JP2023077169A

JP2023077169A - 発光装置および測距装置

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Publication number: JP2023077169A
Application number: JP2021190354A
Authority: JP
Inventors: 章吾小野; Shogo Ono
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2021-11-24
Filing date: 2021-11-24
Publication date: 2023-06-05
Also published as: WO2023095515A1

Abstract

【課題】好適な状態の基板に発光素子を設けることが可能な発光装置および測距装置を提供する。
【解決手段】本開示の発光装置は、第１基板と、前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物と、前記第１基板の上面に設けられた膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記構造物上に配置されているかまたは前記構造物を形成している第２部分と、を含む膜とを備え、前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する。
【選択図】図５

Description

本開示の実施形態は、発光装置および測距装置に関する。

半導体レーザーの一種として、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の面発光レーザーが知られている。一般に、面発光レーザーを利用した発光装置では、基板の表面または裏面に複数の発光素子が２次元アレイ状に設けられる。

特表２００４－５２６１９４号公報

発光素子を備える基板をダイシング（個片化）する際には、例えば、基板にダイシングテープを貼り、基板にレーザーを照射し、ダイシングテープを延ばす。これにより、基板が複数のチップに分割される。

しかしながら、ダイシングテープを延ばすと、ダイシングテープの糊材が延び、チップのエッジ部がダイシングテープから剥がれる可能性がある。この場合、チップのエッジ部付近でダイシングテープの糊材が引きちぎられ、ダイシングテープの糊材がチップに付着する可能性がある。その結果、糊材が付着したチップが不良品となる可能性がある。このように、発光素子を備える基板を加工すると、基板の状態が悪くなる場合がある。

そこで、本開示は、好適な状態の基板に発光素子を設けることが可能な発光装置および測距装置を提供する。

本開示の第１の側面の発光装置は、第１基板と、前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物と、前記第１基板の上面に設けられた膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記構造物上に配置されているかまたは前記構造物を形成している第２部分と、を含む膜とを備え、前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する。これにより、好適な状態の第１基板に発光素子を設けることが可能となる。例えば、この構造物によりダイシングテープの剥がれの進行を止めることで、ダイシングテープの糊材が第１基板に付着するのを抑制することが可能となり、これにより第１基板の状態を良好に維持することが可能となる。

また、この第１の側面において、前記レンズは、凸レンズ、凹レンズ、フレネルレンズ、またはバイナリレンズでもよい。これにより例えば、レンズの形状を凸型または凹型にすることが可能となる。

また、この第１の側面において、前記第１基板の下面には、１つ以上の前記発光素子が設けられており、前記第１基板の上面には、１つ以上の前記レンズが設けられており、前記発光素子と前記レンズは、１：１で、Ｎ：１で、または１：Ｎで対応していてもよい（Ｎは２以上の整数）。これにより例えば、レンズのサイズを様々なサイズに設定することが可能となる。

また、この第１の側面において、前記構造物は、前記レンズを環状に包囲する形状を有していてもよい。これにより例えば、この構造物をレンズの周りの広い範囲に配置することや、ダイシングテープの剥がれの進行を広い範囲で止めることが可能となる。

また、この第１の側面において、前記構造物は、内周側または外周側の角が丸められた形状を有していてもよい。これにより例えば、この構造物によりダイシングテープの剥がれの進行を好適に止めることが可能となる。

また、この第１の側面の発光装置は、前記構造物として、前記第１基板の上面の複数の角または辺に設けられた複数の構造物を備えていてもよい。これにより例えば、これらの構造物を第１基板の上面の角付近または辺付近に限定して配置することが可能となる。

また、この第１の側面において、前記複数の構造物は、前記レンズを環状に包囲するように環状に並べられていてもよい。これにより例えば、これらの構造物をレンズの周りの広い範囲に配置することや、ダイシングテープの剥がれの進行を広い範囲で止めることが可能となる。

また、この第１の側面において、前記構造物の縦断面の形状は、四角形、三角形、凸レンズ状の形状、または凹レンズ状の形状でもよい。これにより例えば、この構造物の形状を凸型または凹型にすることが可能となる。

また、この第１の側面において、前記第１基板の側面と前記構造物との距離は、１０～１００μｍでもよい。これにより例えば、ダイシングテープの剥がれの進行を、第１基板の側面付近で止めることが可能となる。

また、この第１の側面の発光装置は、前記第１基板の側面に設けられた改質層をさらに備えていてもよい。これにより例えば、第１基板の側面から光が出入りすることを抑制することが可能となる。

また、この第１の側面において、前記膜は、前記レンズ上に設けられた反射防止膜を含んでいてもよい。これにより例えば、ダイシングテープと接触する部分を反射防止膜とすることが可能となる。

また、この第１の側面において、前記膜は、前記レンズ上に設けられた反射防止膜と、前記反射防止膜とは異なる光吸収膜、無機膜、または有機膜とを含んでいてもよい。これにより例えば、光吸収性、剛性、弾性などの機能を、上記構造物に持たせることが可能となる。

また、この第１の側面において、前記光吸収膜、前記無機膜、または前記有機膜は、前記反射防止膜上に設けられていてもよい。これにより例えば、第１基板上に反射防止膜と光吸収膜、無機膜、または有機膜とを順に設けることが可能となる。

また、この第１の側面において、前記第１基板は、ガリウム（Ｇａ）およびヒ素（Ａｓ）を含む半導体基板でもよい。これにより例えば、第１基板を発光素子に適したものとすることが可能となる。

また、この第１の側面において、前記発光素子から出射された光は、前記第１基板の下面から上面へと前記第１基板内を透過し、前記レンズに入射してもよい。これにより例えば、発光装置を裏面出射型とすることが可能となる。

また、この第１の側面の発光装置は、前記発光素子を介して前記第１基板が搭載された第２基板をさらに備えていてもよい。これにより例えば、発光装置用の回路を、第１基板とは別の第２基板に設けることが可能となる。

また、この第１の側面において、前記第２基板は、シリコン（Ｓｉ）を含む半導体基板でもよい。これにより例えば、発光素子やレンズを高特性なＧａＡｓ基板に形成しつつ、発光装置用の回路を安価なＳｉ基板に形成することが可能となる。

本開示の第２の側面の発光装置は、第１基板と、前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物とを備え、前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記レンズの最上部の高さは、前記構造物の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する。これにより、好適な状態の第１基板に発光素子を設けることが可能となる。例えば、この構造物によりダイシングテープの剥がれの進行を止めることで、ダイシングテープの糊材が第１基板に付着するのを抑制することが可能となり、これにより第１基板の状態を良好に維持することが可能となる。

本開示の第３の側面の測距装置は、光を発生させる発光素子を含み、前記発光素子からの光を被写体に照射する発光部と、前記被写体から反射した光を受光する受光部と、前記受光部により受光された光に基づいて、前記被写体との距離を測定する測距部とを備え、前記発光部は、第１基板と、前記第１基板の下面に設けられた前記発光素子と、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物と、前記第１基板の上面に設けられた膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記構造物上に配置されているかまたは前記構造物を形成している第２部分と、を含む膜とを備え、前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する。これにより、上述のように、好適な状態の第１基板に発光素子を設けることが可能となる。

本開示の第４の側面の測距装置は、光を発生させる発光素子を含み、前記発光素子からの光を被写体に照射する発光部と、前記被写体から反射した光を受光する受光部と、前記受光部により受光された光に基づいて、前記被写体との距離を測定する測距部とを備え、前記発光部は、第１基板と、前記第１基板の下面に設けられた前記発光素子と、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物とを備え、前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記レンズの最上部の高さは、前記構造物の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する。これにより、上述のように、好適な状態の第１基板に発光素子を設けることが可能となる。

