JP2023046198A - 発光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の発光装置が実装された発光モジュールを実現する。【解決手段】 配線基板と、第１実装面を有し、配線基板と電気的に接続する第１基体と、第２実装面を有し、配線基板と電気的に接続する第２基体と、第１実装面において並べて配置される３以上の第１サブマウントと、第２実装面において並べて配置される４以上の第２サブマウントと、第１サブマウントに配置される３以上の第１発光素子と、第２サブマウントに配置される４以上の第２発光素子と、を備え、第１実装面において第１サブマウントが並ぶ方向である第１方向における第１サブマウントの長さは、第２実装面において前記第２サブマウントが並ぶ方向である第２方向における第２サブマウントの長さよりも大きい、発光モジュール。【選択図】 図１

Description

本発明は、発光モジュールに関する。

特許文献１には、形状の同じパッケージに異なる数のレーザ素子が実装された第１発光装置と第２発光装置を１つの配線基板に実装した発光モジュールが開示されている。

特開２０２０－９５９３９

発光モジュールから出射させる光の態様に応じて、第１発光装置に実装される複数の発光素子の実装態様と、第２発光装置に実装される複数の発光素子の実装態様とを、工夫する余地がある。

実施形態に開示される発光モジュールは、上面に第１接続パターン及び第２接続パターンが設けられた配線基板と、第１実装面を有し、前記配線基板の前記第１配線パターンに接合され、前記配線基板と電気的に接続する第１基体と、第２実装面を有し、前記第２接続パターンに接合され、前記配線基板と電気的に接続する第２基体と、前記第１実装面において並べて配置される複数の第１サブマウントと、前記第２実装面において並べて配置される複数の第２サブマウントと、それぞれが前記第１サブマウントに配置される複数の第１発光素子と、それぞれが前記第２サブマウントに配置される複数の第２発光素子と、を備え、前記複数の第１サブマウントは、３以上の前記第１サブマウントを含み、前記複数の第２サブマウントは、前記第１実装面に配置される前記第１サブマウントの数よりも１以上多い数の前記第２サブマウントを含み、前記複数の第１発光素子は、３以上の前記第１発光素子を含み、前記複数の第２発光素子は、前記第１実装面に配置される前記第１発光素子の数よりも１以上多い数の前記第２発光素子を含み、前記第１実装面において前記第１サブマウントが並ぶ方向である第１方向における前記第１サブマウントの長さは、前記第２実装面において前記第２サブマウントが並ぶ方向である第２方向における前記第２サブマウントの長さよりも大きい。

実施形態によって開示される１または複数の発明の少なくとも一つにおいて、効率的に光を出射する発光モジュールを実現できるという効果が期待される。

図１は、第１実施形態乃至第４実施形態に係る発光モジュールの斜視図である。 図２は、第１実施形態乃至第４実施形態に係る発光モジュールの上面図である。 図３は、図２のIII-III断面線における断面図である。 図４は、第１実施形態乃至第４実施形態に係る配線基板の上面図である。 図５は、第１実施形態に係る発光モジュールにおいて、第１発光装置及び第２発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図６は、各実施形態に係る第１発光装置の斜視図である。 図７は、各実施形態に係る第１発光装置の上面図である。 図８は、図７のVIII-VIII断面線における、第１実施形態乃至第３実施形態、及び、第５実施形態に係る第１発光装置の断面図である。 図９は、第１実施形態乃至第３実施形態、及び、第５実施形態に係る第１発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図１０は、各実施形態に係る第２発光装置の斜視図である。 図１１は、各実施形態に係る第２発光装置の上面図である。 図１２は、図１１のXII-XII断面線における、第１実施形態に係る第２発光装置の断面図である。 図１３は、第１実施形態に係る第１発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図１４は、第２実施形態に係る発光モジュールにおいて、第１発光装置及び第２発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図１５は、図１１のXV-XV断面線における第２実施形態に係る第２発光装置の断面図である。 図１６は、第２実施形態に係る第２発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図１７は、第３実施形態に係る発光モジュールにおいて、第１発光装置及び第２発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図１８は、図１１のXVIII-XVIII断面線における第３実施形態に係る第２発光装置の断面図である。 図１９は、第３実施形態に係る第２発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図２０は、第４実施形態に係る第１発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図２１は、第５実施形態に係る発光モジュールの上面図である。 図２２は、第５実施形態に係る配線基板の上面図である。

本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。

また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈には加工された部分も含まれる。なお、部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。

また、本明細書または特許請求の範囲において、上下、左右、表裏、前後、手前と奥などの記載は、相対的な位置、向き、方向などの関係を述べるに過ぎず、使用時における関係と一致していなくてもよい。

また、図面においてＸ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向などの方向を、矢印を用いて示すことがある。この矢印の方向は、同じ実施形態に係る複数の図面間で整合が取られている。

また、本明細書において、例えば構成要素などを説明するときに「部材」や「部」と記載することがある。「部材」は、物理的に単体で扱う対象を指すものとする。物理的に単体で扱う対象とは、製造の工程で一つの部品として扱われる対象ということもできる。一方で、「部」は、物理的に単体で扱われなくてもよい対象を指すものとする。例えば、１つの部材の一部を部分的に捉えるときに「部」が用いられる。

なお、上述の「部材」と「部」の書き分けは、均等論の解釈において権利範囲を意識的に限定するという意思を示すものではない。つまり、特許請求の範囲において「部材」と記載された構成要素があったとしても、そのことのみを以って、この構成要素を物理的に単体で扱うことが本発明の適用に必要不可欠であると出願人が認識しているわけではない。

また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素が複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。また、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象が異なる場合があり得る。そのため、特許請求の範囲において本明細書と同一の付記がされた構成要素が記載されていても、この構成要素によって特定される対象が、本明細書と特許請求の範囲との間で一致しないことがあり得る。

例えば、本明細書において“第１”、“第２”、“第３”と付記されて区別される構成要素があり、本明細書において“第１”及び“第３”が付記された構成要素を特許請求の範囲に記載する場合に、見易さの観点から特許請求の範囲においては“第１”、“第２”と付記して構成要素を区別することがある。この場合、特許請求の範囲において“第１”、“第２”と付記された構成要素はそれぞれ、本明細書において“第１”“第３”と付記された構成要素を指すことになる。なお、このルールの適用対象は構成要素に限らず、その他の対象に対しても、合理的かつ柔軟に適用される。

以下に、本発明を実施するための形態を説明する。またさらに、図面を参照しながら、本発明を実施するための具体的な形態を説明する。なお、本発明を実施するための形態は、この具体的な形態に限定されない。つまり、図示される実施形態は、本発明が実現される唯一の形態ではない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、理解の便宜を図るために誇張していることがある。

＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る発光モジュール１００を説明する。図１乃至図１３は、発光モジュール１００の例示的な一形態を説明するための図面である。図１は、発光モジュール１００の斜視図である。図２は、発光モジュール１００の上面図である。図３は、図２のIII-III断面線における断面図である。図４は、発光モジュール１００における配線基板９の上面図である。図５は、発光モジュール１００において、第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｂの内部に配置される各構成要素を説明するための斜視図である。図６は、第１発光装置１Ａの斜視図である。図７は、第１発光装置１Ａの上面図である。図８は、図７のVIII-VIII断面線における断面図である。図９は、第１発光装置１Ａの第１基体１０Ａに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。図１０は、第２発光装置１Ｂの斜視図である。図１１は、第２発光装置１Ｂの上面図である。図１２は、図１１のXII-XII断面線における断面図である。図１３は、第２発光装置１Ｂの第２基体１０Ｂに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。

発光モジュール１００は、複数の構成要素を備えている。発光モジュール１００の複数の構成要素は、複数の発光装置１、及び、配線基板９を含む。また、複数の発光装置１は、第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｂを含む。なお、発光モジュール１００は、この他にも構成要素を備えていてよい。例えば、コネクタやサーミスタなどを備えることができる。

発光モジュール１００の各構成要素について説明する。

（発光装置１）
発光装置１は、複数の構成要素を備えている。発光装置１の複数の構成要素は、基体１０、複数の発光素子２０、複数のサブマウント３０、１または複数の反射部材４０、複数の保護素子５０、複数の配線６０、蓋部材７０、及び、光学部材８０を含む。

なお、発光装置１は、この他にも構成要素を備えていてよい。例えば、発光装置１は、複数の発光素子２０とは別に、さらに発光素子を備えていてもよい。また、発光装置１は、ここで挙げた複数の構成要素の一部を備えていなくてもよい。

発光装置１の各構成要素について説明する。

（基体１０）
基体１０は、上面１１Ａ、下面１１Ｂ、及び、１または複数の外側面１１Ｃを有する。上面視で、基体１０の外縁形状は矩形である。この矩形は、長辺と短辺を有する矩形とすることができる。図示される基体１０において、この矩形の長辺方向はＸ方向と同じ方向であり、短辺方向はＹ方向と同じ方向である。なお、上面視で、基体１０の外縁形状は矩形でなくてもよい。

基体１０において、凹形状が形成されている。上面１１Ａから、上面１１Ａよりも下方に窪んだ凹形状が形成される。基体１０の凹形状によって窪みが画定される。この窪みは、上面視で上面１１Ａに囲まれる。

上面１１Ａの内縁は、窪みの外縁を画定する。上面視で、窪みの外縁形状は矩形である。この矩形は、長辺と短辺を有する矩形とすることができる。図示される基体１０において、この矩形の長辺方向はＸ方向と同じ方向であり、短辺方向はＹ方向と同じ方向である。なお、この窪みの外縁形状は矩形でなくてもよい。

基体１０は、実装面１１Ｄを有する。また、基体１０は、１または複数の内側面１１Ｅを有する。実装面１１Ｄは、上面１１Ａよりも下方に、かつ、下面１１Ｂよりも上方に位置する。実装面１１Ｄは上面である。実装面１１Ｄは、上面１１Ａとは異なる上面といえる。１または複数の内側面１１Ｅは、実装面１１Ｄよりも上方に位置する。１または複数の内側面１１Ｅは、上面１１Ａと交わる。基体１０の窪みを画定する複数の面に、実装面１１Ｄ及び１または複数の内側面１１Ｅは含まれる。

