CN116979361A - 发光装置或发光模块 - Google Patents

Abstract

在所希望的方向减小配置多个构成要素所需的安装区域。一种发光装置，其具备：副安装座，其具有安装面和设置在安装面上的配线图案；半导体激光元件，其配置在配线图案上；保护元件，其配置在配线图案上，配线图案具有第一区域和与第一区域连接的第二区域，第一区域被设置为将安装面上的第一方向的宽度设为第一值以下，并且将与第一方向垂直的第二方向的宽度设为第二值，从安装面上的第一位置向第二方向延伸，第二区域被设置为第一方向的宽度比第一区域的第一位置处的第一方向的宽度大，从第一位置向与第二方向相反的方向延伸，半导体激光元件配置在第一区域内，保护元件配置在第二区域内，半导体激光元件和保护元件的第二方向的间隔大于0且小于170μm。

Description

发光装置或发光模块

技术领域

本发明涉及发光装置或发光模块。

背景技术

在专利文献1所公开的发光装置中，对副安装座上的配线图案进行了研究。另外，专利文献1公开了在将多个发光元件配置于一个副安装座的方式中对小型化有效的一种方式。

在特定的区域安装多个构成要素的情况下，越是能够将多个构成要素更接近地配置，能够配置在区域内的构成要素的数量就可以越多。另外，即使在配置相同数量的构成要素的情况下，只要能够将某构成要素彼此接近地配置，就能够在与其它构成要素的间隔中产生余量，而能够有助于安装的稳定性或自由度的提高。另外，如果考虑特定的区域的形状、例如在哪个方向的宽度中存在余量、在哪个方向的宽度中没有余量，则能够产生优选在哪个方向上改善多个构成要素的安装间隔的优先级。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2020－126992

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于在所希望的方向减小配置多个构成要素所需的安装区域。

用于解决问题的技术方案

在一实施方式中，公开有一种发光装置，其具备：副安装座，其具有安装面和设置在所述安装面上的配线图案；半导体激光元件，其配置在所述配线图案上；保护元件，其配置在所述配线图案上；所述配线图案具有第一区域和与所述第一区域连接的第二区域，所述第一区域被设置为将所述安装面上的第一方向的宽度设为大于所述半导体激光元件的所述第一方向的宽度且为第一值以下，并且将与第一方向垂直的第二方向的宽度设为第二值，从所述安装面上的第一位置向所述第二方向延伸所述第二值，所述第二区域被设置为所述第一方向的宽度比所述第一区域的所述第一位置处的所述第一方向的宽度大，从所述第一位置向与所述第二方向相反的方向延伸，所述半导体激光元件配置在所述第一区域内，所述保护元件配置在所述第二区域内，所述半导体激光元件和所述保护元件的所述第二方向的间隔大于0且小于170μm。

发明效果

根据实施方式所公开的一个或多个发明中的至少一个，能够在所希望的方向减小配置多个构成要素所需的安装区域。

附图说明

图1是第一实施方式的发光装置的立体图。

图2是第一实施方式的发光装置的俯视图。

图3是用于对配置于第一实施方式的发光装置的内部的各构成要素进行说明的俯视图。

图4是图3的IV－IV剖面线处的剖视图。

图5是各实施方式的副安装座的立体图。

图6是各实施方式的副安装座的俯视图。

图7是图6的VII－VII剖面线处的剖视图。

图8是半导体激光元件等配置在副安装座上的状态的立体图。

图9是半导体激光元件等配置在副安装座上的状态的俯视图。

图10是图9的X－X剖面线处的剖视图。

图11是作为比较对象的一例而举出的副安装座的俯视图。

图12是在作为比较对象的一例而举出的副安装座上配置有半导体激光元件等的状态的俯视图。

图13是表示半导体激光元件等配置在副安装座上的状态的另一例的立体图。

图14是表示半导体激光元件等配置在副安装座上的状态的另一例的俯视图。

图15是第二实施方式的发光模块的立体图。

图16是第二实施方式的发光模块的俯视图。

图17是用于对配置于第二实施方式的发光模块具备的发光装置的内部的各构成要素进行说明的俯视图。

附图标记说明

100 发光装置

10 基体

11A 上表面

11B 下表面

11C 外侧面

11D 安装面

11E 内侧面

12C 台阶部

20 半导体激光元件

30 副安装座

31 安装面

32 配线图案

32A 第一区域

32B 第二区域

33 基板

33A 第一侧面

33B 第二侧面

34 第一金属层

34A第一侧面

34B 第二侧面

35 第二金属层

40 反射部件

50 保护元件

60 盖部件

70 透镜部件

200 发光模块

101 第二发光装置

80 配线基板

90 连接器

具体实施方式

在本说明书或权利要求书中，关于三角形或四边形等多边形，也包含对多边形的角实施了圆角、倒角、角部倒角、倒圆角等加工的形状，将其称为多边形。另外，不限于角(边的端)，对边的中间部分实施了加工的形状也同样称为多边形。即，在基础上保留多边形并且实施了局部加工的形状包含在本说明书及权利要求书所记载的“多边形”的解释中。

另外，不限于多边形，对于梯形、圆形、凹凸等表示特定的形状的词语也是同样的。另外，处理形成其形状的各边的情况也是同样的。即，在某边上，即使对角或中间部分实施了加工，加工后的部分也包含于“边”的解释中。需要说明的是，在将没有局部加工的“多边形”或“边”与加工后的形状区别开的情况下，标注“严格的”，例如记载为“严格的四边形”等。

另外，在本说明书或权利要求书中，上下(上方/下方)、左右、表里、前后(前方/后方)、跟前和深处等记载仅描述相对位置、朝向、方向等关系，也可以与使用时的关系不一致。

另外，在附图中，存在使用箭头表示X方向、Y方向及Z方向等方向的情况。该箭头的方向在相同实施方式的多个附图件相互对应。另外，在附图中，将标记有X、Y及Z的箭头的方向设为正方向，将与其相反的方向设为负方向。例如，在箭头的尖部标记有X的方向为X方向，且为正方向。需要说明的是，将为X方向且为正方向的方向称为“X的正方向”，将与其相反的方向称为“X的负方向”。对于Y方向及Z方向也是同样的。

另外，在本说明书中，在对例如构成要素等进行说明时，有时记载为“部件”或“部”。“部件”是指在物理上以单体处理的对象。在物理上以单体处理的对象也能够称为在制造的工序中作为一个零件被处理的对象。另一方面，“部”是指也可以在物理上不以单体处理的对象。例如，在部分地指一个部件的一部分时使用“部”。

需要说明的是，上述的“部件”和“部”的写法区分并非表示在等同原则的解释中有意限定权利要求的意思。即，即使在权利要求书中存在记载为“部件”的构成要素，仅凭该记载，申请人也不认为在物理上以单体处理该构成要素对于本发明的应用是不可或缺的。