第１実施形態の測距装置の構成例を示すブロック図である。第１実施形態のＳＴＬ（Structured Light）方式を説明するための図である。第１実施形態の発光装置の構造の例を示す断面図である。図３のＢに示す発光装置の構造を示す断面図である。第１実施形態の発光装置の構造を示す断面図および平面図である。比較例の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。第１実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。比較例の発光装置の製造方法を示す断面図である。第１実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図である。比較例の発光装置の製造方法の欠点を説明するための平面図である。第１実施形態の発光装置の製造方法の利点を説明するための断面図である。第１実施形態の変形例の発光装置の構造を示す平面図である。第２実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。第３実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。第４実施形態の発光装置の基板の構造を示す平面図および断面図である。第５実施形態の発光装置の構造の例を示す断面図(1/4)である。第５実施形態の発光装置の構造の例を示す断面図(2/4)である。第５実施形態の発光装置の構造の例を示す断面図(3/4)である。第５実施形態の発光装置の構造の例を示す断面図(4/4)である。第６実施形態の発光装置の基板の構造の例を示す断面図(1/2)である。第６実施形態の発光装置の基板の構造の例を示す断面図(2/2)である。第７実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図である。第８実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図である。第９実施形態の発光装置の構造を示す断面図および平面図である。第１０実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図である。

以下、本開示の実施形態を、図面を参照して説明する。

（第１実施形態）
（１）第１実施形態の測距装置１０１
（１．１）測距装置１０１の構成
図１は、第１実施形態の測距装置１０１の構成例を示すブロック図である。

図示のように測距装置１０１は、発光部１０２、駆動部１０３、電源回路１０４、発光側光学系１０５、受光側光学系１０６、受光部１０７、信号処理部１０８、制御部１０９、および温度検出部１１０を備えている。

発光部１０２は、複数の光源により光を発する。本例の発光部１０２は、各光源としてＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器面発光レーザ）による発光素子１０２ａを有しており、それら発光素子１０２ａが例えばマトリクス状等の所定態様により配列されて構成されている。

駆動部１０３は、発光部１０２を駆動するための電源回路を有して構成される。

電源回路１０４は、例えば測距装置１０１に設けられた不図示のバッテリ等からの入力電圧に基づき、駆動部１０３の電源電圧を生成する。駆動部１０３は、該電源電圧に基づいて発光部１０２を駆動する。

発光部１０２より発せられた光は、発光側光学系１０５を介して測距対象としての被写体Ｓに照射される。そして、このように照射された光の被写体Ｓからの反射光は、受光側光学系１０６を介して受光部１０７の受光面に入射する。

受光部１０７は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ等の受光素子とされ、上記のように受光側光学系１０６を介して入射する被写体Ｓからの反射光を受光し、電気信号に変換して出力する。

受光部１０７は、受光した光を光電変換して得た電気信号について、例えばＣＤＳ（Correlated Double Sampling）処理、ＡＧＣ（Automatic Gain Control）処理等を実行し、さらにＡ／Ｄ（Analog/Digital）変換処理を行う。そしてデジタルデータとしての信号を、後段の信号処理部１０８に出力する。

また、本例の受光部１０７は、フレーム同期信号Ｆｓを駆動部１０３に出力する。これにより駆動部１０３は、発光部１０２における発光素子１０２ａを受光部１０７のフレーム周期に応じたタイミングで発光させることが可能とされる。

信号処理部１０８は、例えばＤＳＰ（Digital Signal Processor）等により信号処理プロセッサとして構成される。信号処理部１０８は、受光部１０７から入力されるデジタル信号に対して、各種の信号処理を施す。

制御部１０９は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を有するマイクロコンピュータ、またはＤＳＰ等の情報処理装置を備えて構成され、発光部１０２による発光動作を制御するための駆動部１０３の制御や、受光部１０７による受光動作に係る制御を行う。

制御部１０９は、測距部１０９ａとしての機能を有する。測距部１０９ａは、信号処理部１０８を介して入力される信号（つまり被写体Ｓからの反射光を受光して得られる信号）に基づき、被写体Ｓまでの距離を測定する。本例の測距部１０９ａは、被写体Ｓの三次元形状の特定を可能とするために、被写体Ｓの各部について距離の測定を行う。

ここで、測距装置１０１における具体的な測距の手法については後に改めて説明する。

温度検出部１１０は、発光部１０２の温度を検出する。温度検出部１１０としては、例えばダイオードを用いて温度検出を行う構成を採ることができる。

本例では、温度検出部１１０により検出された温度の情報は駆動部１０３に供給され、これにより駆動部１０３は該温度の情報に基づいて発光部１０２の駆動を行うことが可能とされる。

（１．２）測距手法について
測距装置１０１における測距手法としては、例えばＳＴＬ（Structured Light：構造化光）方式やＴｏＦ（Time of Flight：光飛行時間）方式による測距手法を採用することができる。

ＳＴＬ方式は、例えばドットパターンや格子パターン等の所定の明／暗パターンを有する光を照射された被写体Ｓの画像に基づいて距離を測定する方式である。

図２は、第１実施形態のＳＴＬ方式を説明するための図である。

ＳＴＬ方式では、例えば図２のＡに示すようなドットパターンによるパターン光Ｌｐを被写体Ｓに照射する。パターン光Ｌｐは、複数のブロックＢＬに分割されており、各ブロックＢＬにはそれぞれ異なるドットパターンが割当てられている（ブロックＢ間でドットパターンが重複しないようにされている）。

図２のＢは、ＳＴＬ方式の測距原理についての説明図である。

ここでは、壁Ｗとその前に配置された箱ＢＸとが被写体Ｓとされ、該被写体Ｓに対してパターン光Ｌｐが照射された例としている。図中の「Ｇ」は受光部１０７による画角を模式的に表している。

また、図中の「ＢＬｎ」はパターン光Ｌｐにおける或るブロックＢＬの光を意味し、「ｄｎ」は受光部１０７による受光画像に映し出されるブロックＢＬｎのドットパターンを意味している。

ここで、壁Ｗの前の箱ＢＸが存在しない場合、受光画像においてブロックＢＬｎのドットパターンは図中の「ｄｎ’」の位置に映し出される。すなわち、箱ＢＸが存在する場合と箱ＢＸが存在しない場合とで、受光画像においてブロックＢＬｎのパターンが映し出される位置が異なるものであり、具体的には、パターンの歪みが生じる。

ＳＴＬ方式は、このように照射したパターンが被写体Ｓの物体形状によって歪むことを利用して被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式となる。具体的には、パターンの歪み方から被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式である。

ＳＴＬ方式を採用する場合、受光部１０７としては、例えばグローバルシャッタ方式によるＩＲ（Infrared：赤外線）受光部が用いられる。そして、ＳＴＬ方式の場合、測距部１０９ａは、発光部１０２がパターン光を発光するように駆動部１０３を制御すると共に、信号処理部１０８を介して得られる画像信号についてパターンの歪みを検出し、パターンの歪み方に基づいて距離を計算する。

続いて、ＴｏＦ方式は、発光部１０２より発された光が対象物で反射されて受光部１０７に到達するまでの光の飛行時間（時間差）を検出することで、対象物までの距離を測定する方式である。

ＴｏＦ方式として、いわゆるダイレクトＴｏＦ（dTOF）方式を採用する場合、受光部１０７としてはＳＰＡＤ（Single Photon Avalanche Diode）を用い、また発光部１０２はパルス駆動する。この場合、測距部１０９ａは、信号処理部１０８を介して入力される信号に基づき、発光部１０２より発せられ受光部１０７により受光される光について発光から受光までの時間差を計算し、該時間差と光の速度とに基づいて被写体Ｓの各部の距離を計算する。

なお、ＴｏＦ方式として、いわゆるインダイレクトＴｏＦ（iTOF）方式（位相差法）を採用する場合、受光部１０７としては例えばＩＲを受光することのできる受光部が用いられる。

（２）第１実施形態の発光装置１
図３は、第１実施形態の発光装置１の構造の例を示す断面図である。本実施形態の発光装置１は、測距装置１０１の一部でもよいし、測距装置１０１そのものでもよい。

図３のＡは、本実施形態の発光装置１の構造の第１の例を示している。この例の発光装置１は、発光部１０２を含むＬＤ（Laser Diode）チップ４１と、駆動部１０３を含むＬＤＤ（Laser Diode Driver）基板４２と、実装基板４３と、放熱基板４４と、補正レンズ保持部４５と、１つ以上の補正レンズ４６と、配線４７とを備えている。

