JP2023513270A - 半導体デバイスの欠陥検査方法、装置及び可読記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
前記半導体ウェハの露光パターンの欠陥検査位置を決定し、前記半導体ウェハの露光パターンの前記プロセス情報の条件での揺らぎの確率、及び/又は、前記半導体ウェハの露光パターンの前記マスクパターン情報の条件での揺らぎの確率をシミュレートし統計するステップS2と、
前記揺らぎの確率の合成値に基づき、前記半導体ウェハの露光パターンの欠陥検査頻度を設定するステップS3とを含む。
好ましくは、前記レジスト材料は、酸触媒型レジスト材料を含む。
好ましくは、前記酸触媒型レジスト材料は、化学増幅型レジストであり、ベース樹脂、感光剤のPAG及び/又はクエンチャーを含む。
好ましくは、前記レジスト材料は、金属酸化物型のレジスト又は主鎖切断型のレジストを含む。
好ましくは、前記マスク情報は、マスクパターンの寸法及び/又はマスクパターンの位置座標である。
前記半導体ウェハの露光パターンの欠陥検査位置を決定し、前記半導体ウェハの露光パターンの前記プロセス情報の条件での揺らぎの確率、及び/又は、前記半導体ウェハの露光パターンの前記マスクパターン情報の条件での揺らぎの確率をシミュレートし統計する統計モジュールと、
前記揺らぎの確率の合成値に基づき、前記半導体ウェハの露光パターンの欠陥検査頻度を設定する決定モジュールとを含む。
図2に示すように、図2は、本発明の実施例1の半導体ウェハ欠陥検査装置の構造模式図である。本実施例においては、用いられたレジスト材料の情報は、化学増幅型レジストであり、ベース樹脂としてアダマンタン樹脂を用い、感光剤であるPAG(PAG、Photo Acid Generator、例えば、トリフェニルトリフレート塩)の濃度を20wt%で、入力されたレジスト材料が化学増幅型レジストであり、入力されたレジストの膜厚が50nmであり、高分子ポリマーをベース樹脂とし、この樹脂の一部に酸の攻撃により分解する官能基を設け、この樹脂に酸発生剤、クエンチャーなどを混合した材料が用いられ、化学増幅型レジストのEUV光の吸収係数が50%である。
図3に示すように、図3は、本発明の実施例2の半導体ウェハ欠陥検査装置の構造模式図である。本実施例においては、本発明の実施例2として、波長13.5nmのEUV光を用いて最小加工寸法10nm角のコンタクトホールパターンを有した半導体ウェハに対して露光を行い、製造工程において、半導体ウェハのプロセス情報に含まれる露光量が20mJ/cm2であり、レジスト材料として化学増幅型レジストを用いる。レジストは、ベース樹脂としてアダマンタン樹脂を用い、感光剤であるPAG(トリフェニルトリフレート塩)の濃度を20wt%で、入力レジストの膜厚が50nmであり、高分子ポリマーをベース樹脂とし、この樹脂の一部に酸の攻撃により分解する官能基を設け、この樹脂に酸発生剤、クエンチャーなどを混合した材料が用いられ、化学増幅型レジストのEUV光吸収係数は、50%である。これらのプロセス情報、レジスト材料情報及びマスクパターンの寸法情報等に基づき、シミュレーションソフトウェアにより半導体ウェハの露光パターン寸法の揺らぎを直接に計算することができ、最大20.5%の寸法変動が予測され、この数字の値は、欠陥の発生頻度が非常に高いことを示す。故に、検査する条件として、マスクパターンの寸法情報誤差の大きい80%のパターンに対して相応する欠陥検査頻度を局部的に設定し、欠陥検査頻度での当該局部の半導体ウェハ露光パターンに対して欠陥検査を行う。この結果、全ての半導体ウェハの露光パターンに対して半導体欠陥検査を行った場合に比べ、検査時間を20%低減することができる。
図4に示すように、図4は、本発明の実施例3の半導体ウェハ欠陥検査装置の構造模式図である。本実施例においては、本発明の実施例3として、仮に、波長13.5nmのEUV光を用いて最小加工寸法10nm角のコンタクトホールパターンを有した半導体ウェハに対して露光を行い、製造工程において、半導体ウェハのプロセス情報に含まれる露光量は、20mJ/cm2であり、レジストのEUV光の吸収係数は、80%である。言い換えれば、入射するフォトンの揺らぎは、実施例1、2と変わりは無いが、レジストの吸収係数が大きいため、吸収されるフォトンの数が、多くショットノイズによるバラツキは小さく、3σ値で3%の変動が予測された。さらに、当該実施例においては、レジストが金属酸化物材料であり、金属酸化物材料により構成される分子の大きさが非常に小さく、且つ全ての分子が反応する可能性が有るため、ショットノイズの影響が無視できるため、半導体ウェハの露光パターン寸法の最大のパターン揺らぎは、フォトンショットノイズで決まると予測された。上述した入力した半導体ウェハのプロセス情報に基づき、半導体欠陥検査頻度を10%の抜き取り検査と設定して、半導体欠陥検査を行い、検査時間を従来の1/10と大幅に短縮することができる。
Claims (10)
- DUV光若しくは電子線のエネルギー線を用いて半導体ウェハに対してフォトレジストを行った時の欠陥検査頻度を決定するための半導体ウェハ欠陥の検査方法であって、
前記半導体ウェハの露光パターンのプロセス情報、マスクパターン情報及び/又は前記半導体ウェハと同じ露光パターンを持ち、同じプロセス処理を経たウェハでの欠陥検査頻度の情報を受け取るステップS1と、
前記半導体ウェハの露光パターンの欠陥検査位置を決定し、前記半導体ウェハの露光パターンの前記プロセス情報の条件での揺らぎの確率、及び/又は、前記半導体ウェハの露光パターンの前記マスクパターン情報の条件での揺らぎの確率をシミュレートし統計するステップS2と、
前記揺らぎの確率の合成値に基づき、前記半導体ウェハの露光パターンの欠陥検査頻度を設定するステップS3とを含むことを特徴とする半導体ウェハ欠陥の検査方法。 - ステップS3の後は、前記欠陥検査頻度に基づき、前記欠陥検査位置の前記半導体ウェハの露光パターンの部分又は全部に対して欠陥検査を行うステップS4を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ欠陥の検査方法。
- 前記プロセス情報は、露光工程におけるエネルギー線のエネルギー、露光量、レジスト材料の感光機構、吸収係数、レジスト材料を構成する各種材料の種類、レジストのそれぞれの分子量及び/又はレジスト膜厚を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ欠陥の検査方法。
- 前記レジスト材料は、酸触媒型レジスト材料を含むことを特徴とする請求項1、2又は3に記載の半導体ウェハ欠陥の検査方法。
- 前記酸触媒型レジスト材料は、化学増幅型レジスト、ベース樹脂、感光剤のPAG及び/又はクエンチャーを含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体ウェハ欠陥の検査方法。
- 前記レジスト材料は、金属酸化物型のレジスト又は主鎖切断型のレジストを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ欠陥の検査方法。
- 前記マスク情報は、マスクパターンの寸法及び/又はマスクパターンの位置座標であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ欠陥の検査方法。