另外，在本说明书或权利要求书中，在某构成要素有多个且对每一个进行区别表达的情况下，有时在该构成要素的开头附记“第一”、“第二”进行区别。另外，在本说明书和权利要求书中进行区别的对象可能不同。因此，即使在权利要求书中记载了与本说明书相同标注的构成要素，由该构成要素特定的对象也有可能在本说明书和权利要求书之间不一致。

例如，在本说明书中有附记为“第一”、“第二”、“第三”而进行区别的构成要素，在将本说明书中附记有“第一”及“第三”的构成要素记载于权利要求书的情况下，从易懂的观点来看，有时在权利要求书中附记为“第一”、“第二”而区别构成要素。在该情况下，在权利要求书中附记为“第一”、“第二”的构成要素分别指在本说明书中附记为“第一”、“第三”的构成要素。需要说明的是，该规则的应用对象不限于构成要素，对于其它对象来说，也可以合理且灵活地应用。

以下，对用于实施本发明的方式进行说明。需要说明的是，参照附图，对用于实施本发明的具体方式进行说明。需要说明的是，用于实施本发明的方式不限于该具体方式。即，图示的实施方式不是实现本发明的唯一方式。需要说明的是，各附图所示的部件的大小或位置关系等存在为了便于理解而夸张的情况。

＜第一实施方式＞

图1～图14是用于对第一实施方式的发光装置100的示例的一方式进行说明的图。图1是发光装置100的立体图。图2是发光装置100的俯视图。图3是用于对配置于发光装置100的内部的各构成要素进行说明的俯视图。图4是图3的IV－IV剖面线处的剖视图。图5是副安装座30的立体图。图6是副安装座30的俯视图。图7是图6的VII－VII剖面线处的剖视图。图8是表示在副安装座30上配置有半导体激光元件20和保护元件50的状态的立体图。图9是与图8相同的状态下的俯视图。图10是图9的X－X剖面线处的剖视图。图11是作为比较对象的一例而举出的副安装座的俯视图。图12是表示在作为比较对象的一例而举出的副安装座上配置有半导体激光元件20和保护元件50的状态的俯视图。需要说明的是，图11及图12仅为用于辅助发明的理解的一例，并不举出所谓作为以往技术的比较例。图13是表示在副安装座30上配置有半导体激光元件20和保护元件50的状态的另一例的立体图。图14是与图13相同的状态下的俯视图。

发光装置100具备多个构成要素。在发光装置100具备的多个构成要素中包含基体10、一或多个半导体激光元件20、一或多个副安装座30、一或多个反射部件40、一或多个保护元件50、盖部件60、及透镜部件70。

需要说明的是，发光装置100除此之外还可以具备构成要素。例如，发光装置100还可以与一或多个半导体激光元件20分别具备发光元件。另外，发光装置100也可以不具备在此举出的多个构成要素的一部分。

首先，对发光装置100的各构成要素进行说明，之后，对发光装置100进行说明。

(基体10)

基体10具有上表面11A、下表面11B及一或多个外侧面11C。俯视时，基体10的外缘形状为矩形。该矩形能够设为具有长边和短边的矩形。在图示的基体10上，该矩形的长边方向为与X方向相同的方向，短边方向为与Y方向相同的方向。需要说明的是，俯视时，基体10的外缘形状也可以不是矩形。

在基体10上形成有凹形状。形成有从上表面11A向比上表面11A更下方凹陷的凹形状。通过基体10的凹形状划定凹陷。该凹陷俯视时被上表面11A包围。

上表面11A的内缘划定凹陷的外缘。即，上表面11A的内缘形状和凹陷的外缘形状一致。俯视时，凹陷的外缘形状为矩形。该矩形能够设为具有长边和短边的矩形。在图示的基体10上，该矩形的长边方向为与X方向相同的方向，短边方向为与Y方向相同的方向。需要说明的是，该凹陷的外缘形状也可以不是矩形。

基体10具有安装面11D。另外，基体10具有一或多个内侧面11E。安装面11D位于比上表面11A靠下方且比下表面11B靠上方。安装面11D是上表面。因此，安装面11D可以说是与上表面11A不同的上表面。安装面11D是X方向的宽度大于Y方向的宽度的形状的平面。

一或多个内侧面11E与安装面11D相比位于上方。一或多个内侧面11E与上表面11A相交。安装面11D及一或多个内侧面11E包含于划定基体10的凹陷的多个面。由一或多个内侧面11E划定凹陷的外缘形状。

一或多个内侧面11E与安装面11D垂直地设置。此处的垂直容许±3度的差。需要说明的是，内侧面11E也可以不与安装面11D垂直。

基体10具有一或多个台阶部12C。台阶部12C具有上表面及与上表面相交且从上表面向下方延伸的内侧面。在台阶部12C所具有的面中不包含从该上表面向上方延伸的内侧面。台阶部12C的上表面与内侧面11E相交。内侧面11E从台阶部12C的上表面向上方延伸。台阶部12C的内侧面与安装面11D相交。

台阶部12C俯视时沿着内侧面11E的一部分或全部形成。一或多个台阶部12C俯视时形成于上表面11A的内侧。一或多个台阶部12C俯视时形成于一或多个内侧面11E的内侧。

基体10能够具有多个台阶部12C。多个台阶部12C分别形成为俯视时沿着内侧面11E。在多个台阶部12C中包含俯视时遍及内侧面11E的全长沿着内侧面11E形成的台阶部12C。

在台阶部12C的上表面上设置一或多个配线图案。配线图案经由穿过基体10的内部的配线与其它配线图案电连接。其它配线图案例如设置于基体10的下表面。需要说明的是，配线图案也可以与设置于上表面11A或外侧面11C的配线图案电连接。

可以在一或多个台阶部12C的上表面上设置多个配线图案。可以在多个台阶部12C分别设置一或多个配线图案。需要说明的是，在基体10上，设置配线图案的部位可以不限于台阶部12C。

基体10能够使用陶瓷作为主材料而形成。另外，基体10也可以将使用金属或者含有金属的复合物作为主材料而形成的具有安装面11D的底部件、和使用陶瓷作为主材料而形成的具有配线图案的框部件接合而形成。

在此，主材料是指在成为对象的形成物中质量或体积占最多的比例的材料。需要说明的是，在由一种材料形成作为对象的形成物的情况下，该材料为主材料。即，某材料为主材料包括该材料所占的比例可为100％的情况。

作为陶瓷，能够举出例如氮化铝、氮化硅、氧化铝、碳化硅等。作为金属，能够举出例如铜、铝、铁等。或者，作为含有金属的复合物，能够使用铜钼、铜－金刚石复合材料、铜钨等。

(半导体激光元件20)

半导体激光元件20具有射出光的光射出面。半导体激光元件20具有上表面、下表面、多个侧面。半导体激光元件20的上表面或侧面成为光射出面。半导体激光元件20具有一或多个光射出面。

