JP2023538721A

JP2023538721A - ３－（シクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール誘導体を製造するための方法および中間体

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Publication number: JP2023538721A
Application number: JP2023501593A
Authority: JP
Inventors: クノプフオリヴァー; デュポーフィリップ; リートハウザージャン－ジャック; ポワリエニコラ; ペーニャフエンテスディルバー; ベアナーアーミン; マリノーニルイージ
Original assignee: Firmenich SA
Current assignee: Firmenich SA
Priority date: 2020-09-01
Filing date: 2021-08-30
Publication date: 2023-09-11
Also published as: EP4153552A2; MX2023000555A; US20230365523A1; CN116018334A; IL299699A; WO2022049036A2; WO2022049036A3

Abstract

本発明は、香料の分野に関する。より具体的には、賦香成分を製造するための価値のある新規な化学中間体に関する。さらに、本発明は、式（Ｉ）の化合物を製造するための方法も包含する。

Description

発明の背景
香料業界では、新しい感覚刺激性のノートを付与する化合物を提供することが常に求められている。特に、スズランの香りの重要な官能的側面の１つを表すアルデヒドノートに関心が集まっている。そのため、精油を得るための最も穏やかな抽出方法であっても残らないミュゲの繊細なフローラルな香りを再現するために、前記ノートを付与する化合物が特に求められている。３－（シクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール誘導体は、例えば欧州特許第１５２９７７０号明細書で報告されている３－（４，４－ジメチル－１－シクロヘキセン－１－イル）プロパナールまたは欧州特許第１０５４０５３号明細書で報告されている３－［４－（２－メチル－２－プロパニル）－１－シクロヘキセン－１－イル］プロパナールのようなミュゲアルデヒドの嗅覚分類のノートを付与する化合物を代表するものである。しかしながら、これらの誘導体を得るためには手間がかかり、またグリニャール試薬、ラジカル化学、ジエナールの水素化、または熱分解を必要とし、目的化合物は低い収率および／または選択率で得られる。

工業的に関心を集めている製品であるため、収率や生産性の改善を示す新規なプロセスが常に求められている。

本発明の対象である式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）の化合物は、式（Ｉ）の化合物の製造に関連して報告も提案もされたことがない。式（ＩＩ）および（ＩＩＩ）の前記化合物のうちの僅かのみが先行技術で報告されているが、それらのうちのいずれも式（Ｉ）の化合物への中間体として報告されているものはない。

したがって、先行技術は、式（ＩＩ）および（ＩＩＩ）の幾つかの誘導体を報告しているものの、本発明を提案しているとみなすことはできない。

発明の概要
本発明は、式（ＩＩ）の新規な化合物から出発して、高収率および高選択率で式（Ｉ）の化合物を製造することを可能にする新規な方法に関する。本発明の方法は、式（Ｉ）の化合物への新しい効率的な経路を表す。

したがって、本発明の第１の対象は、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物を製造するための方法であって、
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＩＩ）

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、式（Ｉ）で定義したものと同じ意味を有し、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基である］
の化合物から出発するヒドロホルミル化および脱離工程を含む、方法である。

本発明の第２の対象は、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物であるが、１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテートは除く。

本発明の別の対象は、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｘ’は水素原子、Ｃ_１～３アルキル基、Ｃ_２～３アルケニル基、ベンジル基、Ｃ（Ｏ）Ｒ基、またはＳｉ（Ｒ’）_３基であり、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、互いに独立してＣ_１～４アルキル基を表すか、あるいはＲ^ａとＲ^ｂが一緒になってＣ_２～６アルカンジイル基を表す］
の化合物であるが、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－イソブチル－２－メチルシクロヘキサン－１－オール、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－２－メチルシクロヘキサン－１－オール、１－（３，３－ジエトキシプロピル）シクロヘキサン－１－オール、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－イソプロピル－２－メチルシクロヘキサン－１－オール、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキサン－１－オール、および１－（２－（１，３－ジオキサン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキサン－１－オールは除く。

［式中、各Ｒ^１およびＲ^２は、互いに独立して、水素原子、それぞれヒドロキシまたはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基またはＣ_２～６アルケニル基を表し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、互いに独立してＣ_１～４アルキル基を表すか、あるいはＲ^ａとＲ^ｂが一緒になってＣ_２～６アルカンジイル基を表す］
の化合物である。

本発明の更なる対象は、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、点線は二重結合または三重結合を表し、Ｘは、Ｃ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物であるが、１－ビニルシクロヘキシルアセテート、１－エチニルシクロヘキシルアセテート、１－ビニルシクロヘキシルプロピオネート、４－メチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－メチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、１－エチニル－２－メチルシクロヘキシルアセテート、２－エチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－ｓｅｃブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－イソプロピル－５－メチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－アリル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、４－ｔｅｒｔ－ブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、１－ビニルデカヒドロナフタレン－１－イルアセテート、および１－エチニルデカヒドロナフタレン－１－イルアセテートは除く。

発明の説明
今回、驚くべきことに、貴重な賦香成分である式（Ｉ）の３－（シクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール誘導体を、本明細書の以下で式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）で定義される新規な化学中間体から得ることができることが見出された。本発明の方法は、先行技術から知られている方法と比較して、全体的に高い収率で式（Ｉ）の化合物への新しい経路を表す。

明確にするために明記しておくと、「立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物」または同様の表現は、当業者によって理解される通常の意味を有すること、すなわち、式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物が、純粋な鏡像異性体であっても鏡像異性体の混合物であってもよいことが意図されている。言い換えると、式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物は、２つの異なる立体化学（例えばＲまたはＳ）を有することができる少なくとも１つの立体中心を有することができる。式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物は、純粋な鏡像異性体の形態であっても鏡像異性体の混合物の形態であってもよい。式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物は、式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物が２つ以上の立体中心を有する場合、純粋なジアステレオ異性体の形態であってもジアステレオ異性体の混合物の形態であってもよい。式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物は、ラセミ形態またはスケールミック形態であってよい。したがって、式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物は、１つの立体異性体であるか、または様々な立体異性体を含むか、もしくはそれらからなる物質組成物の形態であってよい。

「任意選択的に」という用語は、任意選択的に置換されるべき特定の基が、特定の官能基で置換されてもよいし、置換されなくてもよいことであると理解される。

明確にするために明記しておくと、「ヒドロホルミル化および脱離工程を含む」という表現は、ヒドロホルミル化反応および脱離反応が任意の順序で行われ得ることを意味する。言い換えると、本発明の方法は、ヒドロホルミル化工程とそれに続く脱離工程とを含んでいてよく、あるいは本発明の方法は、脱離工程とそれに続くヒドロホルミル化工程とを含んでいてよい。

「アルキル」および「アルケニル」という用語は、分岐および直鎖のアルキル基およびアルケニル基を含むと理解される。「アルケニル」および「シクロアルケニル」という用語は、１、２、または３個のオレフィン二重結合、好ましくは１または２個のオレフィン二重結合を含むと理解される。「シクロアルキル」および「シクロアルケニル」という用語は、単環式の、または縮合、スピロ、および／もしくは架橋の二環式もしくは三環式のシクロアルキルおよびシクロアルケニル基、好ましくは単環式シクロアルキル基およびシクロアルケニル基を含むと理解される。

明確にするために明記しておくと、「Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成する」という表現は、両方の基が結合している炭素原子がＣ_５～８シクロアルキル基またはＣ_５～８シクロアルケニル基に含まれていることを意味する。

本発明の任意の実施形態によれば、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの少なくとも１つの基は、それぞれヒドロキシまたはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基またはＣ_２～６アルケニル基であってよく、残りは、互いに独立して、水素原子であるか、それぞれヒドロキシまたはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基またはＣ_２～６アルケニル基であってよい。特に、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの少なくとも３つの基は水素原子であってよく、残りは、互いに独立して、水素原子であるか、それぞれヒドロキシまたはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基またはＣ_２～６アルケニル基であってよい。特に、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの４つの基は水素原子であってよく、残りは、互いに独立して、水素原子であるか、ヒドロキシまたはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基またはＣ_２～６アルケニル基であってよい。特に、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの１つ、２つ、３つまたは４つの基は、それぞれヒドロキシまたはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基またはＣ_２～６アルケニル基であってよく、残りは水素原子であってよい。さらにより具体的には、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの１つまたは２つの基は、それぞれヒドロキシまたはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基またはＣ_２～６アルケニル基であってよく、残りは水素原子であってよい。

本発明の任意の実施形態によれば、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子であるか、ヒドロキシまたはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～４アルキル基であってよい。特に、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子またはＣ_１～３アルキル基であってよい。特に、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して水素原子であってよい。

本発明の特定の実施形態によれば、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して水素原子であってよく、Ｒ^４およびＲ^５は、水素原子またはＣ_１～３アルキル基であってよい。特に、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して水素原子であってよく、Ｒ^４は水素原子であってよく、Ｒ^５はＣ_１～３アルキル基であってよく、あるいはＲ^４はＣ_１～３アルキル基であってよく、Ｒ^５は水素原子であってよい。

本発明の任意の実施形態によれば、式（Ｉ）の化合物は、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、各Ｒ^１およびＲ^２は、上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物であり、前記式（ＩＩ）の化合物は、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、各Ｘ、Ｒ^１、およびＲ^２は、上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物である。

本発明の任意の実施形態によれば、Ｒ^１は、Ｃ_１～４アルキル基またはＣ_２～４アルケニル基であってよい。特に、Ｒ^１は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、またはｎ－ブチル基であってよい。特に、Ｒ^１は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチル、またはｎ－ブチル基であってよい。さらに具体的には、Ｒ^１はメチル基であってよい。

本発明の任意の実施形態によれば、Ｒ^２は、水素原子またはＣ_１～３アルキル基またはＣ_２～３アルケニル基であってよい。特に、Ｒ^２は、水素原子、メチル、エチル、プロピル、またはイソプロピル基であってよい。さらにより具体的には、Ｒ^２はメチル基であってよい。

本発明の特定の実施形態によれば、Ｒ^２が水素原子である場合、好ましくはＲ^１はｔｅｒｔ－ブチル基ではない。

本発明の任意の実施形態によれば、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基であってもよく、式中のＲは水素原子またはＣ_１～４アルキル基であってよい。特に、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基であってよく、式中のＲはＣ_１～３アルキル基であってよい。さらにより具体的には、Ｘはアセテート基であってよい。

本発明の特定の実施形態によれば、本発明の方法は、式（ＩＩ）の化合物から出発するヒドロホルミル化とそれに続く脱離工程とを含む。式（ＩＩ）の化合物のヒドロホルミル化により、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物が得られる。

ヒドロホルミル化により、副生成物として、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物が生じ得る。最大４０重量％の式（ＩＩＩ’）の化合物が形成され得る。特に、最大３５重量％の式（ＩＩＩ’）の化合物が形成され得る。特に、最大３０重量％の式（ＩＩＩ’）の化合物が形成され得る。特に、最大２０重量％の式（ＩＩＩ’）の化合物が形成され得る。特に、最大１０重量％の式（ＩＩＩ’）の化合物が形成され得る。特に、最大５重量％の式（ＩＩＩ’）の化合物が形成され得る。さらにより具体的には、ヒドロホルミル化により式（ＩＩＩ’）の化合物は生じない。

明確にするために明記しておくと、「ヒドロホルミル化」または同様の表現は、当業者によって理解される通常の意味が意図されている。すなわち、反応は、ロジウム、コバルト、または白金錯体、好ましくはロジウム錯体などの金属触媒、一酸化炭素、水素、および任意選択的なリン原子を含むものなどの配位子の存在下で行われる。

本発明の任意の実施形態によれば、ヒドロホルミル化はロジウム錯体の存在下で行われる。本発明で使用できるロジウム錯体としては、限定するものではないが、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２、ＲｈＣｌ_３、Ｒｈ_２ＡｃＯ_４、［Ｒｈ（ＯＡｃ）（ＣＯＤ）］_２、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｈ_６（ＣＯ）_１６、ＲｈＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ_３）_２、Ｒｈ（Ｃ_２Ｈ_４）_２（ａｃａｃ）、［Ｒｈ（Ｃｌ）（ＣＯＤ）］_２、［Ｒｈ（Ｃｌ）（ＣＯＥ）_２］_２、［Ｒｈ（ＯＡｃ）（ＣＯ）_２］_２、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯＤ）、ＨＲｈ（ＣＯ）（ＰＰｈ_３）_３、ＲｈＣｌ（ＰＰｈ_３）_３、［Ｒｈ（ＮＢＤ）_２］ＢＦ_４、［Ｒｈ（ＯＭｅ）（ＣＯＤ）］_２、および［Ｒｈ（ＯＨ）（ＣＯＤ）］_２が挙げられ、これらの式中、ａｃａｃはアセチルアセトナート基、Ａｃはアセチル基、ＣＯＤは１，５－シクロオクタジエン基、ＣＯＥはシクロオクテン基、Ｐｈはフェニル基を表す。特に、ロジウム錯体は、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２、［Ｒｈ（ＯＡｃ）（ＣＯＤ）］_２、ＲｈＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ_３）_２、Ｒｈ（Ｃ_２Ｈ_４）_２（ａｃａｃ）、［Ｒｈ（Ｃｌ）（ＣＯＤ）］_２、［Ｒｈ（Ｃｌ）（ＣＯＥ）_２］_２、［Ｒｈ（ＯＡｃ）（ＣＯ）_２］_２、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯＤ）、ＨＲｈ（ＣＯ）（ＰＰｈ_３）_３、ＲｈＣｌ（ＰＰｈ_３）_３、［Ｒｈ（ＮＢＤ）_２］ＢＦ_４、［Ｒｈ（ＯＭｅ）（ＣＯＤ）］_２、および［Ｒｈ（ＯＨ）（ＣＯＤ）］_２からなる群から選択することができる。さらにより具体的には、ロジウム錯体は、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯＤ）、ＨＲｈ（ＣＯ）（ＰＰｈ_３）_３、［Ｒｈ（ＯＭｅ）（ＣＯＤ）］_２、および［Ｒｈ（ＯＨ）（ＣＯＤ）］_２からなる群から選択することができる。前記錯体は、幅広い濃度で本発明の方法の反応媒体に添加することができる。非限定的な例として、基質の量に対して約０．０００５ｍｏｌ％～約５ｍｏｌ％、好ましくは基質の量に対して０．００１ｍｏｌ％～約５ｍｏｌ％の範囲の錯体濃度値を挙げることができる。好ましくは、錯体濃度は０．００２５ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％に含まれる。当然のことではあるが、当業者に認識されているように、錯体の最適濃度は、後者の性質、基質の性質、配位子の性質、反応温度、および望まれる反応時間に依存する。

