JP2023164288A - 発光装置、または、載置部材 - Google Patents

Abstract

【課題】 装置の小型化に寄与する載置部材を実現する。
【解決手段】 半導体レーザ素子と、絶縁性の基板と、第１金属層と、第２金属層と、を有し、第１金属層が設けられる側に半導体レーザ素子が配置されるサブマウントと、を備え、絶縁性の基板は、第１面と、第１面の反対側の第２面と、を有し、また、第１面に垂直な方向からみた平面視で、第１方向の幅よりも第１方向に垂直な第２方向の幅の方が大きい形状を有しており、第１金属層は、第１面に設けられ、第２金属層は、第２面に設けられ、また、第１方向の幅が第１金属層よりも小さく、かつ、第１方向における第１金属層の幅と第２金属層の幅との差よりも第２方向における第１金属層の幅と第２金属層の幅との差の方が小さい発光装置。
【選択図】 図７

Description

本発明は、発光装置、または、載置部材に関する。

例えば、サブマウント上にレーザ素子が実装された発光装置が知られている。レーザ素子などの電子部品は、サブマウントなどの載置部材に載置されて、装置に組み込まれることも少なくない。

特許文献１には、レーザ素子が搭載されるサブマウントであって、ＡｌＮ基板の表裏面にそれぞれ銅めっきが形成されたサブマウントが開示されている。

特開２０２１－４４４６８

装置の小型化のために、載置部材には改良の余地がある。

一実施形態において、半導体レーザ素子と、絶縁性の基板と、第１金属層と、第２金属層と、を有し、前記第１金属層が設けられる側に前記半導体レーザ素子が配置されるサブマウントと、を備え、前記絶縁性の基板は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、また、前記第１面に垂直な方向からみた平面視で、第１方向の幅よりも前記第１方向に垂直な第２方向の幅の方が大きい形状を有しており、前記第１金属層は、前記第１面に設けられ、前記第２金属層は、前記第２面に設けられ、また、前記第１方向の幅が前記第１金属層よりも小さく、かつ、前記第１方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差よりも前記第２方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差の方が小さい発光装置が開示される。

また、一実施形態において、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、前記第１面に垂直な方向からみた平面視で、第１方向の幅よりも前記第１方向に垂直な第２方向の幅の方が大きい形状を有する絶縁性の基板と、前記第１面に設けられる第１金属層と、前記第２面に設けられる第２金属層と、を備え、前記第２金属層は、前記第１方向の幅が前記第１金属層よりも小さく、かつ、前記第１方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差よりも前記第２方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差の方が小さい載置部材が開示される。

実施形態に開示される１または複数の発明の少なくとも一つにより、装置の小型化に寄与する載置部材が実現される。

図１は、第１実施形態及び第２実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図２は、第１実施形態及び第２実施形態に係る発光装置の上面図である。 図３は、第１実施形態に係る発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図４は、図２のIV-IV断面線における断面図である。 図５は、第１実施形態及び第２実施形態に係る載置部材の上面図である。 図６は、図５のVI-VI断面線における載置部材の断面図である。 図７は、図５のVII-VII断面線における載置部材の断面図である。 図８は、第１実施形態及び第２実施形態に係る発光装置におけるサブマウントの接合の様子の一例を説明するための模式図である。 図９は、第１実施形態及び第２実施形態に係る発光装置におけるサブマウントの接合の様子の他の一例を説明するための模式図である。 図１０は、望ましくないサブマウントの接合の様子を説明するための模式図である。 図１１は、第２実施形態に係る発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図１２は、図１１のXII-XII断面線における断面図である。 図１３は、図１２の断面図における第２サブマウントの拡大図である。 図１４は、変形例に係る載置部材の第２金属層を説明するための模式図である。 図１５は、他の変形例に係る載置部材の第２金属層を説明するための模式図である。 図１６は、第３実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図１７は、第３実施形態に係る発光装置の上面図である。 図１８は、第３実施形態に係る発光装置の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。 図１９は、図１８のXIX-XIX断面線における断面図である。 図２０は、第３実施形態に係る載置部材の上面図である。 図２１は、第３実施形態に係る載置部材の下面図である。 図２２は、第３実施形態に係る発光装置におけるサブマウントの接合の様子の一例を説明するための模式図である。

本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。

また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈には加工された部分も含まれる。なお、部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。

また、本明細書または特許請求の範囲において、上下（上方/下方）、左右、表裏、前後（前方/後方）、手前と奥などの記載は、相対的な位置、向き、方向などの関係を述べるに過ぎず、使用時における関係と一致していなくてもよい。

また、図面においてＸ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向などの方向を、矢印を用いて示すことがある。この矢印の方向は、同じ実施形態に係る複数の図面間で整合が取られている。また、図面においてＸ、Ｙ、及び、Ｚが記されている矢印の方向を正方向、これと反対の方向を負方向とする。例えば、矢印の先にＸが記されている方向は、Ｘ方向であり、かつ、正方向である。なお、Ｘ方向であり、かつ、正方向である方向を、「Ｘの正方向」と呼ぶものとし、これと反対の方向を「Ｘの負方向」と呼ぶものとする。Ｙ方向、及び、Ｚ方向についても同様である。

また、本明細書において、例えば構成要素などを説明するときに「部材」や「部」と記載することがある。「部材」は、物理的に単体で扱う対象を指すものとする。物理的に単体で扱う対象とは、製造の工程で一つの部品として扱われる対象ということもできる。一方で、「部」は、物理的に単体で扱われなくてもよい対象を指すものとする。例えば、１つの部材の一部を部分的に捉えるときに「部」が用いられる。

なお、上述の「部材」と「部」の書き分けは、均等論の解釈において権利範囲を意識的に限定するという意思を示すものではない。つまり、特許請求の範囲において「部材」と記載された構成要素があったとしても、そのことのみを以って、この構成要素を物理的に単体で扱うことが本発明の適用に必要不可欠であると出願人が認識しているわけではない。

また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素が複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。また、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象が異なる場合があり得る。そのため、特許請求の範囲において本明細書と同一の付記がされた構成要素が記載されていても、この構成要素によって特定される対象が、本明細書と特許請求の範囲との間で一致しないことがあり得る。

例えば、本明細書において“第１”、“第２”、“第３”と付記されて区別される構成要素があり、本明細書において“第１”及び“第３”が付記された構成要素を特許請求の範囲に記載する場合に、見易さの観点から特許請求の範囲においては“第１”、“第２”と付記して構成要素を区別することがある。この場合、特許請求の範囲において“第１”、“第２”と付記された構成要素はそれぞれ、本明細書において“第１”“第３”と付記された構成要素を指すことになる。なお、このルールの適用対象は構成要素に限らず、その他の対象に対しても、合理的かつ柔軟に適用される。

以下に、本発明を実施するための形態を説明する。またさらに、図面を参照しながら、本発明を実施するための具体的な形態を説明する。なお、本発明を実施するための形態は、この具体的な形態に限定されない。つまり、図示される実施形態は、本発明が実現される唯一の形態ではない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、理解の便宜を図るために誇張していることがある。

＜第１実施形態＞
図１乃至図１０は、第１実施形態に係る発光装置１００及び載置部材３００の例示的な一形態を説明するための図面である。図１は、発光装置１００の斜視図である。図２は、発光装置１００の上面図である。図３は、発光装置１００の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。図４は、図２のIV-IV断面線における断面図である。なお、図４では、図３に記されている接合部６０を省略している。図５は、載置部材３００（サブマウント３０）の上面図である。図６は、図５のVI-VI断面線における載置部材３００の断面図である。図７は、図５のVII-VII断面線における載置部材３００の断面図である。図８は、発光装置１００におけるサブマウント３０の接合の様子の一例を説明するための模式図である。なお、図８のハッチングは、領域Ｅ１を示している。図９は、発光装置１００におけるサブマウント３０の接合の様子の他の一例を説明するための模式図である。図１０は、サブマウントの望ましくない接合の様子の一例を説明するための模式図である。なお、図１０のハッチングは、領域Ｅ２を示している。また、図１０は、発明の理解の補助になり得ると考えて一例を挙げたに過ぎず、本発明により解決される技術課題が図１０に示す状態に限定されるものではなく、また、図１０の状態と比較することでしか本発明による効果を確認できないものでもない。