半导体激光元件20的上表面的形状为具有长边和短边的矩形。包含该矩形的短边的侧面可成为光射出面。需要说明的是，半导体激光元件20的上表面的形状也可以不是矩形。

对于半导体激光元件20，能够采用单发射极的半导体激光元件。另外，对于半导体激光元件20，能够采用有多个发射极的多发射极的半导体激光元件。

对于半导体激光元件20，能够采用例如射出蓝色的光的发光元件、射出绿色的光的发光元件、或射出红色的光的发光元件。需要说明的是，对于半导体激光元件20，也可以采用射出其它颜色或波长的光的发光元件。

在此，蓝色的光是指其发光峰值波长在420nm～494nm的范围内的光。绿色的光是指其发光峰值波长在495nm～570nm的范围内的光。红色的光是指其发光峰值波长在605nm～750nm的范围内的光。

半导体激光元件20射出有指向性的激光。从半导体激光元件20的光射出面(射出端面)射出具有扩散的发散光。从半导体激光元件20射出的光在与光的光射出面平行的面上形成椭圆形状的远场图案(以下称为“FFP”。)。FFP是远离光射出面的位置处的射出光的形状或光强度分布。

在此，将通过FFP的椭圆形状的中心的光、换言之在FFP的光强度分布中为峰值强度的光称为在光轴上行进的光、或者通过光轴的光。另外，在FFP的光强度分布中，将相对于峰值强度值具有1/e²以上的强度的光称为主要部分的光。

从半导体激光元件20射出的光的FFP的形状在与光的光射出面平行的面上为层叠方向比与层叠方向垂直的方向长的椭圆形状。层叠方向是指在半导体激光元件20中包含活性层的多个半导体层层叠的方向。与层叠方向垂直的方向也能够称为半导体层的面方向。另外，也能够将FFP的椭圆形状的长径方向称为半导体激光元件20的快轴方向，将短径方向称为半导体激光元件20的慢轴方向。

将基于FFP的光强度分布，峰值光强度的1/e²的光强度的光扩散的角度设为半导体激光元件20的光的扩散角。光的扩散角除根据峰值光强度的1/e²的光强度求出之外，例如，还存在根据峰值光强度的半值的光强度求出的情况。在本说明书的说明中，仅在称为“光的扩散角”时，是指峰值光强度的1/e²的光强度的光的扩散角。需要说明的是，可以认为快轴方向的扩散角大于慢轴方向的扩散角。

作为发出蓝色的光的半导体激光元件20、或发出绿色的光的半导体激光元件20，能够举出包含氮化物半导体的半导体激光元件。作为氮化物半导体，能够使用例如GaN、InGaN及AlGaN等GaN系的半导体。作为发出红色的光的半导体激光元件20，能够举出包含InAlGaP系或GaInP系、GaAs或AlGaAs等GaAs系的半导体的半导体激光元件。

(副安装座30)

副安装座30具有上表面、下表面以及一或多个侧面。副安装座30的上表面可以认为是安装其它构成要素的安装面31。副安装座30具有安装面31和设置于副安装座30的安装面31的配线图案32。

副安装座30具有俯视时一方向(以下，将该方向称为短边方向。)的长度小于与其垂直的方向(以下，将该方向称为长边方向。)的长度的外形。俯视时，副安装座30的外形为矩形。副安装座30的上表面可成为具有短边及长边的矩形的形状。需要说明的是，上表面也可以是正方形的形状。在图示的副安装座30中，短边方向为与X方向相同的方向，长边方向为与Y方向相同的方向。

副安装座30能够具有基板33和第一金属层34而构成。另外，副安装座30还能够具有第二金属层35而构成。第一金属层34设置于基板33的上表面侧。第二金属层35设置于基板33的下表面侧。

基板33的形状例如是长边方向的宽度大于短边方向的宽度的长方体。需要说明的是，也可以不是长方体。第一金属层34的形状能够为俯视时小于基板33且具有短边及长边的矩形。第二金属层35的形状能够为俯视时小于基板33且具有短边及长边的矩形。

基板33具备绝缘性。基板33例如由氮化硅、氮化铝或碳化硅形成。对于基板33的主材料，可以选择散热性较好的陶瓷。

第一金属层34可以直接设置在基板33上，也可以在其间夹装其它构成要素而间接设置。在图示的副安装座30中，第一金属层34直接设置于基板33。对于第二金属层35也是同样的。

对于第一金属层34及第二金属层35的主材料，能够使用铜或铝等金属。第一金属层34的上下方向的宽度(厚度)为30μm以上200μm以下。第一金属层34是设置于比基板33靠上方的一或多个金属层中最厚的金属层。第二金属层35是设置于比基板33靠下方的一或多个金属层中最厚的金属层。

配线图案32设置在第一金属层34之上。配线图案32的上表面及第一金属层34的上表面能够成为副安装座30的安装面31。配线图案32的上下方向的宽度(厚度)为300nm以上3000nm以下。配线图案32的上下方向的宽度(厚度)可以为300nm以上1500nm以下。配线图案32的厚度能够为第一金属层34的厚度的十分之一以下。

配线图案32具有第一区域32A和与第一区域32A连接的第二区域32B。第一区域32A在安装面31上的第一方向的宽度成为规定的值以下。以下，将该规定的值称为第一值。第一方向可以为与短边方向相同的方向。

第一区域32A在安装面31上以第一值以下的宽度、在与第一方向垂直的第二方向上以规定的宽度设置。以下，将该规定的宽度的值称为第二值。第一区域32A可以说是将第一方向的宽度设为第一值以下，并且将第二方向的宽度设为第二值的区域。将第一方向的宽度设为第一值以下表示第一区域32A的第一方向的宽度也可以不恒定。需要说明的是，第一区域32A的第一方向的宽度也可以为第一值且恒定。在图示的副安装座30中，第一区域32A是矩形的区域，能够将第一值设为矩形的短边的长度，将第二值设为矩形的长边的长度。

因为第二区域32B与第一区域32A连接，所以在第一区域32A和第二区域32B之间存在边界B。以下，将该边界B上的任意的点称为第一位置。第一区域32A是被设置为从第一位置向第二方向延伸第二值的区域。在图示的副安装座30中，第二方向是与Y的正方向相同的方向。

第二区域32B的第一方向的宽度大于第一位置处的第一区域32A的第一方向的宽度。第二区域32B在安装面31上的第一方向的宽度成为规定的值以下。以下，将该规定的值称为第三值。第三值可以认为是大于第一位置处的第一区域32A的第一方向的宽度。另外，第三值大于第一值。

