沿う方向における第３層Ｌ３の中央より第３負方向Ｚ２側である。また、第２配線部３３の第２端部３３Ｂの第２軸Ｙに沿う方向における位置は、第２軸Ｙに沿う方向における第３層Ｌ３の中央より第２正方向Ｙ１側である。さらに、第２配線部３３の第２端部３３Ｂの第２軸Ｙに沿う方向における位置は、第１配線部３１の第２端部３１Ｂの第２軸Ｙに沿う方向における位置よりも第２軸Ｙに沿う方向における中央側である。そして、第１負方向Ｘ２を向いて第２配線部３３を視たときに、第２配線部３３は、第１端部３３Ａから第２端部３３Ｂに向かって時計回りに延びている。

第３層Ｌ３において、第５電極部４３と、第６電極部５３と、第２配線部３３と、を除く部分は、第３絶縁部２３である。第３絶縁部２３は、第１絶縁部２１と同じ材料の非磁性の絶縁体からなっている。

第４層Ｌ４は、第３層Ｌ３の第１負方向Ｘ２を向く主面に積層されている。第１負方向Ｘ２を向いて第４層Ｌ４を視たときに、第４層Ｌ４は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第４層Ｌ４は、第７電極部４４と、第８電極部５４と、ビア３４と、第４絶縁部２４と、によって構成されている。

第７電極部４４は、第１電極部４１と同じ材料からなっている。第７電極部４４は、第５電極部４３と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第４層Ｌ４を視たときに、第７電極部４４は、第５電極部４３と同じ箇所に位置している。そのため、第７電極部４４は、第５電極部４３の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第８電極部５４は、第２電極部５１と同じ材料からなっている。第８電極部５４は、第６電極部５３と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第４層Ｌ４を視たときに、第８電極部５４は、第６電極部５３と同じ箇所に位置している。そのため、第８電極部５４は、第６電極部５３の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

ビア３４は、第１配線部３１と同じ材料からなっている。ビア３４は、第１軸Ｘに沿う方向に延びる円柱状である。ビア３４は、第２配線部３３の第２端部３３Ｂにおける第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。そのため、ビア３４は、第２配線部３３の第２端部３３Ｂと電気的に接続している。そして、ビア３４は、第２配線部３３の第２端部３３Ｂから第１負方向Ｘ２に延びている。

第４層Ｌ４において、第７電極部４４と、第８電極部５４と、ビア３４と、を除く部分は、第４絶縁部２４である。第４絶縁部２４は、第１絶縁部２１と同じ材料の非磁性の絶縁体からなっている。

第５層Ｌ５は、第４層Ｌ４の第１負方向Ｘ２を向く主面に積層されている。第１負方向Ｘ２を向いて第５層Ｌ５を視たときに、第５層Ｌ５は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第５層Ｌ５は、第９電極部４５と、第１０電極部５５と、第３配線部３５と、第５絶縁部２５と、によって構成されている。

第９電極部４５は、第１電極部４１と同じ材料からなっている。第９電極部４５は、第７電極部４４と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第５層Ｌ５を視たときに、第９電極部４５は、第７電極部４４と同じ箇所に位置している。そのため、第９電極部４５は、第７電極部４４の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第１０電極部５５は、第２電極部５１と同じ材料からなっている。第１０電極部５５は、第８電極部５４と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第５層Ｌ５を視たときに、第１０電極部５５は、第２電極部５１と同じ箇所に位置している。そのため、第１０電極部５５は、第８電極部５４の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第３配線部３５は、第１配線部３１と同じ材料からなっている。第１負方向Ｘ２を向いて第５層Ｌ５を視たときに、第３配線部３５は、全体として、第５層Ｌ５の中心を概ねの中心とした渦巻状に延びている。具体的には、第３配線部３５の第１端部３５Ａの位置は、ビア３４の第１負方向Ｘ２を向く面上である。そのため、第３配線部３５の第１端部３５Ａは、ビア３４に接続している。第３配線部３５の配線幅は、第１端部３５Ａ及び第２端部３５Ｂを除いて略一定となっている。第３配線部３５の第２端部３５Ｂの第３軸Ｚに沿う方向における位置は、第３軸Ｚに沿う方向における第５層Ｌ５の中央より第３負方向Ｚ２側である。また、第３配線部３５の第２端部３５Ｂの第２軸Ｙに沿う方向における位置は、第２軸Ｙに沿う方向における第５層Ｌ５の中央より第２負方向Ｙ２側である。そして、第１負方向Ｘ２を向いて第３配線部３５を視たときに、第３配線部３５は、第１端部３５Ａから第２端部３５Ｂに向かって時計回りに延びている。

第５層Ｌ５において、第９電極部４５と、第１０電極部５５と、第３配線部３５と、を除く部分は、第５絶縁部２５である。第５絶縁部２５は、第１絶縁部２１と同じ材料の非磁性の絶縁体からなっている。

第６層Ｌ６は、第５層Ｌ５の第１負方向Ｘ２を向く主面に積層されている。第１負方向Ｘ２を向いて第６層Ｌ６を視たときに、第６層Ｌ６は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第６層Ｌ６は、第１１電極部４６と、第１２電極部５６と、ビア３６と、第６絶縁部２６と、によって構成されている。

第１１電極部４６は、第１電極部４１と同じ材料からなっている。第１１電極部４６は、第９電極部４５と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第６層Ｌ６を視たときに、第１１電極部４６は、第９電極部４５と同じ箇所に位置している。そのため、第１１電極部４６は、第９電極部４５の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第１２電極部５６は、第２電極部５１と同じ材料からなっている。第１２電極部５６は、第１０電極部５５と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第６層Ｌ６を視たときに、第１２電極部５６は、第１０電極部５５と同じ箇所に位置している。そのため、第１２電極部５６は、第１０電極部５５の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

ビア３６は、第１配線部３１と同じ材料からなっている。ビア３６は、第１軸Ｘに沿う方向に延びる円柱状である。ビア３６は、第３配線部３５の第２端部３５Ｂにおける第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。そのため、ビア３６は、第３配線部３５の第２端部３５Ｂと電気的に接続している。そして、ビア３６は、第３配線部３５の第２端部３５Ｂから第１負方向Ｘ２に延びている。

第６層Ｌ６において、第１１電極部４６と、第１２電極部５６と、ビア３６と、を除く部分は、第６絶縁部２６である。第６絶縁部２６は、第１絶縁部２１と同じ材料の非磁性の絶縁体からなっている。

第７層Ｌ７は、第６層Ｌ６の第１負方向Ｘ２を向く主面に積層されている。第１負方向Ｘ２を向いて第７層Ｌ７を視たときに、第７層Ｌ７は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第７層Ｌ７は、第１３電極部４７と、第１４電極部５７と、第４配線部３７と、第７絶縁部２７と、によって構成されている。

第１３電極部４７は、第１電極部４１と同じ材料からなっている。第１３電極部４７は、第１１電極部４６と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第７層Ｌ７を視たときに、第１３電極部４７は、第１１電極部４６と同じ箇所に位置している。そのため、第１３電極部４７は、第１１電極部４６の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第１４電極部５７は、第２電極部５１と同じ材料からなっている。第１４電極部５７は、第１２電極部５６と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第７層Ｌ７を視たときに、第１４電極部５７は、第１２電極部５６と同じ箇所に位置している。そのため、第１４電極部５７は、第１２電極部５６の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第４配線部３７は、第１配線部３１と同じ材料からなっている。第１負方向Ｘ２を向いて第７層Ｌ７を視たときに、第４配線部３７は、全体として、第７層Ｌ７の中心を概ねの中心とした渦巻状に延びている。具体的には、第４配線部３７の第１端部３７Ａの位置は、ビア３６の第１負方向Ｘ２を向く面上である。そのため、第４配線部３７の第１端部３７Ａは、ビア３６に接続している。第４配線部３７の配線幅は、第１端部３７Ａ及び第２端部３７Ｂを除いて略一定となっている。第４配線部３７の第２端部３７Ｂの第３軸Ｚに沿う方向における位置は、第３軸Ｚに沿う方向における第７層Ｌ７の中央より第３正方向Ｚ１側である。また、第４配線部３７の第２端部３７Ｂの第２軸Ｙに沿う方向における位置は、第２軸Ｙに沿う方向における第７層Ｌ７の中央より第２負方向Ｙ２側である。さらに、第４配線部３７の第２端部３７Ｂの第２軸Ｙに沿う方向における位置は、第１端部３７Ａの第２軸Ｙに沿う方向における位置よりも第２負方向Ｙ２側である。そして、第１負方向Ｘ２を向いて第４配線部３７を視たときに、第４配線部３７は、第１端部３７Ａから第２端部３７Ｂに向かって時計回りに延びている。また、第４配線部３７は、インダクタ配線３０の延び方向における中央を通る第３軸Ｚに沿う方向の軸を回転軸として、第２配線部３３と回転対称となっている。