発光装置１００は、複数の構成要素を備えている。発光装置１００が備える複数の構成要素には、基体１０、１または複数の半導体レーザ素子２０、１または複数のサブマウント３０、１または複数の反射部材４０、１または複数の保護素子５０、１または複数の接合部６０、複数の配線７０、蓋部材８０、及び、レンズ部材９０が含まれる。

なお、発光装置１００は、この他にも構成要素を備えていてよい。例えば、発光装置１００は、１または複数の半導体レーザ素子２０とは別に、さらに発光素子を備えてもよい。また、発光装置１００は、ここで挙げた複数の構成要素の一部を備えていなくてもよい。

載置部材３００は、半導体レーザ素子などの電子部品が載置される部材である。発光装置１００が備えるサブマウント３０は、載置部材３００の具体的な一実施形態である。なお、載置部材３００に載置される電子部品は、半導体レーザ素子に限らず、発光ダイオードなどの他の発光素子であってもよく、また、発光素子以外であってもよい。

まず、発光装置１００の各構成要素について説明し、その後で、発光装置１００について説明する。

（基体１０）
基体１０は、上面１１Ａ、下面１１Ｂ、及び、１または複数の外側面１１Ｃを有する。上面視で、基体１０の外縁形状は矩形である。この矩形は、長辺と短辺を有する矩形とすることができる。図示される基体１０において、この矩形の長辺方向はＸ方向と同じ方向であり、短辺方向はＹ方向と同じ方向である。なお、上面視で、基体１０の外縁形状は矩形でなくてもよい。

基体１０において、凹形状が形成されている。上面１１Ａから、上面１１Ａよりも下方に窪んだ凹形状が形成される。基体１０の凹形状によって窪みが画定される。この窪みは、上面視で上面１１Ａに囲まれる。

上面１１Ａの内縁は、窪みの外縁を画定する。つまり、上面１１Ａの内縁形状と窪みの外縁形状とは一致する。上面視で、窪みの外縁形状は矩形である。この矩形は、長辺と短辺を有する矩形とすることができる。図示される基体１０において、この矩形の長辺方向はＸ方向と同じ方向であり、短辺方向はＹ方向と同じ方向である。なお、この窪みの外縁形状は矩形でなくてもよい。

基体１０は、実装面１１Ｄを有する。また、基体１０は、１または複数の内側面１１Ｅを有する。実装面１１Ｄは、上面１１Ａよりも下方に、かつ、下面１１Ｂよりも上方に位置する。実装面１１Ｄは上面である。従って、実装面１１Ｄは、上面１１Ａとは異なる上面といえる。実装面１１Ｄは、Ｘ方向の幅の方が、Ｙ方向の幅よりも大きい形状の平面である。

１または複数の内側面１１Ｅは、実装面１１Ｄよりも上方に位置する。１または複数の内側面１１Ｅは、上面１１Ａと交わる。実装面１１Ｄ及び１または複数の内側面１１Ｅは、基体１０の窪みを画定する複数の面に含まれる。１または複数の内側面１１Ｅによって、窪みの外縁形状が画定される。

１または複数の内側面１１Ｅは、実装面１１Ｄに対して垂直に設けられる。ここでの垂直は、±３度の差を許容する。なお、内側面１１Ｅは、実装面１１Ｄに対して垂直でなくてもよい。

基体１０は、１または複数の段差部１２Ｃを有する。段差部１２Ｃは、上面、及び、上面と交わり上面から下方に延びる内側面、を有する。段差部１２Ｃが有する面には、この上面から上方に延びる内側面は含まれない。段差部１２Ｃの上面は、内側面１１Ｅと交わる。内側面１１Ｅは、段差部１２Ｃの上面から上方に延びる。段差部１２Ｃの内側面は、実装面１１Ｄと交わる。

段差部１２Ｃは、上面視で、内側面１１Ｅの一部または全部に沿って形成される。１または複数の段差部１２Ｃは、上面視で、上面１１Ａの内側に形成される。１または複数の段差部１２Ｃは、上面視で、１または複数の内側面１１Ｅの内側に形成される。

基体１０は、複数の段差部１２Ｃを有し得る。複数の段差部１２Ｃはそれぞれ、上面視で内側面１１Ｅに沿うように形成される。複数の段差部１２Ｃには、上面視で、内側面１１Ｅの全長に渡って、内側面１１Ｅに沿って形成される段差部１２Ｃが含まれる。

複数の段差部１２Ｃには、上面視で、第１内側面１１Ｅに沿って形成される段差部１２Ｃ（以下、第１段差部と呼ぶ。）と、第２内側面１１Ｅに沿って形成される段差部１２Ｃ（以下、第２段差部と呼ぶ。）と、が含まれる。第１内側面１１Ｅと、第２内側面１１Ｅとは、互いに対向する。第１内側面１１Ｅ及び第２内側面１１Ｅは、いずれも、Ｙ方向に延びる側面である。

第１段差部１２Ｃは、第１内側面１１Ｅのみに沿って形成され得る。第２段差部１２Ｃは、第２内側面１１Ｅのみに沿って形成され得る。複数の段差部１２Ｃは、第１段差部１２Ｃと第２段差部１２Ｃのみで構成することができる。なお、１つの内側面１１Ｅのみではなく、接続する複数の内側面１１Ｅに沿って形成される段差部１２Ｃを有していてもよい。

図３に示されるような第１段差部１２Ｃは、第１内側面１１Ｅのみに沿って形成され、第１内側面１１Ｅと交わる内側面１１Ｅに沿っては形成されていない。第１内側面１１Ｅに沿って形成した結果、一部が第１内側面１１Ｅと交わる内側面１１Ｅの一部に接続されたとしても、これは第１内側面１１Ｅと交わる内側面１１Ｅに沿って第１段差部１２Ｃが形成されているわけではない。このことは第２段差部１２Ｃを含む段差部１２Ｃ全般に言える。

段差部１２Ｃの上面には、１または複数の配線層１３が設けられる。配線層１３は、基体１０の内部を通る配線を経由して他の配線層と電気的に接続する。他の配線層は、例えば基体１０の下面に設けられる。なお、配線層１３は、上面１１Ａまたは外側面１１Ｃに設けられた配線層と電気的に接続してもよい。

１または複数の段差部１２Ｃの上面に、複数の配線層１３が設けられ得る。複数の段差部１２Ｃのそれぞれに、１または複数の配線層１３が設けられ得る。なお、基体１０において、配線層１３が設けられる箇所は段差部１２Ｃに限らなくてよい。

基体１０は、セラミックを主材料に用いて形成することができる。また、基体１０は、金属あるいは金属を含む複合物を主材料に用いて形成された、実装面１１Ｄを有する底部材と、セラミックを主材料に用いて形成された、配線層１３を有する枠部材と、を接合して形成してもよい。

ここで、主材料とは、対象となる形成物において、質量または体積が最も多くの割合を占める材料をいうものとする。なお、１つの材料から対象となる形成物が形成される場合には、その材料が主材料である。つまり、ある材料が主材料であるとは、その材料の占める割合が１００％となり得ることを含む。

セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素などが挙げられる。金属としては、例えば、銅、アルミニウム、鉄などが挙げられる。あるいは、金属を含む複合物として、銅モリブデン、銅-ダイヤモンド複合材料、銅タングステンなどを用いることができる。

（半導体レーザ素子２０）
半導体レーザ素子２０は、光を出射する光出射面を有する。半導体レーザ素子２０は、上面、下面、複数の側面を有する。半導体レーザ素子２０の上面または側面が、光出射面となる。半導体レーザ素子２０は、１または複数の光出射面を有する。

半導体レーザ素子２０の上面の形状は、長辺と短辺を有する矩形である。この矩形の短辺を含む側面が、光出射面となり得る。なお、半導体レーザ素子２０の上面の形状は、矩形でなくてもよい。

半導体レーザ素子２０にはシングルエミッタの半導体レーザ素子を採用することができる。また、半導体レーザ素子２０にはエミッタが複数あるマルチエミッタの半導体レーザ素子を採用することができる。

半導体レーザ素子２０には、例えば、青色の光を出射する発光素子、緑色の光を出射する発光素子、または、赤色の光を出射する発光素子を採用することができる。なお、半導体レーザ素子２０には、その他の色または波長の光を出射する発光素子を採用してもよい。

ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。緑色の光は、その発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５７０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。赤色の光は、その発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。

半導体レーザ素子２０は、指向性のあるレーザ光を出射する。拡がりを有する発散光が半導体レーザ素子２０の光出射面から出射される。半導体レーザ素子２０から出射される光は、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布である。