１または複数の内側面１１Ｅは、実装面１１Ｄに対して垂直に設けられる。ここでの垂直は、±３度の差を許容する。なお、内側面１１Ｅは、実装面１１Ｄに対して垂直でなくてもよい。

基体１０は、１または複数の段差部１２Ｃを有する。段差部１２Ｃは、上面、及び、上面と交わり上面から下方に延びる内側面、を有する。段差部１２Ｃの上面は、内側面１１Ｅと交わる。段差部１２Ｃの内側面は、実装面１１Ｄと交わる。

段差部１２Ｃは、上面視で、内側面１１Ｅの一部または全部に沿って形成される。１または複数の段差部１２Ｃは、上面視で、上面１１Ａの内側に形成される。１または複数の段差部１２Ｃは、上面視で、１または複数の内側面１１Ｅの内側に形成される。

基体１０は、複数の段差部１２Ｃを有し得る。複数の段差部１２Ｃには、上面視で、内側面１１Ｅに沿って形成される段差部１２Ｃが含まれる。複数の段差部１２Ｃには、上面視で、内側面１１Ｅの全部に沿って形成される段差部１２Ｃが含まれる。

複数の段差部１２Ｃには、上面視で、ある内側面１１Ｅ（以下、第１内側面と呼ぶ。）に沿って形成される段差部１２Ｃ（以下、第１段差部と呼ぶ。）と、別の内側面１１Ｅ（以下、第２内側面と呼ぶ。）に沿って形成される段差部１２Ｃ（以下、第２段差部と呼ぶ。）と、が含まれる。

第１内側面１１Ｅと、第２内側面１１Ｅとは、互いに対向する。第１段差部１２Ｃは、第１内側面１１Ｅのみに沿って形成され得る。第２段差部１２Ｃは、第２内側面１１Ｅのみに沿って形成され得る。上面視で、互いに対向する内側面１１Ｅのそれぞれに沿って形成される段差部１２Ｃの間には、段差部１２Ｃは設けられない。

基体１０は、上面視で、上面１１Ａの内側に複数の段差部１２Ｃ以外の段差部を有さず、また、複数の段差部１２Ｃは２つの段差部１２Ｃのみで構成することができる。複数の段差部１２Ｃは、第１段差部１２Ｃと第２段差部１２Ｃのみで構成することができる。

複数の段差部１２Ｃには、内側面１１Ｅに沿って、実装面１１Ｄに平行な方向に係るこの内側面１１Ｅの長さの５０％以上１００％以下の長さで形成される段差部１２Ｃが含まれる。

段差部１２Ｃの上面には、１または複数の配線パターン１３が設けられる。配線パターン１３は、基体１０の内部を通る配線を経由して他の配線パターンと電気的に接続する。他の配線パターンは、例えば基体１０の下面に設けられる。なお、配線パターン１３は、上面１１Ａまたは外側面１１Ｃに設けられた配線パターンと電気的に接続してもよい。

１または複数の段差部１２Ｃの上面には、複数の配線パターン１３が設けられる。複数の段差部１２Ｃのそれぞれに、１または複数の配線パターン１３が設けられ得る。基体１０は、複数の配線パターン１３が上面に設けられた段差部１２Ｃを有することができる。段差部１２Ｃの上面に配線パターン１３を設けることで、実装面１１Ｄよりも高い位置で、配線を接続させることができる。これにより、配線の接合処理が容易になることがある。

基体１０において、配線パターン１３が設けられる箇所は段差部１２Ｃに限らなくてよい。基体１０は、電気的な接続のために設けられる配線部を有するといえ、図示される基体１０では、段差部１２Ｃが配線部でもある。

基体１０は、セラミックを主材料に用いて形成することができる。また、基体１０は、金属あるいは金属を含む複合物を主材料に用いて形成された、実装面１１Ｄを有する底部材と、セラミックを主材料に用いて形成された、配線パターン１３を有する枠部材と、を接合して形成してもよい。

ここで、主材料とは、対象となる形成物において、質量または体積が最も多くの割合を占める材料をいうものとする。なお、１つの材料から対象となる形成物が形成される場合には、その材料が主材料である。つまり、ある材料が主材料であるとは、その材料の占める割合が１００％となり得ることを含む。

セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素などが挙げられる。金属としては、例えば、銅、アルミニウム、鉄などが挙げられる。あるいは、金属を含む複合物として、銅モリブデン、銅-ダイヤモンド複合材料、銅タングステンなどを用いることができる。

（発光素子２０）
発光素子２０は、光を出射する光出射面を有する。発光素子２０は、上面、下面、複数の側面を有する。発光素子２０の上面または側面が、光出射面となる。発光素子２０は、１または複数の光出射面を有する。

発光素子２０の上面の形状は、長辺と短辺を有する矩形である。なお、発光素子２０の上面の形状は、矩形でなくてもよい。発光素子２０には、半導体レーザ素子を採用することができる。なお、発光素子２０には、半導体レーザ素子に限らず、発光ダイオードなどを採用してもよい。

発光素子２０にはシングルエミッタの半導体レーザ素子を採用することができる。また、発光素子２０にはエミッタが複数あるマルチエミッタの半導体レーザ素子を採用することもできる。

発光素子２０には、例えば、青色の光を出射する発光素子、緑色の光を出射する発光素子、または、赤色の光を出射する発光素子を採用することができる。なお、半導体レーザ素子２０には、その他の色または波長の光を出射する発光素子を採用してもよい。

ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。緑色の光は、その発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５７０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。赤色の光は、その発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。

ここで、発光素子２０の一例である半導体レーザ素子について説明する。半導体レーザ素子は、上面視で、一方の対辺を長辺、他方の対辺を短辺とする矩形の外形を有する。半導体レーザ素子から出射される光（レーザ光）は拡がりを有する。また、半導体レーザ素子の出射端面から発散光が出射される。半導体レーザ素子の出射端面は、発光素子２０の光出射面ということができる。

半導体レーザ素子から出射される光は、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布である。

ここで、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、言い換えると、ＦＦＰの光強度分布においてピーク強度の光を、光軸を進む光、あるいは、光軸を通る光と呼ぶものとする。また、ＦＦＰの光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ^２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶものとする。

半導体レーザ素子から出射される光のＦＦＰの形状は、光の出射端面と平行な面において、積層方向の方が、積層方向に垂直な方向よりも長い楕円形状である。積層方向とは、半導体レーザ素子において活性層を含む複数の半導体層が積層される方向のことである。積層方向に垂直な方向は、半導体層の面方向ということもできる。また、ＦＦＰの楕円形状の長径方向を半導体レーザ素子の速軸方向、短径方向を半導体レーザ素子の遅軸方向ということもできる。

ＦＦＰの光強度分布に基づきピーク光強度の１／ｅ^２の光強度の光が拡がる角度を、半導体レーザ素子の光の拡がり角とする。光の拡がり角は、ピーク光強度の１／ｅ^２の光強度の他に、例えば、ピーク光強度の半値の光強度から求められることもある。本明細書の説明において、単に「光の拡がり角」というときは、ピーク光強度の１／ｅ^２の光強度における光の拡がり角を指すものとする。なお、速軸方向の拡がり角の方が、遅軸方向の拡がり角よりも大きいといえる。

青色の光を発する半導体レーザ素子、または、緑色の光を発する半導体レーザ素子として、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮなどのＧａＮ系の半導体を用いることができる。赤色の光を発する半導体レーザ素子として、ＩｎＡｌＧａＰ系やＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓなどのＧａＡｓ系の半導体を含むものが挙げられる。

（サブマウント３０）
サブマウント３０は、上面３１と、下面と、１または複数の側面３２と、を有する。サブマウント３０は、上面視において、一方の方向の長さが、これに垂直な方向の長さよりも大きい外形を有する。上面３１は、矩形の形状である。上面３１は、短辺及び長辺を有する矩形の形状となり得る。なお、上面３１は、正方形の形状であってもよい。

サブマウント３０は、直方体の形状で構成される。サブマウント３０は、上面３１と下面の間の距離が、他の対向する２面の間の距離よりも小さい。この上面３１と下面の間の距離をサブマウント３０の厚みと呼ぶものとする。なお、サブマウント３０の形状は直方体に限らなくてよい。

上面３１における短辺の長さは、５００μｍ以上１５００μｍ以下である。上面３１における長辺の長さは、１０００μｍ以上３０００μｍ以下である。サブマウント３０の厚みは、２００μｍ以上５００μｍ以下である。上面３１の長辺の長さは、短辺の長さの１２０％以上３００％以下である。

サブマウント３０は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成することができる。また、サブマウント３０には、他の構成要素と接合するための金属膜が設けられている。

（反射部材４０）
反射部材４０は、光を反射する光反射面を有する。また、光反射面は、下面に対して傾斜している。つまり、光反射面は、下面からみた配置関係が垂直でも平行でもない。光反射面の下端と上端を結ぶ直線が、反射部材４０の下面に対して傾斜している。下面に対する光反射面の角度、あるいは、下面に対する光反射面の下端と上端を結ぶ直線の角度を、光反射面の傾斜角と呼ぶものとする。

図示される反射部材４０において、光反射面は、平面であり、かつ、反射部材４０の下面に対して４５度の傾斜角を成す。なお、光反射面は平面でなくてもよく、例えば曲面であってもよい。また、光反射面は、その傾斜角が４５度でなくてもよい。

反射部材４０は、主材料に、ガラスや金属などを用いることができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属を用いることができる。反射部材４０は、Ｓｉを主材料に用いて形成することもできる。主材料が反射性材料であれば、主材料から光反射面を形成することができる。主材料とは別に光反射面を形成する場合、光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。