第７層Ｌ７において、第１３電極部４７と、第１４電極部５７と、第４配線部３７と、を除く部分は、第７絶縁部２７である。第７絶縁部２７は、第１絶縁部２１と同じ材料の非磁性の絶縁体からなっている。

第８層Ｌ８は、第７層Ｌ７の第１負方向Ｘ２を向く主面に積層されている。第１負方向Ｘ２を向いて第８層Ｌ８を視たときに、第８層Ｌ８は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第８層Ｌ８は、第１５電極部４８と、第１６電極部５８と、ビア３８と、第８絶縁部２８と、によって構成されている。

第１５電極部４８は、第１電極部４１と同じ材料からなっている。第１５電極部４８は、第１３電極部４７と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第８層Ｌ８を視たときに、第１５電極部４８は、第１３電極部４７と同じ箇所に位置している。そのため、第１５電極部４８は、第１３電極部４７の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第１６電極部５８は、第２電極部５１と同じ材料からなっている。第１６電極部５８は、第１４電極部５７と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第８層Ｌ８を視たときに、第１６電極部５８は、第１４電極部５７と同じ箇所に位置している。そのため、第１６電極部５８は、第１４電極部５７の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

ビア３８は、第１配線部３１と同じ材料からなっている。ビア３８は、第１軸Ｘに沿う方向に延びる円柱状である。ビア３８は、第４配線部３７の第２端部３７Ｂにおける第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。そのため、ビア３８は、第４配線部３７の第２端部３７Ｂと電気的に接続している。そして、ビア３８は、第４配線部３７の第２端部３７Ｂから第１負方向Ｘ２に延びている。

第８層Ｌ８において、第１５電極部４８と、第１６電極部５８と、ビア３８と、を除く部分は、第８絶縁部２８である。第８絶縁部２８は、第１絶縁部２１と同じ材料の非磁性の絶縁体からなっている。

第９層Ｌ９は、第８層Ｌ８の第１負方向Ｘ２を向く主面に積層されている。第１負方向Ｘ２を向いて第９層Ｌ９を視たときに、第９層Ｌ９は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第９層Ｌ９は、第１７電極部４９と、第１８電極部５９と、第５配線部３９と、第９絶縁部２９と、によって構成されている。

第１７電極部４９は、第１電極部４１と同じ材料からなっている。第１７電極部４９は、第１５電極部４８と同じ寸法の棒状である。また、第１負方向Ｘ２を向いて第９層Ｌ９を視たときに、第１７電極部４９は、第１５電極部４８と同じ箇所に位置している。そのため、第１７電極部４９は、第１５電極部４８の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第１８電極部５９は、第２電極部５１と同じ材料からなっている。第１負方向Ｘ２を向いて第９層Ｌ９を視たときに、第１８電極部５９は、全体としてＬ字状になっている。第１８電極部５９は、第１負方向Ｘ２を向いて第９層Ｌ９を視たときに、第９層Ｌ９の中心よりも第２負方向Ｙ２側且つ第３負方向Ｚ２側に位置している。つまり、第１８電極部５９は、第１負方向Ｘ２を向いて第１層Ｌ１を視たときに、第９層Ｌ９の中心よりも第２負方向Ｙ２側且つ第３負方向Ｚ２側の角を含む箇所に位置している。そのため、第１８電極部５９は、第１６電極部５８の第１負方向Ｘ２を向く面に積層されている。

第５配線部３９は、第１配線部３１と同じ材料からなっている。第１負方向Ｘ２を向いて第９層Ｌ９を視たときに、第５配線部３９は、全体として、第９層Ｌ９の中心を概ねの中心とした渦巻状に延びている。具体的には、第５配線部３９の第１端部３９Ａの位置は、ビア３８の第１負方向Ｘ２を向く面上である。そのため、第５配線部３９の第１端部３９Ａは、ビア３８に接続している。第５配線部３９の配線幅は、第１端部３９Ａを除いて略一定となっている。第５配線部３９の第２端部３９Ｂは、第１８電極部５９の第３軸Ｚに沿う方向における第３正方向Ｚ１側の端部に接続している。そして、第１負方向Ｘ２を向いて第５配線部３９を視たときに、第５配線部３９は、第１端部３９Ａから第２端部３９Ｂに向かって時計回りに延びている。なお、第５配線部３９の第２端部３９Ｂは、インダクタ配線３０の第２端である。なお、第２端部３９Ｂは、第１負方向Ｘ２を向いて視たときに第１層Ｌ１～第９層Ｌ９の配線部が重なって構成される周回経路から外れた部分である。また、第５配線部３９は、インダクタ配線３０の延び方向における中央を通る第３軸Ｚに沿う方向の軸を回転軸として、第１配線部３１と回転対称となっている。

第９層Ｌ９において、第１７電極部４９と、第１８電極部５９と、第５配線部３９と、を除く部分は、第９絶縁部２９である。第９絶縁部２９は、第１絶縁部２１と同じ材料の絶縁体からなっている。

素体１１は、第１被覆絶縁層６１と、第２被覆絶縁層６２と、を有している。第１負方向Ｘ２を向いて第１被覆絶縁層６１を視たとき、第１被覆絶縁層６１は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第１被覆絶縁層６１は、第１層Ｌ１の第１正方向Ｘ１を向く主面に積層されている。第１正方向Ｘ１を向いて第２被覆絶縁層６２を視たとき、第２被覆絶縁層６２は、第１層Ｌ１と同じ長方形状である。第２被覆絶縁層６２は、第９層Ｌ９の第１負方向Ｘ２を向く主面に積層されている。

上述した第１絶縁部２１～第９絶縁部２９と、第１被覆絶縁層６１と、第２被覆絶縁層６２と、は一体化されている。そのため、これらの間に物理的な境界はない。以下では、これらを区別する必要がない場合には、絶縁部２０と総称する。なお、これら第１絶縁部２１～第９絶縁部２９と、第１被覆絶縁層６１と、第２被覆絶縁層６２とは、一体化していなくてもよい。つまり、これらの間に物理的な境界があってもよい。

また、第１配線部３１と、第２配線部３３と、第３配線部３５と、第４配線部３７と、第５配線部３９と、ビア３２と、ビア３４と、ビア３６と、ビア３８と、は一体化されている。そのため、これらの間に物理的な境界はない。以下では、これらを区別する必要がない場合には、インダクタ配線３０と総称する。そして、インダクタ配線３０は、全体として、螺旋状に巻き回されている。インダクタ配線３０が巻き回される際の中心軸は、第１軸Ｘに沿って延びる軸になっている。なお、第１配線部３１と、第２配線部３３と、第３配線部３５と、第４配線部３７と、第５配線部３９と、ビア３２と、ビア３４と、ビア３６と、ビア３８と、は一体化されていなくてもよい。つまり、これらの間に物理的な境界があってもよい。

さらに、上述した第１電極部４１と、第３電極部４２と、第５電極部４３と、第７電極部４４と、第９電極部４５と、第１１電極部４６と、第１３電極部４７と、第１５電極部４８と、第１７電極部４９と、は一体化している。そして、これらが合わさって、第１埋込電極４０になっている。

同様に、上述した第２電極部５１と、第４電極部５２と、第６電極部５３と、第８電極部５４と、第１０電極部５５と、第１２電極部５６と、第１４電極部５７と、第１６電極部５８と、第１８電極部５９と、は一体化している。そして、これらが合わさって、第２埋込電極５０になっている。

そして、本実施形態においては、絶縁部２０と、第１埋込電極４０と、第２埋込電極５０と、によって、インダクタ部品１０の素体１１が構成されている。第１層Ｌ１～第９層Ｌ９、第１被覆絶縁層６１、および第２被覆絶縁層６２が積層された結果、図１に示すように、素体１１は、全体として直方体状になっている。

そして、インダクタ配線３０は、素体１１の内部で延びている。なお、インダクタ配線３０と、第１埋込電極４０と、第２埋込電極５０とは、一体化していてもよい。つまり、インダクタ配線３０と第１埋込電極４０との間や、インダクタ配線３０と第２埋込電極５０との間に、物理的な境界はなくてもよい。

（底面電極部と突起部分）
図３に示すように、第１埋込電極４０は、第１端面１１Ｃから底面１１Ｅにかけての領域で素体１１の外部に露出している。第１埋込電極４０は、第１底面電極部４０Ａと、第１端面電極部４０Ｂと、を有している。

第１底面電極部４０Ａは、底面１１Ｅにおいて素体１１の外部に露出している。第１底面電極部４０Ａは、板状である。第３正方向Ｚ１を向いて底面１１Ｅを視たときに、第１底面電極部４０Ａは、四角形状である。第１底面電極部４０Ａの第２正方向Ｙ１側の面は、素体１１の第１端面１１Ｃの一部を構成している。