本発明の任意の実施形態によれば、ヒドロホルミル化は、単座または二座リン配位子の存在下で行われる。特に、リン配位子は二座リン配位子であってよい。特に、単座または二座リン配位子は、［１－［２－（１２，１４－ジオキサ－１３－ホスファペンタシクロ［１３．８．０．０^２，１１．０^３，８．０^{１８，２３}］トリコサ－１（１５），２（１１），３，５，７，９，１６，１８，２０，２２－デカエン－１３－イルオキシ）ナフタレン－１－イル］ナフタレン－２－イル］－ジフェニルホスファンまたはジアザホスホラン配位子からなる群からは選択されない。

本発明の任意の実施形態によれば、ヒドロホルミル化は、式ＰＲ^８ _３の単座リン配位子の存在下で行うことができ、式中、Ｒ^８は、任意選択的に置換されるＣ_１～Ｃ_１２基、例えば直鎖、分岐、もしくは環状のアルキル、アルコキシ、もしくはアリールオキシ基、置換もしくは無置換のフェニル、ジフェニル、２－フラニル、ナフチル、もしくはジ－ナフチル基であり、あるいは２つのＲ^８基が一緒になってホスファトリオキサ－アダマンタンを形成し、他のＲ^８基は上と同じ意味を有する。より具体的には、Ｒ^８は、置換もしくは無置換のフェニル、ジフェニル、ナフチル、またはジ－ナフチル基を表すことができる。可能な置換基は、基Ｒ^９について以下で列挙されるものである。好ましくは、単座リン配位子はトリフェニルホスフィンである。

上記実施形態のいずれか１つによれば、ヒドロホルミル化は、下記式

の二座リン配位子の存在下で行うことができ、式中、各Ｒ^９は、別々に、任意選択的に置換されるＣ_６～１０芳香族基または任意選択的に置換されるシクロヘキシル基を表し、あるいは同じＰ原子に結合した２つのＲ^９が一緒になって、任意選択的に置換される１，１’－ビフェニル－２，２’－ジオキシを表し、
Ｑは、
・ａ）下記式

［式中、ｑは０または１であり、各Ｔは、互いに独立して酸素原子またはＣＨ_２基を表し、各Ｒ^１０は、互いに独立して水素原子またはＣ_１～８アルキル基を表し、Ｚは、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ^１１）_２、Ｓｉ（Ｒ^１２）_２、もしくはＮＲ^１１基を表し、Ｒ^１１は水素原子またはＲ^１２基であり、Ｒ^１２はＣ_１～４の直鎖または分岐アルキル基、好ましくはメチル基を表す］、または
・ｂ）鏡像異性体のいずれか１つの形態の下記式

［式中、ｑは０または１であり、ｒは０または１であり、各Ｔは、互いに独立して酸素原子またはＣＨ_２基を表し、Ｒ^１３は、互いに独立して水素原子、または１～３個のハロゲン原子もしくはアルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～４アルキルを表す］、
・ｃ）鏡像異性体のいずれか１つの形態の下記式

［式中、Ｒ^１３は上と同じ意味を有する］
の基を表し、波線は、前記Ｑ基と化合物（Ａ）の残りとの間の結合の位置を示す。

上記実施形態のいずれか１つによれば、Ｑは、式（ｉ）または（ｉｉ）の基であってよい。

上記実施形態のいずれか１つによれば、各Ｒ^９は、任意選択的に置換されるＣ_６～１０芳香族基または任意選択的に置換されるシクロヘキシル基であってよい。

上記実施形態のいずれか１つによれば、「芳香族基または環」とは、フェニル基またはナフチル基、特にフェニル基を意味する。

上記実施形態のいずれか１つによれば、各Ｒ^９は、フェニル基、シクロヘキシル基、３，５－ジメチル－フェニル、３，５－ジ（ＣＦ_３）－フェニル、３，５－ジメチル－４－メトキシ－フェニル基であってよい。

上記実施形態のいずれか１つによれば、Ｒ^１０は水素原子であってよい。

上記実施形態のいずれか１つによれば、Ｚは、ＣＭｅ_２、ＳｉＭｅ_２、ＮＨ、またはＮＭｅ基であってよい。特に、ＺはＣＭｅ_２基であってよい。

上記実施形態のいずれか１つによれば、Ｒ^９の可能な置換基の非限定的な例は、ハロゲン原子、またはＣ_１～１０アルコキシ、アルキル、アルケニル、ピリジル、またはペルハロ炭化水素基の中から選択される１、２、３、または４個の基である。２つの置換基が一緒になって、Ｃ_４～８シクロアルキル基を形成していてもよい。本明細書において、「ペルハロ炭化水素」という表現は、例えばＣＦ_３などの基のような当該技術分野で通常の意味を有する。特に、前記置換基は、ＦまたはＣｌなどの１つまたは２つのハロゲン原子、またはＣ_１～４アルコキシもしくはアルキル基、またはＣＦ_３基である。

上記実施形態のいずれか１つによれば、前記Ｒ^９は無置換であってよい。

上記実施形態のいずれか１つによれば、式（Ａ）の配位子は、ラセミ体または光学的に活性な形態であってよい。

二座リン配位子の非限定的な例としては、２，２’－ビス（（ジ（１Ｈ－ピロール－１－イル）ホスファニル）オキシ）－１，１’－ビナフタレン、１，１’－（（ナフタレン－２－イルオキシ）ホスファンジイル）ビス（１Ｈ－ピロール）、２，２’－ビス（（ジ（１Ｈ－ピロール－１－イル）ホスファニル）オキシ）－１，１’－ビフェニル、（９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）、２，２’－ビス（（ジ（１Ｈ－ピロール－１－イル）ホスファニル）オキシ）－５，５’，６，６’，７，７’，８，８’－オクタヒドロ－１，１’－ビナフタレン、１，１’，１’’，１’’’－（（（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（オキシ））ビス（ホスファントリイル））テトラキス（１Ｈ－ピロール）、６，６’－［（３，３’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５，５’－ジメトキシ－１，１’－ビフェニル－２，２’－ジイル）ビス（オキシ）］ビス（ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン）、（オキシジ－２，１－フェニレン）ビス（ジフェニルホスフィン）、２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノメチル）－１，１’－ビフェニル、４，６－ビス（ジフェニルホスファニル）－１０Ｈ－フェノキサジン、２－（（３，３’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２’－（（４，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，１０－ジメトキシジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン－６－イル）オキシ）－５，５’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）オキシ）－４Ｈ－ナフト［２，３－ｄ］［１，３，２］ジオキサホスフィニン－４－オン、２－（（３，３’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２’－（（４，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，１０－ジメトキシジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン－６－イル）オキシ）－５，５’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）オキシ）－８－メチル－４Ｈ－ベンゾ［ｄ］［１，３，２］ジオキサホスフィニン－４－オン、（１Ｓ，１’Ｓ）－（－）－（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（１－ナフチル）（フェニル）ホスフィン）、（１Ｓ，１’Ｓ）－（－）－（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（４－メチルフェニル）（フェニル）ホスフィン）、８－メチル－２－（（３，３’，５，５’－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチル－２’－（（２，４，８，１０－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン－６－イル）オキシ）－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）オキシ）－４Ｈ－ベンゾ［ｄ］［１，３，２］ジオキサホスフィニン－４－オン、２－（（３，３’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２’－（（４，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，１０－ジメトキシジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン－６－イル）オキシ）－５，５’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）オキシ）－８－イソプロピル－５－メチル－４Ｈ－ベンゾ［ｄ］［１，３，２］ジオキサホスフィニン－４－オン、（１Ｓ，１’Ｓ）－（＋）－（９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（２－メトキシフェニル）（フェニル）ホスフィン）、（１Ｓ，１’Ｓ）－（＋）－（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（２－メトキシフェニル）（フェニル）ホスフィン）、（１Ｓ，１’Ｓ）－（＋）－（９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（２－メチルフェニル）（フェニル）ホスフィン）、（１Ｓ，１’Ｓ）－（－）－（９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（ナフタレン－２－イル（フェニル）ホスフィン）、（１Ｓ，１’Ｓ）－（－）－（９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（４－メトキシフェニル）（フェニル）ホスフィン）、（１Ｓ，１’Ｓ）－（－）－（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（２－ナフチル）（フェニル）ホスフィン）、（１Ｓ，１’Ｓ）－（－）－（９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（ナフタレン－１－イル（フェニル）ホスフィン）、（１Ｓ，１’Ｓ）－（＋）－（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（２－イソプロポキシフェニル）（フェニル）ホスフィン）、（１Ｓ，１’Ｓ）－（＋）－（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（２－イソプロピルフェニル）（フェニル）ホスフィン）または（１Ｓ，１’Ｓ）－（－）－（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（ジベンゾ［ｂ，ｄ］－フラン－４－イル）（フェニル）ホスフィン）、（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（４－メトキシフェニル）（フェニル）ホスファン）、（４，４’，６，６’－テトラメトキシビフェニル－２，２’－ジイル）ビス｛ビス［３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ホスフィン｝を挙げることができる。

特に、配位子は、（９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）、１，１’，１’’，１’’’－（（（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（オキシ））ビス（ホスファントリイル））テトラキス（１Ｈ－ピロール）、６，６’－［（３，３’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５，５’－ジメトキシ－１，１’－ビフェニル－２，２’－ジイル）ビス（オキシ）］ビス（ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン）、（オキシジ－２，１－フェニレン）ビス（ジフェニルホスフィン）、２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノメチル）－１，１’－ビフェニル、４，６－ビス（ジフェニルホスファニル）－１０Ｈ－フェノキサジン、２－（（３，３’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２’－（（４，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，１０－ジメトキシジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン－６－イル）オキシ）－５，５’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）オキシ）－４Ｈ－ナフト［２，３－ｄ］［１，３，２］ジオキサホスフィニン－４－オン、２－（（３，３’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２’－（（４，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，１０－ジメトキシジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン－６－イル）オキシ）－５，５’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）オキシ）－８－メチル－４Ｈ－ベンゾ［ｄ］［１，３，２］ジオキサホスフィニン－４－オン、（１Ｓ，１’Ｓ）－（－）－（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（１－ナフチル）（フェニル）ホスフィン）または（１Ｓ，１’Ｓ）－（－）－（２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（（４－メチルフェニル）（フェニル）ホスフィン）からなる群から選択され得る二座リン配位子である。

リン配位子は、広範囲の濃度で本発明の方法の反応媒体に添加することができる。非限定的な例として、基質の量に対して約０．００１ｍｏｌ％～約５０ｍｏｌ％、好ましくは基質の量に対して０．００５ｍｏｌ％～約５０ｍｏｌ％、好ましくは基質の量に対して約０．００５ｍｏｌ％～約１５ｍｏｌ％の範囲の値をリン配位子濃度値として挙げることができる。リン配位子の最適な濃度は、当業者が認識しているように、後者の性質、基質の性質、金属錯体の性質、反応温度、および望まれる反応時間に依存する。

上記実施形態のいずれか１つによれば、一酸化炭素および水素ガスは、当業者に認識されている方法によって、例えばギ酸メチル、ギ酸、またはホルムアルデヒドから系内で発生させることができる。ＣＯ／Ｈ_２ガス体積比は、２／１～１／５、好ましくは１／１～１／５、または好ましくは２／１～１／２、好ましくは１．５／１～１／１．５、より好ましくは１／１に含まれる。

反応は溶媒の存在下または不存在下で行うことができる。実用上の理由から溶媒が必要とされるまたは使用される場合、そのような反応タイプの任意の溶媒の流れを本発明の目的のために使用することができる。非限定的な例としては、Ｃ_６～１２芳香族溶媒、例えばトルエン、１，３－ジイソプロピルベンゼン、クメンもしくはプソイドクメン、もしくはそれらの混合物、アルコール系溶媒、例えばメタノール、エタノール、２－メチルブタン－２－オール、もしくはそれらの混合物、炭化水素系溶媒、例えばシクロヘキサン、ヘプタン、もしくはそれらの混合物、エステル系溶媒、例えば酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸エチル、またはエーテル系溶媒、例えばメチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロフラン、もしくはそれらの混合物が挙げられる。溶媒の選択は、基質および／または触媒の性質に応じるものであり、当業者は、反応を最適化するためにそれぞれの場合に最も適した溶媒を十分に選択することができる。

ヒドロホルミル化反応は、５０℃～１５０℃に含まれる範囲、より好ましくは８０℃～１３０℃、さらには９０℃～１１０℃に含まれる範囲の温度で行うことができる。当然、当業者は、出発製品および最終製品の融点および沸点、ならびに反応または変換の望まれる時間に応じて、好ましい温度を選択することもできる。

ヒドロホルミル化は、１ｂａｒ～５０ｂａｒ、好ましくは１０ｂａｒ～５０ｂａｒの範囲、より好ましくは２５ｂａｒ～３５ｂａｒの範囲に含まれるＣＯ／Ｈ_２圧力で行うことができる。当然、当業者は、触媒添加量および溶媒中の基質の希釈に応じて圧力を十分に調節することができる。