ここで、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、言い換えると、ＦＦＰの光強度分布においてピーク強度の光を、光軸を進む光、あるいは、光軸を通る光と呼ぶものとする。また、ＦＦＰの光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ^２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶものとする。

半導体レーザ素子２０から出射される光のＦＦＰの形状は、光の出射端面と平行な面において、積層方向の方が、積層方向に垂直な方向よりも長い楕円形状である。積層方向とは、半導体レーザ素子２０において活性層を含む複数の半導体層が積層される方向のことである。積層方向に垂直な方向は、半導体層の面方向ということもできる。また、ＦＦＰの楕円形状の長径方向を半導体レーザ素子２０の速軸方向、短径方向を半導体レーザ素子２０の遅軸方向ということもできる。

ＦＦＰの光強度分布に基づきピーク光強度の１／ｅ^２の光強度の光が拡がる角度を、半導体レーザ素子２０の光の拡がり角とする。光の拡がり角は、ピーク光強度の１／ｅ^２の光強度の他に、例えば、ピーク光強度の半値の光強度から求められることもある。本明細書の説明において、単に「光の拡がり角」というときは、ピーク光強度の１／ｅ^２の光強度における光の拡がり角を指すものとする。なお、速軸方向の拡がり角の方が、遅軸方向の拡がり角よりも大きいといえる。

青色の光を発する半導体レーザ素子２０、または、緑色の光を発する半導体レーザ素子２０として、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮなどのＧａＮ系の半導体を用いることができる。赤色の光を発する半導体レーザ素子２０として、ＩｎＡｌＧａＰ系やＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓなどのＧａＡｓ系の半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。

（サブマウント３０）
サブマウント３０は、基板３１と、第１金属層３２と、第２金属層３３と、を有する。また、サブマウント３０はさらに、配線層３４を有し得る。

基板３１は、第１面３１Ａと、第１面３１Ａの反対側の第２面３１Ｂと、を有する。また、基板３１は、第１面３１Ａと第２面３１Ｂとに接続する１または複数の側面を有する。

基板３１は、第１面３１Ａに垂直な方向からみた平面視で、ある方向（以下、第１方向と呼ぶ。）の幅よりも第１方向に垂直な方向（以下、第２方向と呼ぶ。）の幅の方が大きい形状を有している。例えば、基板３１は、直方体の形状である。なお、直方体でなくてもよい。第１面３１Ａ及び第２面３１Ｂは、短辺及び長辺を有する矩形の形状となり得る。短辺方向が第１方向に、長辺方向が第２方向になり得る。

基板３１は、第１面３１Ａと第２面３１Ｂの間の幅（厚み）が、１００μｍ以上３００μｍ以下である。基板３１の第１方向の幅は、５００μｍ以上１５００μｍ以下である。基板３１の第２方向の幅は、１０００μｍ以上２５００μｍ以下である。なお、基板３１の大きさは、これに限られない。

基板３１は、絶縁性を備える。基板３１は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素から形成される。基板３１の主材料には、比較的放熱性のよいセラミックを選択すると良い。

第１金属層３２は、基板３１の第１面３１Ａに設けられる。第１金属層３２は、基板３１上に直接設けられてもよく、間に他の構成要素を介在させて、間接的に設けられてもよい。図示されるサブマウント３０では、第１金属層３２は、基板３１の第１面３１Ａに直接設けられている。

第２金属層３３は、基板３１の第２面３１Ｂに設けられる。第２金属層３３は、基板３１上に直接設けられてもよく、間に他の構成要素を介在させて、間接的に設けられてもよい。図示されるサブマウント３０では、第２金属層３３は、基板３１の第２面３１Ｂに直接設けられている。

第１金属層３２の主材料には、銅やアルミニウムなどの金属が用いられる。第１金属層３２は、第１面３１Ａに垂直な方向の幅（厚み）が、３０μｍ以上１００μｍ以下である。第１金属層３２は、サブマウント３０において、基板３１の第１面３１Ａ側に設けられる１または複数の金属層のうちの最も厚い金属層である。

第２金属層３３の主材料には、銅やアルミニウムなどの金属が用いられる。第２金属層３３は、第１金属層３２と同じ材料で形成され得る。第２金属層３３は、第２面３１Ｂに垂直な方向の幅（厚み）が、３０μｍ以上１００μｍ以下である。第２金属層３３は、サブマウント３０において、基板３１の第２面３１Ｂ側に設けられる１または複数の金属層のうちの最も厚い金属層である。

第２金属層３３は、第１方向の幅が第１金属層３２よりも小さい。また、第１方向における第１金属層３２の幅と第２金属層３３の幅との差よりも、第２方向における第１金属層３２の幅と第２金属層３３の幅との差の方が小さい。

第１方向における第１金属層３２の幅と第２金属層３３の幅との差は、５０μｍより大きい。また、第２方向における第１金属層３２の幅と第２金属層３３の幅との差は、５０μｍより小さい。例えば、第２金属層３３は、第２方向の幅が第１金属層３２と同じである。

第１金属層３２は、第１方向の幅が、第１面３１Ａの第１方向の幅の８５％以上１００％以下である。第１金属層３２は、第２方向の幅が、第１面３１Ａの第２方向の幅の９０％以上１００％以下である。第１面３１Ａに垂直な方向からみて、第１金属層３２は第１面３１Ａに包含される。

第２金属層３３は、第１方向の幅が、第２面３１Ｂの第１方向の幅の７０％以上９５％以下である。第２金属層３３は、第２方向の幅が、第２面３１Ｂの第２方向の幅の９０％以上１００％以下である。第２面３１Ｂに垂直な方向からみて、第２金属層３３は第２面３１Ｂに包含される。

第１面３１Ａに垂直な方向からみた第１金属層３２の面積は、第２面３１Ｂに垂直な方向からみた第２金属層３３の面積よりも大きい。第１金属層３２は、直方体の形状で形成され得る。第２金属層３３は、直方体の形状で形成され得る。

第２金属層３３の厚みは、第１金属層３２の厚みの８０％以上１２０％以下である。第２金属層３３の厚みは、第１金属層３２の厚みの１００％以上１２０％以下であることが好ましい。第１金属層３２と第２金属層３３の厚みを同等にすることで、応力のバランスが取れる。なお、平面視での面積差を考慮して、第２金属層３３を厚めにするという考えもある。

配線層３４は、第１金属層３２の上に設けられる。第１面３１Ａに垂直な方向からみた配線層３４の面積は、第２面３１Ｂに垂直な方向からみた第２金属層３３の面積よりも小さい。配線層３４の第１面３１Ａに垂直な方向の幅（厚み）は、３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である。配線層３４の厚さは、第１金属層３２の厚さと比べて、１０分の１以下となり得る。

（反射部材４０）
反射部材４０は、下面と、光を反射する光反射面とを有する。また、光反射面は、下面に対して傾斜している。つまり、光反射面は、下面からみた配置関係が垂直でも平行でもない。光反射面の下端と上端を結ぶ直線が、反射部材４０の下面に対して傾斜している。下面に対する光反射面の角度、あるいは、下面に対する光反射面の下端と上端を結ぶ直線の角度を、光反射面の傾斜角と呼ぶものとする。

図示される反射部材４０において、光反射面は、平面であり、かつ、反射部材４０の下面に対して４５度の傾斜角を成す。なお、光反射面は平面でなくてもよく、例えば曲面であってもよい。また、光反射面は、その傾斜角が４５度でなくてもよい。

反射部材４０は、主材料に、ガラスや金属などを用いることができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属を用いることができる。反射部材４０は、Ｓｉを主材料に用いて形成することもできる。主材料が反射性材料であれば、主材料から光反射面を形成することができる。主材料とは別に光反射面を形成する場合、光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。

光反射面において、光反射面に照射される光のピーク波長に対する反射率が９０％以上である。また、この反射率は９５％以上であってもよい。また、この反射率を９９％以上とすることもできる。光反射率は、１００％以下あるいは１００％未満である。

（保護素子５０）
保護素子５０は、特定の素子（例えば半導体レーザ素子）に過剰な電流が流れて破壊されてしまうことを防ぐためのものである。保護素子５０としては、例えば、ツェナーダイオードがあげられる。また、ツェナーダイオードとしては、Ｓｉで形成されたものを採用できる。