第１端面電極部４０Ｂは、第１端面１１Ｃにおいて素体１１の外部に露出している。第１端面電極部４０Ｂは、棒状である。第１端面電極部４０Ｂは、第１層Ｌ１のみに存在している。第１端面電極部４０Ｂは、第１底面電極部４０Ａの第２正方向Ｙ１側の端から、第３正方向Ｚ１に向かって延びている。

第１埋込電極４０と同様に、図２に示すように、第２埋込電極５０は、第２端面１１Ｄから底面１１Ｅにかけての領域で素体１１の外部に露出している。図２及び図３に示すように、第２埋込電極５０は、第２底面電極部５０Ａと、第２端面電極部５０Ｂと、を有している。

第２底面電極部５０Ａは、底面１１Ｅにおいて素体１１の外部に露出している。第２底面電極部５０Ａは、板状である。第３正方向Ｚ１を向いて底面１１Ｅを視たときに、第２底面電極部５０Ａは、四角形状である。第２底面電極部５０Ａの第２負方向Ｙ２側の面は、素体１１の第２端面１１Ｄの一部を構成している。

第２端面電極部５０Ｂは、第２端面１１Ｄにおいて素体１１の外部に露出している。第２端面電極部５０Ｂは、棒状である。第２端面電極部５０Ｂは、第９層Ｌ９のみに存在している。第２端面電極部５０Ｂは、第２底面電極部５０Ａの第２正方向Ｙ１側の端から、第３正方向Ｚ１に向かって延びている。

（被覆電極）
図１に示すように、インダクタ部品１０は、第１被覆電極７１と、第２被覆電極７２と、を備えている。第１被覆電極７１及び第２被覆電極７２は、底面１１Ｅの幾何中心を通り第１端面１１Ｃに垂直な第１仮想線ＶＬ１上の一部を被覆している。第１被覆電極７１は、第１埋込電極４０のうちの素体１１から外部に露出している面を覆っている。そのため、第１被覆電極７１は、インダクタ配線３０の第１端に電気的に接続されている。また、第１被覆電極７１は、第１端面１１Ｃを部分的に覆っている。第１被覆電極７１は、図示は省略するが、ニッケルめっき、錫めっきの２層構造になっている。なお、図２及び図３においては、第１被覆電極７１の図示を省略している。

また、素体１１の外部に露出している、とは、インダクタ部品１０の外部に露出していることではなく、素体１１から露出していることをいう。そのため、第１被覆電極７１など他の部材に覆われていても、素体１１から露出していれば、インダクタ部品１０の外部に露出していなくてもよい。

第１端面１１Ｃに垂直な方向での、第１端面１１Ｃから第１被覆電極７１の表面までの距離を、第１被覆電極７１の厚みとする。つまり、第２軸Ｙに沿う方向での第１端面１１Ｃから第１被覆電極７１の表面までの距離が、第１被覆電極７１の厚みである。

図４及び図５に示すように、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃを通り、第１主面１１Ａに垂直な第２仮想線ＶＬ２上において、幾何中心Ｃに対して第１主面１１Ａ側で第１被覆電極７１の厚みが最大となっている。具体的には、第２負方向Ｙ２を向いて第１端面１１Ｃを視たときに、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃは、第５層Ｌ５に位置している。そして、第１被覆電極７１は、第１層Ｌ１のみにおいて、第２仮想線ＶＬ２と交差している。上述したように、第１層Ｌ１は、第５層Ｌ５よりも第１正方向Ｘ１側に位置している。よって、第２仮想線ＶＬ２上において、第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所は、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側にずれている。具体的には、第２仮想線ＶＬ２上において、第１被覆電極７１の厚みは、幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側の第１層Ｌ１で最大となっている。

一方で、第２仮想線ＶＬ２上での幾何中心Ｃから第１被覆電極７１の厚みが最大となっている箇所までの範囲内では、第１被覆電極７１の厚みは、幾何中心Ｃにおいて最小となっている。具体的には、第２仮想線ＶＬ２上において、第１被覆電極７１は、第１層Ｌ１のみに存在している。そのため、第２仮想線ＶＬ２上において、第１被覆電極７１は、第２層Ｌ２～第５層Ｌ５までの範囲に存在していない。つまり、幾何中心Ｃにおいて、第１被覆電極７１の厚みはゼロとなっている。よって、第２仮想線ＶＬ２上での第１層Ｌ１～第５層Ｌ５までの範囲内では、第１被覆電極７１の厚みは、幾何中心Ｃの位置する第５層Ｌ５において最小となっている。なお、第１被覆電極７１の厚みが最小となる箇所は、第１被覆電極７１の厚みがゼロであることを含む。すなわち、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃにおいて第１被覆電極７１が存在しないことも含む。

第１端面１１Ｃ上において、底面１１Ｅに垂直な方向での第１被覆電極７１の寸法を、第１被覆電極７１の高さとする。つまり、第１端面１１Ｃ上において、第３軸Ｚに沿う方向での第１被覆電極７１の寸法が、第１被覆電極７１の高さである。

第１被覆電極７１の高さが最大となる箇所は、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側にずれている。具体的には、第１被覆電極７１は、第１層Ｌ１において、第２層Ｌ２～第９層Ｌ９と比べて、第３正方向Ｚ１に向かって延びている。第１層Ｌ１における第１被覆電極７１の上端は、第２仮想線ＶＬ２に対して天面１１Ｆ側に位置している。第２層Ｌ２～第９層Ｌ９の範囲内では、第１被覆電極７１の上端は第２仮想線ＶＬ２に対して底面１１Ｅ側に位置している。また、第２層Ｌ２～第９層Ｌ９の範囲内では、第１被覆電極７１の高さは一定である。なお、高さが一定であるとは、１０％程度のばらつきを許容する。

図２に示すように、第１配線部３１は、インダクタ配線３０の第１端から第１主面１１Ａに平行に延びている。複数の配線部のうち、インダクタ配線３０の第１端から第１主面１１Ａに平行に延びる配線部を、第１端配線部とする。本実施形態では、第１配線部３１が、第１端配線部である。このとき、第２仮想線ＶＬ２上での第１被覆電極７１の厚みは、第１軸Ｘに沿う方向において第１配線部３１が存在する第１層Ｌ１の範囲内で、最大となっている。

また、図１に示すように、第２被覆電極７２は、第２埋込電極５０のうちの素体１１から外部に露出している面を覆っている。そのため、第２被覆電極７２は、インダクタ配線３０の第２端に電気的に接続されている。また、第２被覆電極７２は、第２端面１１Ｄを部分的に覆っている。第２被覆電極７２は、図示は省略するが、ニッケルめっき、錫めっきの２層構造になっている。なお、図２及び図３においては、第２被覆電極７２の図示を省略している。

第２端面１１Ｄの幾何中心を通り、第２主面１１Ｂに垂直な仮想線上において、第２端面１１Ｄの幾何中心に対して第２主面１１Ｂ側で第２被覆電極７２の厚みが最大となっている。具体的には、第２正方向Ｙ１を向いて第２端面１１Ｄを視たときに、第２端面１１Ｄの幾何中心は、第５層Ｌ５に位置している。そして、第２被覆電極７２は、第９層Ｌ９のみにおいて、当該仮想線と交差している。上述したように、第９層Ｌ９は、第５層Ｌ５よりも第１負方向Ｘ２側に位置している。そのため、当該仮想線上において、第２被覆電極７２の厚みは、第２端面１１Ｄの幾何中心よりも第２主面１１Ｂ側の第９層Ｌ９で最大となっている。よって、当該仮想線上において、第２被覆電極７２の厚みが最大となる箇所は、第２端面１１Ｄの幾何中心よりも第２主面１１Ｂ側にずれている。具体的には、当該仮想線上において、第２被覆電極７２の厚みは、第２端面１１Ｄの幾何中心よりも第１主面１１Ａとは反対側の第９層Ｌ９で最大となっている。

一方で、当該仮想線上での第２端面１１Ｄの幾何中心から第２被覆電極７２の厚みが最大となっている箇所までの範囲内では、第２被覆電極７２の厚みは、第２端面１１Ｄの幾何中心において最小となっている。具体的には、当該仮想線上において、第２被覆電極７２は、第９層Ｌ９のみの存在している。そのため、当該仮想線上において、第２被覆電極７２は、第５層Ｌ５～第８層Ｌ８までの範囲に存在していない。つまり、第２端面１１Ｄの幾何中心において、第２被覆電極７２の厚みはゼロとなっている。よって、当該仮想線上での第５層Ｌ５～第９層Ｌ９までの範囲内では、第２被覆電極７２の厚みは、第２端面１１Ｄの幾何中心の位置する第５層Ｌ５において最小となっている。

