JP2023527254A - 表示基板及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
11 走査線
12 データ線
13 ゲート駆動サブ回路
14 データ駆動サブ回路
20 画素行
30 画素列
100 サブ画素
101 ベース基板
102 多結晶シリコン層
111 データ書き込みサブ回路
112 駆動サブ回路
113 記録サブ回路
114 バイアスサブ回路
120 発光素子
121 発光素子の第1電極
122 発光素子の第2電極
123 発光層
124 第1パッケージ層
125 カラーフィルタ層
126 カバープレート
127 第2パッケージ層
130 抵抗器
131 抵抗器の第1端子
132 抵抗器の第2端子
133、134 接触穴領域
135 バリア層
140 ストレージコンデンサ
141 第1コンデンサ電極
142 第2コンデンサ電極
144、145a、145b 接触穴領域
150 駆動サブ回路の制御電極
151 駆動サブ回路の第1電極
152 駆動サブ回路の第2電極
150、160、170、180 トランジスタのゲート
151 駆動トランジスタN2の第1極
152 駆動トランジスタN2の第2極
153 駆動トランジスタN2の第1接触領域
184 駆動トランジスタN2の第2接触領域
185 駆動トランジスタN2のゲート接触領域
161 第1データ書き込みトランジスタP1の第1極
162 第1データ書き込みトランジスタP1の第2極
163 第1データ書き込みトランジスタP1の第1接触領域
164 第1データ書き込みトランジスタP1の第2接触領域
165 第1データ書き込みトランジスタP1のゲート接触領域
171 第2データ書き込みトランジスタN1の第1極
172 第2データ書き込みトランジスタN1の第2極
173 第2データ書き込みトランジスタN1の第1接触領域
174 第2データ書き込みトランジスタN1の第2接触領域
175 第2データ書き込みトランジスタN1のゲート接触領域
181 バイアストランジスタN3の第1極
182 バイアストランジスタN3の第1極
183 バイアストランジスタN3の第1接触領域
184 バイアストランジスタN3の第2接触領域
185 バイアストランジスタN3のゲート接触領域
191 第1制御電極群
192 第2制御電極群
193 第3制御電極群
201 第1絶縁層
202 第2絶縁層
203 第3絶縁層
204 第4絶縁層
205 第5絶縁層
210 第1走査線
220 第2走査線
221、222、223、224、225、226a、226b、227、228、230、31、232、233、234、235、236、238、239、251、252、253、254、255、257、261a、261b、261c、262a、262b、263、264a、264b、267 ビア
240 画素群
241 第1データ線
242 第2データ線
244、245 データ線接続部
250 バイアス電圧線
256 接触穴領域
260、270a、270b、280a、280b 電源線
301 第1導電層
302 第2導電層
303 第3導電層
304 第4導電層
311 第1走査線接続部
312 第2走査線接続部
313、314、317、319a、319b、319c、323、324、325、333、334、342、343、344 接続電極
315 第3コンデンサ電極
316 第4コンデンサ電極
321 第1走査線接続部の本体部
322 第1走査線接続部の延伸部
330、340、350、360 電源線
331 第1分岐部
332 第2分岐部
333a 接続電極の突出部
341 遮蔽電極
341a 遮蔽電極の突出部
341b 遮蔽電極の本体部
345 接続部
400a、400b、411a、411b、145a、145b 接触穴領域
401 ベース基板の第1領域
402 ベース基板の第2領域
405、406、407、408、414 ビア
Claims (37)
- 表示基板であって、
ベース基板と、
前記ベース基板上に位置し、第1方向に沿って配置される複数のサブ画素を含む画素列と、
ベース基板上に位置し、第1方向に沿って延びる第1走査線及び第2走査線とを含み、
前記サブ画素のそれぞれには、データ書き込みサブ回路、記録サブ回路、駆動サブ回路を含む画素回路が含まれ、