光反射面において、光反射面に照射される光のピーク波長に対する反射率が９０％以上である。また、この反射率は９５％以上であってもよい。また、この反射率を９９％以上とすることもできる。光反射率は、１００％以下あるいは１００％未満である。

（保護素子５０）
保護素子５０は、特定の素子（例えば半導体レーザ素子）に過剰な電流が流れて破壊されてしまうことを防ぐためのものである。保護素子５０としては、例えば、ツェナーダイオードがあげられる。また、ツェナーダイオードとしては、Ｓｉで形成されたものを採用できる。

（配線６０）
配線６０は、両端を接合部とする線状の導電性材料である。両端の接合部は、他の構成要素との接合部分になる。配線６０は、例えば、金属のワイヤである。金属には、例えば、金、アルミニウム、銀、銅などを用いることができる。

（蓋部材７０）
蓋部材７０は、下面と、上面と、を有し、直方体の平板形状で構成される。なお、直方体でなくてもよい。蓋部材７０は、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が８０％以上であることとする。なお、全ての波長の光に対して８０％以上の透過率を有していなくてもよい。蓋部材７０は、一部に非透光性の領域（透光性を有していない領域）を有していてもよい。

蓋部材７０は、ガラスを主材料に用いて形成される。蓋部材７０を形成する主材料は、高い透光性を有する材料である。蓋部材７０は、ガラスに限らず、例えば、サファイアを主材料に用いて形成してもよい。

（光学部材８０）
光学部材８０は、上面と、下面と、側面と、を有する。光学部材８０は、入射する光に対して、反射、透過、屈折といった光学作用や、集光、拡散、コリメートといった光学作用を与える。

光学部材８０は、１または複数のレンズ面を有するレンズ部材とすることができる。１または複数のレンズ面は、光学部材８０の上面側に設けられる。なお、光学部材８０の下面側に設けられてもよい。上面及び下面は平面である。１または複数のレンズ面は、上面と交わる。１または複数のレンズ面は、上面視で上面に囲まれる。上面視で、光学部材８０は、矩形の外形を有している。光学部材８０の下面は矩形である。

光学部材８０の、上面視で１または複数のレンズ面と重なる部分をレンズ部とする。光学部材８０において、上面視で上面と重なる部分を非レンズ部とする。レンズ部を、上面を含む仮想的な平面で二分したときのレンズ面側をレンズ形状部、下面側を平板形状部とする。レンズ部の下面は、下面の一部分である。光学部材８０において、下面は、レンズ部の下面及び非レンズ部の下面で構成される。

図示される光学部材８０は、複数のレンズ面を有している。また、複数のレンズ面は、一方向に連なって形成される。光学部材８０は、５つのレンズ面を有し、この５つレンズ面の頂点が一直線上に設けられるように形成される。この直線は、Ｘ方向と同じ方向である。

ここで、上面視で、複数のレンズ面が並ぶ方向を連結方向というものとする。複数のレンズ面は、上面視で、連結方向の長さが、この方向に垂直な方向の長さよりも大きい。図示される光学部材８０において、連結方向は、Ｘ方向と同じ方向である。

光学部材８０は、高い透光性を有する。光学部材８０は、レンズ部及び非レンズ部のいずれにおいても高い透光性を有する。また、光学部材８０は、全体として、高い透光性を有する。光学部材８０は、例えば、ＢＫ７等のガラスを用いて形成することができる。

次に、上述した構成要素を備える発光装置１について説明する。なお、以下の発光装置１についての説明では、発光装置１に係る図面に基づいて整合する限り、単体の構成要素についての説明は複数の同じ構成要素のそれぞれについても適用されるものである。つまり、図面において同じ構成要素が複数あり、単体の構成要素について説明が図面から複数の同じ構成要素のそれぞれについても当てはまる場合には、複数の同じ構成要素のそれぞれについてもこの説明が妥当する。

（発光装置１）
発光装置１において、発光素子２０は、サブマウント３０に実装される。発光素子２０は、サブマウント３０の上面３１に配置される。図示される発光装置１では、半導体レーザ素子が発光素子２０に採用されている。

複数の発光素子２０は、互いに異なるサブマウント３０に配置される。なお、発光素子２０が配置されるサブマウント３０に、さらに別の発光素子が配置されてもよい。放熱性などを考慮すると、１のサブマウント３０には、１の発光素子２０の他に発光素子は配置されない方が望ましいことがある。

発光素子２０は、光出射面が、サブマウント３０の側面３２の近傍に位置するように配置される。ここで、光出射面の近傍に位置する側面３２を第１側面３２Ａと呼ぶものとする。また、第１側面３２Ａと反対側のサブマウント３０の側面３２を第２側面３２Ｂと呼ぶものとする。第１側面３２Ａは、上面３１の短辺と交わる側面３２である。第２側面３２Ｂは、第１側面３２Ａと上面３１とが交わる短辺と対をなす短辺と交わる側面３２である。発光素子２０は、その光出射面が第２側面３２Ｂよりも第１側面３２Ａに近い位置で、サブマウント３０に配置される。

発光装置１において、保護素子５０は、サブマウント３０に実装される。保護素子５０は、サブマウント３０の上面３１に配置される。保護素子５０は、半導体レーザ素子２０が配置されるサブマウント３０に配置される。複数の保護素子５０は、互いに異なるサブマウント３０に配置される。

発光装置１において、サブマウント３０は、基体１０に実装される。サブマウント３０は基体１０の実装面１１Ｄに配置される。複数のサブマウント３０が、実装面１１Ｄに並べて配置される。複数のサブマウント３０は、基体１０の長手方向に並べて配置される。複数のサブマウント３０は、基体１０における長辺方向に並べて配置される。

ここで、上面視で複数のサブマウント３０が並ぶ方向を第１方向と呼ぶものとする。発光装置１において、複数の発光素子２０は第１方向に並べて配置される。図示される発光装置１において、第１方向はＸ方向と同じ方向である。また、上面視で、サブマウント３０に配置された発光素子２０の光出射面に平行な方向は、Ｘ方向と同じ方向である。

複数のサブマウント３０は、第１側面３２Ａが第１方向に並ぶように配置される。複数の発光素子２０は、光出射面が第１方向に並ぶように配置される。サブマウント３０は、上面視で、第１方向の長さよりも、第１方向に垂直な方向（以下、第２方向と呼ぶ。）の長さの方が大きい。

発光装置１において、発光素子２０の光出射面は側方を向く。複数の発光素子２０の光出射面はそれぞれ同じ方向を向く。発光素子２０の光出射面から側方に進む光が出射される。図示される発光装置では、半導体レーザ素子である発光素子２０の光出射面から、実装面１１Ｄに垂直な方向を速軸方向とするＦＦＰの光が出射される。いずれの発光素子２０も、遅軸方向の拡がり角は２０度以下である。なお、拡がり角は０度より大きい角度である。

発光装置１において、１または複数の反射部材４０が、基体１０に配置される。反射部材４０は、実装面１１Ｄに配置される。反射部材４０は光反射面を有している。複数の発光素子２０から出射された光は、１または複数の光反射面により反射される。光反射面は、光軸を通る光の進行方向に対して４５度の角度で傾いている。光反射面によって反射された光は上方に進む。図示される発光装置１では、反射部材４０の光反射面に、１または複数の主要部分の光が照射される。

反射部材４０は発光素子２０に１対１で設けることができる。つまり、発光素子２０の数と同数の反射部材４０が配置される。複数の反射部材４０は、上面視で、第１方向に並べて配置される。いずれの反射部材４０も、大きさ及び形状は同じである。図示される発光装置１では、反射部材４０の光反射面は、照射された主要部分の光の９０％以上を反射する。なお、複数の発光素子２０に対して１つの反射部材４０を設けてもよい。また、全ての発光素子２０に対して１つの反射部材４０を設けてもよい。またあるいは、発光装置１は、反射部材４０を有していなくてもよい。

発光装置１において、配線６０が、配線パターン１３に接合される。発光装置１は、複数の配線６０を備える。複数の配線６０は、１または複数の発光素子２０を基体１０に電気的に接続する。

発光装置１において、蓋部材７０は、基体１０に接合される。蓋部材７０は、基体１０の上面に配される。また、蓋部材７０は、段差部１２Ｃよりも上方に位置する。また、蓋部材７０が接合されることで、基体１０と蓋部材７０によって画定される閉空間が生まれる。この空間は、発光素子２０が配される空間である。

所定の雰囲気下で蓋部材７０を基体１０に接合することで、気密封止された閉空間（封止空間）が作り出される。発光素子２０に半導体レーザ素子を採用する場合、半導体レーザ素子が配される空間を気密封止することで、集塵による品質劣化を抑制することができる。蓋部材７０は、発光素子２０から出射される光に対して透光性を有する。図示される発光装置１では、発光素子２０から出射された主要部分の光の９０％以上が蓋部材７０を透過して外部へと出射される。

光学部材８０は蓋部材７０の上方に配置される。光学部材８０は、蓋部材７０に接合される。蓋部材７０から出射された複数の光は、光学部材８０の入射面に入射する。光学部材８０の入射面に入射した光は、レンズ面から出射される。

光学部材８０のレンズ部は、連結方向に垂直な方向において、基体１０の互いに反対側に位置する２つの外側面１１Ｃのうちの一方の外側面１１Ｃに寄った位置に配置される。光学部材８０のレンズ部は、連結方向において、基体１０の互いに反対側に位置する外側面１１Ｃのそれぞれから同じ距離だけ離れた位置に配置される。

光学部材８０は、上面視で、レンズ面が反射部材４０と重なるように配置される。光学部材８０は、上面視で、レンズ面が発光素子２０と重なるように配置される。上面視で、複数のレンズ面のそれぞれが、互いに異なる発光素子２０と重なるように配置される。１または複数のレンズ面のそれぞれから、互いに異なる発光素子２０から出射された光が出射される。図示される発光装置１では、発光素子２０は半導体レーザ素子であり、１または複数のレンズ面のそれぞれから、互いに異なる発光素子２０から出射された主要部分の光が出射される。１のレンズ面に１の発光素子２０が対応し、各レンズ面から、対応する発光素子２０からの光が出射される。