第２被覆電極７２の高さが最大となる箇所は、第２端面１１Ｄの幾何中心よりも第２主面１１Ｂ側にずれている。具体的には、第２被覆電極７２は、第９層Ｌ９において、第１層Ｌ１～第８層Ｌ８と比べて、第３正方向Ｚ１に向かって延びている。第９層Ｌ９における第２被覆電極７２の上端は、第２端面１１Ｄの幾何中心を通り第２主面１１Ｂに垂直な仮想線上に対して天面１１Ｆ側に位置している。第１層Ｌ１～第８層Ｌ８の範囲内では、第２被覆電極７２の上端は当該仮想線に対して底面１１Ｅ側に位置している。また、第１層Ｌ１～第８層Ｌ８の範囲内では、第２被覆電極７２の高さは一定である。

第５配線部３９は、インダクタ配線３０の第２端から第１主面１１Ａに平行に延びている。複数の配線部のうち、インダクタ配線３０の第２端から第２主面１１Ｂに平行に延びる配線部を、第２端配線部とする。本実施形態では、第５配線部３９が、第２端配線部である。このとき、第２端面１１Ｄの幾何中心を通り、第２主面１１Ｂに垂直な仮想線上での第２被覆電極７２の厚みは、第１軸Ｘに沿う方向において第５配線部３９が存在する第９層Ｌ９の範囲内で、最大となっている。

（インダクタ部品の製造方法）
次に、インダクタ部品１０の製造方法について説明する。
図６に示すように、インダクタ部品１０の製造方法は、積層体形成工程Ｓ１００と、焼成工程Ｓ２００と、めっき工程Ｓ３００と、を備えている。

まず、積層体形成工程Ｓ１００を行う。積層体形成工程Ｓ１００は、素体１１の焼結前の状態である積層体を形成する工程である。積層体形成工程Ｓ１００では、第１被覆絶縁層６１と、第１層Ｌ１～第９層Ｌ９と、第２被覆絶縁層６２とを、この順に積層することで、積層体を形成する。なお、積層体形成工程Ｓ１００における第１被覆絶縁層６１、第２被覆絶縁層６２、第１層Ｌ１～第９層Ｌ９は、厳密にはこれらの焼結前の層であり、インダクタ部品１０における各層とは異なる場合があるが、説明を簡単にするため、同じ名称を用いる。この点、インダクタ配線３０、第１埋込電極４０、及び第２埋込電極５０についても、厳密にはこれらの焼結前の状態であり、インダクタ部品１０における各部材とは異なる場合があるが、説明を簡単にするため、同じ名称を用いる。

具体的には、積層体形成工程Ｓ１００は、第１被覆絶縁層塗布工程Ｓ１０と、第１層塗布工程Ｓ１１～第９層塗布工程Ｓ１９と、第２被覆絶縁層塗布工程Ｓ２０と、を有している。積層体形成工程Ｓ１００では、この順に、各工程を行う。

第１被覆絶縁層塗布工程Ｓ１０では、絶縁性の絶縁ペーストを用いてスクリーン印刷する。そして、スクリーン印刷による塗布を繰り返すことで、第１被覆絶縁層６１に相当する絶縁ペースト層を形成する。絶縁ペーストは、例えば、ホウ珪酸ガラスを主成分とする絶縁性のペーストである。

次に、第１層塗布工程Ｓ１１では、絶縁ペーストに加えて、金属粉を含む導電性の導電ペーストを用いて、第１層Ｌ１に相当する層を形成する。金属粉は、例えば、銀である。具体的には、第１被覆絶縁層６１に相当する絶縁ペースト層の第１負方向Ｘ２を向く面に、フォトリソグラフィにより、導電ペーストを用いて、第１配線部３１、第１電極部４１、及び第２電極部５１に相当する部分に、導電体層を形成する。また、フォトリソグラフィにより、絶縁ペーストを用いて、第１絶縁部２１に相当する部分に、絶縁体層を形成する。

次に、第２層塗布工程Ｓ１２～第９層塗布工程Ｓ１９では、第１層塗布工程Ｓ１１と同様に、絶縁ペースト及び導電ペーストを用いて、第２層Ｌ２～第９層Ｌ９に相当する層を形成する。これにより、絶縁ペーストの内部で螺旋状に延びている導電ペーストのパターンを形成する。また、導電ペーストのパターンの第１端に接続して絶縁ペーストから露出する導電ペーストの第１導電部を形成する。さらに、導電ペーストのパターンの第２端に接続して絶縁ペーストから露出する導電ペーストの第２導電部を形成する。

そして、絶縁ペーストを用いて、スクリーン印刷する。そして、スクリーン印刷による塗布を繰り返すことで、第２被覆絶縁層６２に相当する層を形成する。その後、所望のサイズにカットすることで、素体１１の焼結前の状態である積層体を形成する。

このようにして、積層体形成工程Ｓ１００では、絶縁ペーストの内部で螺旋状に延びる導電ペーストのパターンと、第１導電部と、第２導電部と、を有する直方体状の積層体を形成する。

次に、焼成工程Ｓ２００を行う。焼成工程Ｓ２００は、積層体を焼成することで、素体１１を形成する工程である。具体的には、積層体を、所定の温度で加熱することで、積層体を焼成する。これにより、各ペーストが焼成されることで、絶縁ペーストが絶縁部２０、インダクタ配線３０のパターンがインダクタ配線３０、第１導電部が第１埋込電極４０、及び第２導電部が第２埋込電極５０へと、それぞれなる。つまり、第１埋込電極４０における第１底面電極部４０Ａ及び第１端面電極部４０Ｂが形成される。また、第２埋込電極５０における第２底面電極部５０Ａ及び第２端面電極部５０Ｂが形成される。その結果、素体１１を形成する。

次に、めっき工程Ｓ３００を行う。素体１１をめっき液の中に入れて、電気めっきを行う。これにより、素体１１のうち、第１埋込電極４０の外部に露出している表面に、第１被覆電極７１が形成される。また、素体１１のうち、第２埋込電極５０の外部に露出している表面に、第２被覆電極７２が形成される。

電気めっきでは、第１被覆電極７１は、第１埋込電極４０の外部に露出している表面のみに形成される。そのため、図４に示すように、第１被覆電極７１は、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃ上には形成されない。一方で、第１被覆電極７１は、第１端面１１Ｃの第１層Ｌ１の範囲に形成される。よって、第１被覆電極７１の厚みは、幾何中心Ｃ上でゼロであるとともに、第１層Ｌ１の範囲内で最大となっている。つまり、第２仮想線ＶＬ２上において、第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所は、幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側にずれている。なお、第１被覆電極７１は、第１埋込電極４０の外部に露出している表面のみに形成されるが、多少のめっき延びや、測定や梱包時の外力の影響などにより、第１埋込電極４０の素体１１の外部に露出している表面の周囲に形成されていてもよい。

（第１実施形態の効果）
上記第１実施形態におけるインダクタ部品１０によれば、以下の効果を奏する。なお、以下では、第１被覆電極７１に関する効果を代表して記載するが、第２被覆電極７２についても同様の効果を奏する。

（１－１）例えば、インダクタ部品１０の第１端面１１Ｃと隣り合うように配置される他の電子部品として、直方体状の素体の端面全域に電極がめっきされたものが挙げられる。このような電子部品においては、端面の中央において電極の厚みが大きくなっている。つまり、この種の電子部品では、素体の端面の中央が膨らんだ形状になっている。また、実質的に電子部品の外径サイズが規格化されつつある現状で、高密度な実装を図る上では、各電子部品を配置する基板上のランドパターンは整列されている。つまり、基板の主面に垂直な方向から視て、インダクタ部品１０の第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃと、隣り合う他の電子部品の端面の幾何中心とは、同一直線状に並んで隣り合っている場合が多い。

第１実施形態におけるインダクタ部品１０によれば、第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所が、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側にずれている。ここで、インダクタ部品１０と上記他の電子部品を、基板上の整列されたランドパターンの隣り合う位置に配置したとする。この場合であっても、インダクタ部品１０の第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所と、上記他の電子部品の電極の厚みが最大となる箇所と、がずれる。そのため、両部品の電極同士が干渉しにくくなる。したがって、基板上での部品の高密度化に寄与できる。

（１－２）上記第１実施形態におけるインダクタ部品１０によれば、第１被覆電極７１の高さが最大となる箇所は、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側にずれている。仮に、第１被覆電極７１の上端の位置が、第１軸Ｘに沿う方向のすべての範囲で、第２仮想線ＶＬ２に対して天面１１Ｆ側に位置している場合があるとする。この場合と比べて、第１端面１１Ｃ上における第１軸Ｘに沿う方向の中央では、第１被覆電極７１がインダクタ配線３０を覆う範囲が小さくなる。よって、インダクタ配線３０に電流が流れたときに発生する浮遊容量を小さくできる。

