JP2023551308A - フリップチップマイクロ発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
メサであって、
n型層、活性層、およびp型層を含む複数の半導体層と、
前記p型層と接触するpコンタクト層と、
を有し、前記メサは、前記pコンタクト層の上部表面から前記n型層の底部表面まで広がる高さと、前記n型層の第1の側壁から前記n型層の第2の側壁まで広がる幅とを有し、前記pコンタクト層の前記上部表面は、前記n型層の前記第1および第2の側壁とは異なる平面配向を有する、メサと、
前記n型層の前記第1の側壁と接触するカソードと、
前記pコンタクト層、前記活性層、および前記p型層の第1の側壁を前記カソードから絶縁する誘電体材料の第1の領域と、
前記pコンタクト層の前記上部表面と接触するアノードと、
前記活性層、前記p型層の第2の側壁、および前記n型層の前記第2の側壁を前記アノードから絶縁する誘電体材料の第2の領域と、
を有する。
バックプレーンと、
前記バックプレーンに取り付けられた複数の個々に配置されたuLED装置であって、前記uLED装置の各々は、本願の任意の実施形態に記載のuLED装置を有する、uLED装置と、
前記複数の個々に配置されたuLED装置を取り囲む表示面を含むハウジングと、
を有する。
当該方法は、
基板上にn型層、活性層、およびp型層を含む複数の半導体層を成膜するステップと、
前記複数の半導体層上にpコンタクト層を成膜するステップと、
前記pコンタクト層上にハードマスク層を成膜するステップと、
前記半導体層、前記pコンタクト層、および前記ハードマスク層の一部をエッチングして、トレンチおよび複数のメサを形成するステップであって、メサの各々は、前記pコンタクト層の上部表面から前記n型層の底部表面まで広がる高さと、前記n型層の第1の側壁から前記n型層の第2の側壁まで広がる幅とを有する、ステップと、
前記基板にわたって、前記トレンチ内および前記基板の最上部表面に誘電体金属を成膜するステップと、
第1のエッチングにより、前記pコンタクト層および前記基板の表面の第1の部分を露出させるステップと、
第2のエッチングにより、前記n型層および前記基板の前記表面の第2の部分を露出させるステップと、
前記第1のエッチングおよび前記第2のエッチングにより露出された領域に、第1の金属を成膜するステップと、
エッチングにより、互いに絶縁されたカソードおよびアノードを形成するステップと、
を有し、
前記各ステップにより、処理構造が形成される。
当該方法は、
ピックアンドプレース法により、複数のマイクロ発光ダイオード(uLED)をバックプレーンに取り付けるステップと、
表示面を有するハウジング内に前記複数のLEDを取り囲むステップと、
を有し、
前記uLEDの各々は、本願の実施形態に記載のuLED装置を有する。
図6には、本願に開示のuLED装置を用いた例示的な表示装置を概略的に示す。1つ以上の実施形態では、表示装置は、LED照明アレイおよびレンズシステムである。1つ以上の実施形態では、表示装置は、LED発光アレイである。図6に示すように、表示装置650は、各種色の複数の、またはuLED601のアレイを有し、赤色画素の600r、青色画素の600b、および緑色画素の600gを有する。1つ以上の実施形態では、uLEDの各々は、個別にアドレス指定可能であり、照射可能である。各色の数および色の配置は、用途に特有であることが理解される。複数の画素は、バックプレーン652に取り付けられる。1つ以上の実施形態では、自動ピックアンドプレース装置は、各uLEDを支持体(例えば、図3A乃至図3Bの303)から取り出し、uLEDをバックプレーンにマウントし、熱および/または超音波および/または圧縮の方法の任意の組み合わせにより、uLEDの接合表面(例えば、カソードの第1の接合面319-s1およびアノードの第2の接合面325-s1)をバックプレーンに溶接してもよい。1つ以上の実施形態では、uLEDの接合表面に対応する接合金属パターンがバックプレーン上に存在する。表示面(またはレンズまたは他の光学的特徴物)660を有するハウジング358に、複数の画素が包囲される。電極654および656は、バックプレーン652をドライバ集積回路(図示せず)に電気的に接続する。
図7には、本願に開示のuLEDを用いた例示的なカメラフラッシュシステム700を概略的に示す。カメラフラッシュシステム700は、LED照明アレイと、LEDドライバ704と電気的に通信されたレンズシステム702とを備える。またカメラフラッシュシステム700は、マイクロプロセッサのようなコントローラ706を有する。コントローラ706は、LEDドライバ704に結合される。また、コントローラ706は、カメラ708およびセンサ710に結合されてもよく、メモリ712に保管された命令およびプロファイルに従って動作されてもよい。カメラ708、LED照明アレイ、およびレンズシステム702は、それらの視野に整合するようにコントローラ706により制御されてもよい。
以下、各種実施形態が列挙される。以下に示される実施形態は、本発明の範囲に従って、全ての態様および他の実施形態と組み合わされてもよいことが理解される。