（配線基板９）
配線基板９は、上面、下面、及び、側面を有する。配線基板９の上面には、複数の接続パターン９Ａが設けられる。複数の接続パターン９Ａは、第１接続パターン９Ａ１と、第２接続パターン９Ａ２と、を含む。配線基板９の上面には、複数の配線領域９Ｂが設けられる。

配線基板９の接続パターン９Ａ上に他の構成要素が接合される。接続パターン９Ａは、配線基板９の上面において、複数の接続領域に分かれている。複数の接続領域には、配線領域９Ｂと電気的に接続する接続領域が含まれる。複数の接続領域には、配線領域９Ｂと電気的に接続しない接続領域が含まれる。

複数の接続パターン９Ａはそれぞれ、上面視で同一または類似する接続パターンを形成する。ここでの「同一または類似する」とは、同じ包含矩形を形成することである。また、包含矩形とは、接続パターン９Ａを包含する最小の矩形をいうものとする。複数の接続パターン９Ａは同じ包含矩形を有する、といえる。なお、図４において、包含矩形を破線で記し、第１接続パターン９Ａ１に係る包含矩形を符号Ｈ１、第２接続パターン９Ａ２に係る包含矩形を符号Ｈ２で記している。

第１接続パターン９Ａ１と、第２接続パターン９Ａ２とは、互いに異なる形状の接続パターン９Ａである。第１接続パターン９Ａ１の方が、接続領域の数が少ない。上面視で第１接続パターン９Ａ１の包含矩形と、第２接続パターン９Ａ２の包含矩形とは、同じ大きさ及び形状である。

第１接続パターン９Ａ１と第２接続パターン９Ａ２は、並べて配置される。第１接続パターン９Ａ１と第２接続パターン９Ａ２は、近付けて配置される。第１接続パターン９Ａ１と第２接続パターン９Ａ２の間の距離は、３００μｍ以上１０００μｍ以下である。

（発光モジュール１００）
発光モジュール１００は、第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｂを含む複数の発光装置１を備える。配線基板９が有する２つの接続パターン９Ａのうちの一方に第１発光装置１Ａが、他方に第２発光装置１Ｂが接続される。図示される発光モジュール１００では、第１発光装置１Ａが第１接続パターン９Ａ１に接合され、第２発光装置１Ｂが第２接続パターン９Ａ２に接合される。

第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｂはいずれも同じ向きで配線基板９に配置される。第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｂはいずれも、光学部材８０のレンズ部が同じ方向に寄るように、並べて配置される。例えば、発光モジュール１００において、第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｂを１８０度回転させて配線基板９に実装することで電極の向きを変えることができる。第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｂを同じ向きに配置する実装態様とすることで、第１発光装置１Ａから出射される光と第２発光装置１Ｂから出射される光の間隔を変えずに、このような柔軟な対応ができる。

ここで、第１発光装置１Ａに備わる基体１０を第１基体１０Ａ、第２発光装置１Ｂに備わる基体１０を第２基体１０Ｂと呼んで区別する。また、第１発光装置１Ａに備わる発光素子２０を第１発光素子２０Ａ、第２発光装置１Ｂに備わる発光素子２０を第２発光素子２０Ｂと呼んで区別する。また、第１発光装置１Ａに備わるサブマウント３０を第１サブマウント３０Ａ、第２発光装置１Ｂに備わるサブマウント３０を第２サブマウント３０Ｂと呼んで区別する。また、第１発光装置１Ａに備わる保護素子５０を第１保護素子５０Ａ、第２発光装置１Ｂに備わる保護素子５０を第２保護素子５０Ｂと呼んで区別する。

第１基体１０Ａの長辺方向の長さは、第２基体１０Ｂの長辺方向の長さの９０％以上１０５％以下である。第１基体１０Ａの短辺方向の長さは、第２基体１０Ｂの短辺方向の長さの９０％以上１０５％以下である。図示される発光装置１では、長辺方向及び短辺方向のいずれも、第１基体１０Ａと第２基体１０Ｂは同じ長さである。また、第１基体１０Ａと第２基体１０Ｂとは同じ大きさ及び形状である。このように、第１発光装置１Ａの配線基板９との接合に関わる面の大きさと、第２発光装置１Ｂの配線基板９との接合に関わる面の大きさとを近付ける実装態様とすることで、配線基板９に接合させる発光装置１を柔軟に選択して発光モジュール１００を製造することができる。

第１基体１０Ａの第１発光装置１Ａに基づく第１方向の長さは、第２基体１０Ｂの第２発光装置１Ｂに基づく第１方向の長さの９０％以上１０５％以下である。図示される発光モジュール１００では、第１発光装置１Ａに基づく第１方向と、第２発光装置１Ｂに基づく第１方向とは平行（同じ方向）である。なお、ここでの平行は、±３度の差を含む。

第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｂが配線基板９に配置される向きによっては、第１発光装置１Ａに基づく第１方向と、第２発光素子２０Ｂに基づく第１方向とは平行にならないことがある。以下、複数の第１発光素子２０Ａが並ぶ方向を第３方向、第２発光素子２０Ｂが並ぶ方向を第４方向と呼ぶ。図示される発光モジュール１００では、第１発光素子２０Ａに基づく第１方向と第３方向は同じ方向であり、第２発光素子２０Ｂに基づく第１方向と第４方向は同じ方向である。

第１基体１０Ａの実装面１１Ｄ（以下、第１実装面と呼ぶ。）の第３方向の長さは、第２基体１０Ｂの実装面１１Ｄ（以下、第２実装面と呼ぶ。）の第４方向の長さの９０％以上１０５％以下である。第１実装面１１Ｄの長辺方向の長さは、第２実装面１１Ｄの長辺方向の長さの９０％以上１０５％以下である。第１実装面１１Ｄの短辺方向の長さは、第２実装面１１Ｄの短辺方向の長さの９０％以上１０５％以下である。図示される発光装置１では、長辺方向及び短辺方向のいずれも、第１実装面１１Ｄと第２実装面１１Ｄは同じ長さであり、同じ大きさ及び形状である。

第１基体１０Ａは少なくとも２つの配線パターン１３を有し、第２基体１０Ｂは少なくとも３つの配線パターン１３を有する。図示される第２発光装置１Ｂでは、第２基体１０Ｂにおいて４つの配線パターン１３が設けられている。

第１発光装置１Ａの複数の第１発光素子２０Ａには、３以上の第１発光素子２０Ａが含まれ得る。つまり、第１発光装置１Ａは、３以上の第１発光素子２０Ａを備え得る。第１発光装置１Ａが備える第１発光素子２０Ａの数は、７以下とすることができる。

第２発光装置１Ｂは、第１発光装置１Ａが備える第１発光素子２０Ａの数よりも１以上多い数の第２発光素子２０Ｂを含み得る。第２発光装置１Ｂの複数の第２発光素子２０Ｂには、第１実装面に配置される第１発光素子２０Ａの数よりも１以上多い数の第２発光素子２０Ｂが含まれ得る。第２発光装置１Ｂが備える第２発光素子２０Ｂの数は、第１発光装置１Ａが備える第１発光素子２０Ａの数に２を加えた数以下とすることができる。このように、実装される発光素子２０の数が異なる第１発光装置１Ａと第２発光装置１Ｂを用意できることで、これらを配線基板９に実装する実装態様において、発光モジュール１００に実装する発光素子２０の数や種類を柔軟に決定することができる。

第１発光素子２０Ａは、第１の色の光を出射し、第２発光素子２０Ｂは、第１の色とは異なる色の光を出射する。第２発光素子２０Ｂは、第１の色の光とは異なる第２の色の光を出射する。複数の第２発光素子２０Ｂには、第２の色の光を出射する第２発光素子２０Ｂと、第１の色及び第２の色とは異なる第３の色の光を出射する第２発光素子２０Ｂと、を含み得る。以下、第２の色の光を出射する第２発光素子２０Ｂを第２発光素子２０Ｂ１、第３の色の光を出射する第２発光素子２０Ｂを第２発光素子２０Ｂ２、と書き分けることでこれらを区別する。

発光モジュール１００において、複数の第１発光素子２０Ａ及び複数の第２発光素子２０Ｂの中には、赤色の光を出射する発光素子２０、緑色の光を出射する発光素子２０、及び、青色の光を出射する発光素子２０が含まれる。例えば、発光モジュール１００において、第１の色を赤色、第２の色を緑色、第３の色を青色とすることができる。

発光モジュール１００において、第１発光素子２０Ａの数は第２発光素子２０Ｂ１の数よりも多く、第２発光素子２０Ｂ１の数は第２発光素子２０Ｂ２の数よりも多い。図示される発光モジュール１００では、第１発光素子２０Ａに第１発光効率の発光素子２０を、第２発光素子２０Ｂ１に第２発光効率の発光素子２０を、第２発光素子２０Ｂ２に第３発光効率の発光素子２０を採用することができる。

発光モジュール１００において、複数の第１発光素子２０ＡにＧａＡｓ系の半導体を含む半導体レーザ素子を採用し、複数の第２発光素子２０ＢにＧａＮ系の半導体を含む半導体レーザ素子を採用することができる。このように、異なる材料系の発光素子２０を別々の発光装置に実装する実装態様とすることで、発光装置の製造における安定性または容易性が向上し、発光モジュール１００の生産性を向上させることができる。

第１発光素子２０Ａの光出射面に平行な方向の長さは、第２発光素子２０Ｂの光出射面に平行な方向の長さよりも大きい。前者の長さと後者の長さの差は、１００μｍ以上４００μｍ以下である。

第１発光素子２０Ａの第３方向の長さは、第２発光素子２０Ｂの第４方向の長さよりも大きい。前者の長さと後者の長さの差は、１００μｍ以上４００μｍ以下である。上面視で、第１発光素子２０Ａの第３方向に垂直な方向の長さは、第２発光素子２０Ｂの第４方向に垂直な方向の長さよりも大きい。前者の長さと後者の長さの差は、１００μｍ以上９００μｍ以下である。