（１－３）上記第１実施形態におけるインダクタ部品１０によれば、第２仮想線ＶＬ２上での第１被覆電極７１の厚みは、インダクタ配線３０の第１端から第１主面１１Ａに平行に延びる第１配線部３１が存在する第１層Ｌ１の範囲内で、最大となっている。つまり、第１軸Ｘに沿う方向において、幾何中心Ｃから離れた箇所において、第１被覆電極７１の厚みが最大となっている。したがって、第１被覆電極７１が他の電子部品に干渉することをより好適に抑制できる。

＜第２実施形態について＞
以下、第２実施形態について、図面を参照して説明する。第２実施形態のインダクタ部品１１０は、第１実施形態のインダクタ部品１０と比べて、第１被覆電極７１及び第２被覆電極７２の形状が異なる。なお、以下では、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて異なる点を中心に説明し、同一の点については説明を簡略化又は省略する。また、第２被覆電極７２について、第１被覆電極７１と同様の点については、説明を簡略化又は省略する。

（端面電極部及び被覆電極）
図７に示すように、インダクタ部品１１０の第２電極部５１～第１７電極部４９の形状は、第１実施形態と比べて異なっている。具体的には、第３電極部４２～第１７電極部４９は、第１電極部４１と同じ大きさ且つ同じ形状のＬ字状となっている。また、第２電極部５１～第１６電極部５８は、第１８電極部５９と同じ大きさ且つ同じ形状のＬ字状となっている。そのため、第２負方向Ｙ２を向いて第１端面１１Ｃを視たときに、第１端面電極部４０Ｂは、四角形状となっている。同様に、第２正方向Ｙ１を向いて第２端面１１Ｄを視たときに、第２端面電極部５０Ｂは、四角形状となっている。

また、第１埋込電極４０は、金属とガラスとからなる焼結体である。そして、第１端面電極部４０Ｂのうち第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃでの電気抵抗値は、第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所での電気抵抗値よりも大きくなっている。本実施形態においては、第１端面電極部４０Ｂのうち、第１軸Ｘに沿う方向において幾何中心Ｃと同一の位置での電気抵抗値は、第１端面電極部４０Ｂのうち最も第１主面１１Ａに近い箇所での電気抵抗値よりも大きくなっている。具体的には、第１端面電極部４０Ｂのうち、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃでの金属の密度は、第２仮想線ＶＬ２において第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所での金属の密度よりも粗になっている。本実施形態においては、第１端面電極部４０Ｂのうち第１軸Ｘに沿う方向において幾何中心Ｃと同一の位置での金属の密度は、第１端面電極部４０Ｂのうち最も第１主面１１Ａに近い箇所での金属の密度よりも粗になっている。本実施形態では、第１埋込電極４０のうち、第１電極部４１及び第１７電極部４９は、第３電極部４２～第１５電極部４８と比べて、金属組織が緻密である。

図８に示すように、第１端面電極部４０Ｂの表面を被覆する第１被覆電極７１も、第２負方向Ｙ２を向いてインダクタ部品１１０を視たときに、四角形状となっている。また、第１被覆電極７１の高さは、第１軸Ｘに沿う方向の全ての範囲で同一となっている。なお、第１被覆電極７１の高さは、第１軸Ｘに沿う方向において、幾何中心Ｃでは他の箇所よりも僅かに高くなっていてもよいし、第１層Ｌ１及び第９層Ｌ９では他の箇所よりも僅かに低くなっていてもよい。

そして、図９に示すように、第２仮想線ＶＬ２上での第１被覆電極７１の厚みは、幾何中心Ｃにおいて最大となっていない。具体的には、第２仮想線ＶＬ２上での第１被覆電極７１の厚みは、第１層Ｌ１及び第９層Ｌ９において最大となっている。なお、本実施形態においては、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃ上にも第１被覆電極７１が存在する。したがって、幾何中心Ｃでの第１被覆電極７１の厚みは、ゼロではない。第２層Ｌ２～第８層Ｌ８までの第１被覆電極７１の厚みは、第１層Ｌ１～第９層Ｌ９の範囲内において、最小となっている。つまり、幾何中心Ｃでの第１被覆電極７１の厚みは、幾何中心Ｃから第１層Ｌ１までの範囲内で最小となっている。

また、第１埋込電極４０と同様に、第２埋込電極５０は、金属とガラスとからなる焼結体である。そして、第１端面電極部４０Ｂと同様に、第２端面電極部５０Ｂのうち第２端面１１Ｄの幾何中心での電気抵抗値は、第２被覆電極７２の厚みが最大となる箇所での電気抵抗値よりも大きくなっている。本実施形態においては、第２端面電極部５０Ｂのうち、第１軸Ｘに沿う方向において第２端面１１Ｄの幾何中心と同一の位置での電気抵抗値は、第２端面電極部５０Ｂのうち最も第２主面１１Ｂに近い箇所での電気抵抗値よりも大きくなっている。具体的には、第２端面電極部５０Ｂのうち、第２端面１１Ｄの幾何中心での金属の密度は、第２端面１１Ｄの幾何中心を通り第２主面１１Ｂに垂直な仮想線上において、第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所での金属の密度よりも粗になっている。本実施形態においては、第２端面電極部５０Ｂのうち第１軸Ｘに沿う方向において第２端面１１Ｄの幾何中心と同一の位置での金属の密度は、第２端面電極部５０Ｂのうち最も第２主面１１Ｂに近い箇所での金属の密度よりも疎になっている。本実施形態では、第２埋込電極５０のうち、第２電極部５１及び第１８電極部５９は、第４電極部５２～第１６電極部５８と比べて、金属組織が緻密である。

図示は省略するが、第１被覆電極７１と同様に、第２端面電極部５０Ｂの表面を被覆する第２被覆電極７２も、第２正方向Ｙ１を向いてインダクタ部品１１０を視たときに、四角形状となっている。また、第２被覆電極７２の高さは、第１軸Ｘに沿う方向の全ての範囲で同一となっている。

そして、第２端面１１Ｄの幾何中心を通り且つ第１軸Ｘと平行な仮想線上での第２被覆電極７２の厚みは、第１層Ｌ１及び第９層Ｌ９において最大となっている。なお、本実施形態においては、第２端面１１Ｄの幾何中心上にも第２被覆電極７２が存在する。したがって、第２端面１１Ｄの幾何中心での第２被覆電極７２の厚みは、ゼロではない。第２層Ｌ２～第８層Ｌ８までの第２被覆電極７２の厚みは、第１層Ｌ１～第９層Ｌ９の範囲内において、最小となっている。つまり、第２端面１１Ｄの幾何中心での第２被覆電極７２の厚みは、第２端面１１Ｄの幾何中心から第９層Ｌ９までの範囲内で最小となっている。

（インダクタ部品の製造方法）
次に、インダクタ部品１１０の製造方法について、説明する。第１実施形態のインダクタ部品１０の製造方法と比べて、第２実施形態においては、用いる導電ペーストの材料が一部異なる。

具体的には、積層体形成工程Ｓ１００における第２層塗布工程Ｓ１２～第８層塗布工程Ｓ１８において用いる導電ペーストは、焼結阻害剤を含んでいる。焼結阻害剤は、ガラス粉末である。なお、第１層塗布工程Ｓ１１及び第９層塗布工程Ｓ１９において用いる導電ペーストは、焼結阻害剤を含んでいない。

焼成工程Ｓ２００において、焼結阻害剤を含んでいる導電ペーストは、焼結阻害剤を含んでいない導電ペーストよりも、焼結されにくい。金属粉を含むペーストが焼結されると、粒同士が近づくように変化するところ、焼結されにくい箇所では、焼結体となった金属組織は、緻密化されにくい。つまり、第１埋込電極４０の第２層Ｌ２～第８層Ｌ８における金属の密度は、第１埋込電極４０の第１層Ｌ１及び第９層Ｌ９における金属の密度よりも疎になっている。

めっき工程Ｓ３００において、第１埋込電極４０の表面に電気めっきがされる。電気めっきでは、めっきされる量は、めっきされる第１埋込電極４０の表面の電気抵抗値に影響される。具体的には、単位時間当たりにより多く電流が流れる場合には、より多くめっきされる。一方で、単位時間あたりにより少なく電流が流れる場合には、より少なくめっきされる。よって、電気抵抗値の大小により、めっきの成膜速度が変化するため、同じめっき時間でもめっきされる量が変化する。本実施形態において、第１埋込電極４０の第２層Ｌ２～第８層Ｌ８の表面は、第１層Ｌ１及び第９層Ｌ９の表面と比べて、金属の密度が疎である。金属の密度が疎である場合、金属同士の接触箇所が少なくなるため、電気抵抗値がより大きくなる。そのため、第１埋込電極４０の第２層Ｌ２～第８層Ｌ８の表面は、第１層Ｌ１及び第９層Ｌ９の表面と比べて、多くめっきされる。その結果、第１被覆電極７１の厚みは、第２層Ｌ２～第８層Ｌ８では、第１層Ｌ１及び第９層Ｌ９よりも小さくなる。