図３のＡは、互いに垂直なＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を示している。Ｘ方向とＹ方向は横方向（水平方向）に相当し、Ｚ方向は縦方向（垂直方向）に相当する。また、＋Ｚ方向は上方向に相当し、－Ｚ方向は下方向に相当する。－Ｚ方向は、厳密に重力方向に一致していてもよいし、厳密には重力方向に一致していなくてもよい。

ＬＤチップ４１は、放熱基板４４を介して実装基板４３上に配置され、ＬＤＤ基板４２も、実装基板４３上に配置されている。実装基板４３は、例えばプリント基板である。実装基板４３にはさらに、図１に示す受光部１０７や信号処理部１０８が配置されていてもよい。放熱基板４４は、例えばＡｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）基板やＡｌＮ（窒化アルミニウム基板）などのセラミック基板である。

補正レンズ保持部４５は、ＬＤチップ４１を囲むように放熱基板４４上に配置されており、ＬＤチップ４１の上方に１つ以上の補正レンズ４６を保持している。これらの補正レンズ４６は、上述の発光側光学系１０５に含まれている。ＬＤチップ４１内の発光部１０２から発光された光は、これらの補正レンズ４６により補正された後、上述の被写体Ｓに照射される。図３のＡは、一例として、補正レンズ保持部４５に保持された２つの補正レンズ４６を示している。

配線４７は、実装基板４３の表面、裏面、内部などに設けられており、ＬＤチップ４１とＬＤＤ基板４２とを電気的に接続している。配線４７は例えば、実装基板４３の表面や裏面に設けられたプリント配線や、実装基板４３を貫通するビア配線である。本実施形態の配線４７はさらに、放熱基板４４の内部または付近を通過している。

図３のＢは、本実施形態の発光装置１の構造の第２の例を示している。この例の発光装置１は、第１の例の発光装置１と同じ構成要素を備えているが、配線４７の代わりにバンプ４８を備えている。

図３のＢでは、放熱基板４４上にＬＤＤ基板４２が配置されており、ＬＤＤ基板４２上にＬＤチップ４１が配置されている。このようにＬＤチップ４１をＬＤＤ基板４２上に配置することにより、第１の例の場合に比べて、実装基板４３のサイズを小型化することが可能となる。図３のＢでは、ＬＤチップ４１が、ＬＤＤ基板４２上にバンプ４８を介して配置されており、バンプ４８によりＬＤＤ基板４２と電気的に接続されている。バンプ４８は、例えば金（Ａｕ）で形成されている。

以下、本実施形態の発光装置１について、図３のＢに示す第２の例の構造を有しているとして説明する。ただし、以下の説明は、第２の例に特有の構造についての説明を除き、第１の例の構造を有する発光装置１にも適用可能である。

図４は、図３のＢに示す発光装置１の構造を示す断面図である。

図４は、発光装置１内のＬＤチップ４１とＬＤＤ基板４２の断面を示している。図４に示すように、ＬＤチップ４１は、基板５１と、積層膜５２と、複数の発光素子５３と、複数のアノード電極５４と、複数のカソード電極５５とを備えており、ＬＤＤ基板４２は、基板６１と、複数の接続パッド６２とを備えている。基板５１は、本開示の第１基板の例であり、基板６１は、本開示の第２基板の例である。図４に示す発光素子５３は、上述の発光素子１０２ａの具体例となっている。なお、図４では、後述するレンズ７１、構造物７２、および反射防止膜７３の図示は省略されている（図５を参照）。

基板５１は、例えばＧａＡｓ（ガリウムヒ素）基板などの化合物半導体基板である。図４は、－Ｚ方向を向いている基板５１の表面Ｓ１と、＋Ｚ方向を向いている基板５１の裏面Ｓ２と、表面Ｓ１と裏面Ｓ２との間に設けられた基板５１の複数の側面Ｓ３とを示している。図４に示す表面Ｓ１および裏面Ｓ２は、Ｚ方向に垂直である。図４では、表面Ｓ１が基板５１の下面となっており、裏面Ｓ２が基板５１の上面となっている。

積層膜５２は、基板５１の表面Ｓ１に積層された複数の層を含んでいる。これらの層の例は、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、および光反射層や、光の射出窓を有する絶縁層などである。積層膜５２は、－Ｚ方向に突出した複数のメサ部Ｍを含んでいる。これらのメサ部Ｍの一部が、複数の発光素子５３となっている。

発光素子５３は、積層膜５２の一部として、基板５１の表面Ｓ１に設けられている。本実施形態の発光素子５３は、ＶＣＳＥＬ構造を有しており、光を＋Ｚ方向に出射する。発光素子５３から出射された光は、図４に示すように、基板５１の表面Ｓ１から裏面Ｓ２へと基板５１内を透過し、基板５１から上述の補正レンズ４６（図３）に入射する。このように、本実施形態のＬＤチップ４１は、裏面出射型のＶＣＳＥＬチップとなっている。

アノード電極５４は、発光素子５３の下面に形成されている。カソード電極５５は、発光素子５３以外のメサ部Ｍの下面に形成されており、メサ部Ｍの下面から、メサ部Ｍ間にある積層膜５２の下面まで延びている。各発光素子５３は、対応するアノード電極５４と対応するカソード電極５５との間に電流が流れることで光を出射する。

上述のように、ＬＤチップ４１は、ＬＤＤ基板４２上にバンプ４８を介して配置されており、バンプ４８によりＬＤＤ基板４２と電気的に接続されている。具体的には、ＬＤＤ基板４２に含まれる基板６１上に接続パッド６２が形成されており、接続パッド６２上にバンプ４８を介してメサ部Ｍが配置されている。各メサ部Ｍは、アノード電極５４またはカソード電極５５を介してバンプ４８上に配置されている。基板６１は、例えばＳｉ（シリコン）基板などの半導体基板である。

ＬＤＤ基板４２は、発光部１０２を駆動する駆動部１０３を含んでいる。図４は、駆動部１０３に含まれる複数のスイッチＳＷを模式的に示している。各スイッチＳＷは、バンプ４８を介して、対応する発光素子５３と電気的に接続されている。本実施形態の駆動部１０３は、これらのスイッチＳＷを個々のスイッチＳＷごとに制御（オン・オフ）することができる。よって、駆動部１０３は、複数の発光素子５３を個々の発光素子５３ごとに駆動させることができる。これにより、例えば測距に必要な発光素子５３のみを発光させるなど、発光部１０２から出射される光を精密に制御することが可能となる。このような発光素子５３の個別制御は、ＬＤＤ基板４２をＬＤチップ４１の下方に配置することにより、各発光素子５３を対応するスイッチＳＷと電気的に接続しやすくなったことで実現可能となっている。

図５は、第１実施形態の発光装置１の構造を示す断面図および平面図である。

図５のＡは、発光装置１内のＬＤチップ４１とＬＤＤ基板４２の断面を示している。上述のように、ＬＤチップ４１は、基板５１と、積層膜５２と、複数の発光素子５３と、複数のアノード電極５４と、複数のカソード電極５５とを備えており、ＬＤＤ基板４２は、基板６１と、複数の接続パッド６２とを備えている。ただし、図５のＡでは、アノード電極５４、カソード電極５５、および接続パッド６２の図示が省略されている。

本実施形態のＬＤチップ４１は、基板５１の表面Ｓ１に複数の発光素子５３を備えると共に、基板５１の裏面Ｓ２に複数のレンズ７１と、構造物７２と、反射防止膜７３とを備えている。反射防止膜７３は、本開示の膜の例である。

レンズ７１は、発光素子５３と同様に、２次元アレイ状に配置されている。本実施形態のレンズ７１は、発光素子５３と１対１で対応しており、レンズ７１の各々が、１つの発光素子５３の＋Ｚ方向に配置されている。また、本実施形態のレンズ７１は、図５のＡに示すように、基板５１の裏面Ｓ２に基板５１の一部として設けられている。具体的には、本実施形態のレンズ７１は凸レンズであり、基板５１の裏面Ｓ２を凸形状にエッチング加工することで、基板５１の一部として形成されている。本実施形態によれば、基板５１のエッチング加工によりレンズ７１を形成することで、レンズ７１を簡単に形成することができる。なお、凸レンズ以外のレンズ７１の例や、レンズ７１を形成するための基板５１のエッチング加工の詳細については、後述する。