前記データ書き込みサブ回路は、第1制御電極、第2制御電極、第1端子及び第2端子を含み、前記データ書き込みサブ回路の第1制御電極及び第2制御電極はそれぞれ第1制御信号及び第2制御信号を受信するように構成され、前記データ書き込みサブ回路の第1端子はデータ信号を受信するように構成され、前記データ書き込みサブ回路の第2端子は前記記録サブ回路の第1端子に電気的に接続されており、前記第1制御信号及び前記第2制御信号に応答して前記データ信号を前記記録サブ回路の第1端子に伝送するように構成され、
前記駆動サブ回路は制御端子、第1端子及び第2端子を含み、前記駆動サブ回路の制御端子が前記記録サブ回路の第1端子に電気的に接続され、前記駆動サブ回路の第1端子が第1電源電圧を受けるように構成され、前記駆動サブ回路の第2端子が発光素子に接続されることに用いられ、前記駆動サブ回路は前記記録サブ回路の第1端子の電圧に応答して前記発光素子が発光するように駆動するように構成され、
前記第1走査線は、前記第1制御信号を提供するように、前記複数のサブ画素のデータ書き込み回路の第1制御電極に電気的に接続され、前記第2走査線は、前記第2制御信号を提供するように、前記複数のサブ画素のデータ書き込み回路の第2制御電極に電気的に接続され、
前記第1走査線と前記第2走査線は抵抗が同じであり、且つ前記ベース基板での正投影の面積が同じである、
表示基板。 - 前記第1走査線と前記第2走査線は同じ層に絶縁設置され、且つ、長さが同じであり、平均線幅が同じである、請求項1に記載の表示基板。
- 前記第1走査線に電気的に接続される複数の第1走査線接続部と、前記第2走査線に電気的に接続される複数の第2走査線接続部とをさらに含み、
前記複数の第1走査線接続部のそれぞれ及び前記複数の第2走査線接続部のそれぞれは、第1方向と交差する第2方向D2に沿って延び、
前記第1走査線は前記複数の第1走査線接続部によって、前記複数のサブ画素のデータ書き込みサブ回路の第1制御電極に電気的に接続され、前記第2走査線は前記複数の第2走査線接続部によって前記複数のサブ画素のデータ書き込みサブ回路の第2制御電極に電気的に接続される、請求項1又は2に記載の表示基板。 - 前記複数の第1走査線接続部のベース基板での正投影の総面積は前記複数の第2走査線接続部のベース基板での正投影の総面積と同じである、請求項3に記載の表示基板。
- 前記複数の第1走査線接続部と前記複数の第2走査線接続部は、第1方向において一つずつ交互に配置され、請求項3または4に記載の表示基板。
- 前記複数の第1走査線接続部のそれぞれは、第2方向D2に沿う長さが同じであり、前記複数の第2走査線接続部のそれぞれは、第2方向D2に沿う長さが同じである、
請求項3-5のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記第1方向において隣接する2つのサブ画素の第1制御電極または第2制御電極は、一体的な構造である、請求項3-6のいずれか1項に記載の表示基板。
- 第1方向において隣接する2つのサブ画素の第1制御電極で構成される一体的な構造は、第1制御電極群であり、第1方向において隣接する2つのサブ画素の第2制御電極で構成される一体的な構造は、第2制御電極群であり、前記第1方向において、前記第1制御電極群と前記第2制御電極群は交互に配置される、請求項7に記載の表示基板。
- 前記第1制御電極群と前記第2制御電極群の数は、いずれも複数であり、前記複数の第1走査線接続部と前記複数の第1制御電極群は1対1で対応して電気的に接続され、前記複数の第2走査線接続部と前記複数の第2制御電極群は1対1で対応して電気的に接続される、請求項8に記載の表示基板。
- 前記第1制御電極群における2つの第1制御電極は前記第1制御電極群に対応して接続される第1走査線接続部及びその延長線に対して軸対称であり、前記第2制御電極群における2つの第2制御電極は前記第2制御電極群に対応して接続される第2走査線接続部及びその延長線に対して軸対称である、請求項8または9に記載の表示基板。
- 前記第1制御電極と前記第2制御電極は、同じ層に設置され、多結晶シリコン層に位置し、
前記第1走査線接続部と前記第2走査線接続部は、同じ層に設置され、第1導電層に位置し、前記第2導電層が前記多結晶シリコン層の前記ベース基板から離れる側に位置し、
前記第1走査線と前記第2走査線は、同じ層に設置され、前記第1導電層の前記ベース基板から離れる側に位置する導電層に位置する、請求項3-10のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記複数のサブ画素の少なくとも一つの第1制御電極及び第2制御電極は、前記第1方向に沿って配置され、且つ、前記第2方向に沿う対称軸に関して対称である、請求項3-11のいずれか1項に記載の表示基板。