（第２実施形態の効果）
上記第２実施形態によれば、第１実施形態の（１－１）及び（１－３）の効果に加えて、以下の効果を奏する。なお、以下では、第１被覆電極７１に関する効果を代表して記載するが、第２被覆電極７２についても同様の効果を奏する。

（２－１）上記第２実施形態によれば、第１端面電極部４０Ｂのうち第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃでの電気抵抗値は、第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所での電気抵抗値よりも大きくなっている。そのため、めっき工程Ｓ３００において、幾何中心Ｃでは、電気めっきされにくい。よって、第１端面電極部４０Ｂ上に、箇所毎に厚みの異なる第１被覆電極７１を形成しやすい。

（２－２）上記第２実施形態によれば、第１端面電極部４０Ｂに電気めっきをする際に、金属の密度が疎であることを反映して、第１端面電極部４０Ｂの第１軸Ｘに沿う方向の中央では電流が流れにくい。そのため、同一の金属とガラスとからなる焼結体であっても、金属の密度の差によって、電気抵抗値を変化させることができる。

＜その他の実施形態について＞
上記各実施形態は以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。なお、第１被覆電極７１及び第２被覆電極７２に共通する点は、第１被覆電極７１を代表して説明し、第２被覆電極７２の説明を省略する。

・第１実施形態では、第１層Ｌ１～第９層Ｌ９の厚みは、すべて略同一であったが、互いに異なっていてもよい。つまり、第１層Ｌ１～第９層Ｌ９の厚み、すなわち第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、すべて同一でなくてもよい。すべての厚みが互いに異なっていてもよいし、一部の層の厚みが他の層の厚みと異なっていてもよい。

・素体１１は、第１軸Ｘに沿う方向に長い直方体であってもよいし、第３軸Ｚに沿う方向に長い直方体であってもよい。また、素体１１は、第１軸Ｘに沿う方向の寸法、第２軸Ｙに沿う方向の寸法、及び第３軸Ｚに沿う方向の寸法が等しい直方体であってもよい。例えば、素体１１の各軸に沿う方向の寸法について、第１軸Ｘに沿う方向の寸法が第３軸Ｚに沿う方向の寸法が等しく、且つ第２軸Ｙに沿う方向の寸法が第１軸Ｘに沿う方向の寸法よりも大きくてもよい。また例えば、素体１１の各軸に沿う方向の寸法について、第２軸Ｙに沿う方向の寸法が第３軸Ｚに沿う方向の寸法より大きく、且つ第３軸Ｚに沿う方向の寸法が第１軸Ｘに沿う方向の寸法より大きくてもよい。また例えば、第２軸Ｙに沿う方向の寸法が第１軸Ｘに沿う方向の寸法より大きく、且つ第１軸Ｘに沿う方向の寸法が第３軸Ｚに沿う方向より大きくてもよい。

・また、素体１１の各層の積層方向は、上記各実施形態の例に限られない。素体１１の各層は、第２軸Ｙに沿って積層してもよいし、第３軸Ｚに沿って積層してもよい。
・絶縁部２０の材質は、上記実施形態の例に限られず、絶縁体であればよい。例えば、絶縁部２０の材質は、磁性の絶縁体であってもよい。また、絶縁部２０の一部が、他の部分と異なる非磁性又は磁性の絶縁体であってもよい。

・第１被覆絶縁層６１は、複数の絶縁層が積層された構成であってもよい。また、第１被覆絶縁層６１が複数の絶縁層で構成される場合、そのうちの一部の絶縁層が着色されていてもよい。この点、第２被覆絶縁層６２についても同様である。

・インダクタ配線３０の構成は、上記実施形態の例に限られない。素体１１の内部において延びていればよく、必要な特性に合わせて、形状や長さ等、適宜変更すればよい。各実施形態では、底面１１Ｅに平行な軸を中心にインダクタ配線３０が巻き回された形状であったが、底面１１Ｅに垂直な軸を中心にインダクタ配線３０が巻き回された形状であってもよい。また、底面１１Ｅに平行であって、第１端面１１Ｃに垂直な軸を中心にインダクタ配線３０が巻き回された形状であってもよい。

・また、インダクタ配線３０の各層のターン数は、１周未満に限られない。インダクタ配線３０は、各層において、１周以上巻き回されていてもよい。すなわち、インダクタ配線３０の構造は、スパイラル構造であってもよい。

・第１実施形態において、第１配線部３１の配線幅は、第２端部３１Ｂも含めて略一定となっていてもよい。この点、他の配線部の配線幅においても同様である。
・インダクタ配線３０における各配線部の端部の位置は、上記各実施形態の位置に限られない。インダクタ配線３０における各配線部の端部の位置は、適宜変更してもよい。

・第１実施形態において、第１電極部４１におけるＬ字状の第３正方向Ｚ１側の先端は、第１層Ｌ１の中心よりも第３正方向Ｚ１側に位置していてもよい。この点、第１８電極部５９についても同様である。

・第１実施形態において、第５電極部４３は、第３電極部４２と異なる寸法であってもよい。この点、他の電極部においても同様である。
・第１被覆電極７１の形状は、上記実施形態の例に限られない。第２負方向Ｙ２を向いてインダクタ部品１０を視たとき、第１被覆電極７１の形状は、第１埋込電極４０の第１端面電極部４０Ｂの露出範囲に併せて変更すればよい。例えば、第１実施形態において、第１層Ｌ１での第１被覆電極７１は直方体状に突出しているが、曲面状に突出していてもよい。また例えば、第１層Ｌ１から第２層Ｌ２、第３層Ｌ３にかけてなだらかな曲面状やテーパ状に厚みや高さが変化してもよい。

・図１０に示す変更例のインダクタ部品２１０は、第１実施形態のインダクタ部品１０と比べて、第２負方向Ｙ２を向いてインダクタ部品１１０を視たとき、第１被覆電極７１の形状が異なる。インダクタ部品２１０の第１被覆電極７１において、第５層Ｌ５における第１被覆電極７１の高さが最小となっている。そして、第５層Ｌ５における第１被覆電極７１の上端は、幾何中心Ｃに対して底面１１Ｅ側に位置している。また、第４層Ｌ４及び第６層Ｌ６における第１被覆電極７１の高さが、第５層Ｌ５における第１被覆電極７１の高さよりも大きくなっている。さらに、第３層Ｌ３及び第７層Ｌ７における第１被覆電極７１の高さが、第４層Ｌ４及び第６層Ｌ６における第１被覆電極７１の高さよりも大きくなっている。そして、第２層Ｌ２、第８層Ｌ８及び第９層Ｌ９における第１被覆電極７１の高さは、第３層Ｌ３及び第７層Ｌ７における第１被覆電極７１の高さよりも大きくなっている。そのうえで、第１層Ｌ１における第１被覆電極７１の高さは、第１層Ｌ１～第９層Ｌ９において、最大となっている。このように、第１層Ｌ１から第５層Ｌ５に向けて、徐々に第１被覆電極７１の高さが変化していてもよい。この変更例では、第１被覆電極７１は、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃ上に存在しない。したがって、第２仮想線ＶＬ２上での第１被覆電極７１の厚みは、幾何中心Ｃ上で最小である。

なお、第２仮想線上において、第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所が、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側にずれていれば、第１被覆電極７１の厚みは、幾何中心Ｃ上で最小とならなくてもよい。また、第１被覆電極７１の厚みが最大となる箇所が、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側にずれていれば、第１被覆電極７１の厚みは、第１層Ｌ１や第９層Ｌ９で最大となっていなくてもよい。

また、第１被覆電極７１は、層間において、なめらかにつながっていてもよい。すなわち、第２負方向Ｙ２を向いてインダクタ部品１１０を視たとき、第１被覆電極７１の外縁は、角を有しておらず、曲線状となっていてもよい。さらに、第１端面１１Ｃを覆う第１被覆電極７１の表面は、曲面となっていてもよい。

・図１１に示す変更例のインダクタ部品３１０は、第１実施形態のインダクタ部品１０と比べて、第２層Ｌ２における第１被覆電極７１の高さが異なる。具体的には、第２層Ｌ２における第１被覆電極７１の高さは、第１層Ｌ１における第１被覆電極７１の高さよりも大きくなっている。また、第２層Ｌ２における第１被覆電極７１の上端は、第２仮想線ＶＬ２に対して天面１１Ｆ側に位置している。この場合でも、第１軸Ｘに沿う方向において、幾何中心Ｃよりも第１主面１１Ａ側において、第１被覆電極７１の高さは最大となっている。

