JP2023166684A - めっき装置 - Google Patents
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Abstract
Description
<めっき装置の全体構成>
図1は、第1実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図2は、第1実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。本実施形態のめっき装置は、基板に対してめっき処理を施すために使用される。基板は、角形基板、円形基板を含む。図1、2に示すように、めっき装置1000は、ロード/アンロードモジュール100、搬送ロボット110、アライナ120、プリウェットモジュール200、プリソークモジュール300、めっきモジュール400、洗浄モジュール500、スピンリンスドライヤモジュール600、搬送装置700、および、制御モジュール800を備える。
は2台のプリウェットモジュール200が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール200の数および配置は任意である。プリソークモジュール300は、めっき処理前の基板の被めっき面の酸化膜をエッチングするためのモジュールである。本実施形態では2台のプリソークモジュール300が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール300の数および配置は任意である。
次に、めっきモジュール400の構成を説明する。本実施形態における24台のめっきモジュール400は同一の構成であるので、1台のめっきモジュール400のみを説明する。図3は、第1実施形態のめっきモジュール400の構成を概略的に示す縦断面図である。図3に示すように、めっきモジュール400は、めっき液を収容するためのめっき槽410を備える。めっき槽410は、上面が開口した円筒形の内槽412と、内槽412
の上縁からオーバーフローしためっき液を溜められるように内槽412の周囲に設けられた図示しない外槽と、を含んで構成される。
を減じた修正電位差ΔE123(=ΔE12-ΔE23)を算出する。つまり、基板Wfの被めっき面Wf-aの近くである第1位置とめっき槽410内の比較的電位変化がない第2位置との電位差(第1電位差ΔE12)から、比較的電位変化がない第2位置と第3位置との電位差(第2電位差ΔE23)を減じて修正電位差ΔE123が算出される。なお、第1電位センサ460が複数設けられている場合には、それぞれの第1電位センサ460に対して修正電位差ΔE123が算出されるとよい。めっき槽410内の電位の測定値の変化は非常に小さいものであり、ノイズの影響を受けやすい。これに対して、本実施形態では、比較的電位変化がない第2位置と第3位置との電位差(第2電位差ΔE23)を取得してノイズの影響を計測している。そして、第1電位差ΔE12から第2電位差ΔE23を減じることにより、ノイズの影響をキャンセルして、めっき電流の変化に対応して変化する第1位置の電位を好適に測定することができる。制御モジュール800は、こうして算出された修正電位差ΔE123に基づいて被めっき面Wf-aに形成されるめっき膜の膜厚を測定する。
また、制御モジュール800(膜厚測定モジュール)は、第1電位差ΔE12と第2電位差ΔE23とに基づいて、第1~第3電位センサ460,462a,462bの異常を検出することもできる。一例として、制御モジュール800は、めっき処理レシピに対する第1電位差ΔE12の適正範囲を予め記憶しておき、取得された第1電位差ΔE12が所定の判定時間にわたって適正範囲外となる場合には、第1電位センサ460または第2電位センサ462aに異常が生じていると判定することができる。また、制御モジュールは、取得された第2電位差ΔE23が所定の判定時間にわたって所定の適正範囲外となる場合には、第2電位センサ462aまたは第3電位センサ462bに異常が生じていると判定することができる。したがって、一例として制御モジュール800は、第1電位差ΔE12のみが所定の判定時間にわたって適正範囲外となる場合には第1電位センサ460に異常が生じていると判定することができる。また、制御モジュール800は、第1電位差ΔE12と第2電位差ΔE23との両方が所定の判定時間にわたって適正範囲外となる場合には第2電位センサ462aに異常が生じていると判定することができる。さらに、制御モジュール800は、第2電位差ΔE23のみが所定の判定時間にわたって適正範囲外となる場合には第3電位センサ462bに異常が生じていると判定することができる。ただし、こうした例に限定されず、制御モジュール800(膜厚測定モジュール)は、第1電位差ΔE12と第2電位差ΔE23とに基づいて、第1~第3電位センサ460,462a,462bの異常を検出してもよい。制御モジュール800は、第1~第3電位センサ460,462a,462bのいずれかに異常が生じた場合には、図示しないモニタまたはブザー等を用いてユーザーに異常を報知してもよい。