- 前記複数のサブ画素の少なくとも一つについて、前記第2方向において、前記第1走査線は前記第2走査線の、前記少なくとも一つサブ画素のデータ書き込み回路の第1制御電極及び第2制御電極に近い側に位置する、請求項3-12のいずれか1項に記載の表示基板。
- 前記少なくとも一つのサブ画素の第1制御電極に接続される第1走査線接続部は、一体となる本体部と延伸部を含み、
前記第2方向において、前記本体部が前記第1走査線と前記第1制御電極の間に位置し、前記延伸部が第1走査線の前記第1制御電極から離れる側に位置する、請求項13に記載の表示基板。 - 前記第1方向において隣接する2つのサブ画素の第1制御電極は前記第2方向に沿う対称軸に関して対称であり、前記第1方向において隣接する2つのサブ画素の第2制御電極は前記第2方向に沿う対称軸に関して対称である、請求項1-14のいずれか1項に記載の表示基板。
- 前記第1方向において隣接する二つのサブ画素の画素回路構造は、前記第2方向に沿う対称軸に関して対称である、請求項1-15のいずれか1項に記載の表示基板。
- 前記データ書き込みサブ回路は第1データ書き込みトランジスタ及び第2データ書き込みトランジスタを含み、
前記第1データ書き込みトランジスタのゲートと前記第2データ書き込みトランジスタのゲートはそれぞれ前記データ書き込みサブ回路の第1制御電極及び第2制御電極とされ、
前記第1データ書き込みトランジスタの第1極は前記第2データ書き込みトランジスタの第1極に電気的に接続され、前記データ書き込みサブ回路の第1端子とされ、
前記第1データ書き込みトランジスタの第2極は前記第2データ書き込みトランジスタの第2極に電気的に接続され、前記データ書き込みサブ回路の第2端子とされる、請求項1-16のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記複数の画素行が前記第1方向と交差する第2方向に沿って配置されることで、前記複数の画素行における複数のサブ画素が複数の画素列として配置され、
前記第2方向において隣接する二つのサブ画素の画素回路構造は前記第1方向に沿う対称軸に関して対称である、請求項1-17のいずれか1項に記載の表示基板。 - 隣接する二つの画素行に対応して接続される第1走査線は、前記第1方向に沿う対称軸に関して対称であり、
隣接する二つの画素行に対応する第2走査線は、前記第1方向に沿う対称軸に関して対称である、請求項18に記載の表示基板。 - 前記第2方向に沿って延伸する複数本のデータ線をさらに備え、
前記複数本のデータ線は、複数のデータ線群として分けられ、複数のデータ線群のそれぞれが第1データ線と第2データ線を含み、
前記複数のデータ線群が、それぞれ、データ信号を提供するように、前記複数の画素列と1対1で対応して電気的に接続される、請求項18または19に記載の表示基板。 - 前記複数の画素行におけるn番目の画素行とn+1番目の画素行において同じ画素列に位置する2つのサブ画素が1つの画素群を構成し、1つのデータ線を共有し、nが0より大きい奇数又は偶数である、請求項20に記載の表示基板。
- 前記第2方向において、複数の画素群が前記第1データ線及び前記第2データ線に交互に接続される、請求項21に記載の表示基板。
- 前記複数のサブ画素のそれぞれは、前記複数本のデータ線と同じ層に絶縁設置される遮蔽電極をさらに含み、
各前記画素群における二つのサブ画素の遮蔽電極は、前記第1方向に沿う対称軸に関して対称であり、相互に接続されて一体的な構造になる、請求項21または22に記載の表示基板。 - 各サブ画素列に位置する遮蔽電極が一つの遮蔽電極列を構成し、
前記複数の遮蔽電極列と前記複数のデータ線群は、1対1で対応して設置され、
各遮蔽電極列が対応するデータ線群における第1データ線と第2データ線との間に位置する、請求項23に記載の表示基板。 - 前記複数のサブ画素のそれぞれは、前記駆動サブ回路の第2端と前記発光素子とを接続するための第1接続電極をさらに備え、前記複数のサブ画素のぞれぞれの遮蔽電極は第1接続電極と同じ層に絶縁設置され、且つ前記第2方向に沿って配置される、請求項23または24に記載の表示基板。
- 前記遮蔽電極は、本体部と突出部とを備え、
前記突出部は、前記本体部の第1接続電極に近接する一端から延出し、
前記突出部は、第1ブランチと第2ブランチを備え、
前記突出部の第1ブランチが前記第1方向に沿って延伸すると共に、前記本体部に接続され、前記突出部の第2ブランチが前記第2方向D2であって前記第1接続電極に近接する方向に沿って延伸すると共に、前記遮蔽電極と前記第1接続電極との間の隙間と第1方向D1において重なる、請求項25に記載の表示基板。 - 前記第1方向に沿って延伸する複数本の第1電源線をさらに含み、