（接合部６０）
接合部６０は、複数の構成要素を接合するための接合材が硬化した部分である。接合部６０は、金属を含んで形成される。接合部６０は、導電性を有する。接合材には、例えば、金属を含むペースト剤を用いることができる。具体例として、銀を含むペースト剤を用いることができる。また、金や銅を含むペースト剤を用いてもよい。接合材には、接合処理を行うときに、接合材の周辺温度が２５０度以下で接合できる材料を用いるとよい。接合処理に際して、高熱に起因する構成要素の損傷リスクを低減することができる。

（配線７０）
配線７０は、両端を接合部とする線状の導電性材料である。両端の接合部は、他の構成要素との接合部分になる。配線７０は、例えば、金属のワイヤである。金属には、例えば、金、アルミニウム、銀、銅などを用いることができる。

（蓋部材８０）
蓋部材８０は、下面と、上面と、を有し、直方体の平板形状で構成される。なお、直方体でなくてもよい。蓋部材８０は、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が８０％以上であることとする。なお、全ての波長の光に対して８０％以上の透過率を有していなくてもよい。蓋部材８０は、一部に非透光性の領域（透光性を有していない領域）を有していてもよい。

蓋部材８０は、ガラスを主材料に用いて形成される。蓋部材８０を形成する主材料は、高い透光性を有する材料である。蓋部材８０は、ガラスに限らず、例えば、サファイアを主材料に用いて形成してもよい。

（レンズ部材９０）
レンズ部材９０は、上面と、下面と、側面と、を有する。レンズ部材９０は、入射する光に対して集光、拡散、コリメートといった光学作用を与え、レンズ部材９０からは、光学作用が与えられた光が出射される。

レンズ部材９０は、１または複数のレンズ面を有する。１または複数のレンズ面は、レンズ部材９０の上面側に設けられる。なお、レンズ部材９０の下面側に設けられてもよい。上面及び下面は平面である。１または複数のレンズ面は、上面と交わる。１または複数のレンズ面は、上面視で上面に囲まれる。上面視で、レンズ部材９０は、矩形の外形を有している。レンズ部材９０の下面は矩形である。

レンズ部材９０のうち、上面視で、１または複数のレンズ面と重なる部分をレンズ部とし、重ならない部分を非レンズ部とする。レンズ部材９０において、上面視で上面と重なる部分は非レンズ部に含まれる。レンズ部を、上面を含む仮想的な平面で二分したときのレンズ面側をレンズ形状部、下面側を平板形状部とする。レンズ部材９０の下面は、レンズ部の下面及び非レンズ部の下面で構成される。

レンズ部材９０の１または複数のレンズ面は、一方向に連なって形成される。つまり、１または複数のレンズ面は、各レンズ面が連結し、かつ、同じ方向に並んで設けられる。レンズ部材９０は、各レンズ面の頂点が仮想的な一本の直線上に位置するように形成される。この仮想直線は、Ｘ方向と同じ方向である。

ここで、上面視で、複数のレンズ面が並ぶ方向を連結方向というものとする。複数のレンズ面は、上面視で、連結方向の長さが、この方向に垂直な方向の長さよりも大きい。図示されるレンズ部材９０において、連結方向は、Ｘ方向と同じ方向である。

レンズ部材９０は透光性を有する。レンズ部材９０は、レンズ部及び非レンズ部のいずれも透光性を有する。レンズ部材９０は、例えば、ＢＫ７等のガラスを用いて形成することができる。

次に、発光装置１００について説明する。

（発光装置１００）
発光装置１００において、１または複数の半導体レーザ素子２０が基体１０の実装面１１Ｄに配置される。１または複数の半導体レーザ素子２０は、パッケージに封止される。パッケージは、半導体レーザ素子２０を配置する内部空間であって、封止された空間を形成する。パッケージは、基体１０に蓋部材８０を接合させて形成することができる。

半導体レーザ素子２０は、サブマウント３０に実装される。半導体レーザ素子２０は、サブマウント３０の第１金属層３２が設けられる側に配置される。これにより、半導体レーザ素子２０から発生する熱に対する放熱性が向上する。半導体レーザ素子２０は、配線層３４上に配置される。半導体レーザ素子２０は、ＡｕＳｎ等の接合材を介して、配線層３４に接合される。

半導体レーザ素子２０は、サブマウント３０を介して、実装面１１Ｄに実装される。サブマウント３０は、第２金属層３３が設けられる側で、基体１０と接合する。なお、基板３１を境界に、第１金属層３２が設けられる側と第２金属層３３が設けられる側は特定され得る。

１または複数の半導体レーザ素子２０は、互いに異なるサブマウント３０に配置される。１つのサブマウント３０に配置される半導体レーザ素子２０の数は１つである。なお、複数の半導体レーザ素子２０が１つのサブマウント３０に配置されてもよい。

半導体レーザ素子２０は、光出射面が、サブマウント３０の第１金属層３２の端部または側面の近傍に位置するように配置される。光出射面の近傍に位置する第１金属層３２の側面を第１側面３２Ａと呼ぶものとする。また、第１側面３２Ａと反対側の第１金属層３２の側面を第２側面３２Ｂと呼ぶものとする。

半導体レーザ素子２０の光出射面は、上面視で、第１側面３２Ａからの距離が－５０μｍ以上＋５０μｍ以下となり得る。ここでの「－」は、上面視で光出射面が第１金属層３２の外縁の内側に位置することを意味し、「＋」は、この外縁の外側に位置することを意味する。光出射面を－側に位置させることで、サブマウント３０への放熱性が高まる。一方で、光出射面を＋側に位置させることで、半導体レーザ素子２０からの光が対象に届く前にサブマウント３０に当たるリスクを低減できる。光出射面を第１側面３２Ａの近傍に配置すれば、一方のメリットを享受しつつ、他方のデメリットを抑えることができる。

第１側面３２Ａは、上面視で、サブマウント３０の短辺方向に延びる側面である。また、第２側面３２Ｂも、上面視で、サブマウント３０の短辺方向に延びる側面である。サブマウント３０に配置された半導体レーザ素子２０は、第１方向の幅よりも第２方向の幅の方が大きい。これにより、半導体レーザ素子２０とサブマウント３０の短辺方向を揃えることができ、発光装置１００の小型化に寄与することができる。

各サブマウント３０は、接合材を用いて基体１０に接合される。各サブマウント３０は、第２金属層３３と基体１０の実装面１１Ｄの間に設けられた接合部６０を介して、基体１０に接合される。サブマウント３０を基体１０に接合する接合部６０の一部は、第２金属層３３よりも側方に形成される。接合処理において、サブマウント３０と基体１０とで接合材が押し潰されることにより、第２金属層３３の側方にまで接合部６０が形成される。

サブマウント３０を接合するために形成された接合部６０は、上面視で、サブマウント３０の外縁の外側にまで達する。接合部６０がサブマウント３０の外側にまで達していることを、サブマウント３０が基体１０に十分に接合されていることの確認条件とすることができる。なお、接合部６０は、サブマウント３０の外縁の全周に亘って、外縁の外側にまで達していなくてもよい。

一方で、サブマウント３０の外側に接合部６０が達する場合に、接合部６０がサブマウント３０からより遠い位置まで達するほど、発光装置１００は大型化する。そこで、放熱性のために大きな範囲に設けられた第１金属層３２と比べて、第２金属層３３の第１方向の幅を小さくすることで、接合材のはみ出しをより近い位置に留めることができ、発光装置１００の小型化に寄与することができる。

半導体レーザ素子２０から発生する熱は、光出射面と、光出射面の反対側の側面に集中する傾向にある。そのため、第１方向における第１金属層３２の幅と第２金属層３３の幅との差よりも第２方向における第１金属層３２の幅と第２金属層３３の幅との差の方が小さい方が、放熱性に配慮した上で、発光装置１００の小型化を図ることができる。

サブマウント３０の第１金属層３２の第１方向の幅は、半導体レーザ素子２０の第１方向の幅よりも大きく、かつ、第２金属層３３の第１方向の幅は、半導体レーザ素子２０の第１方向の幅よりも大きい。これにより、放熱性に配慮した上で、発光装置１００の小型化を図ることができる。

サブマウント３０の第１金属層３２の第２方向の幅は、半導体レーザ素子２０の第２方向の幅よりも大きく、かつ、第２金属層３３の第２方向の幅は、半導体レーザ素子２０の第２方向の幅よりも大きい。