第二区域32B被设置为以第三值以下的宽度从第一位置向与第二方向相反的方向延伸。第二区域32B在安装面31上以第三值以下的宽度、在与第二方向相反的方向上以规定的宽度设置。以下，将该规定的宽度的值称为第四值。第四值小于第二值。需要说明的是，第二区域32B的第一方向的宽度也可以为第三值且恒定。在图示的副安装座30中，第二区域32B是矩形的区域，能够将第三值设为矩形的长边的长度，将第四值设为矩形的短边的长度。另外，与第二方向相反的方向是与Y的负方向相同的方向。

第一金属层34的外缘处于基板33的外缘的内侧。在该情况下，副安装座30的上表面不仅包含构成安装面31的第一金属层34的上表面及配线图案32的上表面，还包含基板33的上表面。也可以将构成安装面31的上表面设为副安装座30的第一上表面，将俯视时与副安装座30的外缘相交的上表面设为副安装座30的第二上表面，以对副安装座30的上表面进行区别。需要说明的是，在安装面与俯视时的副安装座的外缘相交的副安装座的情况下，第一上表面和第二上表面指相同的上表面。

俯视时，配线图案32的外缘的一部分(以下，称为第一外缘部。)位于副安装座30的安装面31的外缘附近。需要说明的是，此处的附近也可以定义为位于10μm以内(包含零)。俯视时，配线图案32的第一外缘部位于副安装座30的上表面的外缘附近。需要说明的是，此处的附近也可以定义为位于50μm以内(包含零)。第一外缘部包含于第一区域32A。

俯视时，配线图案32的外缘的另一部分(以下，称为第二外缘部。)位于副安装座30的安装面31的外缘附近。需要说明的是，此处的附近也可以定义为位于10μm以内(包含零)。俯视时，配线图案32的第二外缘部位于副安装座30的上表面的外缘附近。需要说明的是，此处的附近也可以定义为位于50μm以内(包含零)。第二外缘部包含于第二区域32B。

例如，副安装座30的短边方向的长度为700μm以上900μm以下。另外，副安装座30的长边方向的长度为1400μm以上1850μm以下。另外，副安装座30的长边方向的长度和短边方向的长度之差为600μm以上1050μm以下。

例如，第一区域32A的第一方向的长度为200μm以上400μm以下。另外，第一区域32A的第二方向的长度为1000μm以上1300μm以下。另外，第二区域32B的第一方向的长度为400μm以上600μm以下。另外，第二区域32B的第二方向的长度为200μm以上400μm以下。

从位于第一外缘部附近的安装面31的外缘至副安装座30的上表面的外缘的距离可以为0μm以上100μm以下。或者，该距离可以为0μm以上70μm以下。或者，该距离可以为0μm以上50μm以下。

例如，配线图案32的第二方向的长度能够为副安装座30的第二方向的长度的85％以上100％以下。另外，第一区域32A的第一方向的长度能够为副安装座30的第一方向的长度的20％以上50％以下。另外，第二区域32B的第一方向的长度能够为副安装座30的第一方向的长度的55％以上85％以下。另外，第二区域32B的第一方向的长度和第一区域32A的第一方向的长度之差能够为副安装座30的第一方向的长度的15％以上45％以下。

如图所示，配线图案32俯视时呈L字状的形状。需要说明的是，此处的L字状也可以是将L反转的形状。构成L字的两根棒状的形状中的一棒状的形状可以为第一区域32A，另一棒状的形状可以为第二区域32B。能够分为两根棒状形状的与第一方向平行的直线成为第一区域32A和第二区域32B的边界B。

配线图案32能够使用金属形成。例如，能够在Ti/Pt/Au(从副安装座30的上表面起按照Ti、Pt、Au的顺序层叠)的金属层之上形成AuSn焊料(AuSn的金属层)，构成配线图案32。需要说明的是，配线图案32的结构不限于此。

(反射部件40)

反射部件40具有下表面和反射光的光反射面。另外，光反射面相对于下表面倾斜。即，就光反射面而言，从下表面观察的配置关系既不垂直也不平行。将光反射面的下端和上端连结的直线相对于反射部件40的下表面倾斜。将光反射面相对于下表面的角度、或者将光反射面的下端和上端连结的直线相对于下表面的角度称为光反射面的倾斜角。

在图示的反射部件40中，光反射面是平面，且相对于反射部件40的下表面形成45度的倾斜角。需要说明的是，光反射面也可以不是平面，例如也可以是曲面。另外，光反射面的其倾斜角也可以不是45度。

反射部件40能够使用玻璃或金属等作为主材料。主材料优选耐热材料，能够使用例如石英或者BK7(硼硅酸玻璃)等玻璃、铝等金属。反射部件40也能够使用Si作为主材料而形成。如果主材料是反射性材料，则能够由主材料形成光反射面。在与主材料分开形成光反射面的情况下，光反射面能够使用例如Ag、Al等金属或Ta₂O₅/SiO₂、TiO₂/SiO₂、Nb₂O₅/SiO₂等电介质多层膜而形成。

在光反射面上，相对于向光反射面照射的光的峰值波长的反射率为90％以上。另外，该反射率也可以是95％以上。另外，也能够将该反射率设为99％以上。光反射率为100％以下或者低于100％。

(保护元件50)

保护元件50用于防止在特定的元件(例如半导体激光元件)中流通过大的电流而被破坏。作为保护元件50，例如能够举出齐纳二极管。另外，作为齐纳二极管，能够采用由Si形成的齐纳二极管。

(盖部件60)

盖部件60具有下表面和上表面，由长方体的平板形状构成。需要说明的是，也可以不是长方体。盖部件60具有透过光的透光性。在此，透光性设为相对于光的透射率为80％以上。需要说明的是，也可以相对于全部的波长的光没有80％以上的透射率。盖部件60也可以在局部具有非透光性的区域(没有透光性的区域)。

盖部件60使用玻璃作为主材料而形成。形成盖部件60的主材料是具有高透光性的材料。盖部件60不限于玻璃，例如，也可以将蓝宝石用作主材料而形成。

(透镜部件70)

透镜部件70具有上表面、下表面以及侧面。透镜部件70对入射的光赋予聚光、扩散、准直等光学作用，从透镜部件70射出被赋予了光学作用的光。

透镜部件70具有一或多个透镜面。一或多个透镜面设置于透镜部件70的上表面侧。需要说明的是，也可以设置于透镜部件70的下表面侧。上表面及下表面为平面。一或多个透镜面与上表面相交。一或多个透镜面俯视时被上表面包围。俯视时，透镜部件70具有矩形的外形。透镜部件70的下表面为矩形。

将透镜部件70中俯视时与一或多个透镜面重叠的部分设为透镜部，将不重叠的部分设为非透镜部。在透镜部件70中，俯视时与上表面重叠的部分包含于非透镜部。将透镜部由包含上表面的假想平面一分为二时的透镜面侧设为透镜形状部，将下表面侧设为平板形状部。透镜部件70的下表面由透镜部的下表面及非透镜部的下表面构成。