構造物７２は、基板５１の裏面Ｓ２に設けられており、基板５１の裏面Ｓ２に段差を形成している。本実施形態の構造物７２は、凸レンズであるレンズ７１と同様に凸型の形状を有しているが、レンズ７１としては使用されない。本実施形態の構造物７２は、後述するように、基板５１上の全レンズ７１を環状に包囲する形状を有している（図５のＢを参照）。また、本実施形態の構造物７２は、レンズ７１と同様に、基板５１の裏面Ｓ２に基板５１の一部として設けられている。よって、本実施形態によれば、基板５１のエッチング加工により構造物７２を形成することで、構造物７２を簡単に形成することができる。なお、凸型以外の形状を有する構造物７２の例や、構造物７２を形成するための基板５１のエッチング加工の詳細については、後述する。

反射防止膜７３は、レンズ７１と構造物７２とを覆うように、基板５１の裏面Ｓ２に設けられている。よって、反射防止膜７３は、レンズ７１上に配置された第１部分Ｘ１と、構造物７２上に配置された第２部分Ｘ２とを含んでいる。反射防止膜７３は、基板５１の内部からレンズ７１に入射した光が、基板５１の内部へと反射されることを防止する機能を有している。反射防止膜７３は、例えば酸化シリコン膜である。反射防止膜７３は、本実施形態では均一な厚さを有しているが、不均一な厚さを有していてもよい。

上記複数の発光素子５３から出射された光は、基板５１の表面Ｓ１から裏面Ｓ２へと基板５１内を透過し、上記複数のレンズ７１に入射する。本実施形態では、各発光素子５３から出射された光が、対応する１つのレンズ７１に入射する。これにより、上記複数の発光素子５３から出射された光を、個々のレンズ７１ごとに成形することが可能となる。上記複数のレンズ７１を通過した光は、補正レンズ４６（図３）を通過して、被写体Ｓ（図１）に照射される。なお、発光素子５３とレンズ７１が１対１に対応しない場合の例については、後述する。

ここで、図５のＡに示す厚さＡ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２や幅Ｄ１、Ｄ２について説明する。

本実施形態では、各レンズ７１の最上部の高さが、構造物７２の最上部の高さよりも高くなっている。別言すると、各レンズ７１の最上部のＺ座標が、構造物７２の最上部のＺ座標よりも大きくなっている。本実施形態の各レンズ７１は凸レンズであるため、各レンズ７１の最上部は、各レンズ７１の頂部である。一方、本実施形態の構造物７２は凸型の形状を有しかつ平坦な上面を有しているため、構造物７２の最上部は、構造物７２の上面である。よって、本実施形態では、各レンズ７１の頂部の高さが、構造物７２の上面の高さよりも高くなっている。

その結果、各レンズ７１上の反射防止膜７３の第１部分Ｘ１の最上部の高さは、構造物７２上の反射防止膜７３の第２部分Ｘ２の最上部の高さよりも高くなっている。各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部は、各レンズ７１の頂部の上方に存在している。一方、構造物７２上の第２部分Ｘ２の最上部は、構造物７２の上面の上方に存在している。よって、各レンズ７１の頂部の上方に存在する第１部分Ｘ１の最上部の高さは、構造物７２の上面の上方に存在する第２部分Ｘ２の最上部の高さよりも高くなっている。

厚さＡ１、Ｂ１、Ｃ１はそれぞれ、基板５１、レンズ７１、構造物７２のＺ方向の厚さを表している。幅Ｄ１は、図５のＡにおける構造物７２のＸ方向の幅を表している。基板５１の厚さＡ１は、例えば１００～６００μｍである。レンズ７１の厚さＢ１は、例えば０．１～１０μｍである。構造物７２の厚さＣ１は、例えば０．１～１０μｍである。構造物７２の幅Ｄ１は、例えば１０～１００μｍである。また、反射防止膜７３の厚さは、例えば０．１～１μｍである。

各レンズ７１の厚さＢ１は、基板５１の裏面Ｓ２の平坦部に対する各レンズ７１の最上部の高さに相当している。同様に、構造物７２の厚さＣ１は、基板５１の裏面Ｓ２の平坦部に対する構造物７２の最上部の高さに相当している。よって、各レンズ７１の最上部の高さが、構造物７２の最上部の高さよりも高いことは、各レンズ７１の厚さＢ１が、構造物７２の厚さＣ１よりも厚いと言い換えることができる（Ｂ１＞Ｃ１）。

さらに、厚さＡ２、Ｂ２、Ｃ２はそれぞれ、基板５１と反射防止膜７３の合計厚、レンズ７１と反射防止膜７３の合計厚、構造物７２と反射防止膜７３の合計厚を表している。幅Ｄ２は、図５のＡにおける構造物７２と反射防止膜７３の合計幅を表している。各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さが、構造物７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さよりも高いことは、各レンズ７１と反射防止膜７３の合計厚Ｂ２が、構造物７２と反射防止膜７３の合計厚Ｃ２よりも厚いと言い換えることができる（Ｂ２＞Ｃ２）。

本実施形態のＬＤチップ４１を製造する際には、後述するように、基板５１に発光素子５３、レンズ７１、構造物７２、反射防止膜７３などを設けた後、基板５１をダイシングする。具体的には、基板５１にダイシングテープを貼り、基板５１にレーザーを照射し、ダイシングテープを延ばす。これにより、基板５１が複数のチップ（ＬＤチップ４１）に分割される（図９を参照）。

しかしながら、ダイシングテープを延ばすと、ダイシングテープの糊材が延び、ＬＤチップ４１のエッジ部がダイシングテープから剥がれる可能性がある。この場合、ＬＤチップ４１のエッジ部付近でダイシングテープの糊材が引きちぎられ、ダイシングテープの糊材がＬＤチップ４１に付着する可能性がある。その結果、糊材が付着したＬＤチップ４１が不良品となる可能性がある。このように、基板５１を加工すると、基板５１の状態が悪くなる場合がある。

そこで、本実施形態のＬＤチップ４１を製造する際には、基板５１にレンズ７１だけでなく構造物７２を設けた後に、基板５１をダイシングする。これにより、ダイシングテープの剥がれの進行を構造物７２により止めることで、ダイシングテープの糊材がレンズ７１などに付着するのを抑制することが可能となる。さらには、各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さを、構造物７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さよりも高くすることで、ダイシングテープを貼る際の荷重が構造物７２に集中するのを抑制することが可能となる。これにより、ダイシングテープの糊材が構造物７２に固着するのを抑制することが可能となる。その結果、基板５１の状態を良好に維持することが可能となる。このような作用のさらなる詳細については、後述する。

なお、上記複数のレンズ７１は、本実施形態では同じ形状を有しているが、互いに異なる形状を有していてもよい。また、構造物７２は、本実施形態では平坦な上面を有しているが、非平坦な上面を有していてもよい。これらの場合でも、各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さを、構造物７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さよりも高く設定することで、上記の効果を得ることができる。

図５のＢは、基板５１の裏面Ｓ２に設けられたレンズ７１や構造物７２のレイアウトを示している。図５のＢでは、レンズ７１が、基板５１の裏面Ｓ２に２次元アレイ状に配置されており、具体的には、正方格子状に配置されている。また、構造物７２は、四角形の裏面Ｓ２の四辺に沿って延びる四角形の環状の形状を有しており、基板５１上の全レンズ７１を環状に包囲している。なお、図５のＡは、図５のＢに示すＡ－Ａ’線に沿った断面を示している。

（３）第１実施形態の発光装置１と比較例の発光装置１との比較
次に、図６～図１１を参照して、第１実施形態の発光装置１と比較例の発光装置１とを比較する。本比較例の発光装置１の説明では、本実施形態の発光装置１の説明で使用した符号と同じ符号を使用する。

図６は、比較例の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図６のＡは、ダイシングされる前の基板５１の構造を示す平面図であり、図６のＢは、図６のＡに示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。

