JP2023080223A5 - - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 32
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 26
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017040043 | 2017-03-03 | ||
| JP2017040043 | 2017-03-03 | ||
| JP2017107394A JP6861095B2 (ja) | 2017-03-03 | 2017-05-31 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| JP2021054859A JP7263424B2 (ja) | 2017-03-03 | 2021-03-29 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021054859A Division JP7263424B2 (ja) | 2017-03-03 | 2021-03-29 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023080223A JP2023080223A (ja) | 2023-06-08 |
| JP2023080223A5 true JP2023080223A5 (enExample) | 2023-11-10 |
| JP7588176B2 JP7588176B2 (ja) | 2024-11-21 |
Family
ID=63371276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023064906A Active JP7588176B2 (ja) | 2017-03-03 | 2023-04-12 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11880130B2 (enExample) |
| JP (1) | JP7588176B2 (enExample) |
| KR (1) | KR20240025717A (enExample) |
| TW (2) | TWI881609B (enExample) |
| WO (1) | WO2018159392A1 (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021085382A1 (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
| JP6929983B1 (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| TW202202641A (zh) * | 2020-07-13 | 2022-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收劑材料 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233321B1 (enExample) | 1971-07-10 | 1977-08-27 | ||
| JP3078163B2 (ja) | 1993-10-15 | 2000-08-21 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 |
| JP4458216B2 (ja) | 2000-09-01 | 2010-04-28 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスクの製造方法 |
| US7282307B2 (en) * | 2004-06-18 | 2007-10-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Reflective mask useful for transferring a pattern using extreme ultra violet (EUV) radiation and method of making the same |
| JP2006228766A (ja) | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、及び露光方法 |
| JP5233321B2 (ja) | 2008-02-27 | 2013-07-10 | 凸版印刷株式会社 | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 |
| JP5266988B2 (ja) | 2008-09-10 | 2013-08-21 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
| KR20120034074A (ko) | 2009-07-08 | 2012-04-09 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
| JP5556452B2 (ja) | 2010-07-06 | 2014-07-23 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5708651B2 (ja) | 2010-08-24 | 2015-04-30 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| TWI654478B (zh) * | 2012-03-28 | 2019-03-21 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 透過型光罩基底、透過型光罩及半導體裝置之製造方法 |
| KR102068952B1 (ko) | 2012-07-13 | 2020-01-21 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
| KR20170120212A (ko) | 2013-09-18 | 2017-10-30 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조방법, 반사형 마스크 그리고 반도체 장치의 제조방법 |
| JP6301127B2 (ja) | 2013-12-25 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6381921B2 (ja) | 2014-01-30 | 2018-08-29 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP6499440B2 (ja) | 2014-12-24 | 2019-04-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| JP6739960B2 (ja) | 2016-03-28 | 2020-08-12 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| JP6861095B2 (ja) | 2017-03-03 | 2021-04-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-02-20 WO PCT/JP2018/006054 patent/WO2018159392A1/ja not_active Ceased
- 2018-02-20 KR KR1020247005441A patent/KR20240025717A/ko not_active Ceased
- 2018-03-02 TW TW112149754A patent/TWI881609B/zh active
- 2018-03-02 TW TW111139214A patent/TWI828372B/zh active
-
2022
- 2022-09-16 US US17/946,709 patent/US11880130B2/en active Active
-
2023
- 2023-04-12 JP JP2023064906A patent/JP7588176B2/ja active Active
- 2023-12-01 US US18/526,463 patent/US12135496B2/en active Active
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