透镜部件70的一或多个透镜面沿一方向成列地形成。即，一或多个透镜面的各透镜面连结，且沿相同方向排列设置。透镜部件70形成为各透镜面的顶点位于假想的一条直线上。在图示的透镜部件70中，该假想直线为与X方向相同的方向。

在此，俯视时，将多个透镜面排列的方向称为连结方向。对于多个透镜面来说，俯视时，连结方向的长度大于与该方向垂直的方向的长度。在图示的透镜部件70中，连结方向是与X方向相同的方向。

透镜部件70具有透光性。透镜部件70的透镜部及非透镜部均具有透光性。透镜部件70能够使用例如BK7等玻璃而形成。

接下来，对发光装置100进行说明。

(发光装置100)

在发光装置100中，一或多个半导体激光元件20配置于基体10上。一或多个半导体激光元件20配置于基体10的安装面11D。一或多个半导体激光元件20被封装密封。封装形成配置半导体激光元件20的内部空间、即密封的空间。封装能够通过在基体10上接合盖部件60而形成。

半导体激光元件20安装于副安装座30。半导体激光元件20经由副安装座30安装于基体10的安装面11D。副安装座30的下表面与基体10接合。副安装座30的第二金属层35与基体10接合。

半导体激光元件20配置在副安装座30的配线图案32上。半导体激光元件20配置在配线图案32的第一区域32A内。半导体激光元件20被配置为光射出面与第一方向平行。需要说明的是，此处的平行包含±5°的差。半导体激光元件20经由设置在配线图案32上的AuSn焊料等接合材料与配线图案32接合。例如，能够利用配线图案32的AuSn焊料和设置在半导体激光元件20上的Au金属膜的共晶反应，将半导体激光元件20接合到配线图案32上。

半导体激光元件20能够配置为光射出面从副安装座30的安装面31突出。半导体激光元件20的光射出面从副安装座30的安装面31突出的长度可以设为30μm以下。如果突出的长度大，则存在副安装座30相对于从半导体激光元件20的光射出面产生的热而散热性能不充分的情况。更优选的是，该长度可以设为20μm以下。

半导体激光元件20的光射出面俯视时可配置于安装面31的外缘和副安装座30的上表面的外缘之间。由此，俯视时，半导体激光元件20不从副安装座30突出，因此，能够沿第二方向缩短应确保的安装区域。另外，能够在考虑到半导体激光元件20的散热的同时，使从半导体激光元件20射出的主要部分的光不向副安装座30的上表面入射的方式配置半导体激光元件20。

第一区域32A的第一方向的宽度大于半导体激光元件20的第一方向的宽度。第一区域32A的第一方向的宽度大于半导体激光元件20的第一方向的宽度且超过100μm。由此，能够将半导体激光元件20稳定地接合到配线图案32上。需要说明的是，第一区域32A的第一方向的宽度优选为在半导体激光元件20的第一方向的宽度上加上200μm所得的值以下。通过抑制配线图案32的大小，能够确保其它构成要素的大的安装区域。

俯视时，第一区域32A的第一方向的宽度的两端中的一端处于从与半导体激光元件20的光射出面相交的两侧面中接近该一端的侧面离开大于50μm且100μm以下的位置，另一端处于从接近该另一端的侧面离开大于50μm且100μm以下的位置。由此，能够将半导体激光元件20稳定地接合到配线图案32上。另外，第一区域32A的第一方向的宽度的中心能够与半导体激光元件20的第一方向的宽度的中心一致。

第一区域32A的第二方向的宽度(第二值)为从半导体激光元件20的第二方向的长度减去俯视时半导体激光元件20的光射出面从安装面31突出的长度所得的值以上。另外，第二值可以为从半导体激光元件20的第二方向的长度减去俯视时半导体激光元件20的光射出面从安装面31突出的长度所得的值上加上50μm所得的值以下。基于半导体激光元件20的第二方向的长度，使第一区域32A的第二方向的长度不具有过度的余量，由此能够抑制副安装座30的第二方向的长度。需要说明的是，第二值也可以是半导体激光元件20的第二方向的长度以下。换言之，俯视时，也可以在边界B通过的位置配置半导体激光元件20。

在此，将位于半导体激光元件20的光射出面的附近的第一金属层34的侧面称为第一金属层34的第一侧面34A。将与第一侧面34A相反侧的第一金属层34的侧面称为第一金属层34的第二侧面34B。另外，将位于光射出面附近的基板33的侧面称为基板33的第一侧面33A。将与第一侧面33A相反侧的基板33的侧面称为基板33的第二侧面33B。需要说明的是，副安装座30的第一侧面及第二侧面不管副安装座30是否具有第一金属层，都是指基板33的第一侧面33A及第二侧面33B。

基板33的第一侧面33A及第二侧面33B是俯视时沿副安装座30的短边方向延伸的侧面。第一金属层34的第一侧面34A及第二侧面34B是俯视时沿副安装座30的短边方向延伸的侧面。配置于副安装座30的半导体激光元件20的第二方向的宽度大于第一方向的宽度。

配线图案32的第一外缘部俯视时位于第一金属层34的第一侧面34A附近。配线图案32的第一外缘部俯视时位于副安装座30的第一侧面附近。配线图案32的第一外缘部俯视时位于半导体激光元件20的光射出面附近。半导体激光元件20的光射出面与副安装座30的第一侧面平行。

配线图案32的第二外缘部具有俯视时位于第一金属层34的第二侧面34B附近的第一部分和位于与第二侧面34B相交的第一金属层34的侧面附近的第二部分。配线图案32的第二外缘部具有俯视时位于副安装座30的第二侧面附近的第一部分和位于与副安装座30的第二侧面相交的侧面附近的第二部分。第一部分的第一方向的长度能够与第三值相等。第二部分的第二方向的长度能够为第四值。

在发光装置100中，一或多个保护元件50配置于安装面11D。一或多个保护元件50被封装密封。保护元件50安装于副安装座30。保护元件50经由副安装座30安装于安装面11D。

保护元件50配置在副安装座30的配线图案32上。保护元件50配置在配线图案32的第二区域32B内。俯视时，穿过保护元件50且与第一方向平行等这样的假想线也不通过与该保护元件50一起配置于副安装座30的半导体激光元件20。

在配置于副安装座30的半导体激光元件20及保护元件50中，对于第一方向的宽度来说，保护元件50大于半导体激光元件20。另外，对于第二方向的宽度来说，保护元件50小于半导体激光元件20。

配置于副安装座30的半导体激光元件20和保护元件50的第二方向的间隔大于0μm且小于170μm。该间隔越小，越能够减小配置半导体激光元件20和保护元件50所需的第二方向的安装区域。因此，该间隔更优选为大于0μm且为120μm以下。另外，该间隔更优选为大于0μm且100μm以下。另外，该间隔更优选为大于0μm且80μm以下。