・図１２に示す変更例のインダクタ部品４１０は、第１実施形態のインダクタ部品１０と比べて、第９層Ｌ９における第１被覆電極７１の高さが異なる。具体的には、第９層Ｌ９における第１被覆電極７１の高さは、第１層Ｌ１における第１被覆電極７１の高さと等しくなっている。そのため、第１軸Ｘに沿う方向において幾何中心Ｃから第１正方向Ｘ１側の範囲と、第１負方向Ｘ２側の範囲と、で、幾何中心Ｃからの距離が同じ箇所で、第１被覆電極７１の高さが等しい。この場合、インダクタ部品４１０を基板に搭載する場合に、第１軸Ｘに沿う方向の安定性が向上しやすい。

・図１３に示す変更例のインダクタ部品５１０は、第１実施形態のインダクタ部品１０と比べて、第５層Ｌ５における第１被覆電極７１の高さが最小となっていない。具体的には、インダクタ部品５１０では、第１実施形態のインダクタ部品１０と比べて、第３層Ｌ３、第５層Ｌ５、第７層Ｌ７、及び第９層Ｌ９における第１被覆電極７１の高さが、異なっている。インダクタ部品５１０の第３層Ｌ３、第５層Ｌ５、第７層Ｌ７、及び第９層Ｌ９における第１被覆電極７１の高さは、第２層Ｌ２における第１被覆電極７１の高さよりも大きくなっている。また、インダクタ部品５１０の第３層Ｌ３、第５層Ｌ５、第７層Ｌ７、及び第９層Ｌ９における第１被覆電極７１の高さは、第１層Ｌ１における第１被覆電極７１の高さよりも小さくなっている。そのため、第２負方向Ｙ２を向いてインダクタ部品５１０を視たときに、第２層Ｌ２～第９層Ｌ９における第１被覆電極７１は、櫛状になっている。

・図１４に示す変更例のインダクタ部品６１０は、第１実施形態のインダクタ部品１０と比べて、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２における第１被覆電極７１の高さが異なっている。具体的には、インダクタ部品６１０の第２層Ｌ２における第１被覆電極７１の高さが最大となっており、且つ、第１層Ｌ１における第１被覆電極７１の高さは、第５層Ｌ５における第１被覆電極７１の高さと等しくなっている。つまり、インダクタ部品６１０においては、第２仮想線ＶＬ２上での第１被覆電極７１の厚みは、第１端配線部である第１配線部３１が存在する第１層Ｌ１の範囲外で最大となっている。

・図１５に示す変更例のインダクタ部品７１０は、第１実施形態のインダクタ部品１０と比べて、第１被覆電極７１の存在する範囲が異なる。具体的には、インダクタ部品７１０における第１被覆電極７１は、第１端面１１Ｃ上において、第１層Ｌ１のみに存在している。つまり、第２層Ｌ２～第８層Ｌ８においては、第１端面１１Ｃ上に第１被覆電極７１は存在していない。例えば、第１底面電極部４０Ａ及び第１端面電極部４０Ｂが第１層Ｌ１のみに存在していると、このように、第１被覆電極７１は、第１層Ｌ１のみに存在する。第１端面１１Ｃ上における浮遊容量をより小さくするうえでは、第１端面１１Ｃ上に存在する第１被覆電極７１の範囲を小さくすることは好適である。

・図１６に示す変更例のインダクタ部品８１０は、変更例のインダクタ部品７１０と比べて、第１被覆電極７１の第３軸Ｚに沿う方向の範囲で、存在する範囲が異なる。具体的には、インダクタ部品８１０では、インダクタ部品７１０と比べて、第３負方向Ｚ２側の端を含む一部が省略されている。つまり、第１被覆電極７１は、第１端面電極部４０Ｂを被覆する箇所と、第１底面電極部４０Ａを被覆する箇所とに、分かれている。この場合であっても、第２仮想線ＶＬ２上において、第１層Ｌ１における第１被覆電極７１の厚みが最大となっていればよい。

・図１７に示す変更例のインダクタ部品９１０は、第１実施形態のインダクタ部品１０と比べて、第１被覆電極７１の存在する範囲が異なる。具体的には、インダクタ部品９１０では、インダクタ部品１０と比べて、第１被覆電極７１のうち、第１端面電極部４０Ｂを被覆する範囲の第３負方向Ｚ２側の端を含む一部が省略されている。そのため、第１被覆電極７１は、第１端面１１Ｃ上において、２箇所に分かれている。

・第２実施形態のインダクタ部品１１０において、第１層Ｌ１及び第９層Ｌ９における第１端面電極部４０Ｂの焼結体の組成と、第２層Ｌ２～第８層Ｌ８における第１端面電極部４０Ｂの焼結体の組成とが、異なっていてもよい。例えば、第１層Ｌ１及び第９層Ｌ９における第１端面電極部４０Ｂの材質が銀であり、第２層Ｌ２～第８層Ｌ８における第１端面電極部４０Ｂの材質が金であってもよい。この場合、金の電気抵抗値は、銀の電気抵抗値よりも大きくなっている。そのため、電気めっきをすることで、第１端面電極部４０Ｂ上に、箇所毎に厚みの異なる第１被覆電極７１を形成できる。また例えば、電気抵抗値の異なる金属の組み合わせは、金と銀とに限られず、銀と銅とであってもよいし、銅と金とであってもよい。また例えば、電気抵抗値の違いは、合金の組成比率を異ならせることで実現してもよい。

・第２実施形態のインダクタ部品１１０において、第２層Ｌ２～第８層Ｌ８における第１被覆電極７１の厚みはゼロであってもよい。すなわち、第１被覆電極７１の厚みは、第１端面１１Ｃの幾何中心Ｃ上においてゼロであってもよい。つまり、第２層Ｌ２～第８層Ｌ８において、第１端面電極部４０Ｂが第１被覆電極７１に覆われずに素体１１の外部に露出していてもよい。この場合、第２実施形態のインダクタ部品１１０の製造方法におけるめっき工程Ｓ３００では、第２層Ｌ２～第８層Ｌ８における第１端面電極部４０Ｂの表面を絶縁性のカバーで覆ってから、電気めっきすればよい。つまり、第１端面電極部４０Ｂの幾何中心Ｃを当該カバーで覆うとともに、第１端面電極部４０Ｂのうち、第２仮想線ＶＬ２上において幾何中心Ｃに対して第１主面１１Ａ側の部分を当該カバーから露出させてめっきすればよい。

・第１埋込電極４０は、少なくとも第１端面電極部４０Ｂを有していればよい。つまり、第１埋込電極４０の第１底面電極部４０Ａは、省略してもよい。
・第１埋込電極４０を省いてもよい。この場合、第１被覆電極７１がインダクタ配線３０の第１端に電気的に接続されていればよい。

・第１被覆電極７１は、底面１１Ｅのうち、第１仮想線ＶＬ１上の一部を被覆していれば、底面１１Ｅを被覆する範囲を適宜変更してもよい。
・第２正方向Ｙ１を向いてインダクタ部品１０を視たとの第２被覆電極７２の形状は、第２負方向Ｙ２を向いてインダクタ部品１０を視たときの第１被覆電極７１の形状と、異なっていてもよい。

上記各実施形態及び変更例から把握できる技術的思想について記載する。
＜１＞
６つの外面を有する直方体状の素体と、
前記素体の内部で延びているインダクタ配線と、
前記外面のうちの１つの面である底面を被覆し、前記インダクタ配線の第１端に電気的に接続された第１被覆電極と、
前記底面を被覆し、前記インダクタ配線の第２端に電気的に接続された第２被覆電極と、
を備え、
前記素体の６つの前記外面のうち、前記底面に垂直な面の１つの面を主面とし、前記底面及び前記主面のいずれにも垂直な面を第１端面及び第２端面としたとき、
前記第１被覆電極及び前記第２被覆電極は、前記底面の幾何中心を通り前記第１端面に垂直な第１仮想線上の一部を被覆しており、
前記第１被覆電極は前記第１端面を、前記第２被覆電極は前記第２端面を覆っており、
前記第１端面に垂直な方向での、前記第１端面から前記第１被覆電極の表面までの距離を、前記第１被覆電極の厚みとしたとき、
前記第１端面の幾何中心を通り前記主面に垂直な第２仮想線上において、前記第１被覆電極の厚みが最大となる箇所が、前記第１端面の幾何中心よりも前記主面側にずれている
インダクタ部品。

＜２＞
前記第１端面上において前記底面に垂直な方向での前記第１被覆電極の寸法を、前記第１被覆電極の高さとしたとき、
前記第１被覆電極の高さが最大となる箇所が、前記第１端面の幾何中心よりも前記主面側にずれている
＜１＞に記載のインダクタ部品。