本比較例の基板５１は、図６のＡおよびＢに示すように、複数のチップ領域８１と、スクライブ領域（ダイシング領域）８２とを備えている。各チップ領域８１は、基板５１のダイシング後に１つのＬＤチップ４１となる領域である。スクライブ領域８２は、基板５１のダイシング時にカットされる領域である。本比較例の基板５１は、スクライブ領域８２においてカットされることで、複数のチップ領域８１に分割される。

各チップ領域８１は、長方形（または正方形）の平面形状を有しており、レンズ領域８１ａと、周辺領域８１ｂとを含んでいる。レンズ領域８１ａは、２次元アレイ状に配置された複数のレンズ７１を含んでいる（図６のＢ）。周辺領域８１ｂは、レンズ領域８１ａを環状に包囲している。

スクライブ領域８２は、上記複数のチップ領域８１を個々のチップ領域８１ごとに環状に包囲する平面形状を有しており、Ｘ方向に延びる複数のスクライブライン（ダイシングライン）８２ａと、Ｙ方向に延びる複数のスクライブライン８２ｂとを含んでいる。本比較例の基板５１は、これらのスクライブライン８２ａ、８２ｂにダイサーを当ててカットされることで、複数のチップ領域８１に分割される。符号Ｌは、スクライブライン８２ｂを通過する平面を示している。

本比較例の基板５１には、構造物７２が設けられていないことに留意されたい。なお、反射防止膜７３は、図６のＡおよびＢに示す基板５１上に、後に形成される。すなわち、図６のＡおよびＢは、反射防止膜７３が形成される前の基板５１を示している。

図７は、第１実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図７のＡは、ダイシングされる前の基板５１の構造を示す平面図であり、図７のＢは、図７のＡに示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。

本実施形態の基板５１は、図７のＡおよびＢに示すように、複数のチップ領域８１と、スクライブ領域８２とを備えている。本実施形態のチップ領域８１およびスクライブ領域８２の構造は、おおむね比較例のチップ領域８１およびスクライブ領域８２の構造と同じである。

ただし、本実施形態の基板５１には、複数の構造物７２が設けられている。これらの構造物７２は、基板５１のチップ領域８１内に設けられており、具体的には、１つのチップ領域８１内に１つの構造物７２が設けられている（図７のＡ）。各構造物７２は、周辺領域８１ｂ内に設けられており、レンズ領域８１ａを環状に包囲する平面形状を有している。本実施形態の各構造物７２は、図７のＡおよびＢに示すように、スクライブ領域８２内には設けられていないことに留意されたい。

図８は、比較例の発光装置１の製造方法を示す断面図である。図８のＡ～Ｃは、本比較例の発光装置１のＬＤチップ４１を製造する工程を示している。

まず、基板５１に積層膜５２、発光素子５３、レンズ７１、反射防止膜７３などを設けた後、基板５１にダイシングテープ８３を貼る（図８のＡ）。ただし、図８のＡは、基板５１およびレンズ７１を図示しているものの、積層膜５２、発光素子５３、および反射防止膜７３の図示は省略している。図８のＡでは、基板５１の表面Ｓ１が、基板５１の上面となっており、基板５１の裏面Ｓ２が、基板５１の下面となっている。図８のＡはさらに、基板５１のチップ領域８１およびスクライブ領域８２を示している。

図８のＡに示すように、ダイシングテープ８３は、基材８３ａと、基材８３ａ上に設けられた糊材８３ｂとを含んでいる。本比較例の基板５１は、レンズ７１と糊材８３ｂとが接するように、ダイシングテープ８３に貼られる。図８のＡに示す工程は、ダイシングテープ８３のラミネート工程と呼ばれる。

次に、基板５１にレーザー光を照射する（図８のＢ）。符号Ｐは、基板５１に照射されるステルス用レーザー光を示している。本比較例のレーザー光は、基板５１のスクライブ領域８２に照射される。その結果、スクライブ領域８２内で基板５１がレーザー光により改質され、スクライブ領域８２内に改質層８４が形成される。

次に、基板５１にダイシングテープ８３が貼られている状態で、ダイシングテープ８３を矢印Ｆで示すように延ばす（図８のＣ）。その結果、ダイシングテープ８３から基板５１に力が加わり、基板５１がチップ領域８１ごと（ＬＤチップ４１ごと）に分割される。理由は、基板５１内の改質層８４が、基板５１内のその他の部分に比べて、割れやすい状態になっているからである。図８のＣに示す工程は、ダイシングテープ８３のエクスパンド工程と呼ばれる。符号Ｇは、基板５１の分割によりＬＤチップ４１間に生じた隙間を示している。

本比較例では、エクスパンド工程でダイシングテープ８３を延ばすと、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂが延び、ＬＤチップ４１のエッジ部がダイシングテープ８３から剥がれる可能性がある。この場合、ＬＤチップ４１のエッジ部付近でダイシングテープ８３の糊材８３ｂが引きちぎられ、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂがＬＤチップ４１に付着する可能性がある。その結果、糊材８３ｂが付着したＬＤチップ４１が不良品となる可能性がある。このように、基板５１を加工すると、基板５１の状態が悪くなる場合がある。

図９は、第１実施形態の発光装置１の製造方法を示す断面図である。図９のＡ～Ｃは、本実施形態の発光装置１のＬＤチップ４１を製造する工程を示している。図９のＡ～Ｃの説明において、図８のＡ～Ｃの説明と共通の事項については、説明を適宜省略する。

まず、基板５１に積層膜５２、発光素子５３、レンズ７１、構造物７２、反射防止膜７３などを設けた後、基板５１にダイシングテープ８３を貼る（図９のＡ）。ただし、図９のＡは、基板５１、レンズ７１、および構造物７２を図示しているものの、積層膜５２、発光素子５３、および反射防止膜７３の図示は省略している。

次に、基板５１にレーザー光を照射する（図９のＢ）。本実施形態のレーザー光も、基板５１のスクライブ領域８２に照射される。その結果、スクライブ領域８２内に改質層８４が形成される。

次に、基板５１にダイシングテープ８３が貼られている状態で、ダイシングテープ８３を矢印Ｆで示すように延ばす（図９のＣ）。その結果、基板５１がチップ領域８１ごと（ＬＤチップ４１ごと）に分割される。

本実施形態では、基板５１にレンズ７１だけでなく構造物７２を設けた後に、基板５１をダイシングする。これにより、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を構造物７２により止めることで、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂがレンズ７１などに付着するのを抑制することが可能となる。さらには、各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さを、構造物７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さよりも高くすることで（図５のＡを参照）、ダイシングテープ８３を貼る際の荷重が構造物７２に集中するのを抑制することが可能となる。これにより、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂが構造物７２に固着するのを抑制することが可能となる。その結果、基板５１の状態を良好に維持することが可能となる。

図９のＣは、ダイシング後の基板５１の側面Ｓ３に残存した改質層８４を示している。ダイシング後の基板５１では、基板５１の側面Ｓ３が、改質層８４の影響で、基板５１の他の面より粗くなっている。別言すると、ダイシング後の基板５１の側面Ｓ３は、大きなラフネスを有している。本実施形態では、ダイシング後の基板５１の側面Ｓ３を、研磨により平坦化してもよいし、研磨せずに粗いままにしてもよい。後者の場合、基板５１の側面Ｓ３が粗いことで、基板５１の側面Ｓ３から光が出入りすることを抑制することが可能となる。ダイシング後の基板５１の側面Ｓ３は例えば、改質層８４の影響で１～３μｍのサイズの複数の凹部を含んでおり、これらの凹部が基板５１の側面Ｓ３を粗くしている。

図１０は、比較例の発光装置１の製造方法の欠点を説明するための平面図である。

図１０は、図８のＣにおける基板５１の分割後に、基板５１の裏面Ｓ２をダイシングテープ８３越しに観察した様子を示している。具体的には、図１０は、９つのＬＤチップ４１内の基板５１の裏面Ｓ２と、これらのＬＤチップ４１間の隙間Ｇとを示している。

