JP2023131557A - 基板保持部材 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の外縁部の変形を抑制できるとともに、基板との密着性の不均一性を抑制することができる基板保持部材を提供する。【解決手段】基板保持部材１００は、セラミックス基材１１０を備えている。セラミックス基材１１０の上面１１１には、上面１１１の外周部に配置された環状の環状凸部１５２と、環状凸部１５２の内側に配置された複数の第１凸部１５７とが設けられている。環状凸部１５２は、第１部分１５３と、第１部分１５３よりも径方向の内側に向かって延びる第２部分１５４とを有する。【選択図】 図１

Description

本発明は、シリコンウェハ等の基板を保持する基板保持部材に関する。

特許文献１には、ウェハなどの基板を保持する静電チャックが開示されている。特許文献１に記載の静電チャックは、基板が載置される基体と、基体の上面から突出して基板を支持する複数の凸部（突起）と、基体の外周縁部の上面から環状に突出して基板を支持する環状凸部（シールリング）とを備える。

特開２００９－１１１２４３号公報

特許文献１に記載の静電チャックにおいては、シールリングは円環形状を有しており、シールリングの幅は一定である。なお、静電チャックに載置される基板は必ずしも完全に平坦な円板形状であるとは限られない。例えば、基板の全面又は外縁部が反っていたり撓んだりしたりする場合がある。このような基板を、一定の幅を有する円環状のシールリングで支持する場合には、シールリングと基板との接触面積が円周方向全体にわたって一様とはならないことがある。それに起因して、基板の外縁部の一部から局所的ガスの流入、流出が生じて、プロセスガスの圧力制御不良が発生することがある。また、基体にヒータが内蔵されている場合には、基板とシールリングとの接触面における熱の伝わりが一様でない場合がありうる。

本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであり、基板の外縁部の変形を抑制できるとともに、基板との密着性の不均一性を抑制することができる基板保持部材を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、上面、前記上面と上下方向において対向する下面を有するセラミックス基材を備え、
前記セラミックス基材は、
前記セラミックス基材の前記上面の外周部に配置され、且つ、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する環状の凸部と、
前記セラミックス基材の前記上面の、前記環状の凸部の内側に配置され、且つ、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する複数の凸部と、を備え、
前記環状の凸部は、
円周方向に沿って延びる第１部分と、
前記第１部分から、径方向の外側又は内側に向かって延びる第２部分とを有し、
前記第２部分の中心角βは、
１０°≦β
であることを特徴とする、基板保持部材が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、上面、前記上面と上下方向において対向する下面を有するセラミックス基材を備え、
前記セラミックス基材は、
前記セラミックス基材の前記上面の外周部に配置され、且つ、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する環状の凸部と、
前記セラミックス基材の前記上面の、前記環状の凸部の内側に配置され、且つ、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する複数の第１凸部と、を備え、
前記環状の凸部は、円周方向の所定の間隔ごとに、円周方向とは異なる方向に延びる複数の周期部分を有することを特徴とする、基板保持部材が提供される。

上記第１の態様においては、セラミックス基材の外周部に環状の凸部が設けられているので、基板をセラミックス基材の上面に向かって吸着させたとき、基板の外縁部が変形することを抑制することができる。但し、環状の凸部が真円の円環状の形状を有している場合、基板と環状の凸部とが均一に密着しないことがある。これに対して、上記第１の態様においては、環状の凸部に第２部分が形成されている。これにより、基板と環状の凸部との接触面積を増やして、基板と環状の凸部との密着性の不均一性を改善することができる。

上記第２の態様においては、セラミックス基材の外周部に環状の凸部が設けられているので、基板をセラミックス基材の上面に向かって吸着させたとき、基板の外縁部が変形することを抑制することができる。但し、上述のように、環状の凸部が真円の円環状の形状を有している場合、基板と環状の凸部とが均一に密着しないことがある。これに対して、上記第２の態様においては、環状の凸部は、円周方向の所定の間隔ごとに、円周方向とは異なる方向に延びる複数の周期部分を有している。そのため、基板と環状の凸部との接触面積を増やして、基板と環状の凸部との密着性の不均一性を改善することができる。

図１は、基板保持部材１００の概略説明図である。 図２は、電極１２０の概略説明図である。 図３は、基板保持部材１００の一部分を示した概略説明図である。 （ａ）～（ｅ）は、セラミックス基材１１０の製造方法の流れを示す図である。 （ａ）～（ｄ）は、セラミックス基材１１０の別の製造方法の流れを示す図である。 図６は、比較例の基板保持部材１００Ａの図３相当図である。 図７は、実施例２の基板保持部材１００の図３相当図である。 図８は、実施例３の基板保持部材１００の図３相当図である。 図９は、実施例４の基板保持部材１００の図３相当図である。 図１０は、実施例５の基板保持部材１００の図３相当図である。 図１１は、静電吸着用電極１２４の概略説明図である。 図１２は、シャフト１３０を有する基板保持部材１００の概略外観図である。 実施例１～６及び比較例の結果をまとめた表である。 基板保持部材１００の製造方法を示すフローチャートである。

＜基板保持部材１００＞
本発明の実施形態に係る基板保持部材１００について、図１、２を参照しつつ説明する。本実施形態に係る基板保持部材１００は、シリコンウェハなどの半導体ウェハ（以下、単にウェハ１０という）の加熱に用いられるセラミックスヒータである。なお、以下の説明においては、基板保持部材１００が使用可能に設置された状態（図１の状態）を基準として上下方向５が定義される。図１に示されるように、本実施形態に係る基板保持部材１００は、セラミックス基材１１０と、電極１２０と、シャフト１３０と、給電線１４０とを備える。

セラミックス基材１１０は、直径１２インチ（約３００ｍｍ）の円形の板状の形状を有する部材であり、セラミックス基材１１０の上には加熱対象であるウェハ１０が載置される。図１に示されるように、セラミックス基材１１０の上面１１１には、環状の凸部１５２（以下、単に環状凸部１５２という）と、複数の凸部１５６とが設けられている。セラミックス基材１１０の内部には、後述の第１ガス流路１６４が形成されている。セラミックス基材１１０は、例えば、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、アルミナ、窒化ケイ素等のセラミックス焼結体により形成することができる。