第１発光装置１Ａの複数の第１サブマウント３０Ａには、３以上の第１サブマウント３０Ａが含まれ得る。つまり、第１発光装置１Ａは、３以上の第１サブマウント３０Ａを備え得る。第１発光装置１Ａが備える第１サブマウント３０Ａの数は、７以下とすることができる。

第２発光装置１Ｂは、第１発光装置１Ａが備える第１サブマウント３０Ａの数よりも１以上多い数の第２サブマウント３０Ｂを含み得る。第２発光装置１Ｂの複数の第２サブマウント３０Ｂには、第１実装面に配置される第１サブマウント３０Ａの数よりも１以上多い数の第２サブマウント３０Ｂが含まれ得る。第２発光装置１Ｂが備える第２サブマウント３０Ｂの数は、第１発光装置１Ａが備える第１サブマウント３０Ａの数に２を加えた数以下とすることができる。

第３方向における第１サブマウント３０Ａの長さは、第４方向における第２サブマウント３０Ｂの長さよりも大きい。前者の長さと後者の長さの差は、１００μｍ以上４００μｍ以下である。前者の長さは、後者の長さの１０１％以上１５０％以下である。第１発光素子２０Ａと第２発光素子２０Ｂの大きさに応じて第１サブマウント３０Ａと第２サブマウント３０Ｂの大きさを定めた実装態様とすることで、放熱性などの光学特性に影響する要因に配慮することができ、効率的に光を出射する発光モジュール１００を製造することができる。

第４方向に垂直な方向における第２サブマウント３０Ｂの長さは、第３方向に垂直な方向における第１サブマウント３０Ａの長さよりも大きい。前者の長さと後者の長さの差は、７０μｍ以上３００μｍ以下である。前者の長さは、後者の長さの１０１％以上１３０％以下である。

第１発光素子２０Ａは、上面視で、第１サブマウント３０Ａの上面３１の短辺を４等分する３点のうちの一方の端の点を通り、かつ、上面３１の長辺に平行な仮想的な直線が、第１発光素子２０Ａの光出射面及び光出射面と反対側の側面のいずれも通過する位置に配置される。以下、仮想的な直線を「仮想線」と呼ぶものとする。

第１保護素子５０Ａは、上面視で、第３方向に平行で、かつ、第１発光素子２０Ａを通過する仮想線が通過する位置に配置される。また、第１保護素子５０Ａは、上面視で、第１サブマウント３０Ａの上面３１の短辺を４等分する３点のうちの他方の端の点を通り、かつ、上面３１の長辺に平行な仮想線が通過する位置に配置される。

第２発光素子２０Ｂは、上面視で、第２サブマウント３０Ｂの上面３１の短辺の中心を通り、かつ、長辺に平行な仮想線が、第２発光素子２０Ｂの光出射面及び光出射面と反対側の側面のいずれも通過する位置に配置される。

第２保護素子５０Ｂは、上面視で、第４方向に平行で、かつ、第２発光素子２０Ｂを通過する仮想線が通過しない位置に配置される。言い換えれば、上面視で、第４方向に平行で、かつ、第２保護素子５０Ｂを通過するどのような直線も、第２発光素子２０Ｂを通過しないように、第２保護素子５０Ｂは配置される。

例えば、上面視で、発光素子２０の光出射面側を前方、光出射面と反対側を後方としたときに、第１保護素子５０Ａは第１発光素子２０Ａの側方に、第２保護素子５０Ｂは第２発光素子２０Ｂの後方に配置される。このように、保護素子５０の配置位置を異ならせる実施態様とすることで、サブマウント３０の実装スペースを有効に活用し、小型の発光モジュール１００を実現することができる。

第２保護素子５０Ｂから第２側面３２Ｂまでの距離が、第２発光素子２０Ｂから第２側面３２Ｂまでの距離よりも短い位置で、第２保護素子５０Ｂは第２サブマウント３０Ｂに配置される。第２側面３２Ｂから第２保護素子５０Ｂまでの最長距離の方が、第２側面３２Ｂから第２発光素子２０Ｂまでの最短距離よりも短い。第２保護素子５０Ｂは、第２側面３２Ｂの近傍に配置される。

第２保護素子５０Ｂは、上面視で、第２発光素子２０Ｂの光出射面に平行な方向の長さの中心を通り、かつ、光出射面に垂直な仮想線が通過しない位置に配置される。このような位置に第２保護素子５０Ｂを配置することで、光出射面の反対側の側面から漏れる光の影響を受けにくくすることができる。

第２サブマウント３０Ｂ及び第２サブマウント３０Ｂに配置される第２発光素子２０Ｂについて、上面視で、上面３１の長辺の長さは、第２発光素子２０Ｂの光出射面に垂直な方向の長さの１０５％以上１５０％以下である。またあるいは、上面視で、第２サブマウント３０Ｂの第２方向の長さは、第２発光素子２０Ｂの第２方向の長さの１０５％以上１５０％以下である。

第２サブマウント３０Ｂと、第２サブマウント３０Ｂに配置される第２発光素子２０Ｂ及び保護素子５０について、上面視で、第２サブマウント３０Ｂの第２方向の長さは、第２発光素子２０Ｂの第２方向の長さ、及び、保護素子５０の第２方向の長さの和よりも２００μｍ以上５００μｍ以下の範囲で大きい。これにより、サブマウント３０の第２方向の大きさを抑え、発光装置１を第２方向に小型に製造できる。

第１基体１０Ａに接合される蓋部材７０と、第２基体１０Ｂに接合される蓋部材７０とは、同じ大きさ及び形状である。なお、これらの蓋部材７０の大きさ及び形状は、異なっていてもよい。同じ蓋部材７０を用いることで、生産効率を向上させることができる。

第１発光装置１Ａの光学部材８０と、第２発光装置１Ｂの光学部材８０とは、形状が異なる。これらの光学部材８０の上面視における外形は同じ大きさ及び形状である。図示される発光モジュール１００において、光学部材８０はレンズ部材であり、第１発光装置１Ａのレンズ部材と、第２発光装置１Ｂのレンズ部材とは、そのレンズ形状が異なっている。第２発光装置１Ｂのレンズ部材の方が、第１発光装置１Ａのレンズ部材よりも、レンズ面の数が多い。

第１発光装置１Ａの光学部材８０の複数のレンズ面における連結方向のレンズ面の長さの最小値と、第２発光装置１Ｂの光学部材８０の複数のレンズ面における連結方向のレンズ面の長さの最小値との差をＧ１とする。また、第１発光装置１Ａにおける第１サブマウント３０Ａ同士の間隔と、第２発光装置１Ｂにおける第２サブマウント３０Ｂ同士の間隔の差をＧ２とする。発光モジュール１００では、Ｇ２は、Ｇ１よりも小さい。また、Ｇ２は、０μｍ以上１００μｍ以下である。これにより、レンズの大きさに対応させて、サブマウント３０の大きさを調整することができる。

第２発光素子２０Ｂ２の光出射面に平行な方向の長さは、第２発光素子２０Ｂ１の光出射面に平行な方向の長さの９５％以上１０５％以下である。複数の第２発光素子２０Ｂは、光出射面に平行の方向の長さが、およそ同程度の発光素子で揃えられる。

複数の第２発光素子２０Ｂ１は第４方向に並べて配置される。複数の第２発光素子２０Ｂ２は第４方向に並べて配置される。上面視で、第２実装面１１Ｄにおいて、第４方向に垂直な仮想線によって二分される領域の一方に第２発光素子２０Ｂ１が配置され、他方に第２発光素子２０Ｂ２が配置される。このとき、一方の領域には第２発光素子２０Ｂ２は配置されず、他方の領域には第２発光素子２０Ｂ１は配置されない。

第２基体１０Ｂは、上面視で、第４方向に対向し、かつ、間に複数の第２発光素子２０Ｂが配置される２つの配線部を有する。２つの配線部の一方において、第２発光素子２０Ｂ１を電気的に接続するための２つの配線パターン１３が設けられ、他方において、第２発光素子２０Ｂ２を電気的に接続するための２つの配線パターン１３が設けられる。

複数の配線６０には、複数の第２発光素子２０Ｂ１を電気的に接続するための複数の第１配線６０Ａと、複数の第２発光素子２０Ｂ２を電気的に接続するための複数の第２配線６０Ｂと、が含まれる。第２発光装置１Ｂでは、複数の第２発光素子２０Ｂ１が電気的に直列に接続し、複数の第２発光素子２０Ｂ２が電気的に直列に接続する。

複数の第１配線６０Ａには、第２基体１０Ｂの第１段差部１２Ｃと、第１段差部１２Ｃから最も近い第２発光素子２０Ｂ１あるいはこの第２発光素子２０Ｂ１が配置される第２サブマウント３０Ｂと、に接合される第１配線６０Ａが含まれる。また、複数の第１配線６０Ａには、第２基体１０Ｂの第１段差部１２Ｃと、第１段差部１２Ｃから最も遠い第２発光素子２０Ｂ１あるいはこの第２発光素子２０Ｂ１が配置される第２サブマウント３０Ｂと、に接合される第１配線６０Ａが含まれる。これら２つの第１配線６０Ａのうち一方の第１配線６０Ａは、上面視で、第２発光素子２０Ｂ１の光出射面と反対側の側面を通り第４方向に平行な仮想線によって二分される領域のうちの一方の領域で配線パターン１３と接合し、他方の第１配線６０Ａは他方の領域で別の配線パターン１３と接合する。