本発明の任意の実施形態によれば、式（ＩＩＩ）の化合物のアルデヒド基は、除去工程の前に保護することができ、あるいは除去工程が式（ＩＩＩ）の化合物に対して直接行われることで式（Ｉ）の化合物を与えることができる。脱離工程が式（ＩＩＩ）の化合物に対して行われる場合、脱離は、酸性条件下または熱分解下で行われる。酸は、ｐＴｓＯＨ、ＭｓＯＨ、ＴｆＯＨ、Ｈ_２ＳＯ_４、Ｈ_３ＰＯ_４、ＫＨＳＯ_４、ＮａＨＳＯ_４、シュウ酸、ギ酸、ＢＦ_３・Ｅｔ_２Ｏ、ＢＦ_３・ＡｃＯＨ、Ａｌｏｘ酸性（ＡｘｓｏｒｂＡ２－５、Ａｌ_２Ｏ_３５０４Ｃ）、Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ１５、ＳｉＯ_２、ＴＦＡ、Ｗａｙｐｈｏｓ、ポリリン酸、ゼオライト（Zeolistから販売されているＣＢＶ２１Ａ、Zeolistから販売されているＣＢＶ７８０、Zeolistから販売されているＣＰ８１４Ｅ）、ホウ酸、Ａｌ_２（ＳＯ_４）_３、ＣＳＡ、ｐ－トルエンスルホン酸ピリジニウム、ＺｎＢｒ_２、Clariantから販売されているＫ１０－Ｓ３００（ベントナイト）、Clariantから販売されているＦ２４Ｘ（ベントナイト）、Sasolから販売されているＳｉｒａｌ（登録商標）４０ＨＰＶ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｚｎ（ＳＯ_４）_２、ＺｎＣｌ_２、ＭｇＩ_２、およびそれらの混合物からなる群から選択することができる。熱分解は、３００℃～６００℃の範囲に含まれる温度で行うことができる。

アルデヒド基質上での脱離反応は、溶媒の存在下または不存在下で行うことができる。実用上の理由から溶媒が必要とされるまたは使用される場合、そのような反応タイプの任意の溶媒の流れを本発明の目的のために使用することができる。非限定的な例としては、Ｃ_６～１２芳香族溶媒、例えばトルエン、キシレン、１，３－ジイソプロピルベンゼン、クメンもしくはプソイドクメン、またはそれらの混合物、塩素化溶媒、例えばジクロロメタン、ジクロロエタン、またはそれらの混合物、炭化水素系溶媒、例えばシクロヘキサンまたはヘプタンが挙げられる。溶媒の選択は、基質および／または触媒の性質に応じるものであり、当業者は、反応を最適化するためにそれぞれの場合に最も適した溶媒を十分に選択することができる。

酸性条件下でのアルデヒド基質上での脱離工程は、２０℃～１１０℃に含まれる範囲の温度で行うことができる。当然、当業者は、出発製品および最終製品の融点および沸点、ならびに反応または変換の望まれる時間に応じて、好ましい温度を選択することもできる。

本発明の任意の実施形態によれば、方法は、
ａ）式（ＩＩ）の化合物をヒドロホルミル化して立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物を得る工程、
ｂ）工程ａ）で得られた式（ＩＩＩ）の化合物のアルデヒド基を、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、上で定義したものと同じ意味を有し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、互いに独立してＣ_１～４アルキル基を表すか、あるいはＲ^ａとＲ^ｂが一緒になって、Ｃ_２～６アルカンジイル基を表す］
のアセタールの形態で保護する工程、
ｃ）式（ＩＶ）の化合物のＯＸ基を脱離させ、続いて立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^ａ、およびＲ^ｂは、上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物へ異性化させる工程、ならびに
ｄ）アセタール基を脱保護して式（Ｉ）の化合物を得る工程、
を含む。

「アルカンジイル」という用語は、分岐および直鎖のアルカンジイル基を含むと理解される。

本発明の任意の実施形態によれば、Ｒ^ａとＲ^ｂは一緒になって、Ｃ_２～６アルカンジイル基を表すことができる。特に、Ｒ^ａとＲ^ｂは一緒になってＣ_２～４アルカンジイル基を表すことができる。さらにより具体的には、Ｒ^ａとＲ^ｂは一緒になって（ＣＨ２）_ｎ基を表し、式中のｎは２または３とすることができる。好ましくは、ｎは２であってよい。

本発明の任意の実施形態によれば、工程ａ）で得られた式（ＩＩＩ）の化合物の式（ＩＶ）のアセタール形態でのアルデヒド基の保護は、当業者に知られている通常の条件下で行うことができる。すなわち、オルトギ酸Ｃ_１～４トリアルキル、Ｃ_１～４アルコール、およびＣ_２～６ジオールを用いて、酸の存在下で行うことができる。酸の具体的かつ非限定的な例は、Ｈ_２ＳＯ_４、ＫＨＳＯ_４、ＮａＨＳＯ_４、Ｈ_３ＰＯ_４、ＮａＨＳＯ_４、Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ１５、ｐＴｓＯＨ、ＭｓＯＨ、ＴｆＯＨ、ＣＳＡ、シュウ酸、ギ酸、ＴＦＡ、ＢＦ_３・Ｅｔ_２Ｏ、ＢＦ_３・ＡｃＯＨ、ＨＢＦ_４、ｗａｙｐｈｏｓ、ＳｉＯ_２、ｐ－トルエンスルホン酸ピリジニウム、ゼオライト、Ａｌ_２（ＳＯ_４）_３、Ｆ２４Ｘ（ベントナイト）、ホウ酸、およびそれらの混合物からなる群から選択することができる。

オルトギ酸Ｃ_１～４トリアルキル、Ｃ_１～４アルコール、およびＣ_２～６ジオールの具体的かつ非限定的な例は、オルトギ酸トリメチル、オルトギ酸トリエチル、メタノール、エタノール、エチレングリコール、１，２－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、２，３－ジメチル－３－ヒドロキシ－２－ブタノール、ジグリセロール、トランス－１，２－シクロヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，３－プロパンジオール、２－メチル－２－プロピル－１，３－プロパンジオール、１，２－プロパンジオール、２－メチル－１，２－プロパンジオール、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオールからなる群から選択することができる。特に、アセタールの形成は、Ｃ_２～６ジオール、特にエチレングリコールを用いて行うことができる。

オルトギ酸Ｃ_１～４トリアルキル、Ｃ_１～４アルコール、またはＣ_２～６ジオールは、広範囲の濃度で本発明の方法の反応媒体に添加することができる。非限定的な例として、基質の量に対して約１～約２当量の範囲のオルトギ酸Ｃ_１～４トリアルキルまたはＣ_２～５ジオールの濃度値を挙げることができる。非限定的な例として、基質の量に対して約２～約４当量の範囲のＣ_１～４アルコールの濃度値を挙げることができる。オルトギ酸Ｃ_１～４トリアルキル、Ｃ_１～４アルコール、またはＣ_２～６ジオールの最適な濃度は、当業者が認識しているように、後者の性質、基質の性質、反応温度、および望まれる反応時間に依存する。

式（ＩＩＩ）のアルデヒド基をアセタールの形態で保護する工程で使用される酸は、広範囲の濃度で本発明の方法の反応媒体に添加することができる。非限定的な例として、基質の量に対して約０．１～約５ｍｏｌ％の範囲の酸濃度値を挙げることができる。前記酸の最適な濃度は、当業者が認識しているように、後者の性質、基質の性質、反応温度、および望まれる反応時間に依存する。

本発明の実施形態のいずれか１つによれば、式（ＩＶ）の化合物を形成するための本発明の方法は、２５℃～１２０℃に含まれる温度で行われる。特に、温度は５０℃～１１０℃の範囲である。当然、当業者は、出発製品および最終製品の融点および沸点、ならびに反応または変換の望まれる時間に応じて、好ましい温度を選択することもできる。

アセタール形成は、溶媒の存在下または不存在下で行うことができる。実用上の理由から溶媒が必要とされるまたは使用される場合、そのような反応タイプの任意の溶媒の流れを本発明の目的のために使用することができる。非限定的な例としては、Ｃ_６～１２芳香族溶媒、例えばキシレン、トルエン、１，３－ジイソプロピルベンゼン、クメンもしくはプソイドクメン、またはそれらの混合物、炭化水素系溶媒、例えばシクロヘキサン、ヘプタン、またはそれらの混合物が挙げられる。溶媒の選択は、基質および／または触媒の性質に応じるものであり、当業者は、反応を最適化するためにそれぞれの場合に最も適した溶媒を十分に選択することができる。

本発明の任意の実施形態によれば、式（ＩＶ）の化合物のＯＸ基の脱離とそれに続く式（Ｖ）の化合物への異性化は、当業者に知られている通常の条件下で、すなわち、例えば熱分解とそれに続く酸性条件下での、または単体形態の金属触媒もしくは担持金属触媒、例えばロジウム、ルテニウム、イリジウム、白金、もしくはパラジウム錯体の存在下での異性化などの条件下で行うことができる。脱離により、エキソ異性体（アルキル鎖に二重結合）、エンド異性体（環内に二重結合－目的化合物）、またはそれらの混合物が形成され得る。異性化により、エキソ異性体をエンド異性体に変換することができる。特に、脱離と異性化は、酸の存在下で行われるワンポットプロセスであってよい。酸は、ルイス酸またはブレンステッド酸であってよい。酸の具体的かつ非限定的な例は、ｐ－ＴｓＯＨ、ＭｓＯＨ、ＴｆＯＨ、Ｈ_２ＳＯ_４、Ｈ_３ＰＯ_４、ＫＨＳＯ_４、ＮａＨＳＯ_４、シュウ酸、ギ酸、ＢＦ_３・Ｅｔ_２Ｏ、ＢＦ_３・ＡｃＯＨ、Ａｌｏｘ酸性（ＡｘｓｏｒｂＡ２－５、Ａｌ_２Ｏ_３５０４Ｃ）、Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ１５、ＳｉＯ_２、ＴＦＡ、Ｗａｙｐｈｏｓ、ポリリン酸、ゼオライト（Zeolistから販売されているＣＢＶ２１Ａ、Zeolistから販売されているＣＢＶ７８０、Zeolistから販売されているＣＰ８１４Ｅ）、ホウ酸、Ａｌ_２（ＳＯ_４）_３、ＣＳＡ、ｐ－トルエンスルホン酸ピリジニウム、ＺｎＢｒ_２、Clariantから販売されているＫ１０－Ｓ３００（ベントナイト）、Ｆ２４Ｘ（ベントナイト）、Sasolから販売されているＳｉｒａｌ（登録商標）４０ＨＰＶ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｚｎ（ＳＯ_４）_２、ＺｎＣｌ_２、ＭｇＩ_２、およびそれらの混合物からなる群から選択することができる。

ワンポットの脱離／異性化反応で使用される酸は、広範囲の濃度で本発明の方法の反応媒体に添加することができる。非限定的な例として、基質の量に対して約１ｍｏｌ％～約２０ｍｏｌ％、好ましくは基質の量に対して２ｍｏｌ％～約１０ｍｏｌ％、好ましくは基質の量に対して約３ｍｏｌ％～約６ｍｏｌ％の範囲を酸濃度値として挙げることができる。酸の最適な濃度は、当業者が認識しているように、後者の性質、基質の性質、反応温度、および望まれる反応時間に依存する。

本発明の実施形態のいずれか１つによれば、式（Ｖ）の化合物を形成するための本発明の方法は、室温から１６０℃に含まれる温度で行われる。特に、温度は９０℃～１４０℃の範囲である。当然、当業者は、出発製品および最終製品の融点および沸点、ならびに反応または変換の望まれる時間に応じて、好ましい温度を選択することもできる。

ワンポット脱離／異性化反応は、溶媒の存在下または不存在下で行うことができる。実用上の理由から溶媒が必要とされるまたは使用される場合、そのような反応タイプの任意の溶媒の流れを本発明の目的のために使用することができる。非限定的な例としては、Ｃ_６～１２芳香族溶媒、例えばキシレン、トルエン、１，３－ジイソプロピルベンゼン、クメンもしくはプソイドクメン、またはそれらの混合物、炭化水素系溶媒、例えばシクロヘキサン、ヘプタン、またはそれらの混合物、エステル系またはエーテル系溶媒、例えば酢酸ブチル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、ジメトキシエタン、またはそれらの混合物が挙げられる。溶媒の選択は、基質および／または触媒の性質に応じるものであり、当業者は、反応を最適化するためにそれぞれの場合に最も適した溶媒を十分に選択することができる。

特定の実施形態によれば、保護、脱離、および異性化の反応は、ワンポットで行うことができる。

本発明の任意の実施形態によれば、式（Ｉ）の化合物を得るためのアセタール基の脱保護は、当業者に知られている通常の条件下で、すなわち水中でモル大過剰のカルボン酸を用いて行うことができる。カルボン酸の具体的かつ非限定的な例は、酢酸、プロピオン酸、クエン酸、ギ酸、ＴＦＡ、シュウ酸、またはそれらの混合物からなる群から選択することができる。

脱保護に使用されるカルボン酸は、広範囲の濃度で本発明の方法の反応媒体に添加することができる。非限定的な例として、基質の量に対して約５～約２０当量、好ましくは基質の量に対して５～約１０当量の範囲を酸濃度値として挙げることができる。酸の最適な濃度は、当業者が認識しているように、後者の性質、基質の性質、反応温度、および望まれる反応時間に依存する。

本発明の実施形態のいずれか１つによれば、式（Ｉ）の化合物を形成するための脱保護は、４０℃～１２０℃に含まれる温度で行うことができる。特に、温度は７０℃～９０℃の範囲である。当然、当業者は、出発製品および最終製品の融点および沸点、ならびに反応または変換の望まれる時間に応じて、好ましい温度を選択することもできる。

本発明の実施形態のいずれか１つによれば、式（Ｉ）の化合物を形成するための脱保護は、溶媒の存在下または不存在下で行うことができる。実用上の理由から溶媒が必要とされるまたは使用される場合、そのような反応タイプの任意の溶媒の流れを本発明の目的のために使用することができる。非限定的な例としては、Ｃ_６～１２芳香族溶媒、例えばトルエン、キシレン、１，３－ジイソプロピルベンゼン、クメンもしくはプソイドクメン、もしくはそれらの混合物、アルコール系溶媒、例えばメタノール、エタノール、２－メチルブタン－２－オール、もしくはそれらの混合物、炭化水素系溶媒、例えばシクロヘキサン、ヘプタン、もしくはそれらの混合物、エステル系溶媒、例えば酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸エチル、またはエーテル系溶媒、例えばメチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロフラン、もしくはそれらの混合物が挙げられる。溶媒の選択は、基質およびカルボン酸誘導体の性質に応じるものであり、当業者は、反応を最適化するためにそれぞれの場合に最も都合のよい溶媒を十分に選択することができる。