また、制御モジュール800(膜厚測定モジュール)は、修正電位差ΔE123に基づいて、めっき処理の終点検出をしてもよいし、めっき処理の終点までの時間予測をしても
よい。一例として、膜厚測定モジュールは、修正電位差ΔE123に基づいて、めっき膜の膜厚が所望の厚さとなったときに、めっき処理を終了してもよい。また、一例として、膜厚測定モジュールは、修正電位差ΔE123に基づいて、めっき膜の膜厚増加速度を算出し、所望の厚さとなるまでの時間、つまりめっき処理の終点までの時間を予測してもよい。
めっきモジュール400の構成の説明に戻る。一実施形態では、カソード領域422には、アノード430から基板Wfに流れる電流を遮蔽するための遮蔽体470が設けられる。遮蔽体470は、例えば誘電体材料からなる略板状の部材である。図5は、本実施形態の遮蔽体470と基板Wfとを下方から見た模式図である。なお、図5では、基板Wfを保持する基板ホルダ440の図示を省略している。遮蔽体470は、基板Wfの被めっき面Wf-aとアノード430との間に介在する遮蔽位置(図3および図5中、破線で示す位置)と、被めっき面Wf-aとアノード430との間から退避した退避位置(図3および図5中、実線で示す位置)とに移動可能に構成される。言い換えると、遮蔽体470は、被めっき面Wf-aの下方である遮蔽位置と、被めっき面Wf-aの下方から離れた退避位置とに移動可能に構成される。遮蔽体470の位置は、図示しない駆動機構により制御モジュール800によって制御される。遮蔽体470の移動は、モータまたはソレノイドなどの公知の機構により実現できる。図3および図5に示す例では、遮蔽体470は、遮蔽位置において、基板Wfの被めっき面Wf-aの外周領域の周方向の一部を遮蔽する。また、図5に示す例では、遮蔽体470は、基板Wfの中央方向に向かって細くなるテーパ状に形成されている。しかしながら、こうした例に限定されず、遮蔽体470は、実験などにより予め定められた任意の形状のものを使用することができる。
次に、本実施形態のめっきモジュール400におけるめっき処理についてより詳細に説明する。昇降機構442を用いて基板Wfをカソード領域422のめっき液に浸漬させることにより、基板Wfがめっき液に暴露される。めっきモジュール400は、この状態でアノード430と基板Wfとの間に電圧を印加することによって、基板Wfの被めっき面Wf-aにめっき処理を施すことができる。また、一実施形態では、回転機構448を用いて基板ホルダ440を回転させながらめっき処理が行われる。めっき処理により、基板Wf-aの被めっき面Wf-aに導電膜(めっき膜)が析出する。本実施形態では、めっき処理中に第1、第2、第3電位センサ460,462a,462bによるリアルタイムの検出がなされる。そして、制御モジュール800は、上記したように第1、第2、第3電位センサ460,462a,462bによる検出値に基づいてめっき膜の膜厚を測定する。これにより、めっき処理において基板Wfの被めっき面Wf-aに形成されるめっき膜の膜厚変化をリアルタイムに測定することができる。
る間、第1の回転速度Rs1より遅い第2の回転速度Rs2で基板Wfを回転させるものとしてもよい。こうすれば、特に、基板Wfの回転速度に対して、第1電位センサ460によるサンプリング周期が小さいような場合にも、精度よく基板Wfのめっき膜厚を推定することができる。ここで、第2の回転速度Rs2は、第1の回転速度Rs1の10分の1の速度などとしてもよい。
付近のめっき膜の膜厚が目標より大きいときにはアノードマスク426の開口寸法を小さくし、外周付近のめっき膜の膜厚が目標より小さいときにはアノードマスク426の開口寸法を大きくしてもよい。
