JP2023126612A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態に係る発光装置1の斜視図である。図2は、図1で示した発光装置1の上面図である。図3は、発光装置1の構成要素を説明するための斜視図であり、蓋部材70が省略された斜視図である。図4は、図3で示した発光装置1の上面図である。図5は、図2のV-V線における発光装置1の断面図である。図6は、発光装置1が有するサブマウント30の上面図である。図7は、発光装置1に関し、実装される半導体レーザ素子とサブマウント30の関係を説明するためのサブマウントの上面図である。図8及び図10は、拡大領域を示す点線枠を記した発光装置1の斜視図である。図9及び図11はそれぞれ、図8の拡大領域及び図10の拡大領域における拡大図である。図12は、出射位置の異なる半導体レーザ素子からの光を比較するための模式図である。なお、図が煩雑にならないように、図4に記されたワイヤを他の図では省略している。
まず、段差部16の上面に保護素子50を配置する。発光装置1では、1つの保護素子50が1つのエミッターに対応するため、エミッターの数だけ保護素子50が設けられる。保護素子50を配置する領域に、サブマウント30以外の領域を利用することで、サブマウント30の小型化に寄与する。なお、保護素子50は、凹部内で、段差部16の上面以外の領域に配されていてもよい。
次に、第2実施形態に係る発光装置2を説明する。発光装置2は、第1実施形態に係る発光装置1と比べて、2つの光反射部材が配置される点で相違する。第1実施形態において説明された内容については、この相違点から明らかに整合しない内容を除けば、第2実施形態に係る発光装置2に対しても同様のことがいえる。そのため、発光装置2の外形は、図1や図2で示した発光装置1の外形と同様の外形で実現できる。
次に、第3実施形態に係る発光装置3を説明する。発光装置3は、第1実施形態に係る発光装置1と比べて、サブマウントの配線パターンが異なっている点と、第2半導体レーザ素子だけでなく第1半導体レーザ素子もジャンクションダウン型で接合される点で異なる。第1実施形態において説明された内容については、この相違点から明らかに整合しない内容を除けば、第3実施形態に係る発光装置3に対しても同様のことがいえる。そのため、発光装置3の外形は、図1や図2で示した発光装置1の外形と同様の外形で実現できる。
10 基部
11 上面
12 底面
13 下面
14 内側面
15 外側面
16 段差部
20 半導体レーザ素子
21 第1半導体レーザ素子
22 近位第1半導体レーザ素子
23 遠位第1半導体レーザ素子
24 第2半導体レーザ素子
201 出射端面
202 第1面
203 第2面
30、80 サブマウント
31 第1金属膜
32 第2金属膜
33 第3金属膜
34 第4金属膜
35 下層金属層
36 下層膜領域
37 上層金属層
38 上層膜領域
39 付記領域
81 第1金属膜
82 第2金属膜
83 第3金属膜
84 第4金属膜
85 第5金属膜
86 第6金属膜
301 第1導通部
302 近位第1導通部
303 遠位第1導通部
304 第2導通部
305 第1部分
306 第2部分
307 載置領域
308 配線領域
309 光出射側の側面
40 光反射部材
41 光反射面
42 上端
43 下端
44 第1光反射部材
45 第2光反射部材
50 保護素子
60 ワイヤ
70 蓋部材
Claims (9)
- 第1方向に光を出射する第1半導体レーザ素子と、
前記第1方向に光を出射する第2半導体レーザ素子と、
第1下面と、前記第1下面に対して傾斜し、前記第1半導体レーザ素子から出射された光を反射する第1光反射面と、を有し、前記第1半導体レーザ素子から前記第1方向に離れた位置に配される第1光反射部材と、
第2下面と、前記第2下面に対して傾斜し、前記第2半導体レーザ素子から出射された光を反射する第2光反射面を有し、前記第2半導体レーザ素子から前記第1方向に離れた位置に配される第2光反射部材と、
前記第1半導体レーザ素子、前記第2半導体レーザ素子、前記第1光反射部材、及び、前記第2光反射部材が配置される底面を有する基部と、
前記第1半導体レーザ素子から出射された光及び前記第2半導体レーザ素子から出射された光を光学制御するレンズ部材と、
を備え、
前記第1光反射部材は、前記基部の底面と前記第1下面とが対向するように配置され、
前記第2光反射部材は、前記基部の底面と前記第2下面とが対向するように配置され、
前記第1半導体レーザ素子から出射された光であって、光軸を進む光は、前記第1光反射面において第1位置に照射され、
前記第2半導体レーザ素子から出射された光であって、光軸を進む光は、前記第2光反射面において第2位置に照射され、
前記底面に垂直な方向における前記第1下面から前記第1位置までの高さと前記第2下面から前記第2位置までの高さは異なり、