第１方向における第１金属層３２の幅と第２金属層３３の幅との差は、第１方向における半導体レーザ素子２０の幅よりも小さい。第１金属層３２に比して第２金属層３３を小さくすることによる放熱性への影響を考慮すると、この条件を満たすことが好ましい場合がある。

発光装置１００は、複数の半導体レーザ素子２０を備え得る。また、複数の半導体レーザ素子２０は並べて配置され得る。半導体レーザ素子２０が配置されたサブマウント３０を１つのＣｏＳ（Chip on Submount）とすると、発光装置１００において、第１方向に複数のＣｏＳが並べて配置され得る。複数のサブマウント３０は、基体１０の実装面１１Ｄに実装される。

複数の半導体レーザ素子２０はそれぞれ、第２方向に光を出射する。複数の半導体レーザ素子２０の各光出射面から、実装面１１Ｄに垂直な方向を速軸方向とするＦＦＰの光が出射される。いずれの半導体レーザ素子２０も、遅軸方向の拡がり角は２０度以下である。なお、拡がり角は０度より大きい角度である。

複数の半導体レーザ素子２０はそれぞれ、第１の色の光（以下、第１の光と呼ぶ。）を出射する。なお、複数の半導体レーザ素子２０には、第１の光と異なる色の光を出射する半導体レーザ素子２０が含まれていてもよい。第１の色は、例えば、赤色である。なお、第１の色は赤色でなくてもよい。

発光装置１００において、複数のＣｏＳが並べて配置する際に、隣り合うサブマウント３０の間隔が小さくなるほど、発光装置１００を第１方向に小型化することができる。一方で、サブマウントの距離が近くなると、サブマウントと基体に押し潰されてはみ出た接合材が、サブマウントに配置された半導体レーザ素子と電気的に接続してしまい、電流リークが発生するリスクがある（図１０参照）。

第２金属層３３において、第１方向の幅を第１金属層３２よりも小さくすることは、第１方向にＣｏＳを並べて配置した発光装置１００の小型化に寄与する。発光装置１００において、複数のサブマウント３０は、第１方向に３５０μｍ以下の間隔で並べられ得る。また、発光装置１００において、複数のサブマウント３０は、第１方向に２５０μｍ以下の間隔で並べられ得る。

ＣｏＳを近付けて配置し、各ＣｏＳを接合材によって基体１０の実装面１１Ｄに実装する場合、隣り合うサブマウント３０のうちの一方を接合するために設けられた接合材と、他方を接合するために設けられた接合材とが、隣り合うサブマウント３０の間で混ざり合い、一方の接合材だけで接合部６０を形成するよりも、接合部６０がより上方に形成されることがあり得る。

このとき、接合部６０は、第１方向に平行な断面視で、隣り合うサブマウント３０の対向する第２金属層３３の側面、第２面３１Ｂ、及び、実装面１１Ｄのそれぞれを含む各仮想平面によって囲まれる領域Ｅ１内に充満していることが好ましい（図８参照）。発光装置１００をより小型化にしようとした場合に、この条件を満たすこととなり得る。なお、接合部６０は、必ずしも領域Ｅ１内を充満しなくてもよい（図９参照）。

またさらに、接合部６０は、第１方向に平行な断面視で、隣り合うサブマウント３０の対向する第２金属層３３の側面、第１面３１Ａ、及び、実装面１１Ｄのそれぞれを含む各仮想平面によって囲まれる領域Ｅ２内に充満していないことが好ましい（領域Ｅ２は図１０参照）。領域Ｅ２にまで接合部６０が充満すると、第１面３１Ａよりも上方にまで接合部６０が形成されている可能性が高く、電流リークのリスクが高まる。なお、領域Ｅ２には、サブマウント３０が存在している領域は含まれない。

発光装置１００において、１または複数の反射部材４０が、基体１０に配置される。各反射部材４０は、実装面１１Ｄに配置される。１または複数の半導体レーザ素子２０から出射された光が、１または複数の反射部材４０の光反射面により反射される。光反射面は、光軸を通る光の進行方向に対して４５度の角度で傾いている。光反射面によって反射された光は上方に進む。

反射部材４０は半導体レーザ素子２０に１対１で設けることができる。つまり、半導体レーザ素子２０と同数の反射部材４０が配置され得る。発光装置１００において、複数の反射部材４０が上面視で第１方向に並べて配置され得る。いずれの反射部材４０も、大きさ及び形状は同じである。

反射部材４０の光反射面は、照射された主要部分の光の９０％以上を反射する。なお、複数の半導体レーザ素子２０に対して１つの反射部材４０を設けてもよい。またあるいは、発光装置１００は、反射部材４０を有していなくてもよい。

半導体レーザ素子２０が配置されるサブマウント３０に関し。上面視で、サブマウント３０と、この半導体レーザ素子２０からの光が照射される反射部材４０との間隔は、このサブマウント３０とこのサブマウント３０の隣のサブマウント３０との間隔よりも小さい。複数のサブマウント３０はいずれも同じように接合材を塗布して接合されるのに対し、サブマウント３０と反射部材４０との間では同じである必要はない。そのため、サブマウント３０と反射部材４０との間隔を、サブマウント３０同士の間隔よりも小さくできれば、発光装置１００を第２方向に小型にできる。

発光装置１００において、保護素子５０が基体１０に実装される。保護素子５０は、基体１０の段差部１２Ｃの上面に配置される。

発光装置１００において、１または複数の半導体レーザ素子２０は、複数の配線７０によって基体１０に電気的に接続される。１または複数の半導体レーザ素子２０を基体１０に電気的に接続する複数の配線７０には第１段差部１２Ｃに設けられた配線層１３に接合される配線７０と、第２段差部１２Ｃに設けられた配線層１３に接合される配線７０とが含まれる。

発光装置１００において、蓋部材８０は、基体１０に接合される。蓋部材８０は、基体１０の上面１１Ａに配される。また、蓋部材８０は、段差部１２Ｃよりも上方に位置する。また、蓋部材８０が接合されることで、基体１０と蓋部材８０によって画定される閉空間が生まれる。この空間は、半導体レーザ素子２０が配される空間である。

所定の雰囲気下で蓋部材８０を基体１０に接合することで、気密封止された閉空間（封止空間）が作り出される。半導体レーザ素子２０が配される空間を気密封止することで、集塵による品質劣化を抑制することができる。蓋部材８０は、半導体レーザ素子２０から出射される光に対して透光性を有する。半導体レーザ素子２０から出射された主要部分の光の９０％以上が蓋部材８０を透過して外部へと出射される。

発光装置１００において、レンズ部材９０がパッケージに固定される。レンズ部材９０は蓋部材８０の上方に配置される。レンズ部材９０は、蓋部材８０に接合される。複数の半導体レーザ素子２０のそれぞれから出射された光は、パッケージから出射され、レンズ部材９０に入射する。蓋部材８０を透過した光が、レンズ部材９０の入射面に入射する。レンズ部材９０の入射面に入射した光は、レンズ面から出射される。

レンズ部材９０は、１または複数の半導体レーザ素子２０と同数のレンズ面を有する。レンズ部材９０の各レンズ面は、異なる半導体レーザ素子２０に対応しており、半導体レーザ素子２０から出射された光は、対応するレンズ面を通過する。各半導体レーザ素子２０から出射された主要部分の光は、互いに異なるレンズ面を通過してレンズ部材９０から出射される。レンズ部材９０に入射した光は、例えば、コリメートされた光となってレンズ部材９０から出射される。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る発光装置１０１を説明する。図１、図２、図５乃至図７、及び、図１１乃至１３は、第２実施形態に係る発光装置１０１の例示的な一形態を説明するための図面である。図１は、発光装置１０１の斜視図である。図２は、発光装置１０１の上面図である。図５は、載置部材３００（第１サブマウント３０Ａ）の上面図である。図６は、図５のVI-VI断面線における載置部材３００の断面図である。図７は、図５のVII-VII断面線における載置部材３００の断面図である。図１１は、発光装置１０１の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。図１２は、図１１のXII-XII断面線における断面図である。図１３は、図１２の断面図における第２サブマウント３０Ｂの拡大図である。

発光装置１０１は、複数の構成要素を備えている。発光装置１００が備える複数の構成要素には、基体１０Ｂ、複数の半導体レーザ素子２０、１または複数のサブマウント３０（以下、第１サブマウント３０Ａと呼ぶ。）、１または複数の第２サブマウント３０Ｂ、１または複数の反射部材４０、１または複数の保護素子５０、１または複数の接合部６０、複数の配線、蓋部材８０、及び、レンズ部材９０が含まれる。