図１に示されるように、環状凸部１５２は、セラミックス基材１１０の上面１１１の外周部（外縁部）に配置された略円環状の凸部であり、上面１１１から上方に突出している。図１に示されるように、ウェハ１０がセラミックス基材１１０の上に載置されたとき、環状凸部１５２の上面１５２ａはウェハ１０の下面と当接する。つまり、環状凸部１５２は、ウェハ１０がセラミックス基材１１０の上に載置されたときに、上下方向５においてウェハ１０と重なる位置に配置されている。環状凸部１５２には、円周方向に沿って延びる第１部分１５３と、第１部分１５３よりも径方向の内側に配置された、第２部分１５４とを含んでいる。環状凸部１５２に設けられた第２部分１５４の数は、１つであってもよく、２以上であってもよい。本実施形態においては、環状凸部１５２には３つの第２部分１５４が設けられている。

セラミックス基材１１０の上面１１１の、環状凸部１５２の内側には、複数の凸部１５６が設けられている。複数の凸部１５６はいずれも円柱形状を有している。複数の凸部１５６は、それぞれが正四角形の頂点の位置に配置されるように、正四角形配置されている。なお、凸部１５６が配置される位置及び／又は数は、用途、作用、機能に応じて適宜設定される。図１においては、複数の凸部１５６は全て、環状凸部１５２の内側に配置されている。本明細書においては、複数の凸部１５６のうち、環状凸部１５２の内側に配置されているものを第１凸部１５７と呼ぶ。また、複数の凸部１５６のうち、環状凸部１５２の外側に配置されているものを、第２凸部１５８と呼ぶ（図１０参照）。

環状凸部１５２の高さ（上面１１１からの上下方向５の長さ）は、５μｍ～２ｍｍの範囲にすることができる。同様に、複数の凸部１５６の高さも、５μｍ～２ｍｍの範囲にすることができる。なお、図２に示されるように、環状凸部１５２の高さを、複数の凸部１５６の高さと同じにすることができる。例えば、本実施形態においては、環状凸部１５２及び複数の凸部１５６の高さはいずれも１５０μｍである。また、環状凸部１５２の上面１５２ａと、複数の凸部１５６の上面１５６ａとの上下方向５の高さ位置が同一であってもよい。あるいは、環状凸部１５２の上面１５２ａの上下方向５の高さ位置が、複数の凸部１５６の上面１５６ａの高さ位置より１０μｍ程度低くてもよく、高くてもよい。なお、この場合には、セラミックス基材１１０の上面１１１からの環状凸部１５２の上面１５２ａの上下方向５の高さ位置と、複数の凸部１５６の上面１５６ａの上下方向５の高さ位置が異なっている場合がある。

環状凸部１５２の第１部分１５３及び第２部分１５４は、一定の幅であることが望ましく、０．１ｍｍ～１０ｍｍにすることができる。環状凸部１５２の上面１５２ａの表面粗さＲａは１．６μｍ以下にすることができる。複数の凸部１５６の上面１５６ａの表面粗さＲａは１．６μｍ以下にすることができる。なお、環状凸部１５２の上面１５２ａ、及び、複数の凸部１５６の上面１５６ａの表面粗さＲａは０．４μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以下であることがさらに好ましく、０．１μｍ以下であることがさらに好ましい。例えば、本実施形態においては、環状凸部１５２の第１部分１５３及び第２部分１５４の幅は３ｍｍであり、環状凸部１５２の上面１５２ａ、及び、複数の凸部１５６の上面１５６ａの表面粗さＲａは０．４μｍである。

複数の凸部１５６の上面１５６ａは、直径０．１ｍｍ～５ｍｍの円形であることが好ましい。また、複数の凸部１５６の、各凸部１５６の離間距離は、１．５ｍｍ～３０ｍｍの範囲にすることができる。例えば、本実施形態においては、複数の凸部１５６の上面１５６ａは、直径２ｍｍの円形であり、複数の凸部１５６の離間距離は１０ｍｍである。

図１に示されるように、上面１１１には、第１ガス流路１６４の開口１６４ａが開口している。第１ガス流路１６４は、開口１６４ａを備えるガス流路であり、セラミックス基材１１０の内部に形成されている。第１ガス流路１６４は、開口１６４ａから下方に延びている。後述のように、第１ガス流路１６４の下端は、シャフト１３０の内部に形成された第２ガス流路１６８の上端に接合されている。

第１ガス流路１６４は、セラミックス基材１１０の上面１１１とウェハ１０の下面とによって画定される空間（間隙）にガスを供給するための流路として用いることができる。例えば、ウェハ１０とセラミックス基材１１０との間の伝熱のための伝熱ガスを供給することができる。伝熱ガスとして、例えば、ヘリウム、アルゴンのような不活性ガスや、窒素ガスなどを用いることができる。伝熱ガスは、第１ガス流路１６４を通じて、１００Ｐａ～４００００Ｐａの範囲内で設定された圧力で供給される。また、環状凸部１５２の上面１５２ａとウェハ１０の下面との隙間から、環状凸部１５２の内側の間隙にプロセスガスが侵入してくる場合には、第１ガス流路１６４を介して、ガスを排気することができる。この際、排気圧を調整することによって間隙の外側の圧力と、間隙の内側の圧力の差圧を調節することができる。これにより、ウェハ１０をセラミックス基材１１０の上面に向けて吸着させることができる。

図１に示されるように、セラミックス基材１１０の内部には、電極１２０（本発明の発熱体の一例）が埋設されている。図２に示されるように、電極１２０は帯状に裁断された金属製のメッシュや箔である。電極１２０の外径は２９８ｍｍである。電極１２０はセラミックス基材１１０の側面から露出しない。電極１２０の略中央には、給電線１４０（図１参照）と接続される端子部１２１が設けられている。電極１２０はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン及び／又はタングステンを含む合金のワイヤーを織ったメッシュや箔等の耐熱金属（高融点金属）により形成されている。タングステン、モリブデンの純度は９９％以上であることが好ましい。電極１２０の厚さは０．１５ｍｍ以下である。なお、電極１２０の抵抗値を高くして、基板保持部材１００の消費電流を低減させるという観点からは、ワイヤーの線径を０．１ｍｍ以下、電極１２０の厚さを０．１ｍｍ以下にすることが好ましい。また、帯状に裁断された電極１２０の幅は２．５ｍｍ～２０ｍｍであることが好ましく、５ｍｍ～１５ｍｍであることがさらに好ましい。本実施形態においては、電極１２０は、図２に示される形状に裁断されているが電極１２０の形状はこれには限られず、適宜変更しうる。なお、セラミックス基材１１０の内部には電極１２０に加えて、あるいは、電極１２０に代えて、ウェハ１０をクーロン力により上面１１１に引き付けるための静電チャック電極及びセラミックス基材１１０の上方にプラズマを発生させるためのプラズマ電極のうち少なくとも一方が埋設されていてもよい。