特定の実施形態によれば、保護、脱離、異性化、および脱保護反応は、ワンポットで行うことができる。

本発明の特定の実施形態によれば、本発明の方法は、式（ＩＩ）の化合物から開始する脱離工程およびそれに続くヒドロホルミル化を含む。本発明の方法は、
ａ）立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＩＩ’’）

［式中、Ｘ’は水素原子、Ｃ_１～３アルキル基、Ｃ_２～３アルケニル基、ベンジル基、またはＣ（Ｏ）Ｒ基、またはＳｉ（Ｒ’）_３基であり、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、定義された通りの意味を有する］
の化合物のＯＸ’基を脱離させて、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物を得る工程、および
ｂ）式（ＶＩ）の化合物のヒドロホルミル化を行って式（Ｉ）の化合物を得る工程、
を含む。

脱離およびヒドロホルミル化の条件は、上述したものと同様である。式（ＩＩ’）の化合物のＯＸ’基の脱離は、Ｘ’が水素原子である場合、塩化ホスホリルとピリジンなどのアミンの存在下、または塩化メシルとトリエチルアミンの存在下で行うこともできる。

式（Ｉ）の化合物を調製するための本発明の方法は、バッチ式および／または連続条件下で行うことができる。特に、脱離工程は、連続条件下で行うことができる。

式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、および（Ｖ’）の化合物は、一般に新規な化合物であり、上で説明した通り、および実施例に示すように、多くの利点を示す。

したがって、本発明の別の対象は、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｘ’は水素原子、Ｃ_１～３アルキル基、Ｃ_２～３アルケニル基、ベンジル基、Ｃ（Ｏ）Ｒ基、またはＳｉ（Ｒ’）_３基であり、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、互いに独立してＣ_１～４アルキル基を表すか、あるいはＲ^ａとＲ^ｂが一緒になってＣ_２～６アルカンジイル基を表す］
の化合物であるが、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－イソブチル－２－メチルシクロヘキサン－１－オール、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－２－メチルシクロヘキサン－１－オール、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－イソプロピル－２－メチルシクロヘキサン－１－オール、１－（３，３－ジエトキシプロピル）シクロヘキサン－１－オール、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキサン－１－オール、および１－（２－（１，３－ジオキサン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキサン－１－オールは除く。特に、式（ＩＶ’）の化合物は、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、互いに独立してＣ_１～４アルキル基を表すか、あるいはＲ^ａとＲ^ｂが一緒になってＣ_２～６アルカンジイル基を表す］
の化合物である。

［式中、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物を製造するための方法であって、
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＶＩＩ）

［式中、Ｘ’’は、水素原子、Ｃ（Ｏ）Ｒ基、またはＳｉ（Ｒ’）_３基であり、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は定義された通りの意味を有する］
の化合物を還元する工程を含む、方法である。

特定の実施形態によれば、本発明の方法は、
ａ）立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＶＩＩ’）

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は上で定義されたものと同じ意味を有する］
の化合物を、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は上で定義されたものと同じ意味を有する］
の化合物へと還元する工程、および
ｂ）式（ＩＩ）の化合物を得るために化合物（ＩＩ’’’）を保護する工程、
を含む。

別の特定の実施形態によれば、本発明の方法は、
ａ）立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＶＩＩ’）

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は上で定義されたものと同じ意味を有し、Ｘは、Ｃ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基であり、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基である］
の化合物へと保護する工程、および
ｂ）化合物（ＶＩＩ’’）を還元して式（ＩＩ）の化合物を得る工程、
を含む。

明確にするために明記しておくと、「式中の点線は二重結合または三重結合を表す」または類似の表現は、当業者によって理解される通常の意味、すなわち前記点線によって連結されている炭素原子間の結合全体（実線および点線）が、炭素－炭素二重結合または炭素－炭素三重結合であることが意図されている。

本発明の任意の実施形態によれば、還元は水素化である。特に、水素化は、単体金属形態のパラジウムなどの不均一系触媒の存在下で行うことができる。特に、前記パラジウムは担持材料上に担持され得る。明確にするために明記しておくと、担持材料とは、そのような金属を堆積させることが可能であり、かつ水素源および基材に対して不活性である材料を意味する。担持されたパラジウムは既知の化合物であり、市販されている。当業者は、担体材料上の金属の割合として、形状（粉末、顆粒、ペレット、押出物、ムース…）として、および担体の表面積として、担体上に堆積する方法を選択することができる。特に、不均一系触媒は、リンドラー触媒、炭粉末上のパラジウム（Ｎａｎｏｓｅｌｅｃｔ（商標）ＬＦ１００の商標で公知、供給元：BASF）またはチタンケイ酸塩粉末上のパラジウム（Ｎａｎｏｓｅｌｅｃｔ（商標）ＬＦ２００の商標で公知、供給元：BASF）であってよい。水素化は、式（ＶＩＩ’）の化合物を式（ＩＩ’’’）の化合物に変換するための、または式（ＶＩＩ’’）の化合物を式（ＩＩ）の化合物に変換するための最も良い条件を設定することができる当業者に知られている通常の条件下で行うことができる。

還元は、３，６－ジチア－１，８－オクタンジオールなどの添加剤の存在下で行うことができる。

パラジウムは、広範囲の濃度で本発明の方法の反応媒体に添加することができる。非限定的な例として、基質の量に対して約０．００５ｍｏｌ％～約１０ｍｏｌ％、好ましくは基質の量に対して０．０１ｍｏｌ％～約１ｍｏｌ％、好ましくは基質の量に対して約０．０１ｍｏｌ％～約０．２ｍｏｌ％、好ましくは基質の量に対して約０．０３ｍｏｌ％～約０．１ｍｏｌ％の範囲をパラジウム濃度値として挙げることができる。パラジウムの最適な濃度は、当業者が認識しているように、後者の性質、基質の性質、触媒の性質、反応温度、および望まれる反応時間に依存する。

３，６－ジチア－１，８－オクタンジオールなどの添加剤は、広範囲の濃度で本発明の方法の反応媒体に添加することができる。非限定的な例として、パラジウムの量に対して約１ｍｏｌ％～５０ｍｏｌ％、好ましくはパラジウムの量に対して５ｍｏｌ％～５０ｍｏｌ％、好ましくはパラジウムの量に対して５ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％、好ましくはパラジウムの量に対して５ｍｏｌ％～２５ｍｏｌ％を添加剤濃度値として挙げることができる。添加剤の最適な濃度は、当業者が認識しているように、後者の性質、基質の性質、触媒の性質、反応温度、および望まれる反応時間に依存する。

水素化は、１０^４Ｐａ～３×１０^５Ｐａ（０．１～３ｂａｒ）に含まれるＨ_２圧力で実施することができる。特に、水素化は、３×１０^４Ｐａ～１０^５Ｐａ（０．３～１ｂａｒ）に含まれるＨ_２圧力で実施することができる。ここでも、当業者は、触媒添加量に応じて圧力を十分に調整することができる。

本発明の実施形態のいずれか１つによれば、水素化は、１０℃～５０℃に含まれる温度で行われる。特に、温度は２０℃～３５℃の範囲である。当然、当業者は、出発製品および最終製品の融点および沸点、ならびに反応または変換の望まれる時間に応じて、好ましい温度を選択することもできる。

水素化は、溶媒の存在下または不存在下で行うことができる。実用上の理由から溶媒が必要とされるまたは使用される場合、そのような反応タイプの任意の溶媒の流れを本発明の目的のために使用することができる。非限定的な例としては、Ｃ_６～１２芳香族溶媒、例えばキシレン、トルエン、１，３－ジイソプロピルベンゼン、クメンもしくはプソイドクメン、またはそれらの混合物、炭化水素系溶媒、例えばシクロヘキサン、ヘプタン、またはそれらの混合物、アルコール系溶媒、例えばメタノール、エタノール、２－メチルブタン－２－オール、またはそれらの混合物、ケトン系溶媒、例えばアセトン、アセトフェノン、ブタノン、シクロペンタノン、またはそれらの混合物、エーテル系溶媒、例えばジエチルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、またはそれらの混合物、エステル系溶媒、例えば酢酸エチル、酢酸イソプロピル、またはそれらの混合物が挙げられる。溶媒の選択は、基質および／または触媒の性質に応じるものであり、当業者は、反応を最適化するためにそれぞれの場合に最も適した溶媒を十分に選択することができる。

本発明の任意の実施形態によれば、保護工程はＸ基の性質に依存し得る。当業者は、ＸがＣ（Ｏ）Ｒであるエステルの形態で、またはＸがＳｉ（Ｒ’）_３基であるシランの形態でアルコールを保護するために適用する条件をよく認識している。典型的な条件は、Protective Groups in Organic Synthesis, 3rd Edition. Theodora W. Green (The Rowland Institute for Science)およびPeter G. M. Wuts (Pharmacia and Upjohn Company). John Wiley & Sons, Inc., New York, NY. 1999. xxi + 779 pp. 15.5 × 23 cm. ISBN 0-471-16019-9などの有機化学分野における豊富な文献の中で見ることができる。

本発明の任意の実施形態によれば、式（ＶＩＩ’）の化合物は、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＶＩＩＩ）

［式中、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有する］
のケトンのエチニル化反応によって製造することができる。当業者は、化合物（ＶＩＩＩ）から出発して化合物（ＶＩＩ’）を得るために適用する条件をよく認識している。このタイプの反応は先行技術において数多く報告されている。したがって、当業者は、式（ＶＩＩＩ）の化合物を式（ＶＩＩ’）の化合物に変換するための最も良い条件を設定することができる。非限定的な例として、前記反応は、Angewandte Chemie, International Edition, 2020, 1666-1673、国際公開第２００９１２６５８４号、または国際公開第２０１４０５６８５１号で報告されている条件下で行うことができる。

［式中、点線は二重結合または三重結合を表し、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物であるが、１－ビニルシクロヘキシルアセテート、１－エチニルシクロヘキシルアセテート、１－ビニルシクロヘキシルプロピオネート、４－メチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－メチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、１－エチニル－２－メチルシクロヘキシルアセテート、２－エチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－ｓｅｃブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－イソプロピル－５－メチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－アリル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、４－ｔｅｒｔ－ブチル－１ビニルシクロヘキシルアセテート、１－ビニルデカヒドロナフタレン－１－イルアセテート、および１－エチニルデカヒドロナフタレン－１－イルアセテートは除く。

本明細書では、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、各Ｒ^２’はＣ_１～４アルキル基を表す］
の化合物を製造するための方法であって、
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＸＩ）

［式中、Ｒ^２’は式（Ｘ）で定義したものと同じ意味を有し、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基である］
の化合物から出発するヒドロホルミル化および脱離工程を含む、方法が開示される。

化合物（Ｘ）を製造するための方法は、化合物以外は式（Ｉ）の化合物を調製するための方法と同じ実施形態に従って行われる。

本発明の方法を実行するための典型的な方法は、以下の実施例で報告される。

実施例
以降で本発明を以下の実施例によってさらに詳しく説明する。その中で、略語は当該技術分野における通常の意味を有し、温度は摂氏度（℃）で示される。プレ触媒および配位子溶液の調製は、標準的なシュレンク技術を使用して、不活性雰囲気（アルゴン）で行った。溶媒は従来の手順によって乾燥し、アルゴン雰囲気で蒸留した。ＮＭＲスペクトルは、ＢｒｕｋｅｒＡＶ３００、ＡＶ４００、またはＡＶ５００ＭＨｚの分光計で２０℃で記録した。化学シフトは、溶媒シグナル（クロロホルム、δ_Ｈ＝７．２６ｐｐｍ、δ_Ｃ＝７７．０ｐｐｍ）に対するｐｐｍで報告される。^１Ｈ、^１Ｈ－ＣＯＳＹ、－ＮＯＥＳＹ、^１３Ｃ、^１Ｈ－ＨＳＱＣ、および－ＨＭＢＣ実験を記録することにより、シグナルの帰属を確実に行った。ガスクロマトグラフィーは、ＨＰ５カラム（３０ｍ×内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を備えたＡｇｉｌｅｎｔ７８９０Ａシリーズで実行し、内部標準としてテトラデカンを使用した。

実施例１
水素化とそれに続くエステル化による４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートの製造
ａ）工程１：１－ビニル－４，４－ジメチルシクロヘキサノールの製造
機械的撹拌装置と、圧力および内部温度センサーと、内部温度制御のための加熱／冷却システムとを備えた１００ｍＬまたは１Ｌのオートクレーブに、１－エチニル－４，４－ジメチルシクロヘキサノール（ＣＡＳ番号：６８４８３－６２－５）、アセトン（１００重量％）、リンドラー触媒（０．５重量％、０．０３６ｍｏｌ％のＰｄ）、および３，６－ジチア－１，８－オクタンジオール（リンドラー触媒毒、ＣＡＳ番号：５２４４－３４－８）（０．００５重量％、Ｐｄに対して１２ｍｏｌ％）を一緒に入れた。次いで、密閉したオートクレーブを撹拌しながら窒素でパージした（５ｂａｒで３回）後、１ｂａｒの窒素圧力下で３０分間２５℃で撹拌した。この期間の後、オートクレーブを撹拌しながら水素でパージした（１ｂａｒで３回）後、出口圧力調整器と、水素消費を追跡して決定するための内部圧力センサーとを備えた水素タンクにより、１ｂａｒの水素圧力に加圧した。次いで、反応混合物を、１ｂａｒの水素圧力下、２５℃で撹拌し（１０００回転／分）、反応全体の間圧力をこの値に維持した。短い極性カラム（ＤＢ－Ｗａｘ１０ｍ×０．１ｍｍ×０．１μｍ）でのＧＣ分析によっても判断されるアルキンの水素化の完了（２～３時間）直後、撹拌を停止してオートクレーブを圧抜きし、窒素でパージした（５ｂａｒで３回）。反応混合物を幾つかの濾過装置に通してリンドラー触媒を除去し、真空下で溶媒を除去するために丸底フラスコに移した。目的の１－ビニル－４，４－ジメチルシクロヘキサノールを、９３～９５％のＧＣ純度、９９．５％を超えるＧＣ変換率で、残留物形成なし（サンプルのバルブ・ツー・バルブ蒸留により決定）で得た。