半导体激光元件20和保护元件50具有在无意接触的部位导通的风险。在原理上，只要避免接触，就可以靠近到任何程度，但如果考虑容易判断是否接触，则配置于副安装座30的半导体激光元件20和保护元件50的第二方向的间隔可以设为50μm以上。因此，该间隔可以为50μm以上且小于170μm。另外，该间隔可以为50μm以上120μm以下。另外，该间隔可以为50μm以上100μm以下。另外，该间隔可以为50μm以上80μm以下。

在此，对半导体激光元件20的接合进行补充。在将半导体激光元件与副安装座等接合时，要求足够的接合强度，以使得不会由于之后的发光装置的使用中的振动等而容易脱落。另外，不仅是获得不容易脱落的足够的接合强度的观点，而且从相对于半导体激光元件的散热性的观点来看，也存在判定接合状态是否充分的情况。对于半导体激光元件来说，主要的光从光射出面射出，另外，一部分的光还从光射出面的相反侧的面射出。因此，在半导体激光元件中产生的热集中到光射出面和其相反侧的面。因此，在以散热的观点判断接合状态的良否的情况下，光射出面附近和其相反侧的面附近的接合状态成为重要的因素。

例如，在使用AuSn焊料与Au的金属膜接合的情况下，如果共晶反应不充分，则导致散热性的降低。而且，根据实验结果可知，如果从半导体激光元件至配线图案的外缘的距离过短，则共晶反应不充分。具体而言，在该距离为50μm的配线图案上接合半导体激光元件后，如果确认接合状态，则存在共晶反应不充分的情况。因此，即使半导体激光元件20的光射出面由于其它理由而不优选隔开大于50μm的距离，从光射出面的相反侧的面至配线图案的外缘的距离也优选大于50μm。因此，成为如下结论：如图11及图12所示，在个别设置配置半导体激光元件20的配线图案39和配置保护元件50的配线图案39的情况下，半导体激光元件20和保护元件50的第二方向的间隔优选设为170μm以上。

需要说明的是，虽然已有叙述，但图11及图12未作为以往技术举出，仅为以个别设置配线图案39的方式对使副安装座沿第二方向减小进行了探讨的例子。即，在图11及图12的情况下，优选将半导体激光元件20和保护元件50的第二方向的间隔设为170μm以上的结论并不是说以往技术和本实施方式的技术边界为170μm。因此，本申请也附言有不是将共晶反应的不充分作为必须的课题的发明。

相对于图11的副安装座，在副安装座30中，在一个配线图案32上配置半导体激光元件20和保护元件50，且将半导体激光元件20和保护元件50沿第二方向分离配置，因此，能够确保从半导体激光元件20的光射出面的相反侧的面至配线图案32的外缘的距离超过50μm。需要说明的是，保护元件50的第二方向的长度为50μm以上。另外，为了将安装区域抑制得较小，保护元件50的第二方向的长度优选为300μm以下。同样，保护元件50的第一方向的长度优选为300μm以下。

配置于副安装座30的半导体激光元件20和保护元件50的第一方向的间隔为0μm以上100μm以下。该间隔越小，越能够减小配置半导体激光元件20和保护元件50所需的第一方向的安装区域。优选的是，该间隔为0μm以上50μm以下。需要说明的是，该间隔为0μm不限于将半导体激光元件20的保护元件50侧的端点和保护元件50的半导体激光元件20侧的端点连结的直线与第二方向平行的状态，还包括存在与通过半导体激光元件20及保护元件50的第二方向平行的假想线的状态。

保护元件50配置于俯视时穿过从半导体激光元件20的光射出面射出的光的射出点(光射出点)且平行于第二方向的假想线L1不通过的位置。通过这样配置，能够抑制从半导体激光元件20的与光射出面相反侧的面射出的光被保护元件50的侧面反射而回到半导体激光元件20。在发光装置100中，能够以配置于副安装座30的半导体激光元件20和保护元件50的第一方向的间隔超过0μm的方式配置半导体激光元件20和保护元件50，由此，能够进一步提高返回光的抑制效果。

需要说明的是，如图13及图14所示，保护元件50也可以配置于俯视时穿过半导体激光元件20的光射出面的光射出点且平行于第二方向的假想线L1通过的位置。在第一方向上，也可以配置为半导体激光元件20的两端位于保护元件50的两端之间。从第二方向观察的侧视时，半导体激光元件20的光射出面及光射出面的相反侧的面也可以包含于保护元件50的侧面。由此，能够减小用于安装半导体激光元件20及保护元件50的安装区域的第一方向的宽度。需要说明的是，如果这样配置半导体激光元件20及保护元件50，则担心半导体激光元件20的光射出面的相反侧的面和保护元件50的侧面之间的接合材料的隆起，但实验的结果未确认到产生电流泄漏那样的隆起。

在穿过第一区域32A的外缘和第二区域32B的外缘相交的点P、且与边界B相交的点P，并且平行于第二方向的假想线L2通过的位置配置保护元件50。由此，能够减小半导体激光元件20和保护元件50的安装所需的安装区域，另外，也能够减小配线图案32的第一区域32A的形状。

保护元件50配置在距副安装座30的第二外缘部的第一部分100μm以下的距离。保护元件50能够配置在距副安装座30的第二外缘部的第一部分50μm以下的距离。保护元件50能够配置在距副安装座30的第二侧面100μm以下的距离。由此，能够减小副安装座30的第二方向的长度。保护元件50配置在距副安装座30的第二外缘部的第二部分100μm以下的距离。由此，能够减小副安装座30的第一方向的长度。

配置于副安装座30的半导体激光元件20和保护元件50的第二方向的间隔可以小于从保护元件50至副安装座30的第二侧面的距离。配置于副安装座30的半导体激光元件20和保护元件50的第二方向的间隔、和从保护元件50至副安装座30的第二侧面的距离之差可以为30μm以下。由此，能够减小副安装座30的第二方向的长度。

俯视时，保护元件50以与副安装座30的第二外缘部的第一部分对置的侧面与第一部分平行的方式配置。俯视时，保护元件50以与副安装座30的第二外缘部的第二部分对置的侧面与第二部分平行的方式配置。需要说明的是，此处的平行包含±10°的差。

在发光装置100中，一或多个半导体激光元件20配置于互不相同的副安装座30。另外，一或多个保护元件50配置于互不相同的副安装座30。配置于一个副安装座30的半导体激光元件20的数量为一个，配置于一个副安装座30的保护元件50的数量为一个以下。也可以不对配置半导体激光元件20的副安装座30的全部配置保护元件50。在图示的发光装置100中，对配置半导体激光元件20的副安装座30的全部配置保护元件50。

发光装置100能够具备多个半导体激光元件20。另外，多个半导体激光元件20能够排列配置。如果将配置有半导体激光元件20的副安装座30设为一个CoS(Chip onSubmount，激光芯片)，则在发光装置100中能够沿第一方向排列配置多个CoS。在沿第一方向排列的多个CoS上分别配置保护元件50。多个副安装座30安装于基体10的安装面11D。