発光装置１０１は、基体１０に代えて基体１０Ｂを備える点で、発光装置１００と異なる。また、発光装置１０１は、第１半導体レーザ素子２０Ａと第２半導体レーザ素子２０Ｂを含む複数の半導体レーザ素子２０を備え、サブマウント３０に加えて第２サブマウント３０Ｂを備えている。

上述した第１実施形態の発光装置１００及び各構成要素に係る説明のうち、発光装置１０１に係る図１、図２、図５乃至図７、及び、図１１乃至１３の図面から矛盾すると言える内容を除いた全ての内容が、発光装置１０１の説明としても当てはまる。矛盾しない全ての内容は、重複を避けるため、再度ここで説明を記載しない。なお、第１実施形態の基体１０に関する説明も同様に、矛盾しない範囲で基体１０Ｂの説明に当てはまる。

（発光装置１０１）
発光装置１０１では、複数の半導体レーザ素子２０は、１または複数の第１半導体レーザ素子２０Ａと、１または複数の第２半導体レーザ素子２０Ｂとを含む。第１半導体レーザ素子２０Ａは、第１の光を出射する半導体レーザ素子２０である。第２半導体レーザ素子２０Ｂは、第１の光と異なる光を出射する半導体レーザ素子２０である。

１または複数の第２半導体レーザ素子２０Ｂは、第２の色の光（以下、第２の光と呼ぶ。）を出射する半導体レーザ素子２０が含まれる。第２の光は、第１の光と異なる色の光である 。第２の色は、例えば、青色である 。なお、第２の色は青色でなくてもよい。

またさらに、複数の第２半導体レーザ素子２０Ｂは、第３の色の光（以下、第３の光と呼ぶ。）を出射する半導体レーザ素子２０が含まれ得る。第３の光は、第１の光及び第２の光と異なる色の光である 。第３の色は、例えば、緑色である 。なお、第３の色は緑色でなくてもよい。

第１の光、第２の光、及び、第３の光は、互いに異なる色の光であって、赤色、緑色、及び、青色の中から選択される色の光である。発光装置１０１は、ＲＧＢの光を出射することができる。

基体１０Ｂは、１つの内側面１１Ｅのみではなく、接続する２つの内側面１１Ｅに沿って形成される段差部１２Ｃを有する。発光装置１０１において、異なる色の光を出射する半導体レーザ素子２０は、それぞれ独立駆動させることができる。２つの内側面１１Ｅに沿って形成される段差部１２Ｃを有することで、複数の配線層１３を段差部１２Ｃ上に設けやすくなる。

発光装置１０１では、第１サブマウント３０Ａに第１半導体レーザ素子２０Ａが配置され、第２サブマウント３０Ｂに第２半導体レーザ素子２０Ｂが配置される。第２サブマウント３０Ｂは、絶縁性の基板３１、第１金属層３２、及び、第２金属層３３とを有する。

第２サブマウント３０Ｂは、第１方向における第１金属層３２の幅と第２金属層３３の幅との差が５０μｍより小さい。第２サブマウント３０Ｂは、第２方向における第１金属層３２の幅と第２金属層３３の幅との差が５０μｍより小さい。図示される第２サブマウント３０Ｂの第１金属層３２と第２金属層３３とは、第１方向の幅及び第２方向の幅が同じである。

また、第２サブマウント３０Ｂは、第１サブマウント３０Ａよりも第１方向の幅が小さい。またさらに、第２サブマウント３０Ｂは、第１サブマウント３０Ａよりも第２方向の幅が小さくてもよい。

発光装置１０１では、第１サブマウント３０Ａと第２サブマウント３０Ｂとが、第１方向に並べて配置される。また、第１サブマウント３０Ａと第１サブマウント３０Ａとが、第１方向に並べて配置され得る。また、第２サブマウント３０Ｂと第２サブマウント３０Ｂとが、第１方向に並べて配置され得る。

隣り合って配置される第１サブマウント３０Ａと第２サブマウント３０Ｂの間隔は、隣り合って配置される第１サブマウント３０Ａと第１サブマウント３０Ａの間隔よりも大きい。あるいは、隣り合って配置される第１サブマウント３０Ａと第２サブマウント３０Ｂの間隔は、隣り合って配置される第２サブマウント３０Ｂと第２サブマウント３０Ｂの間隔よりも小さい。

図示される発光装置１０１では、隣り合って配置される第１サブマウント３０Ａと第１サブマウント３０Ａの間隔、隣り合って配置される第１サブマウント３０Ａと第２サブマウント３０Ｂの間隔、隣り合って配置される第２サブマウント３０Ｂと第２サブマウント３０Ｂの間隔の順に、間隔が大きくなる。第１方向に並ぶ複数の半導体レーザ素子２０からの光をおよそ等間隔に並べて出射しようとすると、サブマウント同士はこのような条件となり得る。そして、隣り合うサブマウントの間隔が大きくなることで、第１金属層３２と第２金属層３３を同じ形状で形成にし、第１サブマウント３０Ａよりも放熱性に優れた構造の第２サブマウント３０Ｂを採用できる。

なお、例えば配置される半導体レーザ素子の大きさが異なるなどの理由から、上面視で大きさの異なる複数のサブマウントを用いると、大きさに応じてサブマウントを接合するために必要な接合材の量も異なり得る。第２サブマウント３０Ｂを基体１０Ｂの実装面１１Ｄに接合するために塗布される接合材の量は、第１サブマウント３０Ａを基体１０Ｂの実装面１１Ｄに接合するために塗布される接合材の量よりも少ない。このことも、第１サブマウント３０Ａよりも放熱性に優れた構造の第２サブマウント３０Ｂを採用する動機となり得る。

各第２半導体レーザ素子２０Ｂは、互いに異なる第２サブマウント３０Ｂに配置される。１つの第２サブマウント３０Ｂに配置される第２半導体レーザ素子２０Ｂの数は１つである。なお、複数の第２半導体レーザ素子２０Ｂが１つの第２サブマウント３０Ｂに配置されてもよい。

＜載置部材の変形例＞
次に、第１実施形態及び第２実施形態を通して説明してきた載置部材３００の変形例を説明する。図１４は、変形例に係る載置部材３０１の第２金属層３３を説明するための模式図である。図１５は、変形例に係る載置部材３０２の第２金属層３３を説明するための模式図である。また、図５は、変形例に係る載置部材３０１及び３０２の第１金属層３２を説明するための模式図である。変形例に係る載置部材３０１及び３０２は、いずれも、サブマウント３０として発光装置１００や発光装置１０１に採用することができる。

第１実施形態及び第２実施形態におけるサブマウント３０に係る説明のうち、図１４または図１５の図面から矛盾すると言える内容を除いた全ての内容が、変形例に係る載置部材３０１及び３０２の説明としても当てはまる。矛盾しない全ての内容は、重複を避けるため、再度ここで説明を記載しない。

（載置部材３０１）
載置部材３０１は、第２金属層３３において、第１方向の幅が第１金属層３２よりも小さくなる部分を、部分的に設けている点で、載置部材３００と異なる。載置部材３００では、第２金属層３３の第２方向の全長に亘って、第１方向の幅が第１金属層３２よりも小さかったが、載置部材３０１は、第２方向における第２金属層３３の両端部においては、第１方向の幅が第１金属層３２と同じになっている。

なお、載置部材３０１の第２金属層３３は、第２方向に係る端部において第１方向の幅が第１金属層３２と同じでなくてもよいが、第２金属層３３は、第１方向の幅が、相対的に幅広になっている幅広部３３Ａと、相対的に幅狭になっている幅狭部３３Ｂと、を有する。

第２金属層３３の第２方向に係る両端部のうちの少なくとも一方の端部が幅広部３３Ａである。半導体レーザ素子２０が配置される発光装置では、光出射面に近い側の端部を幅広部３３Ａとするとよい。熱が集中する光出射面に近い端部を幅広にして第２金属層３３を形成することで、より放熱性に配慮した載置部材となり得る。図示される載置部材３０１において、光出射面に近い端部は、Ｙの正方向側の端部である。

幅広部３３Ａは、第２金属層３３の第２方向に係る両端部にそれぞれ設けられ得る。半導体レーザ素子２０では、光出射面だけでなく、光出射面と反対側の側面においても熱が集中するため、両端部を幅広部３３Ａとし、両端部に挟まれた中央部を幅狭部３３Ｂとすることで、より放熱性に配慮した載置部材となり得る。