図１に示されるように、セラミックス基材１１０の下面１１３には、シャフト１３０が接続されている。シャフト１３０は中空の略円筒形状の円筒部１３１と、円筒部１３１の下方に設けられた大径部１３２（図１２参照）を有する。大径部１３２は、円筒部１３１の径よりも大きな径を有している。以下の説明において、円筒部１３１の長手方向をシャフト１３０の長手方向６として定義する。図１に示されるように、基板保持部材１００の使用状態において、シャフト１３０の長手方向６は上下方向５と平行である。

なお、セラミックス基材１１０の下面１１３に、シャフト１３０との接合のための凸部１１４（以下、接合用凸部１１４と呼ぶ）を設けることができる（図１２参照）。接合用凸部１１４の形状は、接合されるシャフト１３０の上面の形状と同じであることが好ましく、接合用凸部１１４の直径は１００ｍｍ以下であることが好ましい。接合用凸部１１４の高さ（下面１１３からの高さ）は、２ｍｍ以上であればよく、５ｍｍ以上であることが好ましい。特に高さの上限に制限はないが、製作上の容易さを勘案すると、接合用凸部１１４の高さは２０ｍｍ以下であることが好ましい。また、接合用凸部１１４の下面は、セラミックス基材１００の下面１１３に平行であることが好ましい。接合用凸部１１４の下面の表面粗さＲａは１．６μｍ以下であればよい。なお、接合用凸部１１４の下面の表面粗さＲａは０．４μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以下であることがさらに好ましい。

円筒部１３１の上面は、セラミックス基材１１０の下面１１３（接合用凸部１１４が設けられている場合には、接合用凸部１１４の下面）に固定されている。なお、シャフト１３０は、セラミックス基材１１０と同じように、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、アルミナ、窒化ケイ素等のセラミックス焼結体により形成されてもよい。あるいは、断熱性を高めるために、セラミックス基材１１０より熱伝導率の低い材料で形成されてもよい。また、円筒部１３１の上面に、円筒部１３１の下方に設けられた大径部１３２と同様な拡径部が設けられてもよい。

図１に示されるように、シャフト１３０は中空の円筒形状を有しており、その内部（内径より内側の領域）には長手方向６に延びる貫通孔が形成されている。シャフト１３０の中空の部分（貫通孔）には、電極１２０に電力を供給するための給電線１４０が配置されている。給電線１４０の上端は、電極１２０の中央に配置された端子部１２１（図２参照）に電気的に接続されている。給電線１４０は、不図示のヒータ用電源に接続される。これにより、給電線１４０を介して電極１２０に電力が供給される。

また、図１に示されるように、シャフト１３０の円筒部１３１には、上下方向５に延びる第２ガス流路１６８が形成されている。上述のように、第２ガス流路１６８の上端は第１ガス流路１６４の下端に接続されている。

次に、基板保持部材１００の製造方法について説明する。以下では、セラミックス基材１１０及びシャフト１３０が窒化アルミニウムで形成される場合を例に挙げて説明する。

まず、セラミックス基材１１０の製造方法について説明する。図４（ａ）に示されるように、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末を主成分とする造粒粉Ｐをカーボン製の有床型５０１に投入し、パンチ５０２で仮プレスする。なお、造粒粉Ｐには、５ｗｔ％以下の焼結助剤（例えば、Ｙ_２Ｏ_３）が含まれることが好ましい。次に、図４（ｂ）に示されるように、仮プレスされた造粒粉Ｐの上に、所定形状に裁断された電極１２０を配置する。なお、電極１２０は、加圧方向に垂直な面（有床型５０１の底面）に平行になるように配置される。このとき、Ｗのペレット又はＭｏのペレットを電極１２０の端子１２１（図２参照）の位置に埋設してもよい。

図４（ｃ）に示されるように、電極１２０を覆うようにさらに造粒粉Ｐを有床型５０１に投入し、パンチ５０２でプレスして成形する。次に、図４（ｄ）に示されるように、電極１２０が埋設された造粒粉Ｐをプレスした状態で焼成する。焼成の際に加える圧力は、１ＭＰａ以上であることが好ましい。また、１８００℃以上の温度で焼成することが好ましい。次に、図４（ｅ）に示されるように、端子１２１を形成するために、電極１２０までの止まり穴加工を行う。なお、ペレットを埋設した場合には、ペレットまでの止まり穴加工を行えばよい。さらに、第１ガス流路１６４の一部となる貫通孔を形成する。これにより、内部に第１ガス流路１６４が形成されたセラミックス基材１１０を作製することができる。この場合、電極１２０が第１ガス流路１６４から露出しないように、予め所定のニゲを設けておく。

なお、セラミックス基材１１０は以下の方法によっても製造することができる。図５（ａ）に示されるように、窒化アルミニウムの造粒粉Ｐにバインダーを加えてＣＩＰ成型し、円板状に加工して、窒化アルミニウムの成形体５１０を作製する。次に、図５（ｂ）に示されるように、成形体５１０の脱脂処理を行い、バインダーを除去する。

図５（ｃ）に示されるように、脱脂された成形体５１０に、電極１２０を埋設するための凹部５１１を形成する。成形体５１０の凹部５１１に電極１２０を配置し、別の成形体５１０を積層する。なお、凹部５１１は予め成形体５１０に形成しておいてもよい。次に、図５（ｄ）に示されるように、電極１２０を挟むように積層された成形体５１０をプレスした状態で焼成し、焼成体を作製する。焼成の際に加える圧力は、１ＭＰａ以上であることが好ましい。また、１８００℃以上の温度で焼成することが好ましい。焼成体を作製した後の工程は、上述の工程と同様であるので、説明を省略する。