- DUV光若しくは電子線のエネルギー線を用いて半導体ウェハに対してフォトレジストを行った時の欠陥検査頻度を決定するための半導体ウェハ欠陥の検査装置であって、
前記半導体ウェハの露光パターンのプロセス情報、マスクパターン情報及び/又は前記半導体ウェハと同じ露光パターンを持ち、同じプロセス処理を経たウェハでの欠陥頻度の情報を受け取る入力モジュールと、
前記半導体ウェハの露光パターンの欠陥検査位置を決定し、前記半導体ウェハの露光パターンの前記プロセス情報の条件での揺らぎの確率、及び/又は、前記半導体ウェハの露光パターンの前記マスクパターン情報の条件での揺らぎの確率をシミュレートし統計する統計モジュールと、
前記揺らぎの確率の合成値に基づき、前記半導体ウェハの露光パターンの欠陥検査頻度を設定する決定モジュールとを含むことを特徴とする半導体ウェハ欠陥の検査装置。 - 前記欠陥検査頻度に基づき、前記欠陥検査位置の前記半導体ウェハの露光パターンの部分又は全部に対して欠陥検査を行う実行モジュールを更に含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体ウェハ欠陥の検査装置。
- 請求項1~7の何れか1つに記載の半導体ウェハ欠陥の検査方法を実行するための実行可能な命令を記憶していることを特徴とする可読記憶媒体。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000235949A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法 |
JP2001203144A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及び記録媒体 |
JP2001338870A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 走査露光装置及び方法、管理装置及び方法、ならびにデバイス製造方法 |
JP2002260979A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Toshiba Corp | パターン評価方法 |
JP2008028092A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | 不良確率の算出方法、パターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2017505462A (ja) * | 2014-02-11 | 2017-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 任意パターンにおける確率的変動を計算するためのモデル |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3406506B2 (ja) * | 1997-03-24 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | フォトマスクのパターン補正方法およびフォトマスクのパターン補正装置 |
US7796801B2 (en) * | 1999-08-26 | 2010-09-14 | Nanogeometry Research Inc. | Pattern inspection apparatus and method |
US7307001B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer repair method using direct-writing |
JP2007170827A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Toppan Printing Co Ltd | 周期性パターンの欠陥検査装置 |
JP5433631B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2014-03-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体デバイスの欠陥検査方法およびそのシステム |
US9619878B2 (en) * | 2013-04-16 | 2017-04-11 | Kla-Tencor Corporation | Inspecting high-resolution photolithography masks |
CN103887213B (zh) * | 2014-03-20 | 2017-05-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种调整检测频率的缺陷检测方法 |
KR102012884B1 (ko) * | 2015-01-23 | 2019-08-21 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 패턴 측정 장치 및 결함 검사 장치 |
KR102507304B1 (ko) * | 2017-10-30 | 2023-03-07 | 삼성전자주식회사 | 결함 검사 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
KR102409943B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
CN110618585B (zh) * | 2019-10-17 | 2022-05-27 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 监控光刻机晶圆移载台平整度的方法 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000235949A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法 |
JP2001203144A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及び記録媒体 |
JP2001338870A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 走査露光装置及び方法、管理装置及び方法、ならびにデバイス製造方法 |
JP2002260979A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Toshiba Corp | パターン評価方法 |
JP2008028092A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | 不良確率の算出方法、パターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2017505462A (ja) * | 2014-02-11 | 2017-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 任意パターンにおける確率的変動を計算するためのモデル |
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