図１０はさらに、ダイシング後の基板５１の裏面Ｓ２に糊材８３ｂが存在している様子を示している。図１０において、クロスハッチングで示す領域は、糊材８３ｂが存在していない領域を示し、斜線ハッチングで示す領域は、糊材８３ｂが存在している領域を示している。また、符号Ｋ１は、ＬＤチップ４１の中心部付近に存在する糊材８３ｂを示し、符号Ｋ２は、ＬＤチップ４１のエッジ部付近に存在する糊材８３ｂを示している。

上述のように、エクスパンド工程でダイシングテープ８３を延ばすと、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂが延び、ＬＤチップ４１のエッジ部がダイシングテープ８３から剥がれる可能性がある。図１０にてクロスハッチングで示す領域は、このような剥がれが生じた領域に相当する。この場合、ＬＤチップ４１のエッジ部付近でダイシングテープ８３の糊材８３ｂが引きちぎられ、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂがＬＤチップ４１に付着する可能性がある。符号Ｋ２で示す糊材８３ｂは、このように引きちぎられた糊材８３ｂに相当する。ダイシング後の基板５１からダイシングテープ８３を剥がす際、符号Ｋ１で示す糊材８３ｂは一般に基材８３ａと共に基板５１から剥がれるが、符号Ｋ２で示す糊材８３ｂは基板５１に残る可能性がある。

ＬＤチップ４１に付着した糊材８３ｂは、ＬＤチップ４１の光学特性を悪化させる可能性がある。例えば、レンズ７１に糊材８３ｂが付着すると、光がレンズ７１を透過しなくなる可能性や、透過しにくくなる可能性がある。同様に、基板５１の裏面Ｓ２におけるレンズ７１以外の領域に付着した糊材８３ｂも、ＬＤチップ４１の光学特性を悪化させる可能性がある。

図１１は、第１実施形態の発光装置１の製造方法の利点を説明するための断面図である。図１１のＡ～Ｃは、レンズ７１や構造物７２を図示しているが、反射防止膜７３の図示は省略している。

図１１のＡは、図８のＣと同様に、比較例のエクスパンド工程を示している。本比較例の基板５１は、レンズ７１は備えているが、構造物７２は備えていない。そのため、エクスパンド工程でダイシングテープ８３を延ばすと、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂが延び、ＬＤチップ４１のエッジ部がダイシングテープ８３から剥がれる可能性がある。

図１１のＢは、図１０のＣと同様に、本実施形態のエクスパンド工程を示している。本実施形態の基板５１は、レンズ７１および構造物７２を備えている。これにより、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を構造物７２により止めることで、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂがレンズ７１などに付着するのを抑制することが可能となる。本実施形態によれば、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を、構造物７２により止めて、レンズ７１まで拡がらないようにすることが可能となる。

ただし、図１１のＢに示すレンズ７１の厚さＢ１（図５のＡを参照）は、構造物７２の厚さＣ１より薄くなっている。よって、基板５１の裏面Ｓ２が図５のＡに示すように＋Ｚ方向を向いている場合、レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さが、構造物７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さより低くなる。その結果、図１１のＢに示す構造物７２は、レンズ７１よりも－Ｚ方向に突き出ている。そのため、基板５１にダイシングテープ８３を貼る際に、ダイシングテープ８３を貼る荷重が構造物７２に集中し、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂが構造物７２に固着してしまうおそれがある。

図１１のＣも、図１０のＣと同様に、本実施形態のエクスパンド工程を示している。ただし、図１１のＣに示すレンズ７１の厚さＢ１（図５のＡを参照）は、構造物７２の厚さＣ１より厚くなっている。よって、基板５１の裏面Ｓ２が図５のＡに示すように＋Ｚ方向を向いている場合、レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さが、構造物７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さより高くなる。これにより、ダイシングテープ８３を貼る際の荷重が構造物７２に集中するのを抑制することが可能となり、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂが構造物７２に固着するのを抑制することが可能となる。よって、基板５１に構造物７２を設ける場合、レンズ７１の厚さＢ１は、構造物７２の厚さＣ１より厚くすることが望ましい。

ここで、図５のＡおよびＢを再び参照する。

図５のＡは、基板５１の側面Ｓ３を示している。本実施形態では、基板５１の側面Ｓ３と構造物７２との距離を、短く設定することが望ましい。理由は、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を、基板５１の側面Ｓ３付近で止めて、ダイシングテープ８３が剥がれる領域を狭くするためである。基板５１の側面Ｓ３と構造物７２との距離は、例えば１０～１００μｍに設定することが望ましい。また、ダイシングテープ８３の剥がれは、周辺領域８１ｂで止めることにより、レンズ領域８１ａまで拡がらないようにすることが望ましい（図７のＡを参照）。

図５のＢに示すように、本実施形態の発光装置１は、基板５１の裏面Ｓ２に複数のレンズ７１を備え、本実施形態の構造物７２は、これらのレンズ７１を環状に包囲する形状を有している。本実施形態によれば、構造物７２をレンズ７１の周りの広い範囲に配置することで、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を広い範囲で止めることが可能となる。なお、構造物７２の形状のその他の例については、後述する。

（４）第１実施形態の変形例の発光装置１
図１２は、第１実施形態の変形例の発光装置１の構造を示す平面図である。

図１２のＡは、図５のＢと同様に、基板５１の裏面Ｓ２に設けられたレンズ７１および構造物７２のレイアウトを示している。ただし、図５のＢに示すレンズ７１は、正方格子状に配置されているのに対し、図１２のＡに示すレンズ７１は、三角格子状に配置されている。このように、レンズ７１を２次元アレイ状に配置する際のレイアウトは、どのようなレイアウトでもよい。

なお、レンズ７１を三角格子状に配置する際の格子の向きは、図１２のＡに示す向きでもよいし、図１２のＢに示す向きでもよい。また、レンズ７１のレイアウトは、正方格子や三角格子のような規則的なレイアウトでもよいし、レンズ７１がランダムに配置された不規則なレイアウトでもよい。また、構造物７２のレイアウトも、後述するように様々なレイアウトとすることが可能である。

以上のように、本実施形態の発光装置１では、各レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｘ１）の最上部の高さが、レンズ７１と異なる構造物７２上の反射防止膜７３（第２部分Ｘ２）の最上部の高さよりも高くなっている。よって、本実施形態によれば、好適な状態の基板５１に発光素子５３やレンズ７１を設けることが可能となる。例えば、構造物７２によりダイシングテープ８３の剥がれの進行を止めることで、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂが基板５１に付着するのを抑制することが可能となり、これにより基板５１の状態を良好に維持することが可能となる。

なお、本実施形態のレンズ７１や構造物７２は、基板５１上の膜により覆われており、具体的には、基板５１上の反射防止膜７３により覆われている。しかしながら、レンズ７１や構造物７２は、基板５１上の膜により形成されていてもよい。この膜は、反射防止膜７３でもよいし、反射防止膜７３とは異なる膜でもよい。このような膜の詳細については後述する。

（第２～第４実施形態）
（１）第２実施形態
図１３は、第２実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１３のＡおよびＢの関係は、図７のＡおよびＢの関係と同様である。

本実施形態の基板５１は、図１３のＡに示すように、各チップ領域８１内に複数のレンズ７１と複数の構造物７２とを備えている。各チップ領域８１内において、これらのレンズ７１は、レンズ領域８１ａ内に配置され、これらの構造物７２は、周辺領域８１ｂ内に配置されている。さらに、これらの構造物７２は、これらのレンズ７１を環状に包囲するように環状に並べられている。よって、これらの構造物７２は、図７のＡに示す各チップ領域８１内の構造物７２と似た形状を有している。これにより、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を、構造物７２により止めて、レンズ７１まで拡がらないようにすることが可能となる。図７のＡに示す構造物７２は、連続的な環を形成しているのに対し、図１３のＡに示す複数の構造物７２は、非連続的な環を形成している。本実施形態の基板５１をダイシングすると、各チップ領域８１は、基板５１の裏面Ｓ２の角や辺の付近にこれらの構造物７２を有することとなる。本実施形態の基板５１の側面Ｓ３と構造物７２との距離も、例えば１０～１００μｍに設定することが望ましい。

（２）第３実施形態
図１４は、第３実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１４のＡおよびＢの関係は、図７のＡおよびＢの関係と同様である。