このようにして形成されたセラミックス基材１１０の上面１１１に対して研削を行い、研磨加工を行う。さらに、上面１１１に対してサンドブラスト加工を行うことにより、上面１１１に複数の凸部１５６及び環状凸部１５２を形成する。なお、複数の凸部１５６、環状凸部１５２を形成するための加工方法は、サンドブラスト加工が好適であるが、他の加工方法を用いることもできる。セラミックス基材１１０の下面１１３には、下面１１３から突出した接合用の凸部１１４が設けられてもよい（図１２参照）。

次に、シャフト１３０の製造方法及びシャフト１３０とセラミックス基材１１０との接合方法について説明する。まず、バインダーを数ｗｔ％添加した窒化アルミニウムの造粒粉Ｐを静水圧（１ＭＰａ程度）で成形し、成形体を所定形状に加工する。なお、シャフト１３０の外径は、３０ｍｍ～１００ｍｍ程度である。シャフト１３０の円筒部１３１の端面には円筒部１３１の外径より大きい径を有するフランジ部１３３が設けられてもよい（図１２参照）。円筒部１３１の長さは例えば、５０ｍｍ～５００ｍｍにすることができる。このとき、成形体に第２ガス流路１６８となる貫通孔を形成する。その後、成形体を窒素雰囲気中で焼成する。例えば、１９００℃の温度で２時間焼成する。そして、焼成後に焼結体を所定形状に加工することによりシャフト１３０が形成される。円筒部１３１の上面とセラミックス基材１１０の下面１１３とを、１６００℃以上、１ＭＰａ以上の一軸圧力下で、拡散接合により固定することができる。この場合には、セラミックス基材１１０の下面１１３の表面粗さＲａは０．４μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以下であることがさらに好ましい。また、円筒部１３１の上面とセラミックス基材１１０の下面１１３とを、接合剤を用いて接合することもできる。接合剤として、例えば、１０ｗｔ％のＹ_２Ｏ_３を添加したＡｌＮ接合材ペーストを用いることができる。例えば、円筒部１３１の上面とセラミックス基材１１０の下面１１３との界面に上記のＡｌＮ接合剤ペーストを１５μｍの厚さで塗布し、上面１１１に垂直な方向（シャフト１３０の長手方向６）に５ｋＰａの力を加えつつ、１７００℃の温度で１時間加熱することにより、接合することができる。あるいは、円筒部１３１の上面とセラミックス基材１１０の下面１１３とを、ねじ止め、ろう付け等によって固定することもできる。

以下、本発明について実施例及び比較例を用いて更に説明する。但し、本発明は、以下に説明する実施例及び比較例に限定されない。

［比較例］
比較例の基板保持部材１００Ａ（図６参照）について説明する。比較例においては、５ｗｔ％の焼結助剤（Ｙ_２Ｏ_３）を添加した窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を原料として、上述の作製方法により直径３００ｍｍ、厚さ２０ｍｍのセラミックス基材１１０を作製した。なお、電極１２０として、モリブデンメッシュ（線径０．１ｍｍ、メッシュサイズ＃５０、平織り）を図２の形状に裁断したものを作製し、このような電極１２０をセラミックス基材１１０に埋設した。セラミックス基材１１０の上面１１１に、内径２９２ｍｍ、外径２９８ｍｍ、幅３ｍｍ、上面１１１からの高さ１５０μｍの環状凸部１５２を形成した。なお、図６に示されるように、比較例の基板保持部材１００Ａにおいて、環状凸部１５２には、第２部分１５４は形成されていない。さらに、セラミックス基材１１０の上面１１１に、直径２ｍｍ、上面１１１からの高さ１５０μｍの円柱形状の複数の凸部１５６（第１凸部１５７）を形成した。上述のように、複数の凸部１５６は正四角形配置されており、各凸部間の距離は１０ｍｍとした。このように、比較例の基板保持部材１００Ａは、環状凸部１５２の高さが１５０μｍであり、複数の凸部１５６の高さが１５０μｍである。つまり、環状凸部１５２の高さと複数の凸部１５６の高さは同じである。言い換えると、環状凸部１５２の上面１５２ａの上下方向５の位置（高さ位置）と、凸部１５６の上面１５６ａの上下方向５の高さ位置とが同じである。なお、環状凸部１５２の上面１５２ａ及び凸部１５６の上面１５６ａの表面粗さＲａは、いずれも０．４μｍとした。

第１ガス流路１６４の開口１６４ａの直径は３ｍｍである。開口１６４ａの中心は、セラミックス基材１１０の中心から３０ｍｍの位置にある。

このような形状の基板保持部材１００Ａをプロセスチャンバに設置した。プロセスチャンバ内に、プロセスガスとしてアルゴンガスを２６６００Ｐａ（２００Ｔｏｒｒ）の圧力で供給した。さらに、第１ガス流路１６４を通じて、アルゴンガスを６６５０Ｐａ（５０Ｔｏｒｒ）の圧力に調節した。

そして、以下の手順で基板保持部材１００Ａの温度評価を行った。まず、セラミックス基材１１０の上に温度評価用のシリコンウェハを載せ、基板保持部材１００の電極１２０に不図示の外部電源を接続した。そして、定常状態でシリコンウェハの上面の温度が約４００℃となるように外部電源の出力電力を調整した。そして、上記の圧力でプロセスガスと伝熱ガスとしてのアルゴンガスの圧力を調節した。その後、温度評価用のシリコンウェハの、外縁から１ｍｍの領域を除く直径２９８ｍｍの領域の温度分布を赤外線カメラで計測した。温度評価用のシリコンウェハの、直径２９８ｍｍの領域における、最高温度と最低温度の差を温度差Δとした。また、温度評価用のシリコンウェハの、環状凸部１５２と上下方向に重なる位置に、局所的な高温部（ヒートスポット）が発生するかどうかを評価した。なお、温度評価用のシリコンウェハの平均温度に対して、３．０℃以上高温になる領域があった場合に、ヒートスポットが発生したと判断した。温度評価用のシリコンウェハは、直径３００ｍｍのシリコンウェハの上面に厚さ３０μｍの黒体膜をコーティングしたものである。黒体膜とは、放射率（輻射率）が９０％以上である膜であり、例えば、カーボンナノチューブを主原料とする黒体塗料をコーティングすることにより成膜することができる。比較例において、第１ガス流路１６４に流れるアルゴンガスのガス流量は２．１ｓｃｃｍであった。なお、アルゴンガスのガス流量はマスフローメータで調節した。温度評価用シリコンウェハの温度分布を評価すると、温度差Δは３．８℃であった。また、温度評価用シリコンウェハの、上下方向において環状凸部１５２と重なる環状の領域の一部に、ヒートスポットが発生した。