前記複数本の第1電源線のそれぞれは、隣接する二つの画素行の間に位置し、第2電源電圧を提供するように、前記隣接する二つの画素行におけるサブ画素の記録サブ回路の第2端子に電気的に接続される、請求項20-26のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記第1方向に沿って延伸する複数本の第2電源線をさらに含み、
前記複数本の第2電源線、前記複数本の第1電源線、前記第1走査線と前記第2走査線が同じ層に絶縁設置され、且つ前記第2導電層に位置し、
前記複数本の第2電源線と前記複数の画素行とが1対1で対応して電気的に接続され、前記複数本の第2電源線のそれぞれは、第1電源電圧を提供するように、対応する画素行のサブ画素の駆動サブ回路に電気的に接続される、請求項27に記載の表示基板。 - 前記第2方向に沿って延伸する複数本の第3電源線と複数本の第4電源線をさらに含み、
前記複数本の第3電源線、前記複数本の第4電源線及び前記複数本のデータ線が同じ層に絶縁的に前記第3導電層に設置され、前記第3導電層が前記第2導電層の前記ベース基板から離れる側に位置し、
前記複数本の第3電源線はそれぞれ第1ビアを介して第1電源線のぞれぞれに電気的に接続され、前記複数本の第4電源線はそれぞれ第2ビアを介して第2電源線のぞれぞれに電気的に接続される、請求項28に記載の表示基板。 - 前記複数本の第3電源線及び前記複数本の第4電源線は、前記第1方向において1つずつ交互に配置され、
各データ線群は隣接する第3電源線と第4電源線との間に位置する、請求項29に記載の表示基板。 - 前記第2方向に沿って延伸する複数本の第4電源線と複数本の第5電源線をさらに含み、
前記複数本の第5電源線、前記複数本の第6電源線が同じ層に間隔を空けて前記第4導電層に設置され、前記第4導電層が前記第3導電層の前記ベース基板から離れる側に位置し、
前記複数本の第5電源線及び前記複数本の第6電源線は、前記第1方向において1つずつ交互に配置され、
前記複数本の第5電源線は前記複数本の第3電源線と1対1で対応して電気的に接続され、前記複数本の第6電源線は前記複数本の第4電源線と1対1で対応して電気的に接続される、請求項29または30に記載の表示基板。 - 前記複数のサブ画素のそれぞれは、第2接続電極をさらに備え、
前記第2接続電極は、前記第4導電層であって、隣接する第5電源線と第6電源線との間に位置し、
前記第2接続電極は、前記駆動サブ回路の第2端子と前記発光素子とを接続することに用いられる、請求項31に記載の表示基板。 - 前記第1方向に沿って延伸する複数本の第7電源線と複数本の第8電源線をさらに含み、
前記複数本の第7電源線、前記複数本の第8電源線が同じ層に間隔を空けて前記第2導電層に設置され、
前記複数本の第7電源線と前記複数本の第8電源線はそれぞれ前記複数の画素行に1対1で対応して設置され、前記複数本の第7電源線のそれぞれは、前記第2電源電圧を提供するように、対応する一つの画素行のサブ画素の記録サブ回路の第2端子に電気的に接続され、前記複数本の第8電源線は、前記第1電源電圧を提供するように、前記ベース基板の第1ドーピング領域に接続されることに用いられ、
前記複数本の第7電源線のぞれぞれの平均線幅が前記複数本の第1電源線のそれぞれの平均線幅よりも大きく、前記複数本の第8電源線のぞれぞれの平均線幅が前記複数本の第2電源線のそれぞれの平均線幅よりも大きい、請求項28-32のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記複数本のデータ線のそれぞれは、前記データ信号を提供するように、第3接続電極を介して前記第2導電層に位置する第4接続電極及び前記データ書き込みサブ回路の第1端子に電気的に接続され、
前記第3接続電極は、前記データ書き込みサブ回路の第1制御電極及び第2制御電極と同じ層に間隔を空けて設置される、請求項28-33のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記複数本の第2電源線のそれぞれは、前記第1電源電圧を提供するように、第5接続電極及び前記駆動サブ回路の第1端子に電気的に接続され、
第5接続電極と前記データ書き込みサブ回路の第1制御電極及び第2制御電極は、同じ層に間隔を空けて設置される、請求項28-34のいずれか1項に記載の表示基板。 - 前記複数本の第1電源線のそれぞれは、前記第2電源電圧を提供するように、少なくとも一つの第9電源線を介して前記ベース基板の第2ドーピング領域に接続され、前記少なくとも一つの第9電源線は、前記第1方向に沿って延伸し、前記データ書き込みサブ回路の第1制御電極及び第2制御電極と同じ層に間隔を空けて設置される、請求項27-35のいずれか1項に記載の表示基板。