ｂ）工程２：４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートの製造
トルエン（３０ｍＬ）中の４，４－ジメチル－１－ビニル－シクロヘキサノール（１３．６ｇ、純度９６％、８４．８ｍｍｏｌ）および無水酢酸（２６．７７ｇ、２５４．３ｍｍｏｌ）の撹拌されている溶液に、Ｎ_２下でＤＭＡＰ（１０４ｍｇ、０．８５ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）およびトリエチルアミン（８．６ｇ、８４．８ｍｍｏｌ）を添加した。混合物を９０℃に加熱した。５時間後、ＤＭＡＰ（１０４ｍｇ、０．８５ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）を添加し、混合物をさらに５時間撹拌した。混合物を冷水浴（１０℃）で冷却し、３０ｍＬの水をゆっくり添加した（残留Ａｃ_２Ｏの加水分解）。３０分間撹拌した後、５０ｍＬのジエチルエーテルを添加した。相を分離し、有機相を１ＭのＨＣｌ水溶液（４０ｍＬ）で１回洗浄し、次いで水（５０ｍＬ）で１回、その後飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液（５０ｍＬ）で２回洗浄した。最後にブラインで洗浄した後、有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧留去（４５℃、３０ｍｂａｒ）した。粗生成物をフラッシュクロマトグラフィー（３３０ｇのＳｉＯ_２、シクロヘキサン９５／ジイソプロピルエーテル５からシクロヘキサン９／ＡｃＯＥｔ１で溶離）により精製した。４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートを無色液体（揮発性）として単離した（１４．９３ｇ、純度９７％、７８．４ｍｍｏｌ、収率９２．５％）。

実施例２
エステル化とそれに続く水素化による４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートの製造
ａ）工程１：１－エチニル－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテートの製造
磁気撹拌子と内部温度センサーとを備えた丸底フラスコに、１－エチニル－４，４－ジメチルシクロヘキサノール（ＣＡＳ番号：６８４８３－６２－５）、アセトニトリル（１００重量％）、および無水酢酸（１．３当量）を一緒に入れた。反応混合物を３℃に冷却し、温度を１０℃未満に維持するために、固体のｐ－トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）六水和物（ＣＡＳ番号：３１２６１９－４１－３）（２ｍｏｌ％）を少量ずつ添加した。反応を短い無極性カラム（ＤＢ－１、１０ｍ×０．１ｍｍ×０．１μｍ）でのＧＣ分析によって追跡したところ、このような条件下で３時間で完全な変換が達成された。９８％のＧＣ選択率で粗生成物が得られた。反応混合物を室温まで加温し、軽い化合物を真空下で除去した。濃縮した粗生成物にＥｔ_２Ｏ（１６０重量％）を添加し、溶液を１０％Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液、水、１％Ｈ_２ＳＯ_４水溶液、および水で洗浄した。Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥した後、Ｅｔ_２Ｏを真空下で除去した。生成物をバラストとしてのＰｒｉｍｏｌ（商標）３５２の存在下でフラッシュ蒸留して精製した後、さらに最終的な軽い化合物を分別蒸留により除去することで、目的の純粋な１－エチニル－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテートを９０％のモル収率で得た。

ｂ）工程２：４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートの製造
機械的撹拌装置と、圧力および内部温度センサーと、内部温度制御のための加熱／冷却システムとを備えた１００ｍＬまたは１Ｌのオートクレーブに、１－エチニル－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテート（未知化合物）、アセトン（１００重量％）、リンドラー触媒（０．７５重量％、０．０６８ｍｏｌ％のＰｄ）、および３，６－ジチア－１，８－オクタンジオール（リンドラー触媒毒、ＣＡＳ番号：５２４４－３４－８）（０．００７６５重量％、Ｐｄに対して１２ｍｏｌ％）を一緒に入れた。次いで、密閉したオートクレーブを撹拌しながら窒素でパージした（５ｂａｒで３回）後、１ｂａｒの窒素圧力下で３０分間２５℃で撹拌した。この期間の後、オートクレーブを撹拌しながら水素でパージした（１ｂａｒで３回）後、出口圧力調整器と水素消費を追跡して決定するための内部圧力センサーとを備えた水素タンクにより、１ｂａｒの水素圧力に加圧した。次いで、反応混合物を、１ｂａｒの水素圧力下、２５℃で撹拌し（１０００回転／分）、反応全体の間圧力をこの値に維持した。短い極性カラム（ＤＢ－Ｗａｘ１０ｍ×０．１ｍｍ×０．１μｍ）でのＧＣ分析によっても判断されるアルキンの水素化の完了（５～７時間）後、撹拌を停止してオートクレーブを圧抜きし、窒素でパージした（５ｂａｒで３回）。反応混合物を幾つかの濾過装置に通してリンドラー触媒を除去し、真空下で溶媒を除去するために丸底フラスコに移した。目的の４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートを、９７．５％のＧＣ純度、完全なＧＣ変換率より上で、残留物形成なし（サンプルのバルブ・ツー・バルブ蒸留により決定）で得た。

実施例３
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エンの製造
２０ｇの石英製シリンダー（cyclinder）で充填された加熱された熱分解カラム（熱分解オーブン、５００℃）に、Ｎ_２流下、４６．５ｇ（純度９９．１％、２３４．８ｍｍｏｌ）の４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートを、上からゆっくりと（１２ｍＬ／ｈ）入れた。添加が終了した後、オーブンを冷却した。５０℃のオーブン温度に到達したときに、粗生成物を分液漏斗に移し、５０ｍＬのペンタンを添加した。混合物を、５０ｍＬの水で２回、１００ｍＬの飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液で１回洗浄した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、ペンタンを注意深く留去した（９００ｍｂａｒ、ロータリーエバポレーターの浴温４０～８０℃）。３５．１ｇの黄色の液体を得た（変換率９９％、ＧＣ純度９８．１％）。粗生成物を蒸留し（ビグリューカラム、５０～２０ｍｂａｒ、ｂｐ７６℃）、２９．２３ｇ（純度９９．０％、２３２．４２ｍｍｏｌ、収率９０．５％）の揮発性の４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エンを得た。

実施例４
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートのヒドロホルミル化
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート（１９６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、配位子（ＥｔＯＡｃ中３．５ｍＭ、２．０ｍＬ）、およびＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中１．０ｍＭ、１．４３ｍＬ）をオートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた。オートクレーブを、撹拌下（５００ｒｐｍ）で８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回パージした。次いでオートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が７５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブを合成ガスでさらに４０ｂａｒまで加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を８０℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。２２時間後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析は、テトラデカンを内部標準として使用するガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表１に示す。

４，４－ジメチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート（１）

４，４－ジメチル－１－（１－オキソプロパン－２－イル）シクロヘキシルアセテート（２）

実施例５
キサントホス－Ｒｈ触媒を用いた４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートのヒドロホルミル化
ａ）基本手順：
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート（５８９ｍｇ、３．０ｍｍｏｌ）、キサントホス（すなわち（９，９－ジメチル－９Ｈ－キサンテン－４，５－ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）（ＥｔＯＡｃ中）、およびＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中）を表２に従ってオートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた。オートクレーブを、８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回、撹拌下（５００ｒｐｍ）でパージした。次いで、オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が７５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブをさらに合成ガスで４０ｂａｒに加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を８０℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。表２に示す反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析は、テトラデカンを内部標準として使用するガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表２に示す。

実施例６
ビフェホス－Ｒｈ触媒を用いた４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートのヒドロホルミル化
ａ）基本手順：
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート（７８５ｍｇ、４．０ｍｍｏｌ）、ビフェホス（すなわち６，６’－［（３，３’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５，５’－ジメトキシ－１，１’－ビフェニル－２，２’－ジイル）ビス（オキシ）］ビス（ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン））（ＥｔＯＡｃ中）およびＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中）を、表２に従ってオートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた。オートクレーブを、８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回、撹拌下（５００ｒｐｍ）でパージした。次いで、オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が８５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブをさらに合成ガスで４０ｂａｒに加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を９０℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。表２に示す反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析は、テトラデカンを内部標準として使用するガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表３に示す。

実施例７
ビフェホス－Ｒｈを用いた４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートのヒドロホルミル化（スケールアップ）
Ｒｈ（ＣＯ）_２ａｃａｃ（ＥｔＯＡｃ中６．０ｍＭ、１６．４ｍＬ）、ビフェホス（ＥｔＯＡｃ中１５ｍＭ、３３ｍＬ）、４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート（３９．０ｇ、純度９８．９％、１９６．５ｍｍｏｌ）、および酢酸エチル（３ｍＬ）を、アルゴン下に保ったオートクレーブ（Ｐｒｅｍｅｘ１５０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた。オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）を充填し、温度が９０℃に到達するまで反応混合物を激しく撹拌しながら加熱した。その後、オートクレーブを合成ガスでさらに４２ｂａｒまで加圧し、Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながらヒドロホルミル化を継続した。３．５時間後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブをＡｒでパージした。混合物（９４．８ｇ、ＧＣ９８％の直鎖アルデヒド１、＜０．１％の分岐アルデヒド２、収率９７％、分岐／直鎖１／２＞９８／０．１の選択率）を濾過し、溶媒を減圧下（１５０ｍｂａｒ、４５℃）で留去した。９０ｍＬのヘプタンを添加し、溶媒を留去した後（２０ｍｂａｒ、４５℃）、４，４－ジメチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート４５．１ｇ（純度９４．２％、１８７．７ｍｍｏｌ、収率９５．５％）を黄色の液体として単離することができた。

実施例８
ビフェホス類似体－Ｒｈ触媒を用いた４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートのヒドロホルミル化
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート（４９１ｍｇ、２．５ｍｍｏｌ）、配位子（ＥｔＯＡｃ中１．０ｍＭ、０．２５ｍＬ）、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中０．５ｍＭ、０．２５ｍＬ）、およびＥｔＯＡｃ（０．３４ｍＬ）をオートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた。オートクレーブを、８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回、撹拌下（５００ｒｐｍ）でパージした。次いで、オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が８５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブをさらに合成ガスで３０ｂａｒに加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を９０℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。２０時間後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析は、テトラデカンを内部標準として使用するガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表４に示す。

実施例９
３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
２０ｇの石英製シリンダー（cyclinder）（Ｒａｓｃｈｉｇ４ｍｍ）で充填された加熱された熱分解カラム（熱分解オーブン、５００℃）に、Ｎ_２流下、１２ｇのシクロヘキサン中の３ｇ（ＧＣ純度９７％、１２．８６ｍｍｏｌ）の４，４－ジメチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテートを、上からゆっくりと（１２ｍＬ／ｈ）入れた。添加が終了したときにオーブンを冷却し、５ｇのシクロヘキサンを添加して石英製シリンダー（cyclinder）を洗浄した。２０ｇの混合物が得られ、生成物が揮発性であることからＧＣで分析した（ＧＣ純度７５．７％→３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールと推定：９．７０ｍｍｏｌ、収率７５％、ＧＣ純度１４．４％→３－（４，４－ジメチルシクロヘキシリデン）プロパナールと推定、０．３１ｍｍｏｌ、１．８４ｍｍｏｌ、収率１４．３％、ＧＣ純度４．３％→４，４－ジメチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテートと推定、０．５５ｍｍｏｌ、収率４．３％）。

後処理（飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液と水で洗浄）の後、揮発性の生成物混合物をカラムクロマトグラフィーで精製することができた。

３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール

３－（４，４－ジメチルシクロヘキシリデン）プロパナール

実施例１０
１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテートの製造
３４．１ｇ（純度９４．２％、１４１．４ｍｍｏｌ）の４，４－ジメチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテートを、１３．９ｇ（２１２．０ｍｍｏｌ、１．５当量）のエチレングリコールおよび９６２ｍｇのＫＨＳＯ_４（７．１ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）の存在下、５０ｍＬのトルエン中のディーンスターク条件で１０５～１１３℃で１時間撹拌した（内部温度、水は１時間除去した）。混合物を室温まで冷却し、１５０ｍＬのジエチルエーテルを添加した。７５ｍＬの水、７５ｍＬの飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液、および７５ｍＬのブラインで洗浄した後、有機相をＮａ_２ＳＯ_４で乾燥し、溶媒を減圧下で留去した（粗生成物３９．５ｇ）。粗生成物のクーゲルロール蒸留により、３３．８ｇ（１２５．０ｍｍｏｌ）の１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテートと１．７１ｇ（８．１５ｍｍｏｌ）の２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランを含む２つのフラクションを得た（収率９４．２％、１３３．１５ｍｍｏｌ）。

１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテート：

２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン：

実施例１１
２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造
６６ｍｇ（０．３４９ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）のｐＴｓＯＨ・Ｈ_２Ｏを２０ｍＬのトルエン中で１１０℃で３０分間、ディーンスターク条件（還流）で撹拌しながら加熱した。１．９ｇ（純度９８．７％、６．９３ｍｍｏｌ）の１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテートを１時間かけてゆっくりと添加した。エキソ二重結合をエンド二重結合に異性化するために、混合物をさらに１時間撹拌した。室温まで冷却した後、３０ｍｌのジエチルエーテルを添加した。５ｍＬの飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液および１０ｍｌのブラインで洗浄した後、有機相をＮａ_２ＳＯ_４で乾燥し、溶媒を減圧下で留去した（粗生成物１．５３ｇ）。粗生成物のクーゲルロール蒸留により、１．２９ｇの２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（６．１３ｍｍｏｌ、収率８９％）、６８ｍｇの２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン（０．３２３ｍｍｏｌ、収率４．６％）、および１４ｍｇの３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（０．０８４２ｍｍｏｌ、収率１．２％）を含む２つのフラクションが得られた。