マイクロ発光ダイオード(uLED)装置であって、
メサであって、
n型層、活性層、およびp型層を含む複数の半導体層と、
前記p型層と接触するpコンタクト層と、
を有し、前記メサは、前記pコンタクト層の上部表面から前記n型層の底部表面まで広がる高さと、前記n型層の第1の側壁から前記n型層の第2の側壁まで広がる幅とを有し、前記pコンタクト層の前記上部表面は、前記n型層の前記第1および第2の側壁とは異なる平面配向を有する、メサと、
前記n型層の前記第1の側壁と接触するカソードと、
前記pコンタクト層、前記活性層、および前記p型層の第1の側壁を前記カソードから絶縁する誘電体材料の第1の領域と、
前記pコンタクト層の前記上部表面と接触するアノードと、
前記活性層、前記p型層の第2の側壁、および前記n型層の前記第2の側壁を前記アノードから絶縁する誘電体材料の第2の領域と、
を有する、uLED装置。
前記メサの幅は、100ミクロン未満である、実施形態(a)に記載のuLED装置。
前記メサの高さは、前記メサの幅以下である、実施形態(a)乃至(b)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記カソードおよび前記アノードの両方は、当該uLED装置を長手方向に広げる、実施形態(a)乃至(c)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記p型層と接触する前記pコンタクト層は、実質的に前記p型層の幅にわたる、実施形態(a)乃至(d)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記カソードは、前記n型層の一部、および前記誘電体材料の前記第1の領域の第1の部分を包囲する、実施形態(a)乃至(e)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記アノードは、前記pコンタクト層の一部、および前記誘電体材料の前記第2の領域の一部を包囲する、実施形態(a)乃至(f)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記カソードの第1の長手方向表面は、前記uLEDの第1の接合表面を画定し、
前記アノードの第1の長手方向表面は、前記uLEDの第2の接合表面を画定し、
前記カソードの前記第1の長手方向表面および前記アノードの前記第1の長手方向表面は、前記pコンタクト層の同じ側に配置される、実施形態(a)乃至(g)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記カソードの前記第1の長手方向表面および前記アノードの前記第1の長手方向表面は、平面である、実施形態(h)に記載のuLED装置。
前記カソードの第2の長手方向表面は、前記uLEDの第1のリフトオフ端部を画定し、
前記アノードの第2の長手方向表面は、前記uLEDの第2のリフトオフ端部を画定し、
前記カソードの前記第2の長手方向表面および前記アノードの前記第2の長手方向表面は、前記n型層の対向する両側に配置される、実施形態(a)乃至(i)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記カソード、前記アノード、および前記誘電性材料の前記第1の領域の第2の部分に配置されたパッシベーション層を有する、実施形態(a)乃至(j)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記カソードは、前記n型層の2つの平面配向に接触する、実施形態(a)乃至(k)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記アノードは、前記pコンタクト層の2つの平面配向に接触する、実施形態(a)乃至(l)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記半導体層は、2μmから10μmの範囲の全厚さを有する、実施形態(a)乃至(m)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記n型層はN-GaNを含み、前記p型層はP-GaNを含む、実施形態(a)乃至(n)のいずれか一つに記載のuLED装置。
前記第1の領域および前記第2の領域の前記誘電体材料は、それぞれ独立に、SiO2、AlOx、およびSiNからなる群から選択された材料を含み、それぞれ独立に、200nmから1μmの範囲の厚さを有する、実施形態(a)乃至(o)のいずれか一つに記載のuLED装置。
表示装置であって、
バックプレーンと、
前記バックプレーンに取り付けられた複数の個々に配置されたuLED装置であって、前記uLED装置の各々は、実施形態(a)乃至(p)のいずれか一つに記載のuLED装置を有する、uLED装置と、
前記複数の個々に配置されたuLED装置を取り囲む表示面を含むハウジングと、
を有する、表示装置。
前記uLEDの各々は、実施形態(a)乃至(p)のいずれか一つに記載のuLED装置である、実施形態(q)に記載の表示装置。