- 表示装置であって、
請求項1-36のいずれか1項に記載の表示基板及び前記表示基板上にある前記発光素子を含み、前記発光素子の第1電極が前記抵抗器の第2端子に電気的に接続される、表示装置。
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WO2012137472A1 (ja) | 2011-04-05 | 2012-10-11 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置 |
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KR102021028B1 (ko) * | 2012-12-04 | 2019-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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CN103971636A (zh) * | 2014-04-22 | 2014-08-06 | 上海和辉光电有限公司 | 有源矩阵有机发光二极管驱动电路 |
CN103985352B (zh) | 2014-05-08 | 2017-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 补偿像素电路及显示装置 |
US9521723B2 (en) | 2014-06-11 | 2016-12-13 | Stmicroelectronics International N.V. | Integrated device comprising a matrix of OLED active pixels with improved dynamic range |
KR102296945B1 (ko) * | 2014-07-04 | 2021-09-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102263252B1 (ko) * | 2014-12-09 | 2021-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 표시 장치 |
CN104391411B (zh) | 2014-12-16 | 2017-06-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板 |
JP6533065B2 (ja) * | 2015-02-12 | 2019-06-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102600620B1 (ko) * | 2016-05-16 | 2023-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
US10360854B2 (en) | 2017-06-14 | 2019-07-23 | Lg Display Co., Ltd. | Gate driving circuit having a compensating auxiliary load and display device using the same |
CN107403810B (zh) * | 2017-07-21 | 2022-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
CN107424569A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置 |
CN107610636B (zh) | 2017-10-30 | 2021-02-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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CN108598139B (zh) * | 2018-06-26 | 2021-04-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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