［実施例１］
図１、３に示されるように、実施例１の基板保持部材１００は、環状凸部１５２の一部に略矩形状の第２部分１５４が形成されていることを除いて、比較例の基板保持部材１００Ａと同じ形状を有する。第２部分１５４は、比較例においてヒートスポットが発生した部分をカバーするように設けられている。

実施例１において、比較例と同じ圧力でアルゴンガスを調節した。実施例１において、第１ガス流路１６４に流れるアルゴンガスのガス流量は０．８ｓｃｃｍであり、圧力制御に問題の無い流量であった。なお、アルゴンガスのガス流量はマスフローメータで調節した。温度評価用シリコンウェハの温度分布を評価すると、温度差Δは２．５℃であった。また、温度評価用シリコンウェハの、上下方向において環状凸部１５２と重なる環状の領域に、ヒートスポットの発生は認められなかった。

［実施例２］
実施例２の基板保持部材１００は、環状凸部１５２の形状が異なる点を除いて、実施例１の基板保持部材１００と同様である。図７に示されるように、実施例２の基板保持部材１００の環状凸部１５２には、第２部分１５４が円周方向に周期的に並んでいる。なお、第１部分１５３の円周方向の長さと、第２部分１５４の円周方向の長さはほぼ同じである。つまり、環状凸部１５２において、第１部分１５３の中心角αと、第２部分の中心角βとが同じである。言い換えると、環状凸部１５２は、円周方向に周期的に並んだ矩形波形の周期部分１５５を有している。また、実施例１と同じ圧力でアルゴンガスを調節した。実施例２において、第１ガス流路１６４を流れるアルゴンガスのガス流量は１．１ｓｃｃｍであった。温度評価用シリコンウェハの温度分布を評価すると、温度差Δは２．１℃であった。また、温度評価用シリコンウェハの、上下方向において環状凸部１５２と重なる領域に、ヒートスポットの発生は認められなかった。

［実施例３］
実施例３の基板保持部材１００は、環状凸部１５２の形状と、複数の凸部１５６の配置が異なることを除いて、実施例１の基板保持部材１００と同様である。図８に示されるように、実施例３の環状凸部１５２は円周方向に周期的に並んだ波形の周期部分１５５を有する。周期部分１５５は、中心角６°ごとに繰り返されている。波形の環状凸部１５２の、中心から最も遠い部分の径は２９８ｍｍであり、中心に最も近い部分の径は２８８ｍｍである。なお、環状凸部１５２の幅は２ｍｍである。複数の凸部１５６（第１凸部１５７）は、同心円状に配置されている。複数の第１凸部１５７の最外周に位置する最外周凸部１５７ａは、中心角６°ごとに配置されている。

実施例３においても、実施例１と同じ圧力でアルゴンガスを調節した。実施例３において、第１ガス流路１６４を流れるアルゴンガスのガス流量は０．８ｓｃｃｍであった。温度評価用シリコンウェハの温度分布を評価すると、温度差Δは２．０℃であった。また、温度評価用シリコンウェハの、上下方向において環状凸部１５２と重なる環状の領域に、ヒートスポットの発生は認められなかった。

［実施例４］
実施例４の基板保持部材１００は、環状凸部１５２の形状が異なることを除いて、実施例３の基板保持部材１００と同様である。図９に示されるように、実施例４の環状凸部１５２は円周方向に周期的に並んだ周期部分１５５を有する。１つの周期部分１５５は、Ｓ字型の部分と、Ｓ字型の部分を鏡映反転させた逆Ｓ字型の部分とを有している。各周期部分１５５がこのような形状を有しているため、図９に示されるように、環状凸部１５２は半径方向を横切る仮想線（直線）と複数の箇所で交差する。なお、周期部分１５５ｂは、中心角６°ごとに繰り返されている。実施例３と同様に、環状凸部１５２の、中心から最も遠い部分の径は２９８ｍｍであり、中心に最も近い部分の径は２８８ｍｍである。なお、環状凸部１５２の幅は２ｍｍである。実施例３と同様に、複数の凸部１５６（第１凸部１５７）は、同心円状に配置されている。複数の凸部１５７の最外周に位置する最外周凸部１５７ａは、中心角６°ごとに配置されている。

実施例４においても、実施例１と同じ圧力でアルゴンガスを調節した。実施例４において、第１ガス流路１６４を流れるアルゴンガスのガス流量は１．３ｓｃｃｍであった。温度評価用シリコンウェハの温度分布を評価すると、温度差Δは２．３℃であった。また、温度評価用シリコンウェハの、上下方向において環状凸部１５２と重なる環状の領域に、ヒートスポットの発生は認められなかった。

［実施例５］
実施例５の基板保持部材１００は、環状凸部１５２の形状と、複数の凸部１５６の配置が異なることを除いて、実施例３の基板保持部材１００と同様である。図１０に示されるように、実施例５の環状凸部１５２は円周方向に周期的に並んだ三角波形状の周期部分１５５を有する。周期部分１５５は、中心角６°ごとに繰り返されている。三角波形状の環状凸部１５２の、中心から最も遠い部分の径は２９８ｍｍであり、中心に最も近い部分の径は２８８ｍｍである。なお、環状凸部１５２の幅は２ｍｍである。複数の凸部１５６は、環状凸部１５２の内側に配置された複数の第１凸部１５７と、環状凸部１５２の外側に配置された複数の第２凸部１５８とを有している。複数の第１凸部１５７は同心円状に配置されている。複数の第１凸部１５７の最外周に位置する最外周凸部１５７ａは、中心角６°ごとに配置されている。同様に、複数の第２凸部１５８も中心角６°ごとに配置されている。