２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（エンド）：

２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン（エキソ）

実施例１２
２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造
１８ｇの石英製シリンダー（cyclinder）（Ｒａｓｃｈｉｇ４ｍｍ）で充填された加熱された熱分解カラム（熱分解オーブン、５００℃）に、Ｎ_２流下、２ｇ（７．３９ｍｍｏｌ）の１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテートを、上からゆっくりと（１２ｍＬ／ｈ）入れた。添加が終了したときに、オーブンを冷却し、１０ｍｌのシクロヘキサンを添加して石英製シリンダー（cyclinder）を洗浄した。さらに２０ｍＬのシクロヘキサンを添加した後、混合物を１０ｍＬの飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液で２回洗浄した。水相を合わせ、１０ｍＬのシクロヘキサンで１回抽出した。合わせた有機相をブラインで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去した（ロータリーエバポレーター、１０ｍｂａｒ、４５℃）。１．４５２ｇの生成物を得た（純度７０．６％の２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン、４．８７ｍｍｏｌ、収率６５．９％、純度２４．６％の２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン、１．７０ｍｍｏｌ、収率２３．０％、純度１．３％の３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール、０．０１４８ｍｍｏｌ、収率１．５％）。

２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソランの量は、１５ｍＬのトルエン中５ｍｏｌ％のｐＴｓＯＨ・Ｈ_２Ｏの存在下で１１０℃で加熱することによって増加させることができた。３時間後、ＧＣ分析から、９４．０％の２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン、３．７％の２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン、および０．２％の３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールを得た。

実施例１３
３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
６．２４ｇの２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（純度９１．７％、２７．２０ｍｍｏｌ、１．０８ｍｍｏｌの３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールを含有）、９．２５ｇのＡｃＯＨ（１５５．７ｍｍｏｌ、５．５当量）、および９．２５ｇの水（５１９ｍｍｏｌ、１９．１当量）を、９．１ｍＬのヘプタン中で撹拌しながら８５℃（還流）で３時間加熱した。室温まで冷却した後、２５ｍＬのジエチルエーテルを添加した。酢酸を２５％ＮａＯＨ水溶液で１０℃でｐＨ６に中和する。有機相を分離し、１５ｍＬの飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液および１５ｍｌのブラインで洗浄する。Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥した後、溶媒を減圧下で留去した（５００～１００ｍｂａｒ、４０℃）。粗生成物（まだ若干のヘプタンを含む）をフラッシュクロマトグラフィー（２２０ｇのＳｉＯ_２、ペンタンからペンタン９／ジイソプロピルエーテル１の溶離液）で精製した。３．３４８ｇ（純度９８％、１９．７３ｍｍｏｌ、収率６９．８％）の３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールが得られ、１．４６ｇ（純度９０．０％、６．２５ｍｍｏｌ、収率２２．１％）の出発物質２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランはリサイクルした。

３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールは、実施例２、実施例６、実施例８、実施例９、および実施例１１で報告した手順に従って、１－エチニル－４，４－ジメチルシクロヘキサノールから少なくとも６０％の全体収率で得た。一方、３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールは、欧州特許第１５２９７７０号明細書で報告されているように、４，４－ジメチル－シクロヘキサノールから出発して２７％の全体収率で得た。本発明の方法により、改善された収率で３－（シクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール誘導体を製造することができる。

実施例１４
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エンのヒドロホルミル化
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エン（１３６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、配位子（ＥｔＯＡｃ中３．５ｍＭ、２．０ｍＬ）、およびＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中１．０ｍＭ、１．４３ｍＬ）を、オートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた。オートクレーブを撹拌（５００ｒｐｍ）しながら８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回パージした。次いで、オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が７５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブを合成ガスでさらに４０ｂａｒまで加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を８０℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。２２時間後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析はガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表５に示す。

３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（３）

２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（４）

６－エチリデン－３，３－ジメチルシクロヘクス－１－エン（６）

１－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン（７）

実施例１５
ビフェホス－Ｒｈ触媒による４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エンのヒドロホルミル化
ａ）基本手順：
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エン（１３６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、ビフェホス（ＥｔＯＡｃ中）、およびＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中）を表６に従ってオートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた（ＥｔＯＡｃの総体積＝３．５ｍＬ）。オートクレーブを、８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回、撹拌下（５００ｒｐｍ）でパージした。次いで、オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が９５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブをさらに合成ガスで２０ｂａｒに加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を１００℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。表６に示す反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析は、テトラデカンを内部標準として使用するガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表６に示す。

実施例１６
ビフェホス－Ｒｈ触媒による４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エンのヒドロホルミル化
ａ）基本手順：
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エン（１３６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、ビフェホス（ＥｔＯＡｃ中）、およびＨＲｈ（ＣＯ）（ＰＰｈ_３）_３（ＥｔＯＡｃ中）を表３に従ってオートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた（ＥｔＯＡｃの総体積＝３．５ｍＬ）。オートクレーブを、８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回、撹拌下（５００ｒｐｍ）でパージした。次いで、オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が９５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブをさらに合成ガスで２０ｂａｒに加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を１００℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。７２時間後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析は、テトラデカンを内部標準として使用するガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表７に示す。

実施例１７
キサントホス－Ｒｈ触媒による４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エンのヒドロホルミル化
ａ）基本手順：
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エン（１３６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、キサントホス（ＥｔＯＡｃ中）、およびＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中）を表２に従ってオートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた（他の体積が示されていない場合にはＥｔＯＡｃの総体積＝３．５ｍＬ）。オートクレーブを、８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回、撹拌下（５００ｒｐｍ）でパージした。次いで、オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が６５～１０５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブをさらに合成ガスで６０ｂａｒに加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を７０～１１０℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。７２時間後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析はガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表８に示す。

実施例１８
キサントホス類似体－Ｒｈ触媒による４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エンのヒドロホルミル化
ａ）基本手順：
４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エン（１３６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、配位子（ＥｔＯＡｃ中３．５ｍＭ、２．０ｍＬ）、およびＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中０．６７ｍＭ、１．４９ｍＬ）をオートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた。オートクレーブを、８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回、撹拌下（５００ｒｐｍ）でパージした。次いで、オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が８５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブをさらに合成ガスで６０ｂａｒに加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を９０℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。７２時間後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析はガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表９に示す。

実施例１９
ビフェホス－Ｒｈ触媒による４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エンのヒドロホルミル化
Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中６．０ｍＭ、４．６ｍＬ）、ビフェホス（ＥｔＯＡｃ中１４．６ｍＭ、９．５ｍＬ）、およびＥｔＯＡｃ（８０ｍＬ）中の４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘクス－１－エン（３．７５ｇ、２７．５２ｍｍｏｌ）の溶液を、１ｂａｒのＡｒ下に保ったオートクレーブ（Ｐｒｅｍｅｘ２００ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた。オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）を充填し、温度が１００℃に到達するまで反応混合物を激しく撹拌しながら加熱した。次いで、オートクレーブを合成ガスでさらに２３ｂａｒに加圧し、Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。２４時間後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブをＡｒでパージした。（ＧＣ収率（内部標準あり）６６％）。溶媒を減圧下（４５℃、２００ｍｂａｒ）で留去した。粗生成物をフラッシュクロマトグラフィー（１２０ｇのＳｉＯ_２、シクロヘキサン／ＡｃＯＥｔ９９／１からシクロヘキサン／ＡｃＯＥｔ９５／５の溶離液）により精製した。４．９ｇの生成物である３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール／２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール９３／６が得られた。これにはまだ若干の溶媒が含まれていた。クーゲルロール蒸留により、２．９０ｇの３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（ＧＣ純度９２．８％、１６．１８ｍｍｏｌ、収率５９％）と２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（ＧＣ純度６．３％）を得た。揮発性のため、生成物は若干失われる。

実施例２０
６－エチリデン－３，３－ジメチルシクロヘクス－１－エンのヒドロホルミル化－ヒドロホルミル化中に形成される副生成物６のリサイクル
６－エチリデン－３，３－ジメチルシクロヘクス－１－エン（１３６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、配位子（ＥｔＯＡｃ中３．５ｍＭ、２．０ｍＬ）、およびＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）_２（ＥｔＯＡｃ中１．０ｍＭ、１．４３ｍＬ）をオートクレーブ（ＨＥＬ２０ｍＬ／２００ｂａｒ）に入れた。オートクレーブを、８ｂａｒのアルゴンで３回、１０ｂａｒの合成ガス（Ｈ_２：ＣＯ、１：１）で４回、撹拌下（５００ｒｐｍ）でパージした。次いで、オートクレーブに１０ｂａｒの合成ガスを充填し、温度が９５℃に到達するまで反応混合物を加熱した。その後、オートクレーブをさらに合成ガスで２０ｂａｒに加圧し、撹拌速度を９００ｒｐｍに調整し、温度を１００℃に設定した。Ｈ_２：ＣＯ（１：１）でガスの取り込みを補いながら、ヒドロホルミル化を継続した。表６に示す反応時間の後、反応混合物を室温まで冷却し、圧力を解放し、オートクレーブを１２ｂａｒのアルゴンで５回パージした。生成物の分析はガスクロマトグラフィーによって行った。

得られた結果を表１０に示す。

実施例２１
式（ＩＩ）の異なる化合物の製造
出発物質である４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキサン－１－オン（ＣＡＳ９８－５３－３、Aldrich）、３－イソプロピルシクロヘキサン－１－オン（ＣＡＳ２３３９６－３６－３、Aldrich）、４－ブチルシクロヘキサン－１－オン（ＣＡＳ６１２０３－８２－５、Aurumpharmatech）、２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘキサン－１－オン（ＣＡＳ５５７３９－８９－４、Aurorafinechemicals）、３－イソプロピルシクロペンタン－１－オン（ＣＡＳ１０２６４－５６－９、Alfa-chemistry）は、市販されており、あるいは文献の手順に従って製造することができる。

ａ）工程１：環状置換ケトンへのビニルグリニャール試薬の添加によるビニルアルコールの製造
塩化ビニルマグネシウム溶液への環状置換ケトンの基本添加手順：
１９６．６ｍＬの塩化ビニルマグネシウム（ＴＨＦ中１．６Ｍ、３１４．５ｍｍｏｌ、１．１当量）および１５０ｍＬのＴＨＦの冷却されている溶液（０℃）に、６０ｍＬのＴＨＦ中の環状ケトン（２８５．９ｍｍｏｌ）の溶液をゆっくりと添加した。環状置換ケトンの添加中、内部温度は５℃を超えなかった。混合物をさらに０℃で一晩（１６時間）撹拌し、ＧＣで分析した。反応混合物を、水２００ｍｌ中の２１ｇのＡｃＯＨ（３４３．１ｍｍｏｌ）の冷却溶液にゆっくりと添加した。相を分離し、水相を１５０ｍＬのＴＢＭＥで抽出した。合わせた有機相を飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液および飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した。Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥した後、溶媒を減圧下（５００～５０ｍｂａｒ、５０℃）で留去した。粗生成物を、フラッシュクロマトグラフィーによって、または減圧下でビグリューカラムを通して蒸留することによって精製した。

４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール
この化合物は、基本手順に従って、環状ケトンとして４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキサン－１－オンを使用して製造した。

粗生成物のＧＣ：９１．２％の４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール。

精製後の純度（ＧＣ）９４．０％（収率７８％）
ＣＤＣｌ_３中でのＮＭＲ分析結果は、文献（N. Miralles, R. Alam, K. J. Szabo, E. Fernandez, Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 4303-4307）からのデータと一致した。

トランス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール：主異性体（５２／４８トランス／シス）

３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール
化合物は、基本手順に従って、環状ケトンとして３－イソプロピルシクロヘキサン－１－オン（１０％の４－イソプロピルシクロヘキサン－１－オンを含有）を使用して製造した。

粗生成物のＧＣ：３－イソプロピルシクロヘキサン－１－オン（純度８５．７％）から純度８２．６％の３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール
精製後の純度（ＧＣ）８８．８％（収率８６％）、１０％の４－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール、トランス／シス異性体の混合物を含有。

（１ＳＲ，３ＳＲ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール：主異性体（５１／４９トランス／シス）

（１ＳＲ，３ＲＳ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール：副異性体

４－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール（トランス／シス異性体の混合物）：ＣＤＣｌ_３中でのＮＭＲ分析結果は、文献（C. A. Discolo, E. E. Touney, S. V. Pronin, J. Am. Chem. Soc. 2019 141(44), 17527-17532）からのデータと一致した。

４－ブチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール
化合物は、基本手順に従って、環状ケトンとして４－ブチルシクロヘキサン－１－オンを使用して製造した。

粗生成物のＧＣ：９６．１％の４－ブチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール。

精製後の純度（ＧＣ）９４．５％（収率９９％）。

トランス－４－ブチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール：主異性体（５８／４２トランス／シス）

シス－４－ブチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール：副異性体

２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール
化合物は、基本手順に従って、環状ケトンとして２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘキサン－１－オンを使用して製造した。

粗生成物のＧＣ：９４．１％の２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール。

精製後の純度（ＧＣ）９５．５％（収率８５％）。

（１ＳＲ，２ＳＲ）－２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール（主異性体、シス／トランス８７／１３）

（１ＳＲ，２ＲＳ）－２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール（副異性体）

３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンタン－１－オール
化合物は、基本手順に従って、環状ケトンとして３－イソプロピルシクロペンタン－１－オンを使用して製造した。

粗生成物のＧＣ：９４．８％の３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンタン－１－オール（異性体（シス／トランス）の５７／４３混合物）。

精製後の純度（ＧＣ）９６．７％（収率８４％）。

（１ＳＲ，３ＲＳ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンタン－１－オール／（１ＳＲ，３ＳＲ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンタン－１－オール（５７／４３シス／トランス）