＜３＞
前記インダクタ配線は、前記主面に垂直な方向に並ぶ複数の配線部と、前記主面に垂直な方向に隣り合う前記配線部を繋ぐビアと、を有しており、
複数の前記配線部のうち、前記第１端から前記主面に平行に延びる前記配線部を、第１端配線部としたとき、
前記第２仮想線上での前記第１被覆電極の厚みは、前記主面に垂直な方向において前記第１端配線部が存在する範囲内で、最大となっている
＜１＞又は＜２＞に記載のインダクタ部品。

＜４＞
前記素体は、前記インダクタ配線の前記第１端に接続し、前記第１被覆電極に直接接触している第１埋込電極を有し、
前記第１埋込電極は、前記第１端面において前記素体の外部に露出して前記第１被覆電極に覆われている端面電極部を有している
＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載のインダクタ部品。

＜５＞
前記端面電極部のうち前記第１端面の幾何中心での電気抵抗値は、前記第１被覆電極の厚みが最大となる箇所での電気抵抗値よりも大きくなっている
＜４＞に記載のインダクタ部品。

＜６＞
前記端面電極部は、金属とガラスとからなる焼結体であり、
前記端面電極部のうち、前記第１端面の幾何中心での前記金属の密度は、前記第２仮想線上において、前記第１被覆電極の厚みが最大となる箇所での前記金属の密度よりも粗になっている
＜５＞に記載のインダクタ部品。

＜７＞
前記端面電極部は、焼結体であり、
前記端面電極部のうち、前記第１端面の幾何中心での前記焼結体の組成と、前記第２仮想線上において、前記第１被覆電極の厚みが最大となる箇所での前記焼結体の組成と、が異なっている
＜５＞に記載のインダクタ部品。

＜８＞
前記第１被覆電極の厚みは、前記第１端面の幾何中心上においてゼロである
＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載のインダクタ部品。

＜９＞
絶縁性の絶縁ペースト及び金属粉を含む導電ペーストを用いて、前記絶縁ペーストの内部で螺旋状に延びている前記導電ペーストのパターンと、前記パターンの第１端に接続し前記絶縁ペーストから露出する前記導電ペーストの第１導電部と、前記パターンの第２端に接続し前記絶縁ペーストから露出する前記導電ペーストの第２導電部と、を有する直方体状の積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体を焼成して前記第１導電部が焼結した第１埋込電極、前記第２導電部が焼結した第２埋込電極をそれぞれ有する素体を形成する焼成工程と、
前記素体の表面に露出している前記第１埋込電極及び前記第２埋込電極の表面にめっきして、前記第１埋込電極の表面を被覆する第１被覆電極及び前記第２埋込電極の表面を被覆する第２被覆電極を形成するめっき工程と、
を備え、
前記素体の６つの外面のうち、１つの面を底面とし、前記底面に垂直な面の１つを主面とし、前記底面及び前記主面のいずれにも垂直な面を第１端面及び第２端面としたとき、
前記第１埋込電極及び前記第２埋込電極は、前記底面において前記素体の外部に露出し、
前記第１埋込電極は、前記第１端面において前記素体の外部に露出する端面電極部を有しており、
前記めっき工程において、
前記第１端面の幾何中心を絶縁性のカバーで覆うとともに、
前記端面電極部のうち、前記第１端面の幾何中心を通り前記主面に垂直な仮想線上において、前記幾何中心に対して前記主面側の部分を前記カバーから露出させてめっきする
インダクタ部品の製造方法。

１０，１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０，８１０，９１０…インダクタ部品
１１…素体
２０…絶縁部
３０…インダクタ配線
３１…第１配線部
３２，３４，３６，３８…ビア
３３…第２配線部
３５…第３配線部
３７…第４配線部
３９…第５配線部
４０…第１埋込電極
４０Ａ…第１底面電極部
４０Ｂ…第１端面電極部
５０…第２埋込電極
５０Ａ…第２底面電極部
５０Ｂ…第２端面電極部
６１…第１被覆層
６２…第２被覆層
７１…第１被覆電極
７２…第２被覆電極

Claims (9)

1. ６つの外面を有する直方体状の素体と、
   前記素体の内部で延びているインダクタ配線と、
   前記外面のうちの１つの面である底面を被覆し、前記インダクタ配線の第１端に電気的に接続された第１被覆電極と、
   前記底面を被覆し、前記インダクタ配線の第２端に電気的に接続された第２被覆電極と、
   を備え、
   前記素体の６つの前記外面のうち、前記底面に垂直な面の１つの面を主面とし、前記底面及び前記主面のいずれにも垂直な面を第１端面及び第２端面としたとき、
   前記第１被覆電極及び前記第２被覆電極は、前記底面の幾何中心を通り前記第１端面に垂直な第１仮想線上の一部を被覆しており、
   前記第１被覆電極は前記第１端面を、前記第２被覆電極は前記第２端面を覆っており、
   前記第１端面に垂直な方向での、前記第１端面から前記第１被覆電極の表面までの距離を、前記第１被覆電極の厚みとしたとき、
   前記第１端面の幾何中心を通り前記主面に垂直な第２仮想線上において、前記第１被覆電極の厚みが最大となる箇所が、前記第１端面の幾何中心よりも前記主面側にずれている
   インダクタ部品。
2. 前記第１端面上において前記底面に垂直な方向での前記第１被覆電極の寸法を、前記第１被覆電極の高さとしたとき、
   前記第１被覆電極の高さが最大となる箇所が、前記第１端面の幾何中心よりも前記主面側にずれている
   請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記インダクタ配線は、前記主面に垂直な方向に並ぶ複数の配線部と、前記主面に垂直な方向に隣り合う前記配線部を繋ぐビアと、を有しており、
   複数の前記配線部のうち、前記第１端から前記主面に平行に延びる前記配線部を、第１端配線部としたとき、
   前記第２仮想線上での前記第１被覆電極の厚みは、前記主面に垂直な方向において前記第１端配線部が存在する範囲内で、最大となっている
   請求項１又は請求項２に記載のインダクタ部品。
4. 前記素体は、前記インダクタ配線の前記第１端に接続し、前記第１被覆電極に直接接触している第１埋込電極を有し、
   前記第１埋込電極は、前記第１端面において前記素体の外部に露出して前記第１被覆電極に覆われている端面電極部を有している
   請求項１に記載のインダクタ部品。
5. 前記端面電極部のうち前記第１端面の幾何中心での電気抵抗値は、前記第１被覆電極の厚みが最大となる箇所での電気抵抗値よりも大きくなっている
   請求項４に記載のインダクタ部品。
6. 前記端面電極部は、金属とガラスとからなる焼結体であり、
   前記端面電極部のうち、前記第１端面の幾何中心での前記金属の密度は、前記第２仮想線上において、前記第１被覆電極の厚みが最大となる箇所での前記金属の密度よりも粗になっている
   請求項５に記載のインダクタ部品。
7. 前記端面電極部は、焼結体であり、
   前記端面電極部のうち、前記第１端面の幾何中心での前記焼結体の組成と、前記第２仮想線上において、前記第１被覆電極の厚みが最大となる箇所での前記焼結体の組成と、が異なっている
   請求項５に記載のインダクタ部品。
8. 前記第１被覆電極の厚みは、前記第１端面の幾何中心上においてゼロである
   請求項１に記載のインダクタ部品。
9. 絶縁性の絶縁ペースト及び金属粉を含む導電ペーストを用いて、前記絶縁ペーストの内部で螺旋状に延びている前記導電ペーストのパターンと、前記パターンの第１端に接続し前記絶縁ペーストから露出する前記導電ペーストの第１導電部と、前記パターンの第２端に接続し前記絶縁ペーストから露出する前記導電ペーストの第２導電部と、を有する直方体状の積層体を形成する積層体形成工程と、
   前記積層体を焼成して前記第１導電部が焼結した第１埋込電極、前記第２導電部が焼結した第２埋込電極をそれぞれ有する素体を形成する焼成工程と、
   前記素体の表面に露出している前記第１埋込電極及び前記第２埋込電極の表面にめっきして、前記第１埋込電極の表面を被覆する第１被覆電極及び前記第２埋込電極の表面を被覆する第２被覆電極を形成するめっき工程と、
   を備え、
   前記素体の６つの外面のうち、１つの面を底面とし、前記底面に垂直な面の１つを主面とし、前記底面及び前記主面のいずれにも垂直な面を第１端面及び第２端面としたとき、
   前記第１埋込電極及び前記第２埋込電極は、前記底面において前記素体の外部に露出し、
   前記第１埋込電極は、前記第１端面において前記素体の外部に露出する端面電極部を有しており、
   前記めっき工程において、
   前記第１端面の幾何中心を絶縁性のカバーで覆うとともに、
   前記端面電極部のうち、前記第１端面の幾何中心を通り前記主面に垂直な仮想線上において、前記幾何中心に対して前記主面側の部分を前記カバーから露出させてめっきする
   インダクタ部品の製造方法。

Images