実施例５においても、実施例１と同じ圧力でアルゴンガスを調節した。実施例５において、第１ガス流路１６４を流れるアルゴンガスのガス流量は０．８ｓｃｃｍであった。温度評価用シリコンウェハの温度分布を評価すると、温度差Δは１．９℃であった。また、温度評価用シリコンウェハの、上下方向において環状凸部１５２と重なる環状の領域に、ヒートスポットの発生は認められなかった。

［実施例６］
実施例６の基板保持部材１００は、環状凸部１５２の高さが３０μｍであることと、図２に示される電極１２０に加えて、図１１に示される静電吸着用電極１２４をセラミックス基材１１０の上面より深さ１ｍｍの位置に埋設したことと、環状凸部１５２及び複数の凸部１５６（第１凸部１５７）の高さを１５μｍとしたこととを除いて、実施例３の基板保持部材１００と同様である。図１１に示されるように、静電吸着用電極１２４は２つの半円形状の電極１２４ａ、１２４ｂが所定の間隔（５ｍｍ）を隔てて向かい合うように配置されており、全体として略円形の形状を有している。静電吸着用電極１２４の外径は２９４ｍｍである。実施例６においては、電極１２４ａに＋５００Ｖ、電極１２４ｂに－５００Ｖの電圧を印加し、ウェハ１０を静電吸着した。実施例６の基板保持部材１００においては、不図示のヒータ電源により約５０Ｗのヒータ電力が供給された。また、実施例６においては、プロセスチャンバ内に、プロセスガスとして窒素ガスを１０Ｐａの圧力で供給した。第１ガス流路１６４にヘリウムガスを流した。第１ガス流路１６４を流れるヘリウムガスの圧力を６６５Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）に調節した。実施例６において、第１ガス流路１６４を流れるヘリウムガスのガス流量は０．６ｓｃｃｍであった。温度評価用シリコンウェハの温度分布を評価すると、温度差Δは１．０℃であった。また、温度評価用シリコンウェハの、上下方向において環状凸部１５２と重なる環状の領域に、ヒートスポットの発生は認められなかった。

＜実施例及び比較例のまとめ＞
図１３は、上述の実施例１～６及び比較例の結果をまとめた表を示している。

上述のように、実施例１～６の基板保持部材１００は、環状凸部１５２の内側に開口する開口１６４ａを有する第１ガス流路１６４を備えている。これにより、第１ガス流路１６４を流れるガスの流量及び／又は圧力を調整することができる。例えば、実施例１～５のように、セラミックス基材１１０の上面１１１と、環状凸部１５２と、ウェハ１０とに囲まれた空隙の圧力（実施例１～５では６６５０Ｐａ）を、プロセスチャンバ内のプロセスガスの圧力（実施例１～５では２６６００Ｐａ）よりも低く設定することができる。基板保持部材１１０の上面１１１と、環状凸部１５２と、ウェハ１０とに囲まれた空隙の圧力を、プロセスチャンバ内のプロセスガスの圧力よりも低くすることができるので、これらの差圧によりウェハ１０をセラミックス基材１１０の上面１１１に向かって吸着させてウェハ１０を保持することができる。あるいは、実施例６のように、基板保持部材１００が静電吸着用電極１２４を備えている場合には、静電気力によりウェハ１０をセラミックス基材１１０の上面１１１に向かって吸着させてウェハ１０を保持することができる。

ここで、比較例のように、環状凸部１５２に第２部分１５４又は周期部分１５５が形成されていない場合を考える。比較例のように、環状凸部１５２が円環状の形状を有している場合、基板保持部材１００の構造等に起因して、ウェハ１０と環状凸部１５２とが均一に密着しないことがある。なお、ウェハ１０と環状凸部１５２とが均一に密着しないことに関連する基板保持部材１００の構造等として、電極１２０のパターン、静電吸着用電極１２４の形状、基板保持部材１００が載置される減圧容器の環境、排気口の位置、ウェハ１０を載置するためのリフトピンの配置等があげられる。ウェハ１０と環状凸部１５２とが均一に密着しない場合には、ウェハ１０と環状凸部１５２とで画定される空間（バックガス空間）とプロセスチャンバとの間で局所的なガスのリークが生じることがある。また、ウェハ１０と環状凸部１５２とが均一に密着しないことに起因して、ウェハ１０の温度の不均一やウェハ１０の平坦度の不均一が生じる恐れがある。そのため、比較例においては、温度評価用シリコンウェハの温度分布を評価したときに、環状凸部１５２に沿ったヒートスポット領域が発生したと考えられる。

これに対して、実施例１においては、比較例における環状凸部１５２のヒートスポットが発生した領域を避けるように、第２部分１５４が形成されている。これにより、ウェハ１０と環状凸部１５２との接触面積を増やして、ウェハ１０と環状凸部１５２との密着性を改善することができる。その結果、上述のような局所的なガスのリークを抑制し、ガスのリークに起因するウェハ１０の温度の不均一やウェハ１０の平坦度の不均一を抑制することができる。

また、実施例２～６においては、環状凸部１５２はその全周にわたって周期的に設けられた周期部分１５５を有している。これにより、ウェハ１０と環状凸部１５２との接触面積を増やして、ウェハ１０と環状凸部１５２との密着性を改善することができる。その結果、上述のような局所的なガスのリークを抑制し、ガスのリークに起因するウェハ１０の温度の不均一やウェハ１０の平坦度の不均一を抑制することができる。

＜実施形態の作用効果＞
上記実施形態及び実施例１、２において、基板保持部材１００は、セラミックス基材１１０を備えている。セラミックス基材１１０の上面１１１には、上面１１１の外周部に配置され、且つ、上面１１１よりも上方に突出した環状の環状凸部１５２と、環状凸部１５２の内側に配置され、且つ、上面１１１よりも上方に突出した複数の凸部１５６とが設けられている。環状凸部１５２は、円周方向に沿って延びる第１部分１５３と、第１部分１５３よりも径方向の内側に位置する第２部分１５４を有している。第２部分１５４は、第１部分１５３から径方向の内側に向かって延びる部分を有している。また、第２部分１５４の中心角βは、β≧１０°である。なお、第２部分１５４が複数ある場合には、第２部分１５４の中心角βは、複数の第２部分１５４の中心角を合計した角度である。

