JP2023132402A - 保持装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施形態の静電チャック10の外観構成を概略的に示す斜視図である。図2は、静電チャック10のXZ断面構成を概略的に示す説明図である。図1、図2には、方向を特定するために、互いに直交するXYZ軸が示されている。図2において、Y軸正方向は、紙面裏側に向かう方向である。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック10は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。本実施形態における静電チャック10を、「保持装置」とも呼ぶ。
E1>E2かつ、
ε1<ε2かつ、
t1<t2を
満たす。
このときセラミックス基板100が圧縮方向に受ける力は約3MPa程度となる。
このときセラミックス基板100が圧縮方向に受ける力は約0.8MPa程度となる。
このように、無機基板の厚みを薄くすることにより、セラミックス基板100が圧縮方向に受ける力が小さくなり、セラミックス基板100と無機基板300との界面における剥がれを抑制することができる。
上記実施形態の静電チャック10の実施例1~9と、比較例1~4を用いて、接合部上面温度、および剥がれを評価した。
実施例および比較例の保持装置は、下記の方法により製造された。
まず、従来公知の方法により、アルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを作製する。セラミックスグリーンシート上にヒータや吸着用電極、ビア、通気孔を作製し、複数のセラミックグリーンシートを積層して熱圧着した後、還元雰囲気下1400℃~1600℃で焼成を行い、セラミックス基板を得た。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、マイカ板を使用した。無機基板のヤング率は6000MPa、伸びは30%であり、硬化後の厚みは200μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
無機基板を所定のサイズに切断し、穴あけ加工を行い、シランカップリング剤を含む無機バインダーを塗布し、熱圧着によりセラミックス基板と接合した。
まず、実施例1と同様の手法で複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着した。実施例3では、無機基板として多孔質アルミナ基板を使用しており、上記の通り熱圧着されたセラミックグリーンシート積層体に、カーボンを含むアルミナグリーンシートを積層し、還元雰囲気下1400℃~1600℃で同時焼成を行う事でセラミックス基板と一体化した無機基板を得た。無機基板のヤング率は8000MPa、伸びは3%であり、硬化後の厚みは450μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.4W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、ガラスウールをシリカおよびアルミナを主成分とする金属アルコキシド溶液に含浸させ、乾燥、硬化させることで得られる緻密な無機基板を使用した。無機基板のヤング率は4000MPa、伸びは30%であり、硬化後の厚みは300μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、ガラスウールをシリカおよびアルミナを主成分とする金属アルコキシド溶液に含浸させ、乾燥、硬化させることで得られる緻密な無機基板を使用した。無機基板のヤング率は8000MPa、伸びは3%であり、硬化後の厚みは650μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、ガラスウールをシリカおよびアルミナを主成分とする金属アルコキシド溶液に含浸させ、乾燥、硬化させることで得られる緻密な無機基板を使用した。無機基板のヤング率は6000MPa、伸びは4%であり、硬化後の厚みは300μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、ガラスウールをシリカおよびアルミナを主成分とする金属アルコキシド溶液に含浸させ、乾燥、硬化させることで得られる緻密な無機基板を使用した。無機基板のヤング率は6000MPa、伸びは3%であり、硬化後の厚みは300μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、ガラスウールをシリカおよびアルミナを主成分とする金属アルコキシド溶液に含浸させ、乾燥、硬化させることで得られる緻密な無機基板を使用した。無機基板のヤング率は6000MPa、伸びは30%であり、硬化後の厚みは300μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、ガラスウールをシリカおよびアルミナを成分とする金属アルコキシド溶液に含浸させ、乾燥、硬化させることで得られる緻密な無機基板を使用した。無機基板のヤング率は6000MPa、伸びは5%であり、硬化後の厚みは300μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.8W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、ガラスウールをシリカおよびアルミナを主成分とする金属アルコキシド溶液に含浸させ、乾燥、硬化させることで得られる緻密な無機基板を使用した。