幅狭部３３Ｂの第２方向の幅は、幅広部３３Ａの第２方向の幅よりも大きい。これにより、接合材のはみ出しを抑える領域を十分に確保できる。またさらに、幅狭部３３Ｂの第２方向の幅は、両端部にそれぞれ設けられた幅広部３３Ａの第２方向の幅の和よりも大きくてもよい。

（載置部材３０２）
載置部材３０２における第２金属層３３は、第２方向に係る両端のうちの一方から他方にかけて、段階的に第１方向の幅が狭くなる。図示される載置部材３０２では、第２方向に係る両端のうちの一方から他方にかけて、連続的に第１方向の幅が狭くなる。

載置部材３０２の第２金属層３３は、第２方向に係る両端のうちの一方の端における第１方向の幅よりも、他方の端における第１方向の幅の方が小さい。ここで、半導体レーザ素子２０が配置される発光装置に載置部材３０２を採用する場合、一方の端（幅が大きい方）が、光出射面に近い側の端であることが望ましい。半導体レーザ素子２０において、光出射面と反対側の側面とでは、光出射面の方が熱が集中するため、このように載置部材３０２上に半導体レーザ素子２０を配置することで、より放熱性に配慮された発光装置となり得る。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る発光装置１０２を説明する。図１６乃至図２２は、第３実施形態に係る発光装置１０２の例示的な一形態を説明するための図面である。図１６は、発光装置１０２の斜視図である。図１７は、発光装置１０２の上面図である。図１８は、発光装置１０２の内部に配置される各構成要素を説明するための上面図である。図１９は、図１８のXIX-XIX断面線における断面図である。図２０は、載置部材３００（第３サブマウント３０Ｃ）の上面図である。図２１は、載置部材３００（第３サブマウント３０Ｃ）の下面図である。図２２は、発光装置１０２におけるサブマウント３０の接合の様子の一例を説明するための模式図である。

発光装置１０２は、複数の構成要素を備えている。発光装置１０２が備える複数の構成要素には、基体１０Ｂ、複数の半導体レーザ素子２０、複数のサブマウント３０（以下、第３サブマウント３０Ｃと呼ぶ。）、１または複数の反射部材４０、１または複数の保護素子５０、１または複数の接合部６０、複数の配線、蓋部材８０、及び、レンズ部材９０が含まれる。

発光装置１０２は、サブマウント３０として、第１サブマウント３０Ａに代えて第３サブマウント３０Ｃを備える点で、発光装置１００及び発光装置１０１と異なる。なお、発光装置１０２は、第１サブマウント３０Ａまたは第２サブマウント３０Ｂを備えていてもよい。また、発光装置１０２は、搭載される半導体レーザ素子２０の数が、発光装置１００及び発光装置１０１よりも多く、これに応じて、レンズ部材９０が備えるレンズ面の数も多い。

上述した第１実施形態の発光装置１００、発光装置１０１、及び、各構成要素に係る説明のうち、発光装置１０２に係る図１６乃至図２２の図面から矛盾すると言える内容を除いた全ての内容が、発光装置１０２の説明としても当てはまる。矛盾しない全ての内容は、重複を避けるため、再度ここで説明を記載しない。

（第３サブマウント３０Ｃ）
第３サブマウント３０Ｃにおいて、第１面３１Ａに垂直な方向からみた平面視（以下、平面視という。）で、第２金属層３３の第１方向の幅の中点（以下、第２中点と呼ぶ。）は、第１金属層３２の第１方向の幅の中点（以下、第１中点と呼ぶ。）から、第１方向にずれている。なお、ここでの「第１方向にずれている」ことは、第１中点と第２中点が第２方向にずれているか否かを問わない。平面視で、基板３１の第１方向の幅の中点から第１中点までの距離は、基板３１の第１方向の幅の中点から第２中点までの距離よりも小さい。

平面視で、基板３１の長辺方向に延びる２つの側面に対し、一方の側面（以下、第１側面３１Ｃと呼ぶ。）から第２金属層３３までの第１方向の距離（以下、第１距離と呼ぶ。）が、他方の側面（以下、第２側面３１Ｄと呼ぶ。）から第２金属層３３までの第１方向の距離（以下、第２距離と呼ぶ。）よりも小さい。平面視で、第１距離は、第１側面から第１金属層３２までの第１方向の距離（以下、第３距離と呼ぶ。）よりも大きい。

第１距離と第２距離の差は、１０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。また、第２距離は、２０μｍ以上３５０μｍ以下とすることができる。第１距離と第３距離の差は、０μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。

（発光装置１０２）
発光装置１０２において、複数の第３サブマウント３０Ｃが、第１方向に並べて配置される。隣り合う２つの第３サブマウント３０Ｃは、一方の第３サブマウント３０Ｃの基板３１の第１側面３１Ｃと、他方の第３サブマウント３０Ｃの基板３１の第２側面３１Ｄとが対向するようにして、複数の第３サブマウント３０Ｃは配置される。このように配置することで、発光装置１００と同等に、接合材のはみ出しを抑えることができ、発光装置の小型化に寄与することができる。

半導体レーザ素子２０は、半導体レーザ素子２０の第１方向の幅の中点が、半導体レーザ素子２０が配置される第３サブマウント３０Ｃの基板３１の第１方向の幅の中点から、第１方向にずれた位置に配置される。この半導体レーザ素子２０は、基板３１の第１方向の中点から、第２中点の方向に進んだ位置に配置される。第３サブマウント３０Ｃに基板３１の中心から第１方向にずれて配置される半導体レーザ素子２０に対応して、第２金属層３３も基板３１の中心からずれることで、放熱性を向上させることができる。

上面視で、第３サブマウント３０Ｃの基板３１の第１側面３１Ｃから、この第３サブマウント３０Ｃに配置される半導体レーザ素子２０までの第１方向の距離は、この第３サブマウント３０Ｃの基板３１の第２側面３１Ｄから、この半導体レーザ素子２０までの第１方向の距離よりも小さい。

上面視で、基板３１の第１方向の中点を通り、かつ、第２方向に平行な仮想線で第２金属層３３を二分したときの二つの領域の面積のうちより大きい方の面積は、第３サブマウント３０に配置される半導体レーザ素子２０の第１方向の中点を通り、かつ、第２方向に平行な仮想線で第２金属層３３を二分したときの二つの領域の面積のうちより大きい方の面積よりも大きい。

上面視で、第３サブマウント３０Ｃの第１中点から、この第３サブマウント３０Ｃに配置される半導体レーザ素子２０までの距離よりも、この第３サブマウント３０Ｃの第２中点から、この半導体レーザ素子２０までの距離の方が小さい。

上面視で、第２金属層３３の第１方向における中点であり、第２方向における中点でもある第２金属層３３の中心は、半導体レーザ素子２０と重なる。なお、上面視で、第２金属層３３の中心は、半導体レーザ素子２０と重ならなくてもよい。また、上面視で、第１金属層３２の第１方向における中点であり、第２方向における中点でもある第１金属層３２の中心は、半導体レーザ素子２０と重ならない。

なお、第３サブマウント３０Ｃは、載置部材３００の他の一例である。第３サブマウント３０Ｃに、さらに変形例に係る載置部材３０１または載置部材３０２で説明した技術を複合することも可能である。

以上、本発明に係る各実施形態を説明してきたが、本発明に係る発光装置や載置部材は、各実施形態の発光装置や載置部材に厳密に限定されるものではない。つまり、本発明は、各実施形態により開示された発光装置や載置部材の外形や構造に限定されなければ実現できないものではない。本発明は、全ての構成要素を必要十分に備えることを必須とせずに適用され得るものである。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光モジュールの構成要素の一部が記載されていなかった場合、その一部の構成要素については、代替、省略、形状の変形、材料の変更などの当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを特定するものである。