多个半导体激光元件20分别向第二方向射出光。从多个第一半导体激光元件20的各光射出面射出将与安装面11D垂直的方向作为快轴方向的FFP的光。任一个半导体激光元件20的慢轴方向的扩散角均为20度以下。需要说明的是，扩散角是大于0度的角度。

在多个CoS沿第一方向排列配置的发光装置100中，存在期望副安装座30能够在第一方向上比在第二方向上小型化的情况。其原因在于，相对于第一方向的宽度相同的安装区域，副安装座30的宽度减小，由此，能够排列配置的CoS的数量可能增加。在副安装座30上，通过将半导体激光元件20和保护元件50沿第二方向分离配置，容易减小第一方向的宽度。

另外，如果能够排列配置的CoS的数量多，则每一个副安装座30的小型化对能够配置的数量的增加带来的影响也变大。因此，发光装置100优选将四个以上的CoS沿第一方向排列配置。图示的发光装置100表示五个以上的CoS沿第一方向排列配置的发光装置的一例。

在发光装置100中，一或多个反射部件40配置于基体10。各反射部件40配置于安装面11D。从一或多个半导体激光元件20射出的光由一或多个反射部件40的光反射面反射。光反射面相对于通过光轴的光的行进方向以45度的角度倾斜。由光反射面反射的光向上方行进。

反射部件40能够一对一地设置于半导体激光元件20。即，可配置与半导体激光元件20的数量相同的反射部件40。在发光装置100中，多个反射部件40俯视时可沿第一方向排列配置。任一个反射部件40的大小及形状均相同。

反射部件40的光反射面反射被照射的主要部分的光的90％以上。需要说明的是，也可以对多个半导体激光元件20设置一个反射部件40。再或者，发光装置100也可以不具有反射部件40。

在发光装置100中，盖部件60与基体10接合。盖部件60配设于基体10的上表面11A。另外，盖部件60与台阶部12C相比位于上方。另外，通过接合盖部件60，产生由基体10和盖部件60划定的封闭空间。该空间是配设半导体激光元件20的空间。

通过在规定的气氛下将盖部件60与基体10接合，制造出气密密封的封闭空间(密封空间)。通过将配设半导体激光元件20的空间气密密封，能够抑制集尘引起的品质劣化。盖部件60相对于从半导体激光元件20射出的光具有透光性。从半导体激光元件20射出的主要部分的光的90％以上透过盖部件60向外部射出。

在发光装置100中，透镜部件70固定于封装。透镜部件70配置于盖部件60的上方。透镜部件70与盖部件60接合。从多个半导体激光元件20分别射出的光从封装射出，向透镜部件70入射。透过盖部件60的光向透镜部件70的入射面入射。入射至透镜部件70的入射面的光从透镜面射出。

透镜部件70具有与一或多个半导体激光元件20的数量相同的透镜面。透镜部件70的各透镜面与不同的第一半导体激光元件20对应，从半导体激光元件20射出的光通过对应的透镜面。从各半导体激光元件20射出的主要部分的光通过互不相同的透镜面从透镜部件70射出。入射至透镜部件70的光例如成为准直的光并从透镜部件70射出。

＜第二实施方式＞

接着，对第二实施方式的发光模块200进行说明。图15～图17是用于对发光模块200的示意性的一方式进行说明的图。另外，因为发光模块200具备发光装置100，所以图1～图14也可以说是用于对发光模块200进行说明的图。图15是发光模块200的立体图。图16是发光模块200的俯视图。图17是用于对配置于发光模块200具备的发光装置的内部的各构成要素进行说明的俯视图。

发光模块200具备多个构成要素。在发光模块200具备的多个构成要素中包含发光装置100(以下，称为第一发光装置100。)、第二发光装置101、配线基板80及连接器90。需要说明的是，发光模块200可以具备在此举出的多个构成要素以外的构成要素，也可以不具备一部分的构成要素。

以下，为了区别在第一发光装置100和第二发光装置101中名称共用的构成要素，对第一发光装置100的构成要素标注“第一”，对第二发光装置101的构成要素标注“第二”。

第二发光装置101具备多个构成要素。在第二发光装置101具备的多个构成要素中包含第二基体10、一或多个第二半导体激光元件20、一或多个第二副安装座30、一或多个第二反射部件40、一或多个第二保护元件50、第二盖部件60、及第二透镜部件70。

上述的第一实施方式的发光装置100及各构成要素的说明中从通过发光模块200的图及以下的说明而公开的第二发光装置101去除了被认为是内容矛盾的说明之外的所有说明作为第二发光装置101的说明也是适用的。不矛盾的全部内容为了避免重复，不再在此记载说明。

(发光模块200)

在发光模块200中，在配线基板80上安装第一发光装置100及第二发光装置101。第一发光装置100具有第一封装，第二发光装置101具有第二封装。另外，第一封装和第二封装分别与配线基板80接合。第一封装及第二封装均能够通过在基体10上接合盖部件60而形成。

第一发光装置100的第一封装和第二发光装置101的第二封装为相同的外形。需要说明的是，也可以是，俯视时，包含第一封装的最小的矩形和包含第二封装的最小的矩形为相同的形状，且第一封装和第二封装为相同的高度包含在“第一封装和第二封装的外形相同”的解释中。

第一发光装置100的第一安装面11D的面积为第二发光装置101的第二安装面11D的面积的90％以上110％以下。第一安装面11D的面积可与第二安装面11D的面积相同。第一安装面11D和第二安装面11D可以为相同形状。

第一发光装置100具有多个第一半导体激光元件20。另外，在多个第一半导体激光元件20中包含配置于第一实施方式的副安装座30的半导体激光元件20。

第一发光装置100具有多个第一副安装座30。在多个第一副安装座中包含第一实施方式的副安装座30。在多个第一副安装座30上分别配置第一半导体激光元件20。多个第一半导体激光元件20都可以成为配置于第一实施方式的副安装座30的半导体激光元件20。

第二发光装置101具有一或多个第二半导体激光元件20。第二发光装置101具有的第二半导体激光元件20的数量比第一发光装置100具有的第一半导体激光元件的数量少一个以上。需要说明的是，第一发光装置100除多个第一半导体激光元件20以外不具备半导体激光元件20。第二发光装置101除一或多个第二半导体激光元件20以外不具备半导体激光元件20。

第二发光装置101具有一或多个第二副安装座30。一或多个第二副安装座30中的任一个与第一实施方式的副安装座30相比，形状均不同。在一或多个第二副安装座30上分别配置第二半导体激光元件20。

俯视时，与第二半导体激光元件20的光射出面平行的方向上的第二副安装座30的长度大于与第一半导体激光元件20的光射出面平行的方向上的第一副安装座30的长度。与第二半导体激光元件20的光射出面平行的方向上的第二副安装座30的长度和与第一半导体激光元件20的光射出面平行的方向上的第一副安装座30的长度之差能够为70μm以上190μm以下。