ｂ）工程２：ビニルアルコールからの酢酸ビニルの製造（式（ＩＩ）の化合物）
実施例２１ａ）で製造したアルコールを使用して酢酸ビニルを製造するために、実施例１ｂからの手順を使用した。２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートの製造のために、溶媒をトルエンからＴＨＦに切り替え、５ｍｏｌ％のＤＭＡＰを使用した（１日後に２１％の変換率）。粗生成物を、フラッシュクロマトグラフィーによって、または減圧下でビグリューカラムを通して蒸留することによって精製した。

４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキシルアセテート
化合物は、基本手順に従い、トランス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール／シス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキサン－１－オールを出発アルコールとして使用して製造した。

粗生成物のＧＣ：４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール（純度９４．０％）から８９．７％の４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキシルアセテート。

精製後の純度（ＧＣ）９８．２％（収率８６％）。

トランス異性体のＣＤＣｌ_３中でのＮＭＲ分析結果は、文献（J. C. Fiaud, J. Y. Legros, J. Organomet. Chem. 1989, 370, 383）からのデータと一致した。

トランス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキシルアセテート／シス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキシルアセテート（トランス／シス５４．５／４４．５）

トランス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキシルアセテート

シス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－ビニルシクロヘキシルアセテート

３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート
化合物は、基本手順に従い、（１ＳＲ，３ＳＲ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール／（１ＳＲ，３ＲＳ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール（１０％の４－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール、トランス／シス異性体の混合物を含有）を出発アルコールとして使用して製造した。

粗生成物のＧＣ：３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール（純度８８．８％）から８３．８％の３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート。

精製後の純度（ＧＣ）８８．７％（収率８３％、異性体（シス／トランス）の４２／４７混合物）。

（１ＳＲ，３ＲＳ－３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート／（１ＳＲ，３ＳＲ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート（１０％の４－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートを含有、トランス／シス異性体混合物）。

（１ＳＲ，３ＳＲ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート：トランス異性体（主）

（１ＳＲ，３ＲＳ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート：シス異性体（副）

４－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート（混合物中１０％、トランス／シス異性体の混合物）：
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００．１５ＭＨｚ）：１．９６（ｓ，３Ｈ）に特徴的なシグナル。

４－ブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート
化合物は、基本手順に従って、（トランス－４－ブチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール／シス－４－ブチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オールを出発アルコールとして使用して製造した。

粗生成物のＧＣ：４－ブチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール（純度９５．２％）から９５．２％の４－ブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート。

精製後の純度（ＧＣ）９７．０％（収率８６％、異性体（トランス／シス）の６１／３６混合物）。

トランス－４－ブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート／シス－４－ブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート

２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート
化合物は、基本手順（溶媒としてＴＨＦ）に従って、（１ＳＲ，２ＳＲ）－２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール／（１ＳＲ，２ＲＳ）－２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オールを出発アルコールとして使用して製造した。

反応は、２１％の変換率で行った（１日）。未反応の出発物質（２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール）は、蒸留またはカラムクロマトグラフィーによって容易にリサイクルされた。

精製後の純度（ＧＣ）９５．７％（異性体（シス／トランス）の４９．５／４６．２混合物）。

（１ＳＲ，２ＳＲ）－２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール／（１ＳＲ，２ＲＳ）－２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキサン－１－オール（シス／トランス異性体の混合物）

３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンチルアセテート
化合物は、基本手順に従って、（１ＳＲ，３ＲＳ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンタン－１－オール／（１ＳＲ，３ＳＲ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンタン－１－オールを出発アルコールとして使用して製造した。

粗生成物のＧＣ：３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンタン－１－オール（純度９６．７％）から９５．４％の３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンチルアセテート
精製後の純度（ＧＣ）９７．５％（収率９４．４％、シス／トランス異性体の混合物）：５９／３９。

（１ＳＲ，３ＲＳ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンチルアセテート／（１ＳＲ，３ＳＲ）－３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンチルアセテート

主異性体（シス）

副異性体（トランス）

ｃ）式（ＩＩ）の（（４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシル）オキシ）トリメチルシラン化合物の製造
実施例１ａ）で得た４，４－ジメチル－１－ビニル－シクロヘキサノール（３０ｇ、純度９５．９％、１８６．５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（７５０ｍＬ）中の撹拌されている溶液に、Ｎ_２下、水冷しながらトリエチルアミン（５６．６２ｇ、５５９．６ｍｍｏｌ、３当量）およびクロロトリメチルシラン（２８．３７ｇ、２６１．１ｍｍｏｌ、１．４当量）を添加した。室温で２２時間後、出発物質の完全な変換が観察された。飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液（７５０ｍＬ）をゆっくりと添加し、有機相を分離した。水相を５００ｍＬのジエチルエーテルおよび２５０ｍＬのジクロロメタンで２回抽出した。合わせた有機相を飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下（４０℃、５００～４．８ｍｂａｒ）で留去した。粗生成物の赤色固体（４４．８ｇ、純度９６．１％）を濾別した（粗生成物４０．９ｇ）。

粗生成物を蒸留（Ｖｉｇｒｅｕｘ）０．２～０．０９９ｍｂａｒ、沸点３２．６～３６．７℃、ｗｏｋ７０℃、ｃｕｖｅ８３℃）によって精製した。（（４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシル）オキシ）トリメチルシランを収率９４．５％（４０．０ｇ、純度９９．８％、１７６．３ｍｍｏｌ）で単離した。

実施例２２
式（Ｉ）の異なる化合物の製造
ａ）３－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
工程１：（４－ｔｅｒｔ－ブチル－１－ビニル－シクロヘキシル）アセテートのビフェホス－Ｒｈによるヒドロホルミル化
オートクレーブに、（４－ｔｅｒｔ－ブチル－１－ビニル－シクロヘキシル）アセテート（トランス／シス比：５４．５％／４４．５％、５．０６ｇ、２２．５６ｍｍｏｌ）、Ｒｈ（ＣＯ）_２ａｃａｃ（３．２ｍｇ、０．０１２４ｍｍｏｌ）、およびビフェホス（２６．８ｍｇ、０．０３４ｍｍｏｌ）を入れた。容器をＨ_２／ＣＯ（１：１、４×５ｂａｒ）でパージし、激しく撹拌しながら９０℃および１０ｂａｒの合成ガス圧力で２４時間加熱した。冷却および圧抜きの後、半結晶化した粗生成物のＧＬＣ分析（ＤＢ－１、１０メートル、１００ミクロン、８０℃、１分；４０°／分で２４０℃まで；５分、またはＤＢ－ＷＡＸ、１０メートル、１００ミクロン、８０℃，１分；４０°／分から２４０℃；５分）から、完全な変換と、４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート（９２．２％；トランス／シス比：５４．４％／３７．８％）の存在が明らかになった。

シス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート：

トランス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート：

工程２：トランス－１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキシルアセテート／シス－１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキシルアセテートの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１０に報告した手順に従って製造した。

粗生成物のＧＣ：４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート（５４．４％／３７．８％）から５２．０％／３０．６％の１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキシルアセテート。

精製後の純度（ＧＣ）５５．２％／３８．３％。生成物は、２．６％の４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテートと３．９％のトランス－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテートを含む。

１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキシルアセテート

トランス異性体（主）

シス異性体（副）

工程３：２－（２－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造
５ｍＬの乾燥トルエン中の前の工程で製造したジオキソランアセテート（３．１２６ｍｍｏｌ）の溶液に、０．１５当量のＢＦ_３・Ｅｔ_２Ｏを添加した。混合物を室温で３０分間撹拌し（出発物質の完全な変換）、次いで２０ｍＬの飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液に添加した。ガスの生成が観察されなくなったときに、１５ｍＬのＭＴＢＥを添加し、混合物を１０分間撹拌した。有機相を分離し、水および飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した。Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥した後、溶媒を減圧下（５００～５０ｍｂａｒ、５０℃）で留去した。粗生成物をフラッシュクロマトグラフィーによって精製した。

粗生成物のＧＣ：１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキシルアセテート（純度９３．５％）から９１．８％の２－（２－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／３．７％の２－（２－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン。

精製後の純度（ＧＣ）９４．０％／３．５％。

２－（２－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン

工程４：３－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１３で報告した手順に従って製造した。

ＣＤＣｌ_３中での^１Ｈおよび^１３Ｃ－ＮＭＲ分析の結果は、文献からのデータと一致していた（B. Winterの欧州特許出願公開第１０５４０５３号明細書を参照）。

３－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール

ｂ）３－（５－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール／３－（３－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
工程１：ビフェホス－Ｒｈによる（３－イソプロピル－１－ビニル－シクロヘキシル）アセテートのヒドロホルミル化
オートクレーブに、３－イソプロピル－１－ビニル－シクロヘキシルアセテート（１ＳＲ，３ＲＳ／１ＳＲ，３ＳＲ、４２％／４７％）と４－イソプロピル－１－ビニル－シクロヘキシルアセテート（シス／トランス、４％／６．５％）（５．０４ｇ、２３．９６５ｍｍｏｌ）との混合物、Ｒｈ（ＣＯ）_２ａｃａｃ（２．５ｍｇ、０．０１１９ｍｍｏｌ）、およびビフェホス（２８．７ｍｇ、０．０３６５ｍｍｏｌ）を入れた。容器をＨ_２／ＣＯ（１：１、４×５ｂａｒ）でパージし、激しく撹拌しながら９０℃および１０ｂａｒの合成ガス圧力で２４時間加熱した。冷却および圧抜きの後、粗生成物の無色オイルのＧＬＣ分析から、完全な変換と、直鎖の３－イソプロピル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート（１ＳＲ，３ＳＲ／１ＳＲ，３ＲＳ、３９．７％／４５．３％）および４－イソプロピル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート（シス／トランス、４％／６．３％）の存在が明らかになった。

１ＳＲ，３ＳＲ／１ＳＲ，３ＲＳ－３－イソプロピル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート

工程２：１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロヘキシルアセテートの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１０で報告した手順に従って製造した。

粗生成物のＧＣ：３－イソプロピル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート（３９．７％／４５．３％）から４０．５％／４６．１％の１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロヘキシルアセテートおよび２．７％の２－（２－（５－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン。

精製後の純度（ＧＣ）４１．９％／４７．４％（生成物は、１０％の１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－イソプロピルシクロヘキシルアセテート、トランス／シス異性体の混合物を含んでいた）。

（１ＳＲ，３ＲＳ）－１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロヘキシルアセテート（主異性体）
（１ＳＲ，３ＳＲ）－１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロヘキシルアセテート（副異性体）

１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－イソプロピルシクロヘキシルアセテート（特徴的なシグナル、トランス／シス異性体の混合物）

工程３：２－（２－（５－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／２－（２－（３－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、２－（２－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造について報告した手順に従って製造した。

粗生成物のＧＣ：１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロヘキシルアセテート４１．９％／４７．４％から５５．８％の２－（２－（５－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン、２３．９％の２－（２－（３－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン、７．２％の２－（２－（３－イソプロピルシクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン
精製後の純度（ＧＣ）５７．２％／２４．７％／７．３％（生成物は、１０％の２－（２－（４－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランを含んでいた）。

２－（２－（５－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（主異性体）／２－（２－（３－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（副異性体）

２－（２－（５－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（主異性体）

２－（２－（３－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（副異性体）

２－（２－（４－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（混合物中１０％）。

工程４：３－（５－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール／３－（３－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール／３－（４－ブチルシクロヘクス－１－エン－）１－イル）プロパナールの製造
化合物（７／３混合物）は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１３で報告した手順に従って製造した。ＣＤＣｌ_３中での^１Ｈおよび^１３Ｃ－ＮＭＲ分析の結果は、文献からのデータと一致していた（R. Moretti, A. Birkbeckの国際公開第２０１７０４６０７１号を参照）。

３－（５－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（主異性体）

３－（３－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（副異性体）

３－（４－イソプロピルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（混合物中１０％）

ｃ）３－（４－ブチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
工程１：ビフェホス－Ｒｈによる（４－ブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテートのヒドロホルミル化
オートクレーブに、（４－ブチル－１－ビニル－シクロヘキシル）アセテート（シス／トランス、３６％／６１％、５．０６ｇ、２２．５５５ｍｍｏｌ）の混合物、Ｒｈ（ＣＯ）_２ａｃａｃ（３．１ｍｇ、０．０１２ｍｍｏｌ）、およびビフェホス（２６．３ｍｇ、０．０３３４ｍｍｏｌ）を入れた。容器をＨ_２／ＣＯ（１：１、４×５ｂａｒ）でパージし、激しく撹拌しながら９０℃および１０ｂａｒの合成ガス圧力で２４時間加熱した。冷却および圧抜きの後、粗生成物の無色オイルのＧＬＣ分析から、完全な変換と、直鎖の４－ブチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート（８９．９％、シス／トランス、３３．２％／５６．７％）の存在が明らかになった。

４－ブチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート：

工程２：１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－ブチルシクロヘキシルアセテートの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１０で報告した手順に従って製造した。

粗生成物のＧＣ：４－ブチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート（３３．２％／５６．７％）から５０．１％／３１．７％の１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－ブチルシクロヘキシルアセテートおよび４．３％の２－（２－（４－ブチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／１．８％の２－（２－（４－ブチルシクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン。

精製後の純度（ＧＣ）３３．８％／６６．２％。

（２－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン

主異性体トランス

副異性体シス

工程３：２－（２－（４－ブチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造
この化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、２－（２－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造について報告した手順に従って製造した。

粗生成物のＧＣ：１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－ブチルシクロヘキシルアセテート（純度３３．８％／６６．２％）から９１．２％の２－（２－（４－ブチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／５．２％の２－（２－（４－ブチルシクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン。