本実施形態の基板５１は、図１４のＡに示すように、各チップ領域８１内に複数のレンズ７１と複数の構造物７２とを備えている。本実施形態の各チップ領域８１は、周辺領域８１ｂの４つの角に４つの構造物７２を備えており、各構造物７２は、平面視でＬ字型の形状を有している。ダイシングテープ８３の剥がれは、一般に周辺領域８１ｂのこれらの角付近で進行しやすい。本実施形態によれば、構造物７２のサイズが小さいにもかからわず、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を効果的に抑制することが可能となる。なお、平面視における各構造物７２の形状は、Ｌ字型以外でもよい。

（３）第４実施形態
図１５は、第４実施形態の発光装置１の基板５１の構造を示す平面図および断面図である。図１５のＡおよびＢの関係は、図７のＡおよびＢの関係と同様である。

本実施形態の基板５１は、図１５のＡに示すように、各チップ領域８１内に複数のレンズ７１と１つの構造物７２とを備えている。本実施形態の構造物７２は、図７のＡに示す構造物７２と同様に、これらのレンズ７１を環状に包囲する形状を有している。ただし、本実施形態の構造物７２は、内周側の各角と外周側の各角とが丸められた形状（ラウンド形状）を有している。これにより、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を効果的に抑制することが可能となる。

ここで、第４実施形態の利点を、図１０を参照して説明する。図１０では、符号Ｋ１で示す糊材８３ｂの各角が、ラウンド形状を有している。これは、ダイシングテープ８３の剥がれが、このようなラウンド形状を生じるように進行しやすいことを示している。そのため、構造物７２によりダイシングテープ８３の剥がれの進行を止めるためには、構造物７２もラウンド形状を有していることが望ましい。よって、本実施形態の構造物７２は、内周側の各角と外周側の各角とが丸められた形状（ラウンド形状）を有している。

これらの実施形態では、第１実施形態と同様に、各レンズ７１上の反射防止膜７３（第１部分Ｘ１）の最上部の高さが、構造物７２上の反射防止膜７３（第２部分Ｘ２）の最上部の高さよりも高く設定される。よって、これらの実施形態によれば、好適な状態の基板５１に発光素子５３やレンズ７１を設けることが可能となる。

（第５および第６実施形態）
第５実施形態の発光装置１や、第６実施形態の発光装置１は、第１～第４実施形態の変形例の発光装置１に相当している。以下、図１６～図２１を参照して、第５および第６実施形態の発光装置１の種々の例を説明する。

（１）第５実施形態
図１６～図１９は、第５実施形態の発光装置１の構造の例を示す断面図である。図１６のＡ～図１９のＢの各々は、図５のＡと同様に、発光装置１の基板５１等の断面を示している。

図１６のＡに示す例では、発光装置１が、凸レンズである複数のレンズ７１と、凹型の形状を有する構造物７２とを備えている。反射防止膜７３は、レンズ７１と構造物７２とを覆うように、基板５１の裏面Ｓ２に設けられている。よって、反射防止膜７３は、レンズ７１上に配置された第１部分Ｘ１と、構造物７２上に配置された第２部分Ｘ２とを含んでいる。この例では、第１部分Ｘ１もレンズ７１と同様に凸型の形状を有しており、第２部分Ｘ２も構造物７２と同様に凹型の形状を有している。平面視におけるレンズ７１および構造物７２の形状は、例えば図５のＢに示すレンズ７１および構造物７２の形状と同じである。

図１６のＡは、深さＥ１、Ｅ２と、幅Ｆ１、Ｆ２とを示している。深さＥ１は、構造物７２のＺ方向の深さを表し、幅Ｆ１は、図１６のＡにおける構造物７２のＸ方向の幅を表している。この例では、基板５１の厚さＡ１が例えば約１００μｍであり、構造物７２の深さＥ１が例えば２０μｍ以内である。この例ではさらに、構造物７２の幅Ｆ１が例えば１０～１００μｍであり、反射防止膜７３の厚さが例えば０．１～１μｍである。深さＥ２は、構造物７２の凹部内における第２部分Ｘ２の深さを表し、幅Ｆ２は、構造物７２の凹部内における第２部分Ｘ２の幅を表している。

第１～第４実施形態では、発光装置１が、凸レンズである複数のレンズ７１と、凸型の形状を有する構造物７２とを備え、レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さが、構造物７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さよりも高くなっている。図１６のＡに示す凹型の形状の構造物７２は、第１～第４実施形態における凸型の形状の構造物７２と同様の効果を奏することができる。

例えば、図１６のＡに示す例によれば、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を構造物７２により止めることで、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂがレンズ７１などに付着するのを抑制することが可能となる。理由は、ダイシングテープ８３が、凹型の形状の構造物７２の角（より正確には、第２部分Ｘ２の角）に引っ掛かりやすいからである。また、図１６のＡに示す例によれば、構造物７２の形状が凹型であることで、ダイシングテープ８３を貼る際の荷重が構造物７２に集中するのを抑制することが可能となり、ダイシングテープ８３の糊材８３ｂが構造物７２に固着するのを抑制することが可能となる。

このように、図１６のＡに示す例によれば、第１部分Ｘ１の高さが第２部分Ｘ２の高さより高い凸型の形状の構造物７２により得られる効果を、凹型の形状の構造物７２により得ることが可能となる。この例における深さＥ１、Ｅ２の値は、どのような値に設定してもよいが、基板５１が割れにくい値に設定することが望ましい。なお、ダイシングテープ８３の剥がれの進行をより効果的に抑制したい場合には、構造物７２の形状は凹型にするよりも凸型にする方が望ましい。

図１６のＢに示す例では、発光装置１が、凹レンズである複数のレンズ７１と、凹型の形状を有する構造物７２とを備えている。反射防止膜７３は、レンズ７１と構造物７２とを覆うように、基板５１の裏面Ｓ２に設けられている。よって、反射防止膜７３は、レンズ７１上に配置された第１部分Ｘ１と、構造物７２上に配置された第２部分Ｘ２とを含んでいる。この例では、第１部分Ｘ１もレンズ７１と同様に凹型の形状を有しており、第２部分Ｘ２も構造物７２と同様に凹型の形状を有している。平面視におけるレンズ７１および構造物７２の形状は、例えば図５のＢに示すレンズ７１および構造物７２の形状と同じである。

図１６のＢは、図１６のＡに示す深さＥ１、Ｅ２と幅Ｆ１、Ｆ２とに加え、深さＧ１、Ｇ２を示している。深さＧ１は、レンズ７１のＺ方向の深さを表し、深さＧ２は、レンズ７１の凹部内における第１部分Ｘ１の深さを表している。この例では、基板５１の厚さＡ１が例えば約１００μｍであり、レンズ７１の深さＧ１が例えば２０μｍ以内である。また、反射防止膜７３の厚さが、例えば０．１～１μｍである。

図１６のＢに示す凹型の形状の構造物７２は、第１～第４実施形態における凸型の形状の構造物７２と同様の効果を奏することができる。理由は、図１６のＡに示す凹型の形状の構造物７２の場合と同様である。図１６のＢに示す例では、深さＥ１、Ｅ２、Ｇ１、Ｇ２の値は、どのような値に設定してもよいが、基板５１が割れにくい値に設定することが望ましい。例えば、深さＧ１は、深さＥ１より深くても浅くてもよいし、深さＧ２は、深さＥ２より深くても浅くてもよい。

図１７のＡに示す例では、発光装置１が、凸レンズである複数のレンズ７１と、凸型の形状を有する構造物７２と、レンズ７１と構造物７２とを覆う反射防止膜７３とを備えている。図５のＡに示す構造物７２の縦断面の形状が、四角形であるのに対し、図１７のＡに示す構造物７２の形状は、三角形である。これにより、図５のＡに示す構造物７２と同様の効果を得ることが可能となる。図１７のＡにおいて、平面視におけるレンズ７１および構造物７２の形状は、例えば図５のＢに示すレンズ７１および構造物７２の形状と同じである。なお、このような三角形の縦断面の形状は、凹型の形状の構造物７２にも適用可能である。