図7は、第1実施形態の変形例のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。変形例のめっきモジュール400について、第1実施形態のめっきモジュール400と重複する部分については説明を省略する。変形例のめっきモジュール400では、第1電位センサ460を支持するためのセンサ支持体468が駆動機構468aによって移動可能に構成されている。これにより、センサ支持体468に支持された第1電位センサ460を移動させることができ、第1電位センサ460による検出位置を変更することができる。なお、限定するものではないが、駆動機構468aは、第1電位センサ460を基板Wfの半径方向に沿って移動させるように構成されてもよい。また、図7に示す例では、単一の第1電位センサ460がセンサ支持体468に取り付けられているが、こうした例に限定されず、複数の第1電位センサ460がセンサ支持体468に支持されて駆動機構468aによって移動可能に構成されてもよい。
図8は、第2実施形態のめっきモジュール400Aの構成を概略的に示す縦断面図である。第2実施形態では、基板Wfが鉛直方向に延在するように、つまり板面が水平方向を向くように保持される。図8に示すように、めっきモジュール400Aは、内部にめっき液を保持するめっき槽410Aと、めっき槽410A内に配置されたアノード430Aと、アノード430Aと、基板ホルダ440Aとを備えている。第2実施形態では、基板Wfとして角形基板を例に説明するが、第1実施形態と同様に、基板Wfは、角形基板、円形基板を含む。
板Wfの表面と平行に往復運動することで、基板Wfのめっき中に十分な金属イオンが基板Wfの表面に均一に供給されるようにめっき液を攪拌する。
図10は、変形例における、めっき槽内での基板Wfと第1~第3電位センサ460A,462Aa,462Abとを示す模式図である。図10に示す例では、4つの第1電位センサ460Aが、被めっき面の4隅に近い位置に設けられており、図示しない駆動機構によって、4隅から内側に向かって移動できるように構成されている。特に角形基板では、基板Wfの角部付近の膜厚分布が面内均一性に大きな影響を及ぼす傾向があるため、こうした第1電位センサ460Aの配置によって、基板Wfにおける好適な位置の膜厚を測定することができる。なお、図10に示す例では、4つの第1電位センサ460Aが設けられているが、1~3つ、又は5つ以上の第1電位センサ460Aが設けられてもよい。また、第1電位センサ460Aは、互いに同期して対称に移動するように構成されてもよい。
[形態1]形態1によれば、めっき装置が提案され、前記めっき装置は、めっき槽と、基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダに保持された基板と対向するように前記めっき槽内に配置されたアノードと、前記基板の被めっき面に形成されるめっき膜に関するパラメータを検出するためのセンサを有し、めっき処理中に前記センサの検出値に基づいて前記めっき膜の膜厚を測定する膜厚測定モジュールと、を備え、前記複数のセンサは、前記基板ホルダに保持された基板と前記アノードとの間の領域内の第1位置に配置された第1電位センサと、前記基板ホルダに保持された基板と前記アノードとの間の領域外の第2位置に配置された第2電位センサと、前記第2位置と異なる位置であって前記基板ホルダに保持された基板と前記アノードとの間の領域外の第3位置に配置された第3電位センサと、を含み、前記膜厚測定モジュールは、前記第1位置と前記第2位置との電位差である第1電位差と、前記第2位置と前記第3位置との電位差である第2電位差とを測定し、前記第1電位差と前記第2電位差との差に基づいて前記めっき膜の膜厚を測定する。
形態1によれば、めっき処理中にめっき膜の膜厚を測定することができる。これにより、基板に形成されるめっき膜の均一性の向上を図ることができる。
形態5によれば、基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる。
形態6によれば、遮蔽体を用いて、基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる。
形態7によれば、基板と抵抗体との距離を調整して、基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる。
形態8によれば、アノードマスクの開口寸法を調整して、基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる。
形態9によれば、基板を回転させてセンサによる基板の検出位置を変更することができ、めっき処理中に基板に形成されるめっき膜をより好適に検出することができる。
形態10によれば、基板の複数の位置のめっき膜の膜厚を測定することができる。
形態11によれば、基板の複数の位置のめっき膜の膜厚を測定することができる。
形態12によれば、基板の複数の位置のめっき膜の膜厚を測定することができる。
410、410A…めっき槽