多个第一半导体激光元件20分别射出第一色的光(以下，称为第一光。)。需要说明的是，在多个第一半导体激光元件20中也可以包含射出与第一光不同的颜色的光的半导体激光元件20。第一色例如为蓝色。需要说明的是，第一色也可以不是蓝色。

一或多个第二半导体激光元件20包含射出第二色的光(以下，称为第二光。)的半导体激光元件20。第二光是与第一光不同的颜色的光。另外，第二光能够为与从多个第一半导体激光元件20中的任一个射出的光的颜色均不同的颜色。第二色例如为红色。需要说明的是，第二色也可以不是红色。

能够通过第一发光装置100及第二发光装置101射出红色、绿色及蓝色的光。

俯视时，第二半导体激光元件20的光射出面的宽度大于第一半导体激光元件20的光射出面的宽度。这样，由于光射出面的宽度不同，从而配置第一半导体激光元件20的第一副安装座30和配置第二半导体激光元件20的第二副安装座的形状可以不同。

基于图示的发光模块200，假设要将第一半导体激光元件20和第二半导体激光元件20配置于相同形状的副安装座，则第一发光装置100和第二发光装置101各自具有的半导体激光元件20的数量为四个。另一方面，发光模块200在第一发光装置100中采用能够排列配置五个的第一副安装座30，而不是只并能排配置四个的第二副安装座30。这样，通过减小第一方向上的每一个副安装座的安装区域，能够沿第一方向减小配置多个副安装座所需的安装区域，排列更多数量的副安装座。

另一方面，为了减小第一方向上的安装区域，将保护元件50和半导体激光元件20沿第二方向分离配置，其结果为，安装区域沿第二方向变大。如果安装方向沿第二方向变大，则基体10的内侧面11E和副安装座30之间变窄，可能不易安装。因此，在第二方向上，也期望抑制长度，使得副安装座30不过度变大。第一实施方式的副安装座30或发光装置100、及将副安装座30分开使用的发光模块200表示对这样的目的有效的一方式。

在第二发光装置101中，第二保护元件50安装于第二封装。第二保护元件50配置于第二封装的基体10的台阶部12C的上表面。在第二发光装置101中，第二保护元件未配置在第二副安装座30上。即，不在一或多个第二副安装座30中的任一个上配置第二保护元件50。第二副安装座30中的配线图案与第一实施方式的副安装座30不同，不是具有第一区域32A及第二区域32B的形状。例如，第二半导体激光元件20配置在设置于第二副安装座30的矩形的配线图案上。

在发光模块200中，第一发光装置100和第二发光装置101排列配置。第一发光装置100和第二发光装置101排列的方向与在第一发光装置100中多个第一半导体激光元件20排列的方向垂直。通过使用外形相同的形状的封装，能够抑制配线基板80的大小。

在发光模块200中，与第一发光装置100及第二发光装置101电连接的连接器90安装于配线基板80。由此，能够容易地进行向第一发光装置100及第二发光装置101的供电。

以上，对本发明的各实施方式进行了说明，但本发明的发光装置或发光模块不严格限定于各实施方式的发光装置或载置部件。即，本发明并非限定于通过各实施方式公开的发光装置或发光模块的外形或结构才能实现。本发明可以不需要必要且充分具备所有构成要素而应用。例如，在权利要求书中未记载通过实施方式公开的发光装置或发光模块的构成要素的一部分的情况下，对于该一部分的构成要素，允许代替、省略、形状的变形、材料的变更等由本领域技术人员进行的设计的自由度，而且，特定应用权利要求书所记载的发明的情况。

产业上的可利用性

实施方式所记载的发光装置或发光模块能够用于投影仪、车载前照灯、头戴式显示器、照明、显示器等。

Claims (11)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：

副安装座，其具有安装面和设置于所述安装面的配线图案；

半导体激光元件，其配置在所述配线图案上；

保护元件，其配置在所述配线图案上，

所述配线图案具有第一区域和与所述第一区域连接的第二区域，

所述第一区域被设置为所述安装面上的第一方向的宽度大于所述半导体激光元件的所述第一方向的宽度且为第一值以下，并且将与第一方向垂直的第二方向的宽度设为第二值，从所述安装面上的第一位置向所述第二方向延伸所述第二值，

所述第二区域被设置为所述第一方向的宽度比所述第一位置处的所述第一区域的所述第一方向的宽度大，从所述第一位置向与所述第二方向相反的方向延伸，

所述半导体激光元件配置在所述第一区域内，

所述保护元件配置在所述第二区域内，

所述半导体激光元件和所述保护元件的所述第二方向的间隔大于0μm且小于170μm。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述第二值为从所述半导体激光元件的所述第二方向的长度减去俯视时所述半导体激光元件的光射出面从所述副安装座的所述安装面突出的长度所得的值以上。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，

所述保护元件配置于俯视时穿过所述半导体激光元件的光射出点且平行于所述第二方向的假想线不通过的位置。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光装置，其中，

对于所述第一方向的宽度来说，所述保护元件大于所述半导体激光元件，

对于所述第二方向的宽度来说，所述保护元件小于所述半导体激光元件。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光装置，其中，

所述半导体激光元件和所述保护元件的所述第二方向的间隔为50μm以上100μm以下。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光装置，其中，

所述半导体激光元件和所述保护元件的所述第二方向的间隔大于0μm且为80μm以下。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的发光装置，其中，

配置有所述半导体激光元件和所述保护元件的所述副安装座沿所述第一方向排列配置有多个。

8.一种发光模块，其具备：

第一发光装置，其具有第一封装；

第二发光装置，其具有第二封装；

配线基板，其安装所述第一发光装置及第二发光装置，

所述第一发光装置是权利要求1～7中任一项所述的发光装置，且具有包含所述半导体激光元件的多个第一半导体激光元件，

所述第二发光装置具有一或多个第二半导体激光元件，

所述第二发光装置具有的第二半导体激光元件的数量比所述第一发光装置具有的所述第一半导体激光元件的数量少一个以上。

9.根据权利要求8所述的发光模块，其中，

所述第一封装和所述第二封装为相同外形。

10.根据权利要求8或9所述的发光模块，其中，

所述第一发光装置具有包含所述副安装座的多个第一副安装座，在所述多个第一副安装座上分别配置所述第一半导体激光元件，

所述第二发光装置具有与所述副安装座不同的形状的一或多个第二副安装座，在所述一或多个第二副安装座上分别配置所述第二半导体激光元件。

11.根据权利要求8至10中的任一项所述的发光模块，其中，

所述第二发光装置具有安装于所述第二封装的保护元件，且在所述一或多个第二副安装座中的任一个上都不配置保护元件。