無機基板のヤング率は4000MPa、伸びは30%であり、硬化後の厚みは150μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法で複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着した。比較例2では実施例3と同様に、無機基板として多孔質アルミナ基板を使用しており、上記の通り熱圧着されたセラミックグリーンシート積層体に、カーボンを含むアルミナグリーンシートを積層し、還元雰囲気下1400℃~1600℃で同時焼成を行う事でセラミックス基板と一体化した無機基板を得た。無機基板のヤング率は8000MPa、伸びは3%であり、硬化後の厚みは800μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、マイカ板を使用した。無機基板のヤング率は6000MPa、伸びは4%であり、硬化後の厚みは800μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.7W/(m・K)であった。
まず、実施例1と同様の手法でセラミックス基板を得た。
無機基板として、ガラスウールをシリカおよびアルミナを主成分とする金属アルコキシド溶液に含浸させ、乾燥、硬化させることで得られる緻密な無機基板を使用した。無機基板のヤング率は6000MPa、伸びは30%であり、硬化後の厚みは800μmに調整した。また無機基板の熱伝導率は0.8W/(m・K)であった。
以下に説明する方法により、実施例1~9、および比較例1~4の保持装置を測定した。
無機基板、および接合部のヤング率と伸びは材料の引張試験機(島津製作所製 AG-IS)によって測定した。硬化させた各材料を1cm幅×3cmの小片を作製し引張試験を行い、S-Sカーブからヤング率と伸びを得た。ここでヤング率は弾性変形領域で算出するものとする。試料は単独で硬化させた場合と、保持装置から切り出した場合のどちらでも良く、結果は同じとなる。
保持装置を断面視ができるよう短冊状に切断し、短冊状試験片のどちらか一方の端部から5cm間隔ごとに、光学顕微鏡を用いて厚みを測定した。測定した厚みの平均値を計算し、各層の厚みとした。
各材料の熱伝導率はレーザーフラッシュ法によって熱拡散率から算出した。計算に用いた密度はアルキメデス法により測定した。ここで試料は単独で硬化させた場合と、保持装置から切り出した場合のどちらでも良く、結果は同じとなる。
各材料の熱抵抗値は、測定した熱伝導率と厚みから算出した。
無機基板と接合部の間に熱電対を挿入した保持装置を用い、セラミックス部を250℃、冷却部を80℃で稼働させて温度を測定し、温度が上がりきった(略一定になった)ときの温度を接合部上面温度とした。
保持装置の剥がれは超音波探傷測定(日本電磁測器製 UVS-101)で測定した。保持装置の稼働前、およびセラミックス部を250℃、冷却部を80℃とした状態で200時間稼働させ室温に戻した後の保持装置について測定した。接合状態は稼働前後における超音波像の差から判断した。
表1は、実施例1~9、および比較例1~4の要件(後述する)適否と評価結果を示す。表1では、要件を満たすものに〇印、満たさないものに×印を付している。接合部上面温度は、180℃~200℃を△とし、180℃未満を〇とした。表2は分析結果を示す。
〔1〕無機基板のヤング率をE1、伸びをε1、厚みをt1とし、接合部のヤング率をE2、伸びをε2、厚みをt2としたとき、
E1>E2かつ、
ε1<ε2かつ、
t1<t2を
満たす。
〔2〕無機基板の厚みは、200μm以上、600μm以下である。
〔3〕無機基板の熱伝導率をλ1、接合部の熱伝導率をλ2としたとき、
λ1<λ2であり、
λ1は0.3W/(m・K)以上、1.0W/(m・K)以下である。
〔4〕無機基板の熱抵抗をθ1、接合部の熱抵抗をθ2としたとき、θ1<θ2である。
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
100…セラミックス基板
110…第1セラミックス部
120…第2セラミックス部
130…吸着電極
140…ヒータ
200…冷却部
210…冷媒流路
300、300P…無機基板
400…接合部
S1…第1面
S2…第2面
W…ウェハ
Claims (4)
- 対象物を保持する保持装置であって、
セラミックスを主成分とし、第1面と、前記第1面の裏面である第2面と、を有するセラミックス基板と、
無機材料を主成分とし、前記セラミックス基板より熱伝導率が低い無機基板であって、前記セラミックス基板に対して、前記第2面側に配置された無機基板と、
前記無機基板に対して、前記セラミックス基板とは反対側に配置された冷却部と、
前記無機基板と前記冷却部との間に配置され、前記無機基板と前記冷却部とを接合する接合部と、
を備え、
前記無機基板のヤング率をE1、伸びをε1、厚みをt1とし、前記接合部のヤング率をE2、伸びをε2、厚みをt2としたとき、
E1>E2かつ、
ε1<ε2かつ、
t1<t2を
満たすことを特徴とする、
保持装置。 - 請求項1に記載の保持装置であって、
前記無機基板の厚みは、200μm以上、600μm以下であることを特徴とする、
保持装置。 - 請求項1または請求項2に記載の保持装置であって、
前記無機基板の熱伝導率をλ1、前記接合部の熱伝導率をλ2としたとき、
λ1<λ2であり、
λ1は0.3W/(m・K)以上、1.0W/(m・K)以下であることを特徴とする、
保持装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の保持装置であって、
前記無機基板の熱抵抗をθ1、前記接合部の熱抵抗をθ2としたとき、
θ1<θ2であることを特徴とする、
保持装置。
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