精製後の純度（ＧＣ）９２．９％／５．８％。

２－（２－（４－ブチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン

工程４：３－（４－ブチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１３で報告した手順に従って製造した。ＣＤＣｌ_３中での^１Ｈおよび^１３Ｃ－ＮＭＲ分析の結果は、文献からのデータと一致していた（R. Morettiの国際公開第２０１９１８５５９９号を参照）。

３－（４－ブチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール

ｄ）３－（２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール／３－（６－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
工程１：ビフェホス－Ｒｈによる２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニル－シクロヘキシルアセテートのヒドロホルミル化
オートクレーブに、（１ＳＲ，２ＳＲ）－および（１ＳＲ，２ＲＳ）－２－エチル－４，４－ジメチル－１－ビニル－シクロヘキシルアセテートの混合物（４９．５％／４６．２％、３．０２ｇ、１３．４６２ｍｍｏｌ）、Ｒｈ（ＣＯ）_２ａｃａｃ（２．１ｍｇ、０．００８１ｍｍｏｌ）、およびビフェホス（１６．８ｍｇ、０．０２１４ｍｍｏｌ）を入れた。容器をＨ_２／ＣＯ（１：１、４×５ｂａｒ）でパージし、激しく撹拌しながら９０℃および１０ｂａｒの合成ガス圧力で２４時間加熱した。冷却および圧抜きの後、粗生成物の黄色オイルのＧＬＣ分析から、完全な変換と、直鎖の（１ＳＲ，２ＳＲ）－および（１ＳＲ，２ＲＳ）－２－エチル－４，４－ジメチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート（４９％／４２％）の存在が明らかになった。

（１ＳＲ，２ＳＲ）－および（１ＳＲ，２ＲＳ）－２－エチル－４，４－ジメチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート：

工程２：１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテートの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１０で報告した手順に従って製造した。

粗生成物のＧＣ：２－エチル－４，４－ジメチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテート４９％／４２％から、４４．１％／３８．４％の１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテートおよび２－（２－（２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／２－（２－（６－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（５．６％／２．６％）。

精製後の純度（ＧＣ）５１．９％／４５．３％（２．７％の２－エチル－４，４－ジメチル－１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテートを含有）。

１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテート

（１ＳＲ，２ＳＲ）－１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテート（主異性体）

（１ＳＲ，２ＲＳ）－１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテート（副異性体）

工程３：２－（２－（２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／２－（２－（６－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、２－（２－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造で報告した手順に従って製造した。

粗生成物のＧＣ：１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテート（純度５１．９％／４５．３％）から、７１．９％／１３．８％の２－（２－（２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／２－（２－（６－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランおよび２．９％の２－（２－（２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘキシリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン。

精製後の純度（ＧＣ）８１．８％／１５．４％／２．７％。

２－（２－（２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／２－（２－（６－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン

２－（２－（２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（主異性体）

２－（２－（６－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン（副異性体）

工程４：３－（２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールおよび３－（６－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
化合物（８４／１６混合物）は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１３で報告した手順に従って製造した。

３－（２－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（主異性体）

３－（６－エチル－４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（副異性体）

ｅ）３－（４－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）プロパナール／３－（３－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
工程１：ビフェホス－Ｒｈによる３－イソプロピル－１－ビニルシクロペンチルアセテートのヒドロホルミル化
オートクレーブに、（１ＳＲ，３ＲＳ）－および（１ＳＲ，３ＳＲ）－（３－イソプロピル－１－ビニル－シクロペンチル）アセテートの混合物（５９％／３９％、５．０２ｇ、２５．５７４ｍｍｏｌ）、［Ｒｈ（ＣＯ）_２ａｃａｃ］（３．３ｍｇ、０．０１２８ｍｍｏｌ）、およびビフェホス（３０．７ｍｇ、０．０３９ｍｍｏｌ）を入れた。容器をＨ_２／ＣＯ（１：１、４×５ｂａｒ）でパージし、激しく撹拌しながら９０℃および１０ｂａｒの合成ガス圧力で２４時間加熱した。冷却および圧抜きの後、粗生成物の黄色オイルのＧＬＣ分析から、完全な変換と、直鎖の（１ＳＲ，３ＳＲ）－および（１ＳＲ，３ＲＳ）－３－イソプロピル－１－（３－オキソプロピル）シクロペンチルアセテート（５７％／３５％）の存在が明らかになった。

（１ＳＲ，３ＳＲ）－および（１ＳＲ，３ＲＳ）－３－イソプロピル－１－（３－オキソプロピル）シクロペンチルアセテート：

（１ＳＲ，３ＳＲ）－３－イソプロピル－１－（３－オキソプロピル）シクロペンチルアセテート（主）

（１ＳＲ，３ＲＳ）－３－イソプロピル－１－（３－オキソプロピル）シクロペンチルアセテート（副）

工程２：１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロペンチルアセテートの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１０で報告した手順に従って製造した。

粗生成物のＧＣ：３－イソプロピル－１－（３－オキソプロピル）シクロペンチルアセテート（５７％／３５％）から３８．２％／２７．６％の１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロペンチルアセテートおよび７．３％／６．０％の２－（２－（４－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／２－（２－（３－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン。

精製後の純度（ＧＣ）５７．４％／４１．６％。

１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロペンチルアセテート

（１ＳＲ，３ＳＲ）－１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロペンチルアセテート（主異性体）

（１ＳＲ，３ＲＳ）－１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロペンチルアセテート（副異性体）

工程３：２－（２－（４－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／２－（２－（３－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造
化合物は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、２－（２－（４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランの製造で報告した手順に従って製造した。

粗生成物のＧＣ：１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－３－イソプロピルシクロペンチルアセテート（純度５７．４％／４１．６％）から４２．９％／４０．２％の２－（２－（４－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／２－（２－（３－イソプロピルシクロペント－１－エン－１）－イル）エチル）－１，３－ジオキソランおよび７．３％の２－（２－（３－イソプロピルシクロペンチリデン）エチル）－１，３－ジオキソラン。

精製後の純度（ＧＣ）４７．８％／４７．６％／４．６％。

２－（２－（４－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン／２－（２－（３－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン

２－（２－（４－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランに特徴的なシグナル：^１３ＣＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：４６．２ｐｐｍ
２－（２－（３－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソランに特徴的なシグナル：^１３ＣＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：５２．８ｐｐｍ

工程４：３－（４－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）プロパナール／３－（３－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）プロパナールの製造
化合物（１／１混合物）は、前の工程で製造した化合物を出発物質として使用して、実施例１３で報告した手順に従って製造した。

３－（４－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）プロパナール

３－（３－イソプロピルシクロペント－１－エン－１－イル）プロパナール

実施例２３
ビフェホス－Ｒｈによる（（４，４－ジメチル－１－ビニルシクロヘキシル）オキシ）トリメチルシランのヒドロホルミル化
オートクレーブに、（４，４－ジメチル－１－ビニル－シクロヘキソキシ）－トリメチル－シラン（９６％、５．０４ｇ、２２．２６ｍｍｏｌ）、Ｒｈ（ＣＯ）_２ａｃａｃ（３．３ｍｇ、０．０１２８ｍｍｏｌ）、およびビフェホス（２７．３ｍｇ、０．０３４７ｍｍｏｌ）を入れた。容器をＨ_２／ＣＯ（１：１、４×５ｂａｒ）でパージし、激しく撹拌しながら９０℃および１０ｂａｒの合成ガス圧力で２４時間加熱した。冷却および圧抜きの後、粗生成物のＧＬＣ分析から、完全な変換と、３－（４，４－ジメチル－１－（（トリメチルシリル）オキシ）シクロヘキシル）プロパナール（９２．２％）および（（１－エチル－４、４－ジメチルシクロヘキシル）オキシ）トリメチルシラン（６．８％）の存在が明らかになった。

３－（４，４－ジメチル－１－（（トリメチルシリル）オキシ）シクロヘキシル）プロパナール：

実施例２４
ジオキソランアセテートの不飽和ジオキソランへの変換のための酸／ルイス酸のスクリーニング
酸／ルイス酸のスクリーニングのために、１ｍＬの乾燥トルエン中、触媒（酸、ルイス酸）の存在下で、基質（１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４，４－ジメチルシクロヘキシルアセテート、２１６ｍｇ、０．８ｍｍｏｌ）を密封したガラスバイアルの中で加熱した（室温で１時間、５０℃で１時間、１２０℃で１時間、１２０℃で２時間）。出発物質の目的生成物（（２－（２－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）エチル）－１，３－ジオキソラン、３－（４，４－ジメチルシクロヘクス－１－エン－１－イル）プロパナール（副生成物））への変換は、ＧＣ分析により決定した。

得られた結果を表１１に示す。

Claims

立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物を製造するための方法であって、
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＩＩ）

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、式（Ｉ）で定義したものと同じ意味を有し、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基である］
の化合物から出発するヒドロホルミル化および脱離工程を含む、方法。
Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７が、互いに独立して水素原子またはＣ_１～３アルキル基を表す、請求項１記載の方法。
前記式（Ｉ）の化合物が、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、各Ｒ^１およびＲ^２は、請求項１で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物であり、
前記式（ＩＩ）の化合物が、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、各Ｘ、Ｒ^１、およびＲ^２は、請求項１に記載のものと同じ意味を有する］
の化合物である、請求項１または２記載の方法。
Ｒ^１がＣ_１～４アルキル基またはＣ_２～４アルケニル基である、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
Ｒ^１がメチル基である、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
Ｒ^２が、水素原子、Ｃ_１～３アルキル基、またはＣ_２～３アルケニル基である、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
Ｒ^２がメチル基である、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
ａ）式（ＩＩ）の化合物をヒドロホルミル化して立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、請求項１で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物を得る工程、
ｂ）工程ａ）で得られた式（ＩＩＩ）の化合物のアルデヒド基を、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、請求項１で定義したものと同じ意味を有し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、互いに独立してＣ_１～４アルキル基を表すか、あるいはＲ^ａとＲ^ｂが一緒になって、Ｃ_２～６アルカンジイル基を表し、好ましくはＲ^ａとＲ^ｂが一緒になって（ＣＨ_２）_ｎ基を表し、ｎは２または３である］
のアセタールの形態で保護する工程、
ｃ）前記式（ＩＶ）の化合物のＯＸ基を脱離させ、続いて異性化させて立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、請求項１で定義したものと同じ意味を有し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物を形成する工程、ならびに
ｄ）前記アセタール基を脱保護して式（Ｉ）の化合物を得る工程、
を含む、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
ａ）立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＩＩ’’）

［式中、Ｘ’は水素原子、Ｃ_１～３アルキル基、Ｃ_２～３アルケニル基、ベンジル基、またはＣ（Ｏ）Ｒ基、またはＳｉ（Ｒ’）_３基であり、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、請求項１と同じ意味を有する］
の化合物のＯＸ’基を脱離させて、立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、請求項１で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物を得る工程、および
ｂ）式（ＶＩ）の化合物のヒドロホルミル化を行って式（Ｉ）の化合物を得る工程、
を含む、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
前記ヒドロホルミル化がロジウム触媒の存在下で行われる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物の製造が、
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の式（ＶＩＩ）

［式中、Ｘ’’は、水素原子、Ｃ（Ｏ）Ｒ基、またはＳｉ（Ｒ’）_３基であり、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は定義された通りの同じ意味を有する］
の化合物を還元する工程を含む、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、ＸはＣ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有する］
の化合物（ただし、１－（３－オキソプロピル）シクロヘキシルアセテートは除く）。
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、Ｘ’は水素原子、Ｃ_１～３アルキル基、Ｃ_２～３アルケニル基、ベンジル基、Ｃ（Ｏ）Ｒ基、またはＳｉ（Ｒ’）_３基であり、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、互いに独立してＣ_１～４アルキル基を表すか、あるいはＲ^ａとＲ^ｂが一緒になってＣ_２～６アルカンジイル基を表す］
の化合物（ただし、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－イソブチル－２－メチルシクロヘキサン－１－オール、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－イソプロピル－２－メチルシクロヘキサン－１－オール、１－（３，３－ジエトキシプロピル）シクロヘキサン－１－オール、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）－２－メチルシクロヘキサン－１－オール、１－（２－（１，３－ジオキソラン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキサン－１－オール、および１－（２－（１，３－ジオキサン－２－イル）エチル）－４－（ｔｅｒｔ－ブチル）シクロヘキサン－１－オールは除く）。
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、各Ｒ^１およびＲ^２は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、互いに独立してＣ_１～４アルキル基を表すか、あるいはＲ^ａとＲ^ｂが一緒になってＣ_２～６アルカンジイル基を表す］
の化合物。
立体異性体のいずれか１つまたはそれらの混合物の形態の下記式

［式中、点線は二重結合または三重結合を表し、Ｘは、Ｃ（Ｏ）Ｒ基またはＳｉ（Ｒ’）_３基を表し、Ｒは、水素原子、Ｃ_１～４アルキル基、Ｃ_１～４アルコキシ基、またはフェニル基であり、Ｒ’は、互いに独立してＣ_１～４アルキル基であり、各Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７は、互いに独立して、水素原子、またはそれぞれヒドロキシもしくはＣ_１～３アルコキシ基で任意選択的に置換されるＣ_１～６アルキル基もしくはＣ_２～６アルケニル基を表すか、あるいはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、およびＲ^７のうちの２つの基が一緒になってＣ_３～８シクロアルキルまたはＣ_５～８シクロアルケニル基を形成し、他の基は上で定義したものと同じ意味を有す］
の化合物（ただし、１－ビニルシクロヘキシルアセテート、１－エチニルシクロヘキシルアセテート、１－ビニルシクロヘキシルプロピオネート、４－メチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－メチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、１－エチニル－２－メチルシクロヘキシルアセテート、２－エチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－イソプロピル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－ｓｅｃブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－イソプロピル－５－メチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、２－アリル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、４－ｔｅｒｔ－ブチル－１－ビニルシクロヘキシルアセテート、１－ビニルデカヒドロナフタレン－１－イルアセテート、および１－エチニルデカヒドロナフタレン－１－イルアセテートは除く）。