416…パドル
420…メンブレン
426…アノードマスク
430、430A…アノード
440、440A…基板ホルダ
442…昇降機構
448…回転機構
450…抵抗体
452…駆動機構
454…調整板
460、460A…第1電位センサ
462a、462Aa…第2電位センサ
462b、462Ab…第3電位センサ
470…遮蔽体
800、800A…制御モジュール
1000…めっき装置
Wf…基板
Wf-a…被めっき面
Claims (14)
- めっき槽と、
基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダに保持された基板と対向するように前記めっき槽内に配置されたアノードと、
前記基板の被めっき面に形成されるめっき膜に関するパラメータを検出するためのセンサを有し、めっき処理中に前記センサの検出値に基づいて前記めっき膜の膜厚を測定する膜厚測定モジュールと、
を備え、
前記複数のセンサは、
前記基板ホルダに保持された基板と前記アノードとの間の領域内の第1位置に配置された第1電位センサと、
前記基板ホルダに保持された基板と前記アノードとの間の領域外の第2位置に配置された第2電位センサと、
前記第2位置と異なる位置であって前記基板ホルダに保持された基板と前記アノードとの間の領域外の第3位置に配置された第3電位センサと、を含み、
前記膜厚測定モジュールは、前記第1位置と前記第2位置との電位差である第1電位差と、前記第2位置と前記第3位置との電位差である第2電位差とを測定し、前記第1電位差と前記第2電位差との差に基づいて前記めっき膜の膜厚を測定する、
めっき装置。 - 前記膜厚測定モジュールは、前記第1電位差と前記第2電位差との差に基づいてめっき処理中の前記基板内でのめっき電流の分布を推定するように構成される、請求項1に記載のめっき装置。
- 前記膜厚測定モジュールは、推定した前記基板内でのめっき電流の分布に基づいて、前記基板内での前記めっき膜の膜厚分布を推定するように構成される、請求項2に記載のめっき装置。
- 前記アノードと前記基板との間に配置された抵抗体を備え、
前記第1電位センサは、前記抵抗体と前記基板ホルダに保持された基板との間に配置される、
請求項1から3の何れか1項に記載のめっき装置。 - めっき処理中に、前記膜厚測定モジュールによって測定される前記めっき膜の膜厚に基づいて、めっき条件を調整するめっき条件調整モジュールを更に備える、請求項1から4の何れか1項に記載のめっき装置。
- 前記基板の前記被めっき面と前記アノードとの間に介在する遮蔽位置と、前記基板の前記被めっき面と前記アノードとの間から退避した退避位置と、に移動可能な遮蔽体を更に備え、
前記めっき条件調整モジュールは、前記めっき条件の調整として、前記遮蔽体の位置を調整する、
請求項5に記載のめっき装置。 - 前記アノードと前記基板との間に配置された抵抗体と、
前記基板と前記抵抗体との距離を変更可能な駆動機構と、を備え、
前記めっき条件調整モジュールは、前記めっき条件の調整として、前記基板と前記抵抗体との距離を変更する、
請求項5または6に記載のめっき装置。 - 前記アノードの上方に設けられ、開口寸法を変更可能なアノードマスクを更に備え、
前記めっき条件調整モジュールは、前記めっき条件の調整として、前記アノードマスクの前記開口寸法を変更する、
請求項5から7の何れか1項に記載のめっき装置。 - 前記基板ホルダを回転させる回転機構を更に備え、
前記膜厚測定モジュールは、前記回転機構による前記基板の回転を伴って、前記めっき膜の膜厚を測定するように構成される、
請求項1から9の何れか1項に記載のめっき装置。 - 前記第1電位センサは、前記基板の外周部から内周部にわたって複数設けられている、請求項1から9の何れか1項に記載のめっき装置。
- 前記第1電位センサは、前記基板の外縁に沿って複数設けられている、請求項1から9の何れか1項に記載のめっき装置。
- 前記膜厚測定モジュールは、めっき処理中に、前記第1電位センサを前記基板の板面に沿って移動させるように構成される、請求項1から9の何れか1項に記載のめっき装置。
- 前記基板ホルダは、前記めっき槽内において、前記被めっき面を下方に向けた状態で前記基板を保持するように構成される、請求項1から12の何れか1項に記載のめっき装置。
- 前記基板ホルダは、前記めっき槽内において、前記被めっき面を側方に向けた状態で前記基板を保持するように構成される、請求項1から12の何れか1項に記載のめっき装置。
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