実施形態(q)乃至(r)のいずれか一つに記載の表示装置と、前記複数のuLED装置と通信される1つ以上のコントローラとを有する、表示システム。
前記複数のuLED装置は、独立して制御可能である、実施形態(s)に記載の表示システム。
マイクロ発光ダイオード(uLED)装置を製造する方法であって、
基板上にn型層、活性層、およびp型層を含む複数の半導体層を成膜するステップと、
前記複数の半導体層上にpコンタクト層を成膜するステップと、
前記pコンタクト層上にハードマスク層を成膜するステップと、
前記半導体層、前記pコンタクト層、および前記ハードマスク層の一部をエッチングして、トレンチおよび複数のメサを形成するステップであって、メサの各々は、前記pコンタクト層の上部表面から前記n型層の底部表面まで広がる高さと、前記n型層の第1の側壁から前記n型層の第2の側壁まで広がる幅とを有する、ステップと、
前記基板にわたって、前記トレンチ内および前記基板の最上部表面に誘電体金属を成膜するステップと、
第1のエッチングにより、前記pコンタクト層および前記基板の表面の第1の部分を露出させるステップと、
第2のエッチングにより、前記n型層および前記基板の前記表面の第2の部分を露出させるステップと、
前記第1のエッチングおよび前記第2のエッチングにより露出された領域に、第1の金属を成膜するステップと、
エッチングにより、互いに絶縁されたカソードおよびアノードを形成するステップと、
を有し、
前記各ステップにより、処理構造が形成される、方法。
前記メサの幅は、100ミクロン未満である、 実施形態(u)に記載の方法。
前記メサの高さは、前記メサの幅と等しく、またはそれ以下である、 実施形態(u)
または(v)に記載の方法。
前記第1のエッチングおよび/または前記第2のエッチングは、互いに独立に、異方性エッチングを有する、実施形態(u)乃至(w)のいずれか一つに記載の方法。
前記エッチングにより、前記pコンタクト層を露出させるステップの前に、マスキングを行うステップを有する、実施形態(u)乃至(x)のいずれか一つに記載の方法。
前記pコンタクト層の2つの平面配向は、前記エッチングにより、前記pコンタクト層を露出させるステップの間に露出される、実施形態(u)乃至(y)のいずれか一つに記載の方法。
前記n層の2つの平面配向は、前記エッチングにより、前記n層を露出させるステップの間に露出される、実施形態(u)乃至(z)のいずれか一つに記載の方法。
前記エッチングにより、前記n型層を露出させるステップの前に、マスキングを行うステップを有する、実施形態(u)乃至(aa)のいずれか一つに記載の方法。
前記処理構造上にパッシベーション層を形成するステップを有する、実施形態(u)乃至(bb)のいずれか一つに記載の方法。
前記カソードおよび前記アノードの接合表面を支持体に接着させるステップと、
前記基板を除去するステップと、
前記メサを個別化して、個々のuLED装置を形成するステップと、
を有する、実施形態(u)乃至(cc)のいずれか一つに記載の方法。
前記n型層はN-GaNを含み、前記p型層はP-GaNを含む、実施形態(u)乃至(dd)のいずれか一つに記載の方法。
前記第1の領域および前記第2の領域の前記誘電体材料は、各々独立に、SiO2、AlOx、およびSiNからなる群から選択された材料を有し、各々独立に、200nmから1μmの範囲の厚さを有する、実施形態(u)乃至(ee)のいずれか一つに記載の方法。
前記p型層と接触する前記pコンタクト層は、実質的に前記p型層の幅にまたがる、実施形態(u)乃至(ff)のいずれか一つに記載の方法。
前記p型層は、実質的に前記活性層の幅にまたがる、実施形態(u)乃至(gg)のいずれか一つに記載の方法。
表示装置を製造する方法であって、
ピックアンドプレース法により、複数のマイクロ発光ダイオード(uLED)をバックプレーンに取り付けるステップと、
表示面を有するハウジング内に前記複数のLEDを取り囲むステップと、
を有し、
前記uLEDの各々は、実施形態(a)乃至(p)のいずれか一つに記載のuLEDを有する、方法。
前記メサの幅は、100ミクロン未満である、実施形態(ii)に記載の方法。
前記メサの高さは、前記メサの幅以下である、実施形態(ii)乃至(jj)のいずれかに記載の方法。
前記p型層と接触する前記pコンタクト層は、実質的に前記p型層の幅に広がる、実施形態(ii)乃至(kk)のいずれかに記載の方法。
前記p型層は、実質的に前記活性層の幅に広がる、実施形態(ii)乃至(ll)のいずれかに記載の方法。
Claims (20)
- マイクロ発光ダイオード(uLED)装置であって、
メサであって、
n型層、活性層、およびp型層を含む複数の半導体層と、
前記p型層と接触するpコンタクト層と、
を有し、前記メサは、前記pコンタクト層の上部表面から前記n型層の底部表面まで広がる高さと、前記n型層の第1の側壁から前記n型層の第2の側壁まで広がる幅とを有し、前記pコンタクト層の前記上部表面は、前記n型層の前記第1および第2の側壁とは異なる平面配向を有する、メサと、