セラミックス基材１１０の外周部に環状凸部１５２が設けられているので、ウェハ１０をセラミックス基材１１０の上面に向かって吸着させたとき、ウェハ１０の外縁部が変形することを抑制することができる。但し、上述のように、環状凸部１５２が真円の円環状の形状を有している場合、基板保持部材１００の構造等に起因して、ウェハ１０と環状凸部１５２とが均一に密着しないことがある。これに対して、上記実施形態及び実施例１、２においては、第２部分１５４が形成されている。これにより、ウェハ１０と環状凸部１５２との接触面積を増やして、ウェハ１０と環状凸部１５２との密着性の不均一性を改善することができる。その結果、上述のような局所的なガスのリークを抑制し、ガスのリークに起因するウェハ１０の温度の不均一やウェハ１０の平坦度の不均一を抑制することができる。

なお、図１４に示すように、基板保持部材１００を製造する際に、環状凸部１５２のどの位置に幅狭部分１５３を形成すればよいかについては、以下のようにして決定することができる。

上述の比較例のように、まず第２部分１５４を備えていない基板保持部材１００Ａを用意して（Ｓ１０）、基板保持部材１００Ａに温度評価用のシリコンウェハを保持した状態で温度評価用のシリコンウェハの温度分布を測定する（図１３：Ｓ２０）。測定された温度分布に基づいて、環状凸部１５２のどの位置でヒートスポットが発生しているかを特定する（Ｓ３０）。そして、例えば、実施例１のように、環状凸部１５２の、ヒートスポットが発生している位置に対応する領域に第２部分１５４を形成する（Ｓ４０）。これにより、ヒートスポットの発生を抑制することができ、ウェハ１０の温度分布を一様にすることができる。

上記実施例２～６においても、基板保持部材１００は、セラミックス基材１１０を備えている。セラミックス基材１１０の上面１１１には、上面１１１の外周部に配置され、且つ、上面１１１よりも上方に突出した環状の環状凸部１５２と、環状凸部１５２の内側に配置され、且つ、上面１１１よりも上方に突出した複数の凸部１５６とが設けられている。環状凸部１５２は、円周方向の所定の間隔ごとに、円周方向とは異なる方向に延びる複数の周期部分１５５を有している。そのため、上述のように、ウェハ１０と環状凸部１５２との接触面積を増やして、ウェハ１０と環状凸部１５２との密着性の不均一性を改善することができる。その結果、上述のような局所的なガスのリークを抑制し、ガスのリークに起因するウェハ１０の温度の不均一やウェハ１０の平坦度の不均一を抑制することができる。

また、ウェハ１０が平坦な形状ではなく反りのある形状を有していることがある。そのような場合には、比較例のような円環形状の環状凸部１５２では、環状凸部１５２の上面１５２ａのすべての領域で、環状凸部１５２の上面１５２ａとウェハ１０とが一様に密着することが困難となる。特にウェハ１０は外縁部で撓みやすいため、吸着力が円周方向にのみ働く比較例のような円環形状の環状凸部１５２では、環状凸部１５２の上面１５２ａとウェハ１０とが一様に密着せずに、口を開くリスクが大きかった。これに対して、実施例２～６のように、環状凸部１５２がその全周にわたって周期的に設けられた周期部分１５５を有している場合には、多様な反りのウェハ１０であってもウェハ１０の外縁部の吸着力を確保できる。その結果、ガスのリークに起因するウェハ１０の温度の不均一やウェハ１０の平坦度の不均一を抑制することができる。

上記実施例３～６において、環状凸部１５２の内側に配置された第１凸部１５７のうち、径方向の最も外側に位置する複数の最外周凸部１５７ａは、周期部分１５５と同じ周期で円周方向に並んで配置されている。このように、環状凸部１５２の周期部分１５５の周期性と、複数の第１凸部１５７（最外周凸部１５７ａ）の配置の周期性とを関連付けることにより、ウェハ１０の外縁部の平面度矯正の効果を上げることができる。その結果、ガスのリークに起因するウェハ１０の温度の不均一やウェハ１０の平坦度の不均一をさらに抑制することができる。

実施例５において、セラミックス基材１１０には、環状凸部１５２の外側に配置された複数の第２凸部１５８が設けられている。このように、環状凸部１５２の外側に第２凸部１５８が設けられていることにより、ウェハ１０の外縁部の平面度矯正の効果を上げることができる。その結果、ガスのリークに起因するウェハ１０の温度の不均一やウェハ１０の平坦度の不均一をさらに抑制することができる。

実施例４において、環状凸部１５２の周期部分１５５は、環状凸部１５２の中心から径方向に延びる仮想線を複数回横切るような形状（ラビリンス形状）を有している。これにより、環状凸部１５２とウェハ１０の外縁部との接触面積が増える。その結果、ガスのリークに起因するウェハ１０の温度の不均一やウェハ１０の平坦度の不均一を抑制することができる。

実施例６において、セラミックス基材１１０は、静電吸着用電極１２４を含んでいる。この場合には、ウェハ１０と静電吸着用電極１２４との間に静電吸着力が作用し、ウェハ１０を吸着することができる。また、環状凸部１５２を上記実施形態及び実施例１～６のような形状にすることにより、静電チャックを用いたプロセスでのウェハ１０の温度分布の均熱性を高め、局所的なヒートスポットの発生を抑制することができる。

実施例１～５において、セラミックス基材１１０はヒータ電極としての電極１２０を含んでいる。この場合には、ウェハ１０と環状凸部１５２とで画定される空間（バックガス空間）の圧力をプロセスガスの圧力より低くすることによって差圧による吸着力が作用し、ウェハ１０を吸着することができる。環状凸部１５２を上記実施形態及び実施例１～６のような形状にすることで発熱抵抗体を有するヒーターを用いたプロセスでのウェハ１０の温度分布の均熱性を高め、局所的なヒートスポットの発生を抑制することができる。

上記実施形態及び実施例１～６において、セラミックス基材１１０の下面１１３に筒状のシャフト１３０を接合することができる。これにより、基板保持部材１００の断熱性が向上し、ウェハ１０の温度分布の均熱性が向上する。