複数の第２配線６０Ｂには、第２基体１０Ｂの第２段差部１２Ｃと、第２段差部１２Ｃから最も近い第２発光素子２０Ｂ２あるいはこの第２発光素子２０Ｂ２が配置される第２サブマウント３０Ｂと、に接合される第２配線６０Ｂが含まれる。また、複数の第２配線６０Ｂには、第２基体１０Ｂの第２段差部１２Ｃと、第２段差部１２Ｃから最も遠い第２発光素子２０Ｂ１あるいはこの第２発光素子２０Ｂ１が配置されるサブマウント３０と、に接合される第２配線６０Ｂが含まれる。これら２つの第２配線６０Ｂのうち一方の第２配線６０Ｂは、上面視で、第２発光素子２０Ｂ１の光出射面と反対側の側面を通り第４方向に平行な仮想線によって二分される領域のうちの一方の領域で配線パターン１３と接合し、他方の第２配線６０Ｂは他方の領域で別の配線パターン１３と接合する。

＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る発光モジュール２００を説明する。図１乃至図４、図６乃至図１１、及び、図１４乃至図１６は、発光モジュール２００の例示的な一形態を説明するための図面である。図１は、発光モジュール２００の斜視図である。図２は、発光モジュール２００の上面図である。図３は、図２のIII-III断面線における断面図である。図４は、発光モジュール２００における配線基板９の上面図である。図６は、第１発光装置１Ａの斜視図である。図７は、第１発光装置１Ａの上面図である。図８は、図７のVIII-VIII断面線における断面図である。図９は、第１発光装置１Ａの第１基体１０Ａに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。図１０は、第２発光装置１Ｃの斜視図である。図１１は、第２発光装置１Ｃの上面図である。図１４は、発光モジュール２００において、第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｃの内部に配置される各構成要素を説明するための斜視図である。図１５は、図１１のXV-XV断面線における断面図である。図１６は、第２発光装置１Ｃの第２基体１０Ｂに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。

発光モジュール２００は、発光モジュール１００の第２発光装置１Ｂが、第２発光装置１Ｃに代わる点で、発光モジュール１００と異なり、その余の点で共通している。よって、第２発光装置１Ｃの、第２発光装置１Ｂとの相違点について説明する。

第２発光装置１Ｃは、複数の構成要素を備えている。複数の構成要素は、第２基体１０Ｂ、複数の第２発光素子２０Ｂ、複数の第２サブマウント３０Ｂ、１または複数の反射部材４０、複数の第２保護素子５０Ｂ、複数の配線６０、蓋部材７０、及び、光学部材８０を含む。また、第２発光装置１Ｃにおいて、複数の第２発光素子２０Ｂには、第２発光素子２０Ｂ１及び第２発光素子２０Ｂ２が含まれる。なお、第２発光装置１Ｃは、この他にも構成要素を備えていてよい。

第２基体１０Ｂ（基体１０）、第２発光素子２０Ｂ（発光素子２０）、第２サブマウント３０Ｂ（サブマウント３０）、反射部材４０、第２保護素子５０Ｂ（保護素子５０）、配線６０、蓋部材７０、及び、光学部材８０については、第１実施形態と共通しており、従って、各構成要素の説明は、第１実施形態で説明した通りである。

第２発光装置１Ｃは、第１実施形態の第２発光装置１Ｂと異なる特徴を有するが、共通する部分もある。第１実施形態で第２発光装置１Ｂについて説明された内容のうち、図１乃至図４、図６乃至図１１、及び、図１４乃至図１６に基づいて不整合が生じない内容については、第２発光装置１Ｃにも同様に当てはまる内容である。

第１段差部１２Ｃから最も遠い第２発光素子２０Ｂ１が配置される第２サブマウント３０Ｂにおいて、第２保護素子５０Ｂは、第１段差部１２Ｃと、この第２サブマウント３０Ｂとに接合される第１配線６０Ａよりも、第１段差部１２Ｃから遠い位置に配置される。

第２段差部１２Ｃから最も遠い第２発光素子２０Ｂ２が配置される第２サブマウント３０Ｂにおいて、第２保護素子５０Ｂは、第２段差部１２Ｃと、この第２サブマウント３０Ｂとに接合される第２配線６０Ｂよりも、第２段差部１２Ｃから遠い位置に配置される。このようにすることで、配線６０の長さを抑えることができ、安定性を向上させることができる。

複数の第２発光素子２０Ｂ１が配置される第２サブマウント３０Ｂのそれぞれにおいて、第２保護素子５０Ｂは、上面視で第２サブマウント３０Ｂの同じ位置に配置される。複数の第２発光素子２０Ｂ２が配置される第２サブマウント３０Ｂのそれぞれにおいて、第２保護素子５０Ｂは、第２サブマウント３０Ｂの同じ位置に配置される。

＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る発光モジュール３００を説明する。図１乃至図４、図６乃至図１１、及び、図１７乃至図１９は、発光モジュール３００の例示的な一形態を説明するための図面である。図１は、発光モジュール３００の斜視図である。図２は、発光モジュール３００の上面図である。図３は、図２のIII-III断面線における断面図である。図４は、発光モジュール３００における配線基板９の上面図である。図６は、第１発光装置１Ａの斜視図である。図７は、第１発光装置１Ａの上面図である。図８は、図７のVIII-VIII断面線における断面図である。図９は、第１発光装置１Ａの第１基体１０Ａに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。図１０は、第２発光装置１Ｄの斜視図である。図１１は、第２発光装置１Ｄの上面図である。図１７は、発光モジュール３００において、第１発光装置１Ａ及び第２発光装置１Ｄの内部に配置される各構成要素を説明するための斜視図である。図１８は、図１１のXVIII-XVIII断面線における断面図である。図１９は、第２発光装置１Ｄの第２基体１０Ｃに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。

発光モジュール３００は、発光モジュール１００の第２発光装置１Ｂが、第２発光装置１Ｄに代わる点で、発光モジュール１００と異なり、その余の点で共通している。また、発光モジュール３００は、発光モジュール２００の第２発光装置１Ｃが、第２発光装置１Ｄに代わる点で、発光モジュール２００と異なり、その余の点で共通している。よって、第２発光装置１Ｄの、第２発光装置１Ｂ及び第２発光装置１Ｃとの相違点について説明する。

第２発光装置１Ｄは、複数の構成要素を備えている。複数の構成要素は、第２基体１０Ｃ、複数の第２発光素子２０Ｂ、複数の第２サブマウント３０Ｂ、複数の第３サブマウント３０Ｃ、１または複数の反射部材４０、複数の第２保護素子５０Ｂ、複数の配線６０、蓋部材７０、及び、光学部材８０を含む。なお、第２発光装置１Ｄは、この他にも構成要素を備えていてよい。

第２発光素子２０Ｂ（発光素子２０）、第２サブマウント３０Ｂ（サブマウント３０）、反射部材４０、第２保護素子５０Ｂ（保護素子５０）、配線６０、蓋部材７０、及び、光学部材８０については、第１実施形態と共通しており、従って、各構成要素の説明は、第１実施形態で説明した通りである。

第２基体１０Ｃは、第１実施形態の第２基体１０Ｂと異なる特徴を有しているが、共通する部分もある。第１実施形態で第２基体１０Ｂについて説明された内容のうち、図１乃至図４、図６乃至図１１、及び、図１７乃至図１９に基づいて不整合が生じない内容については、第２基体１０Ｃにも同様に当てはまる内容である。以下、第２基体１０Ｃの異なる特徴について説明する。

（第２基体１０Ｃ）
第２基体１０Ｃでは、第２段差部１２Ｃが、第２内側面１１Ｅの一部または全部と、第２内側面１１Ｅと交わる内側面１１Ｅ（以下、第３内側面と呼ぶ。）の一部とに沿って形成される。第２段差部１２Ｃは、隣接する第２内側面１１Ｅ及び第３内側面１１Ｅのそれぞれに沿って一体的に形成される段差部１２Ｃといえる。

第２段差部１２Ｃは、隣接する内側面１１Ｅのうち、第２基体１０Ｃの矩形の外縁の短辺方向に延びる内側面１１Ｅの全部と、この外縁の長辺方向に延びる内側面１１Ｅの一部と、に沿って形成される。第２段差部１２Ｃは、この長辺方向に延びる内側面１１Ｅの１０％以上５０％未満の長さで、この内側面１１Ｅに沿って形成される。

図示される第２発光装置１Ｄでは、第２基体１０Ｃの矩形の外縁の短辺方向に延びるのが第２内側面１１Ｅであり、長辺方向に延びるのが第３内側面１１Ｅである。また、第２基体１０Ｃは、第３内側面１１Ｅと対向する内側面１１Ｅに沿って形成される段差部１２Ｃを有していない。

第２段差部１２Ｃでは、第２基体１０Ｃの矩形の外縁の短辺方向に延びる内側面１１Ｅに沿って形成される部分と、長辺方向に延びる内側面１１Ｅに沿って形成される部分のそれぞれにおいて、配線パターン１３が設けられる。

以下、第２発光装置１Ｄについて説明する。第２発光装置１Ｄは、第１実施形態の第２発光装置１Ｂ、及び、第２実施形態の第２発光装置１Ｃと異なる特徴を有するが、共通する部分もある。第１実施形態で第２発光装置１Ｂについて説明された内容、及び、第２実施形態で第２発光装置１Ｃについて説明された内容のうち、図１乃至図４、図６乃至図１１、及び、図１７乃至図１９に基づいて不整合が生じない内容については、第２発光装置１Ｄにも同様に当てはまる内容である。

（第２発光装置１Ｄ）
第２発光装置１Ｄにおいて、第３サブマウント３０Ｃは、上面３１の長辺方向の長さが、第２サブマウント３０Ｂの上面３１の長辺方向の長さよりも小さい。第３サブマウント３０Ｃは、上面３１の短辺方向の長さが、第２サブマウント３０Ｂの上面３１の短辺方向の長さと同じとなり得る。

第３サブマウント３０Ｃには、第２保護素子５０Ｂが配置されない。第２保護素子５０Ｂを配置しないことで、第２サブマウント３０Ｂよりも上面３１の長辺方向の長さを短くすることができる。