前記第1方向における前記第1位置と前記第2位置は揃っており、
前記第1方向における前記第1位置と前記第2位置が揃うように、前記第1方向において、前記第1光反射部材が配置される位置と前記第2光反射部材が配置される位置は異なる、発光装置。 - 第1方向に光を出射する第1半導体レーザ素子と、
前記第1方向に光を出射する第2半導体レーザ素子と、
第1下面と、前記第1下面に対して傾斜し、前記第1半導体レーザ素子から出射された光を反射する第1光反射面と、を有し、前記第1半導体レーザ素子から前記第1方向に離れた位置に配される第1光反射部材と、
第2下面と、前記第2下面に対して傾斜し、前記第2半導体レーザ素子から出射された光を反射する第2光反射面を有し、前記第2半導体レーザ素子から前記第1方向に離れた位置に配される第2光反射部材と、
前記第1半導体レーザ素子、前記第2半導体レーザ素子、前記第1光反射部材、及び、前記第2光反射部材が配置される底面を有する基部と、
前記第1半導体レーザ素子から出射された光及び前記第2半導体レーザ素子から出射された光を光学制御するレンズ部材と、
を備え、
前記第1光反射部材は、前記基部の底面と前記第1下面とが対向するように配置され、
前記第2光反射部材は、前記基部の底面と前記第2下面とが対向するように配置され、
前記第1半導体レーザ素子から出射された光であって、光軸を進む光は、前記第1光反射面において第1位置に照射され、
前記第2半導体レーザ素子から出射された光であって、光軸を進む光は、前記第2光反射面において第2位置に照射され、
前記底面に垂直な方向における前記第1下面から前記第1位置までの高さと前記第2下面から前記第2位置までの高さは異なり、
前記第1方向における前記第1位置と前記第2位置の差は、前記第1方向における前記第1光反射部材が配置される位置と前記第2光反射部材が配置される位置の差よりも小さい、発光装置。 - 前記第1方向に光を出射する第3半導体レーザ素子をさらに備え、
前記第3半導体レーザ素子から出射された光であって、光軸を進む光は、前記第1光反射面において第3位置に照射され、
前記底面に垂直な方向における前記第1位置の高さと前記第3位置の高さは同じである、請求項1または2に記載の発光装置。 - 前記第1方向に光を出射する第3半導体レーザ素子と、
第3下面と、前記第3下面に対して傾斜し、前記第3半導体レーザ素子から出射された光を反射する第3光反射面と、を有し、前記第3半導体レーザ素子から前記第1方向に離れた位置に配される第3光反射部材と、
をさらに備え、
前記第3光反射部材は、前記基部の底面と前記第3下面とが対向するように配置され、
前記第3半導体レーザ素子から出射された光であって、光軸を進む光は、前記第3光反射面において第3位置に照射され、
前記底面に垂直な方向における前記第1位置の高さと前記第3位置の高さは同じである、請求項1または2に記載の発光装置。 - 前記第1半導体レーザ素子は、第1下面と、光を出射する第1出射端面とを有し、
前記第2半導体レーザ素子は、第2下面と、光を出射する第2出射端面とを有し、
前記第1半導体レーザ素子の前記第1下面から、前記第1出射端面における光の出射位置までの高さと、前記第2半導体レーザ素子の前記第2下面から、前記第2出射端面における光の出射位置までの高さは異なる、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1半導体レーザ素子は、第1上面と、第1下面と、光を出射する第1出射端面とを有し、
前記第2半導体レーザ素子は、第2上面と、第2下面と、光を出射する第2出射端面とを有し、
前記第2半導体レーザ素子から出射される光は、前記第1半導体レーザ素子から出射される光よりも、垂直方向の拡がり角が大きく、
前記第2半導体レーザ素子の前記第2出射端面における光の出射位置は、前記第2上面よりも前記第2半導体レーザ素子の前記第2下面に近い位置にある、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1半導体レーザ素子の前記第1出射端面における光の出射位置は、前記第1半導体レーザ素子の前記第1下面よりも前記第1上面に近い位置にある、請求項6に記載の発光装置。
- 前記基部と接合する蓋部材をさらに備え、
前記第1半導体レーザ素子及び前記第2半導体レーザ素子が配される空間は、気密封止された閉空間である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1半導体レーザ素子及び前記第2半導体レーザ素子が配置されるサブマウントをさらに備え、
前記第1半導体レーザ素子及び前記第2半導体レーザ素子は、前記サブマウントを介して前記底面に配置される、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発光装置。
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