本明細書でこれまで説明してきた内容を通し、以下の技術事項が開示される。
（項１）
半導体レーザ素子と、
絶縁性の基板と、第１金属層と、第２金属層と、を有し、前記第１金属層が設けられる側に前記半導体レーザ素子が配置されるサブマウントと、
を備え、
前記絶縁性の基板は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、また、前記第１面に垂直な方向からみた平面視で、第１方向の幅よりも前記第１方向に垂直な第２方向の幅の方が大きい形状を有しており、
前記第１金属層は、前記第１面に設けられ、
前記第２金属層は、前記第２面に設けられ、また、前記第１方向の幅が前記第１金属層よりも小さく、かつ、前記第１方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差よりも前記第２方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差の方が小さい、発光装置。
（項２）
前記第１方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差は、Xμｍより大きく、
前記第２方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差は、Xμｍより小さい、項１に記載の発光装置。
（項３）
前記半導体レーザ素子は、前記第１方向の幅よりも前記第２方向の幅の方が大きい、項１または項２に記載の発光装置。
（項４）
前記サブマウントは、前記第１金属層の上に設けられる配線層を有する、項１乃至項３のいずれか一項に記載の発光装置。
（項５）
前記第１金属層の厚みは３０μｍ以上である、項１乃至項４のいずれか一項に記載の発光装置。
（項６）
前記第２金属層の厚みは３０μｍ以上である、項１乃至項５のいずれか一項に記載の発光装置。
（項７）
前記第１金属層及び前記第２金属層の前記第１方向の幅は、前記半導体レーザ素子の前記第１方向の幅よりも大きい、項１乃至項６のいずれか一項に記載の発光装置。
（項８）
前記第１方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差は、前記第１方向における前記半導体レーザ素子の幅よりも小さい、項１乃至項７のいずれか一項に記載の発光装置。
（項９）
前記半導体レーザ素子が配置された前記サブマウントが前記第１方向に複数並べて配置された、項１乃至項８のいずれか一項に記載の発光装置。
（項１０）
前記第１方向に並べて配置される複数の前記サブマウントが実装される実装面を有する基体をさらに備え、
複数の前記サブマウントは、前記第１方向に１５００μｍ以下の間隔で並べられる、項９に記載の発光装置。
（項１１）
複数の前記サブマウントの第２金属層と前記実装面の間に設けられ、前記サブマウントを前記基体に接合する接合部をさらに備え、
前記接合部は、前記第１方向に平行な断面視で、隣り合う前記サブマウントの対向する前記第２金属層の側面、前記第２面、及び、前記実装面のそれぞれを含む各仮想平面によって囲まれる領域内に充満している、項１０に記載の発光装置。
（項１２）
複数の前記サブマウントの第２金属層と前記実装面の間に設けられ、前記サブマウントを前記基体に接合する接合部をさらに備え、
前記接合部は、前記第１方向に平行な断面視で、隣り合う前記サブマウントの対向する前記第２金属層の側方、前記第２面、及び、前記実装面のそれぞれを含む各仮想平面によって囲まれる領域内に充満し、かつ、隣り合う前記サブマウントの対向する前記第２金属層の側面、前記第１面、及び、前記実装面のそれぞれを含む各仮想平面によって囲まれる領域内に充満しない、項１０に記載の発光装置。
（項１３）
前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子の前記第１方向の幅の中点が、前記絶縁性の基板の前記第１方向の幅の中点から、前記第１方向にずれた位置に配置され、
前記第１面に垂直な方向からみた平面視で、前記第２金属層の前記第１方向の幅の中点は、前記第１金属層の前記第１方向の幅の中点から、前記第１方向にずれている、項１乃至項１２のいずれか一項に記載の発光装置。

各実施形態に記載の発光装置は、プロジェクタ、車載ヘッドライト、ヘッドマウントディスプレイ、照明、ディスプレイ等に使用することができる。

１００、１０１、１０２ 発光装置
１０、１０Ｂ 基体
１１Ａ 上面
１１Ｂ 下面
１１Ｃ 外側面
１１Ｄ 実装面
１１Ｅ 内側面
１２Ｃ 段差部
１３ 配線層
２０ 半導体レーザ素子
２０Ａ 第１半導体レーザ素子
２０Ｂ 第２半導体レーザ素子
３０ サブマウント
３０Ａ 第１サブマウント
３０Ｂ 第２サブマウント
３０Ｃ 第３サブマウント
３１ 基板
３１Ａ 第１面
３１Ｂ 第２面
３１Ｃ 第１側面
３１Ｄ 第２側面
３２ 第１金属層
３２Ａ 第１側面
３２Ｂ 第２側面
３３ 第２金属層
３３Ａ 幅広部
３３Ｂ 幅狭部
３４ 配線層
４０ 反射部材
５０ 保護素子
６０ 接合部
７０ 配線
８０ 蓋部材
９０ レンズ部材
３００、３０１、３０２ 載置部材

Claims (15)

1. 半導体レーザ素子と、
   絶縁性の基板と、第１金属層と、第２金属層と、を有し、前記第１金属層が設けられる側に前記半導体レーザ素子が配置されるサブマウントと、
   を備え、
   前記絶縁性の基板は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、また、前記第１面に垂直な方向からみた平面視で、第１方向の幅よりも前記第１方向に垂直な第２方向の幅の方が大きい形状を有しており、
   前記第１金属層は、前記第１面に設けられ、
   前記第２金属層は、前記第２面に設けられ、また、前記第１方向の幅が前記第１金属層よりも小さく、かつ、前記第１方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差よりも前記第２方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差の方が小さい、発光装置。
2. 前記第１方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差は、５０μｍより大きく、
   前記第２方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差は、５０μｍより小さい、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記半導体レーザ素子は、前記第１方向の幅よりも前記第２方向の幅の方が大きい、請求項１に記載の発光装置。
4. 前記サブマウントは、前記第１金属層の上に設けられる配線層を有する、請求項１に記載の発光装置。
5. 前記第１金属層の厚みは３０μｍ以上である、請求項１に記載の発光装置。
6. 前記第２金属層の厚みは３０μｍ以上である、請求項５に記載の発光装置。
7. 前記第１金属層及び前記第２金属層の前記第１方向の幅は、前記半導体レーザ素子の前記第１方向の幅よりも大きい、請求項１に記載の発光装置。
8. 前記第１方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差は、前記第１方向における前記半導体レーザ素子の幅よりも小さい、請求項１に記載の発光装置。
9. 前記半導体レーザ素子が配置された前記サブマウントが前記第１方向に複数並べて配置された、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
10. 前記第１方向に並べて配置される複数の前記サブマウントが実装される実装面を有する基体をさらに備え、
    複数の前記サブマウントは、前記第１方向に３５０μｍ以下の間隔で並べられる、請求項９に記載の発光装置。
11. 複数の前記サブマウントの第２金属層と前記実装面の間に設けられ、前記サブマウントを前記基体に接合する接合部をさらに備え、
    前記接合部は、前記第１方向に平行な断面視で、隣り合う前記サブマウントの対向する前記第２金属層の側面、前記第２面、及び、前記実装面のそれぞれを含む各仮想平面によって囲まれる領域内に充満している、請求項１０に記載の発光装置。
12. 複数の前記サブマウントの第２金属層と前記実装面の間に設けられ、前記サブマウントを前記基体に接合する接合部をさらに備え、
    前記接合部は、前記第１方向に平行な断面視で、隣り合う前記サブマウントの対向する前記第２金属層の側方、前記第２面、及び、前記実装面のそれぞれを含む各仮想平面によって囲まれる領域内に充満し、かつ、隣り合う前記サブマウントの対向する前記第２金属層の側面、前記第１面、及び、前記実装面のそれぞれを含む各仮想平面によって囲まれる領域内に充満しない、請求項１０に記載の発光装置。
13. 前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子の前記第１方向の幅の中点が、前記絶縁性の基板の前記第１方向の幅の中点から、前記第１方向にずれた位置に配置され、
    前記第１面に垂直な方向からみた平面視で、前記第２金属層の前記第１方向の幅の中点は、前記第１金属層の前記第１方向の幅の中点から、前記第１方向にずれている、請求項１に記載の発光装置。
14. 第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、前記第１面に垂直な方向からみた平面視で、第１方向の幅よりも前記第１方向に垂直な第２方向の幅の方が大きい形状を有する絶縁性の基板と、
    前記第１面に設けられる第１金属層と、
    前記第２面に設けられる第２金属層と、
    を備え、
    前記第２金属層は、前記第１方向の幅が前記第１金属層よりも小さく、かつ、前記第１方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差よりも前記第２方向における前記第１金属層の幅と前記第２金属層の幅との差の方が小さい、
    載置部材。
15. 前記第１面に垂直な方向からみた平面視で、前記第２金属層の前記第１方向の幅の中点は、前記第１金属層の前記第１方向の幅の中点から、前記第１方向にずれている、請求項１４に記載の載置部材。

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