長辺方向の長さに関して、第２サブマウント３０Ｂは第３サブマウント３０Ｃよりも、１００μｍ以上６００μｍ以下の範囲で大きい。これにより、第２サブマウント３０Ｂにおいて第２保護素子５０Ｂを配置する領域を確保しつつ基体１０の大型化が抑えられる。

第２発光装置１Ｄにおいて、第２発光素子２０Ｂ１及び第２発光素子２０Ｂ２のうちの一方が第２サブマウント３０Ｂに配置され、他方が第３サブマウント３０Ｃに配置される。図示される第２発光装置１Ｄでは、第２発光素子２０Ｂ１が第２サブマウント３０Ｂに配置され、第２発光素子２０Ｂ２が第３サブマウント３０Ｃに配置されている。

第２サブマウント３０Ｂは第１段差部１２Ｃ側に配置され、第３サブマウント３０Ｃは第２段差部側１２Ｃに配置される。

第２段差部１２Ｃの第３内側面１１Ｅに沿って形成される部分との関係で、第３サブマウント３０Ｃは、上面視で第３内側面１１Ｅに垂直であり、第２段差部１２Ｃのこの部分を通過する仮想線が通過する位置に配置される。また、第２サブマウント３０Ｂは、上面視で第３内側面１１Ｅに平行であり、第２段差部１２Ｃのこの部分を通過する仮想線が通過する位置に配置される。第２サブマウント３０Ｂに配置される第２発光素子２０Ｂ１は、この仮想線を通過する位置には配置されない。また、第２サブマウント３０Ｂに配置される第２保護素子５０Ｂは、この仮想線を通過する位置に配置される。

第３サブマウント３０Ｃに配置される第２発光素子２０Ｂ２を保護する第２保護素子５０Ｂは、第２段差部１２Ｃに配置される。それぞれが第３サブマウント３０Ｃに配置される複数の第２発光素子２０Ｂ２を保護する１の第２保護素子５０Ｂが、第２段差部１２Ｃに配置される。第２段差部１２Ｃに配置される第２保護素子５０Ｂの数は１つである。これにより、個々の発光素子２０に保護素子５０を配置するよりも、使用する保護素子５０の数を減らすことができる。

第２段差部１２Ｃに接合される複数の配線６０には、第２内側面１１Ｅから最も近い位置に配置される第３サブマウント３０Ｃまたはこの第３サブマウント３０Ｃに配置される第２発光素子２０Ｂ２に接合される配線６０と、第２内側面１１Ｅから最も遠い位置に配置される第３サブマウント３０Ｃまたはこの第３サブマウント３０Ｃに配置される第２発光素子２０Ｂ２に接合される配線６０と、を含む。第２段差部１２Ｃにおいて、この２本の配線６０の間に第２保護素子５０Ｂは配置される。前者の配線６０は、第２段差部１２Ｃの第２内側面１１Ｅに沿って形成される部分で配線パターン１３に接合され、後者の配線６０は、第２段差部１２Ｃの第３内側面１１Ｅに沿って形成される部分で配線パターン１３に接合される。

第２発光装置１Ｄにおいて、第２実装面１１Ｄに配される第２サブマウント３０Ｂの数は、第２実装面１１Ｄに配される第３サブマウント３０Ｃの数よりも多い。第２実装面１１Ｄに配される第２サブマウント３０Ｂの数は３以上である。

発光素子２０に１対１で保護素子５０を設ける場合、保護素子５０を段差部１２Ｃに配置すると、サブマウント３０との配線６０の接合が複雑化するが、第２サブマウント３０Ｂを用いれば、サブマウント３０に半導体レーザ素子２０及び保護素子５０を配置できるため配線６０の接合が容易になる。

直列に接続する発光素子２０の数が多くなるほど、個々に発光素子２０を保護することの意義が高まると考えられる。一方で、直列に接続する発光素子２０の数がそこまで多くなければ、まとめて１つの保護素子５０で保護するという考え方もある。この考え方によれば、第２実装面１１Ｄに配される第３サブマウント３０Ｃの数は２以下であることが好ましいと考えることもできる。

第２内側面１１Ｅから、第２段差部１２Ｃの第３内側面１１Ｅに部分的に設けられる部分における第２内側面１１Ｅから最も遠い点までの距離は、第２内側面１１Ｅから、第２内側面１１Ｅから最も近い位置に配置される第２サブマウント３０Ｂまでの距離よりも短い。これにより、第２サブマウント３０Ｂを第２段差部１２Ｃに接触させずに配置することができる。

第２発光装置１Ｄにおいて、第２サブマウント３０Ｂの長辺方向の長さと第３サブマウント３０Ｃの長辺方向の長さの差は、第２段差部１２Ｃの第３内側面１１Ｅに沿って形成される部分における第３内側面１１Ｅに垂直な方向の長さよりも小さい。この長さの差は、第２段差部１２Ｃの第３内側面１１Ｅに沿って形成される部分における第３内側面１１Ｅに垂直な方向の長さの３０％以上９０％以下であることが好ましい。これにより、部分的に段差部１２Ｃを設けることの効果がより顕著になることがある。

＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る発光モジュール４００を説明する。図１乃至図４、図６、図７、図１０乃至図１３、及び、図２０は、発光モジュール４００の例示的な一形態を説明するための図面である。図１は、発光モジュール４００の斜視図である。図２は、発光モジュール４００の上面図である。図３は、図２のIII-III断面線における断面図である。図４は、発光モジュール４００における配線基板９の上面図である。図６は、第１発光装置１Ｅの斜視図である。図７は、第１発光装置１Ｅの上面図である。図１０は、第２発光装置１Ｂの斜視図である。図１１は、第２発光装置１Ｂの上面図である。図１２は、図１１のXII-XII断面線における断面図である。図１３は、第２発光装置１Ｂの第２基体１０Ｂに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。図２０は、第１発光装置１Ｅの第１基体１０Ａに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。

発光モジュール４００は、発光モジュール１００の第１発光装置１Ａが、第１発光装置１Ｅに代わる点で、発光モジュール１００と異なり、その余の点で共通している。また、発光モジュール４００は、第２発光装置１Ｂに代えて、第２発光装置１Ｃまたは第２発光装置１Ｄを備えることもできる。よって、第１発光装置１Ｅの、第１発光装置１Ａとの相違点について説明する。

（第１発光装置１Ｅ）
第１発光装置１Ｅは、第１実施形態乃至第３実施形態の第１発光装置１Ａと異なる特徴を有するが、共通する部分もある。第１実施形態乃至第３実施形態で第１発光装置１Ａについて説明された内容のうち、図２０に基づいて不整合が生じない内容については、第１発光装置１Ｅにも同様に当てはまる内容である。

第１発光装置１Ｅにおいて、第１保護素子５０Ａは、第１基体１０Ａの配線部の上に配置される。第１保護素子５０Ａは、第１基体１０Ａの段差部１２Ｃの上面に配置される。第１発光装置１Ｅでは、第１保護素子５０Ａは、第１サブマウント３０Ａには配置されない。

＜第５実施形態＞
第５実施形態に係る発光モジュール５００を説明する。図６乃至図１３、図２１、及び、図２２は、発光モジュール５００の例示的な一形態を説明するための図面である。図２１は、発光モジュール５００の上面図である。図２２は、発光モジュール５００における配線基板９９の上面図である。図６は、第１発光装置１Ａの斜視図である。図７は、第１発光装置１Ａの上面図である。図８は、図７のVIII-VIII断面線における断面図である。図９は、第１発光装置１Ａの第１基体１０Ａに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。図１０は、第２発光装置１Ｂの斜視図である。図１１は、第２発光装置１Ｂの上面図である。図１２は、図１１のXII-XII断面線における断面図である。図１３は、第２発光装置１Ｂの第２基体１０Ｂに実装される各構成要素の様子を示す上面図である。なお、図２２において、包含矩形を破線で記し、第１接続パターン９Ａ１に係る包含矩形を符号Ｈ１、第２接続パターン９Ａ２に係る包含矩形を符号Ｈ２で記している。また、破線Ｌ１は、Ｙ方向に平行な仮想線である。

発光モジュール５００は、発光モジュール１００の配線基板９が配線基板９９に代わり、第１発光装置１Ａと第２発光装置１Ｂとが配置される向きの関係が異なっている点で、発光モジュール１００と異なり、その余の点で共通している。なお、発光モジュール５００において、第１実施形態の第１発光装置１Ａに代えて、第４実施形態の第１発光装置１Ｅを採用することもできる。また、発光モジュール５００において、第１実施形態の第２発光装置１Ｂに代えて、第２実施形態の第２発光装置１Ｃ、または、第３実施形態の第２発光装置１Ｄを採用することもできる。つまり、発光モジュール５００は、同様の点で発光モジュール２００、発光モジュール３００、または、発光モジュール４００と異なり、その余の点で共通しているといえる。また、図１５及び図１６、あるいは、図１８及び図１９も、選択的に、第５実施形態に係る発光モジュール５００を説明する図面となり得る。

以下、発光モジュール５００における配線基板９９について説明する。配線基板９９は、第１実施形態乃至第３実施形態の配線基板９と異なる特徴を有するが、共通する部分もある。第１実施形態乃至第３実施形態で配線基板９について説明された内容のうち、図２１及び図２２に基づいて不整合が生じない内容については、配線基板９９にも同様に当てはまる内容である。

（配線基板９９）
配線基板９９において、第１接続パターン９Ａ１と、第２接続パターン９Ａ２とは、互いに同じ形状の接続パターン９Ａである。なお、同じ形状の接続パターンでなくてもよい。第１接続パターン９Ａ１と第２接続パターン９Ａ２の包含矩形は、長辺と短辺を有する矩形である。

第１接続パターン９Ａ１と第２接続パターン９Ａ２は、互いの向きを変えて、並べて配置される。配線基板９９において、第１接続パターン９Ａ１は、第２接続パターン９Ａ２と同じ大きさ及び形状の包含矩形を有し、第２接続パターン９Ａ２の包含矩形と向きが９０度異なっている。