＜変更形態＞
上述の実施形態は、あくまで例示に過ぎず、適宜変更しうる。例えば、セラミックス基材１１０、シャフト１３０の形状、寸法は上記実施形態のものには限られず、適宜変更しうる。また、環状凸部１５２の高さ、幅等の寸法、形状、上面の表面粗さＲａの大きさは適宜変更しうる。また、複数の凸部１５６の高さ、上面１５６ａの形状、上面１５６ａの表面粗さＲａの大きさは適宜変更しうる。さらに、環状凸部１５２の第２部分１５４の位置、数、形状（中心角βの大きさ、周方向の長さなど）、環状凸部１５２の上面１５２ａの表面粗さＲａなども適宜変更しうる。また、環状凸部１５２における第１部分１５３の長さと第２部分１５４の長さの比も、第２部分１５４の中心角βが１０°≦βである限りにおいて、適宜変更しうる。

また、第２部分１５４は第１部分１５３よりも径方向の内側に位置することに限られず、第１部分１５３よりも径方向の外側に位置していてもよい。また、第２部分１５４の形状は、図１、３、７に示されるような矩形状の形状には限られず、適宜変更しうる。例えば、図８～１０に示される環状凸部１５２の周期部分１５５のような形状にすることができる。

例えば、複数の凸部１５６の上面１５６ａの形状は必ずしも円形でなくてもよく、任意の形状にすることができる。なお、その場合においても、直径０．１ｍｍ～５ｍｍの円と同程度の面積を有することが好ましい。また、上記説明において、複数の凸部１５６は同心円状に、又は、隙間無く敷き詰められた正四角形の頂点位置に分布するように配置されていたが、本発明はそのような態様には限られない。例えば、複数の凸部１５６がランダムな位置に分布するように配置されていてもよい。その場合であっても、複数の凸部１５６の、各凸部の離間距離は、１．５ｍｍ～３０ｍｍの範囲にあることが好ましい。

上記実施形態においては、電極１２０として、モリブデン、タングステン、モリブデン及び／又はタングステンを含む合金を用いていたが、本発明はそのような態様には限られない。例えば、モリブデン、タングステン以外の金属又は合金を用いることもできる。また、電極１２０は発熱体としてのヒータ電極であったが、電極１２０は必ずしも発熱体としてのヒータ電極である必要は無く、例えば、静電吸着用電極又は高周波電極であってもよい。

上記実施形態においては、基板保持部材１００は電極１２０を備えていたが、本発明はそのような態様には限られず、基板保持部材１００は必ずしも電極１２０を備えていなくてもよい。また、基板保持部材１００が電極１２０を備えている場合であっても、電極１２０は基板保持部材１００のセラミックス基材１１０に埋設されていなくてもよい。例えば、電極１２０がセラミックス基材１１０の裏面１１３に貼付されていてもよい。

上記実施形態においては、基板保持部材１００はシャフト１３０を備えていたが、本発明はそのような態様には限られず、基板保持部材１００は必ずしもシャフト１３０を備えていなくてもよい。また、基板保持部材１００がシャフト１３０を備えている場合であっても、シャフト１３０の円筒部１３１に、上下方向５に延びる第２ガス流路１６８が形成されていなくてもよい。例えば、第２ガス流路１６８に代えて、円筒部１３１の中空の領域（給電線１４０が設けられている領域）に、別途ガスの配管を設けることもできる。

以上、発明の実施形態及びその変更形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記の記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが当業者に明らかである。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれうることが請求の範囲の記載からも明らかである。

明細書、及び図面中において示した製造方法における各処理の実行順序は、特段に順序が明記されておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるので無い限り、任意の順序で実行しうる。便宜上、「まず、」「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するわけではない。

１００ 基板保持部材
１１０ セラミックス基材
１２０ 電極
１３０ シャフト
１４０ 給電線
１５２ 環状凸部
１５３ 第１部分
１５４ 第２部分
１５５ 周期部分
１５６ 複数の凸部

Claims (9)

1. 上面、前記上面と上下方向において対向する下面を有するセラミックス基材を備え、
   前記セラミックス基材は、
   前記セラミックス基材の前記上面の外周部に配置され、且つ、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する環状の凸部と、
   前記セラミックス基材の前記上面の、前記環状の凸部の内側に配置され、且つ、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する複数の凸部と、を備え、
   前記環状の凸部は、
   円周方向に沿って延びる第１部分と、
   前記第１部分から、径方向の外側又は内側に向かって延びる第２部分とを有し、
   前記第２部分の中心角βは、
   １０°≦β
   であることを特徴とする、基板保持部材。
2. 前記第２部分は、前記第１部分から、前記径方向の内側に向かって延びる請求項１に記載の基板保持部材。
3. 上面、前記上面と上下方向において対向する下面を有するセラミックス基材を備え、
   前記セラミックス基材は、
   前記セラミックス基材の前記上面の外周部に配置され、且つ、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する環状の凸部と、
   前記セラミックス基材の前記上面の、前記環状の凸部の内側に配置され、且つ、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する複数の第１凸部と、を備え、
   前記環状の凸部は、円周方向の所定の間隔ごとに、円周方向とは異なる方向に延びる複数の周期部分を有することを特徴とする、基板保持部材。
4. 前記複数の第１凸部のうち、径方向の最も外側に位置する複数の最外周凸部は、前記所定の間隔ごとに、前記円周方向に並んでいる請求項３に記載の基板保持部材。
5. 前記セラミックス基材は、さらに、前記セラミックス基材の前記上面の、前記環状の凸部の外側に配置され、且つ、前記セラミックス基材の前記上面よりも上方に突出する複数の第２凸部を有する請求項３又は４に記載の基板保持部材。
6. 前記環状の凸部は、前記環状の凸部の中心から径方向に延びる仮想線を複数回横切るような形状を有している請求項１～５のいずれか一項に記載の基板保持部材。
7. 前記セラミックス基材は、静電吸着用電極を含む請求項１～６のいずれか一項に記載の基板保持部材。
8. 前記セラミックス基材は、発熱抵抗体を含む請求項１～７のいずれか一項に記載の基板保持部材。
9. さらに、前記セラミックス基材の前記下面に接合された筒状のシャフトを備える請求項１～８のいずれか一項に記載の基板保持部材。
   
   
   

Images