前記n型層の前記第1の側壁と接触するカソードと、
前記pコンタクト層、前記活性層、および前記p型層の第1の側壁を前記カソードから絶縁する誘電体材料の第1の領域と、
前記pコンタクト層の前記上部表面と接触するアノードと、
前記活性層、前記p型層の第2の側壁、および前記n型層の前記第2の側壁を前記アノードから絶縁する誘電体材料の第2の領域と、
を有する、uLED装置。 - 前記メサの幅は、100ミクロン未満である、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記メサの高さは、前記メサの幅以下である、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記カソードおよび前記アノードの両方は、当該uLED装置を長手方向に広げる、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記p型層と接触する前記pコンタクト層は、実質的に前記p型層の幅にわたる、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記カソードは、前記n型層の一部、および前記誘電体材料の前記第1の領域の第1の部分を包囲する、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記アノードは、前記pコンタクト層の一部、および前記誘電体材料の前記第2の領域の一部を包囲する、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記カソードの第1の長手方向表面は、前記uLEDの第1の接合表面を画定し、
前記アノードの第1の長手方向表面は、前記uLEDの第2の接合表面を画定し、
前記カソードの前記第1の長手方向表面および前記アノードの前記第1の長手方向表面は、前記pコンタクト層の同じ側に配置される、請求項1に記載のuLED装置。 - 前記カソードの前記第1の長手方向表面および前記アノードの前記第1の長手方向表面は、平面である、請求項8に記載のuLED装置。
- 前記カソードの第2の長手方向表面は、前記uLEDの第1のリフトオフ端部を画定し、
前記アノードの第2の長手方向表面は、前記uLEDの第2のリフトオフ端部を画定し、
前記カソードの前記第2の長手方向表面および前記アノードの前記第2の長手方向表面は、前記n型層の対向する両側に配置される、請求項1に記載のuLED装置。 - 前記カソード、前記アノード、および前記誘電性材料の前記第1の領域の第2の部分に配置されたパッシベーション層を有する、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記カソードは、前記n型層の2つの平面配向に接触する、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記アノードは、前記pコンタクト層の2つの平面配向に接触する、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記半導体層は、2μmから10μmの範囲の全厚さを有する、請求項1に記載のuLED装置
- 前記n型層はN-GaNを含み、前記p型層はP-GaNを含む、請求項1に記載のuLED装置。
- 前記第1の領域および前記第2の領域の前記誘電体材料は、それぞれ独立に、SiO2、AlOx、およびSiNからなる群から選択された材料を含み、それぞれ独立に、200nmから1μmの範囲の厚さを有する、請求項1に記載のuLED装置。
- 表示装置であって、
バックプレーンと、
前記バックプレーンに取り付けられた複数の個々に配置されたuLED装置であって、前記uLED装置の各々は、
n型層、活性層、およびp型層を含む複数の半導体層と、
前記p型層と接触するp型コンタクト層と、
メサであって、前記pコンタクト層の上部表面から前記n型層の底部表面まで広がる高さと、前記n型層の第1の側壁から前記n層の第2の側壁まで広がる幅とを有し、前記pコンタクト層の前記上部表面は、前記n型層の前記第1および第2の側壁とは異なる平面配向を有する、メサと、
前記n型層の前記第1の側壁に接触するカソードと、
前記pコンタクト層、前記活性層、および前記p型層の第1の側壁を前記カソードから絶縁する誘電体材料の第1の領域と、
前記pコンタクト層の前記上部表面に接触するアノードと、
前記活性層、前記p型層の第2の側壁、および前記n型層の前記第2の側壁を前記アノードから絶縁する誘電体材料の第2の領域と、
前記複数の個々に配置されたuLED装置を取り囲む表示面を含むハウジングと、
を有する、表示装置。 - 前記uLEDの各々は、請求項1に記載のuLED装置である、請求項17に記載の表示装置。
- 請求項17に記載の表示装置と、前記複数のuLED装置と通信される1つ以上のコントローラとを有する、表示システム。
- 前記複数のuLED装置は、独立して制御可能である、請求項19に記載の表示システム。
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