上面視で、第１接続パターン９Ａ１の包含矩形の中心点Ｐ１と、第２接続パターン９Ａ２の包含矩形の中心点Ｐ２とを結ぶ仮想線は、Ｙ方向に平行ではない。言い換えれば、この仮想線は、Ｙ方向に対して傾いている。この仮想線のＹ方向に対する傾きの角度（以下、第１角度と呼ぶ。）は、０度より大きく４５度よりも小さい。第１角度は、２０度以下となり得る。

次に、発光モジュール５００について説明する。発光モジュール５００は、第１実施形態乃至第４実施形態の発光モジュールと異なる特徴を有するが、共通する部分もある。第１実施形態乃至第４実施形態で発光モジュールについて説明された内容のうち、図６乃至図１３、図１５、図１６、及び、図１８乃至図２２に基づいて不整合が生じない内容については、発光モジュール５００にも同様に当てはまる内容である。

（発光モジュール５００）
発光モジュール５００では、第１発光装置１Ａと第２発光装置１Ｂとは、異なる向きで、配線基板９９に配置される。上面視で、第１発光装置１Ａが配置される向きは、第２発光装置１Ｂが配置される向きに対して９０度回転している。発光モジュール５００において、第３方向と第４方向は直交する。

第１発光素子２０Ａから出射される光の偏光方向は、第２発光素子２０Ｂから出射される光の偏光方向と異なる。第１発光素子２０Ａから出射される光の偏光方向がｐ偏光であり、かつ、第２発光素子２０Ｂから出射される光の偏光方向がｓ偏光となり得る。あるいは、第１発光素子２０Ａから出射される光の偏光方向がｓ偏光であり、かつ、第２発光素子２０Ｂから出射される光の偏光方向がｐ偏光となり得る。

第１発光装置１Ａから出射される光の偏光方向は、第２発光装置１Ｂから出射される光の偏光方向と同じとなる。第１発光装置１Ａの光学部材８０を通過して、第１発光装置１Ａから出射される光のＦＦＰの速軸方向はＸ方向であり、第２発光装置１Ｂの光学部材８０を通過して、第１発光装置１Ａから出射される光のＦＦＰの速軸方向はＹ方向である。

複数の第１発光素子２０Ａのそれぞれから出射された光の光軸が第１発光装置１Ａから出射される点を結んだ仮想線Ｌ２のＹ方向に対する傾きの角度（以下、第２角度と呼ぶ。）は、第１角度よりも小さい。第２角度は、０度以上２０度未満である。図示される発光モジュール５００の第２角度は０度である。つまり、複数の第１発光素子２０Ａのそれぞれから出射される光の光軸は、第１発光装置１Ａから出射される地点において、Ｙ方向に平行に並ぶ。

第３方向に並ぶ複数の第１発光素子２０Ａのうち両端に位置する２つの第１発光素子２０Ａのそれぞれから出射された光の光軸が第１発光装置１Ａから出射される点を結ぶ線分の中点Ｐ３と、第４方向に並ぶ複数の第２発光素子２０Ｂのうち両端に位置する２つの第２発光素子２０Ｂのそれぞれから出射された光の光軸が第２発光装置１Ｂから出射される点を結ぶ線分の中点Ｐ４と、を結ぶ仮想線のＹ方向に対する傾きの角度（以下、第３角度と呼ぶ。）は、第１角度よりも小さい。第３角度は、０度以上１０度以下である。図示される発光モジュール５００の第３角度は０度である。第３角度が０度となるように、配線基板９９の２つの接続パターン９Ａの位置が調整され、そのために第１角度が０度よりも大きくなる。

以上、本発明に係る各実施形態を説明してきたが、本発明に係る発光モジュールは、各実施形態の発光モジュールに厳密に限定されるものではない。つまり、本発明は、各実施形態により開示された発光モジュールの外形や構造に限定されなければ実現できないものではない。本発明は、全ての構成要素を必要十分に備えることを必須とせずに適用され得るものである。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光モジュールの構成要素の一部が記載されていなかった場合、その一部の構成要素については、代替、省略、形状の変形、材料の変更などの当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを特定するものである。

各実施形態に記載の発光モジュールは、プロジェクタ、車載ヘッドライト、ヘッドマウントディスプレイ、照明、ディスプレイ等に使用することができる。

１００、２００、３００、４００、５００ 発光モジュール
１ 発光装置
１Ａ、１Ｅ 第１発光装置
１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 第２発光装置
１０ 基体
１０Ａ 第１基体
１０Ｂ、１０Ｃ 第２基体
１１Ａ 上面
１１Ｂ 下面
１１Ｃ 外側面
１１Ｄ 実装面
１１Ｅ 内側面
１２Ｃ 段差部
１３ 配線パターン
２０ 発光素子
２０Ａ 第１発光素子
２０Ｂ、２０Ｂ１、２０Ｂ２ 第２発光素子
３０ サブマウント
３１ 上面
３２ 側面
３２Ａ 第１側面
３２Ｂ 第２側面
３０Ａ 第１サブマウント
３０Ｂ 第２サブマウント
３０Ｃ 第３サブマウント
４０ 反射部材
５０ 保護素子
５０Ａ 第１保護素子
５０Ｂ 第２保護素子
６０ 配線
６０Ａ 第１配線
６０Ｂ 第２配線
７０ 蓋部材
８０ 光学部材
９、９９ 配線基板
９Ａ 接続パターン
９Ａ１ 第１接続パターン
９Ａ２ 第２接続パターン
９Ｂ 配線領域

Claims (13)

1. 上面に第１接続パターン及び第２接続パターンが設けられた配線基板と、
   第１実装面を有し、前記配線基板の前記第１接続パターンに接合され、前記配線基板と電気的に接続する第１基体と、
   第２実装面を有し、前記配線基板に前記第２接続パターンに接合され、前記配線基板と電気的に接続する第２基体と、
   前記第１実装面において並べて配置される複数の第１サブマウントと、
   前記第２実装面において並べて配置される複数の第２サブマウントと、
   それぞれが前記第１サブマウントに配置される複数の第１発光素子と、
   それぞれが前記第２サブマウントに配置される複数の第２発光素子と、
   を備え、
   前記複数の第１サブマウントは、３以上の前記第１サブマウントを含み、
   前記複数の第２サブマウントは、前記第１実装面に配置される前記第１サブマウントの数よりも１以上多い数の前記第２サブマウントを含み、
   前記複数の第１発光素子は、３以上の前記第１発光素子を含み、
   前記複数の第２発光素子は、前記第１実装面に配置される前記第１発光素子の数よりも１以上多い数の前記第２発光素子を含み、
   前記第１実装面において前記第１サブマウントが並ぶ方向である第１方向における前記第１サブマウントの長さは、前記第２実装面において前記第２サブマウントが並ぶ方向である第２方向における前記第２サブマウントの長さよりも大きい、発光モジュール。
2. 前記第１基体の前記第１方向の長さは、前記第２基体の前記第２方向の長さの９０％以上１０５％以下である、請求項１に記載の発光モジュール。
3. 前記第１基体と前記第２基体は、同じ大きさ及び形状である、請求項１または２に記載の発光モジュール。
4. 前記第１発光素子の前記第１方向の長さは、前記第２発光素子の前記第２方向の長さよりも大きい、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光モジュール。
5. 前記複数の第１発光素子及び前記複数の第２発光素子の中には、赤色の光を出射する発光素子、緑色の光を出射する発光素子、及び、青色の光を出射する発光素子、が含まれる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光モジュール。
6. 前記複数の第１発光素子は、ＧａＡｓ系の半導体を含む半導体レーザ素子であり、
   前記複数の第２発光素子は、ＧａＮ系の半導体を含む半導体レーザ素子である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光モジュール。
7. 前記第１方向における前記第１サブマウントの長さは、前記第２方向における前記第２サブマウントの長さの１０１％以上１５０％以下である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光モジュール。
8. 上面視で、前記第２方向に垂直な方向における前記第２サブマウントの長さは、前記第１方向に垂直な方向における前記第１サブマウントの長さよりも大きい、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光モジュール。
9. 上面視で、前記第２方向に垂直な方向における前記第２サブマウントの長さは、前記第１方向に垂直な方向における前記第１サブマウントの長さの１０１％以上１３０％以下である、請求項８に記載の発光モジュール。
10. 前記第１方向と前記第２方向は同じ方向である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発光モジュール。
11. 前記第１基体に接合される第１蓋部材と、
    前記第２基体に接合される第２蓋部材と、
    前記第１蓋部材の上方に配置される第１レンズ部材と、
    前記第２蓋部材の上方に配置される第２レンズ部材と、
    を備え、
    前記複数の第１発光素子は、前記第１基体と前記第１蓋部材とにより画定される封止空間に配置され、
    前記複数の第２発光素子は、前記第２基体と前記第２蓋部材とにより画定される封止空間に配置され、
    前記第１蓋部材と前記第２蓋部材は、同じ大きさ及び形状であり、
    前記第１レンズ部材におけるレンズ形状と前記第２レンズ部材におけるレンズ形状は異なる、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光モジュール。
12. 前記第１基体は、前記複数の第１発光素子を前記配線基板に電気的に接続させるための２つの第１配線パターンを有し、
    前記第２基体は、前記複数の第２発光素子を前記配線基板に電気的に接続させるための３以上の第２配線パターンを有し、
    前記配線基板において、上面視で前記第１接続パターンを包含する最小の矩形と、前記第２接続パターンを包含する最小の矩形とは、同じ大きさ及び形状である、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光モジュール。
13. 前記配線基板において、上面視で前記第１接続パターンを包含する最小の矩形は、長辺と短辺を有する矩形であり、前記第２接続パターンを包含する最小の矩形と同じ大きさ及び形状であり、かつ、前記第２接続パターンを包含する最小の矩形と向きが９０度異なっており、
    前記複数の第１発光素子から出射される光は、前記複数の第２発光素子から出射される光と偏光方向が異なっている、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の発光モジュール。
    

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