図１７のＢに示す例では、発光装置１が、凸レンズである複数のレンズ７１と、凸型の形状を有する構造物７２と、レンズ７１と構造物７２とを覆う反射防止膜７３とを備えている。図５のＡに示す構造物７２の縦断面の形状が、長方形であるのに対し、図１７のＢに示す構造物７２の形状は、台形である。これにより、図５のＡに示す構造物７２と同様の効果を得ることが可能となる。図１７のＢにおいて、平面視におけるレンズ７１および構造物７２の形状は、例えば図５のＢに示すレンズ７１および構造物７２の形状と同じである。なお、このような台形の縦断面の形状は、凹型の形状の構造物７２にも適用可能である。

図１８のＡに示す例では、発光装置１が、凸レンズである複数のレンズ７１と、凸型の形状を有する複数の構造物７２と、レンズ７１と構造物７２とを覆う反射防止膜７３とを備えている。これらの構造物７２は、図１３のＡに示す構造物７２と同様に、これらのレンズ７１を環状に包囲するように環状に並べられている。また、図１８のＡに示す各構造物７２は、レンズ７１と同様に凸レンズ状の形状を有しているが、レンズ７１としては使用されない。図１８のＡに示す例によれば、第１～第４実施形態の構造物７２と同様の効果を得ることが可能となる。また、図１８のＡに示す例によれば、レンズ７１を形成する工程と同様の工程により構造物７２を形成することが可能となる。

図１８のＢに示す例では、発光装置１が、凸レンズである複数のレンズ７１と、凹型の形状を有する複数の構造物７２と、レンズ７１と構造物７２とを覆う反射防止膜７３とを備えている。これらの構造物７２は、図１３のＡに示す構造物７２と同様に、これらのレンズ７１を環状に包囲するように環状に並べられている。また、図１８のＢに示す各構造物７２は、図１６のＢに示すレンズ７１と同様に凹レンズ状の形状を有しているが、レンズ７１としては使用されない。図１８のＢに示す例によれば、第１～第４実施形態の構造物７２と同様の効果を得ることが可能となる。また、図１８のＢに示す例によれば、図１６のＢに示すレンズ７１を形成する工程と同様の工程により構造物７２を形成することが可能となる。

図１９のＡに示す例では、発光装置１が、レンズ７１、構造物７２、反射防止膜７３等に加え、半導体膜７４を備えている。図１９のＡでは、半導体膜７４が、基板５１の裏面Ｓ２に形成されている。さらには、レンズ７１および構造物７２が、半導体膜７４の上面に、半導体膜７４の一部として設けられている。さらには、反射防止膜７３が、半導体膜７４の上面に、レンズ７１および構造物７２を覆うように形成されている。図１９のＡの反射防止膜７３および半導体膜７４は、本開示の膜の例である。具体的には、反射防止膜７３は、レンズ７１および構造物７２上に配置されている膜となっており、半導体膜７４は、レンズ７１および構造物７２を形成している膜となっている。半導体膜７４は、例えばＳｉ（シリコン）膜である。

図１９のＡの反射防止膜７３および半導体膜７４は、レンズ７１上に配置されているかまたはレンズ７１を形成している第１部分Ｙ１と、構造物７２上に配置されているかまたは構造物７２を形成している第２部分Ｙ２とを含んでいる。そして、各レンズ７１の最上部の高さが、構造物７２の最上部の高さよりも高くなっている。その結果、反射防止膜７３および半導体膜７４の第１部分Ｙ１の最上部の高さが、反射防止膜７３および半導体膜７４の第２部分Ｙ２の最上部の高さよりも高くなっている。これにより、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を構造物７２により止めることや、ダイシングテープ８３を貼る際の荷重が構造物７２に集中するのを抑制することが可能となる。

なお、図１９のＡに示す反射防止膜７３は、構造物７２上に配置されている膜と解する代わりに、構造物７２を形成している膜と解してもよい。前者のように解する場合でも、後者のように解する場合でも、反射防止膜７３および半導体膜７４の第１部分Ｙ１の最上部の高さは、反射防止膜７３および半導体膜７４の第２部分Ｙ２の最上部の高さよりも高く設定される。これは、第１～第４実施形態の反射防止膜７３や、第５実施形態のその他の例の反射防止膜７３についても同様である。

図１９のＢに示す例では、発光装置１が、図５のＡに示す発光装置１と同様にレンズ７１や構造物７２等を備えているが、反射防止膜７３は備えていない。このように、本実施形態の発光装置１は、反射防止膜７３を備えていなくてもよい。この場合、ダイシングテープ８３は、反射防止膜７３の上面ではなく基板５１の裏面Ｓ２に接触することになる。

図１９のＢでは、各レンズ７１の最上部の高さが、構造物７２の最上部の高さよりも高くなっている。これにより、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を構造物７２により止めることや、ダイシングテープ８３を貼る際の荷重が構造物７２に集中するのを抑制することが可能となる。

なお、図１９のＢに示す例では、発光装置１が、図１６のＡに示す形状のレンズ７１および構造物７２を備えていてもよいし、図１６のＢに示す形状のレンズ７１および構造物７２を備えていてもよい。すなわち、この例における発光装置１は、凹レンズであるレンズ７１や、凹型の形状を有する構造物７２を備えていてもよい。この場合にも、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を構造物７２により止めることや、ダイシングテープ８３を貼る際の荷重が構造物７２に集中するのを抑制することが可能となる。

（２）第６実施形態
図２０および図２１は、第６実施形態の発光装置１の基板５１の構造の例を示す断面図である。図２０のＡ～図２１のＤの各々は、図４のＡと同様に、発光装置１の基板５１等の断面を示しているが、構造物７２や反射防止膜７３等の図示は省略されている。

図２０のＡの基板５１は、図５のＡの基板５１と同様に、発光素子５３と１対１で対応する凸レンズである複数のレンズ７１を備えている。同様に、図２０のＢ、Ｃ、およびＤの各々の基板５１は、発光素子５３と１対１で対応する複数のレンズ７１を備えている。ただし、図２０のＢの基板５１は、凹レンズを備えており、図２０のＣの基板５１は、互いに形状（曲率）の異なる凸レンズを備えており、図２０のＤの基板５１は、凸レンズと凹レンズの両方を備えている。このように、本実施形態の各レンズ７１は、凸レンズでも凹レンズでもよい。また、本実施形態の各レンズ７１は、後述するように、凸レンズ以外の態様で凸型の形状を有するレンズでもよいし、凹レンズ以外の態様で凹型の形状を有するレンズでもよい。

図２１のＡの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１がＮ：１で対応している（Ｎは２以上の整数）。よって、図２１のＡでは、Ｎ個の発光素子５３から出射された光が、１個のレンズ７１に入射する。一方、図２１のＢの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１が１：Ｎで対応している。よって、図２１のＢでは、１個の発光素子５３から出射された光が、Ｎ個のレンズ７１に入射する。このように、本実施形態の各レンズ７１は、発光素子５３と１：１で対応していなくてもよい。

図２１のＣの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１が１：１で対応している。ただし、図２１のＣの基板５１は、凸型の形状のフレネルレンズを備えている。また、図２１のＤの基板５１では、発光素子５３とレンズ７１が１：１で対応している。ただし、図２１のＤの基板５１は、凸型の形状のバイナリレンズと、フラットレンズとを備えている。このように、本実施形態の各レンズ７１は、凸レンズや凹レンズ以外のレンズでもよい。

（第７および第８実施形態）
第１～第６実施形態の発光装置１は、例えば第７実施形態の方法や第８実施形態の方法により製造可能である。以下、図２２および図２３を参照して、第７および第８実施形態の発光装置１の製造方法について説明する。

（１）第７実施形態
図２２は、第７実施形態の発光装置１の製造方法を示す断面図である。

まず、基板５１の表面Ｓ１に積層膜５２を形成し、積層膜５２に、発光素子５３を含むメサ部Ｍを形成する（図２２のＡ）。具体的には、基板５１の表面Ｓ１を上向きにした状態で基板５１の表面Ｓ１に積層膜５２やメサ部Ｍを形成し、その後に基板５１の表面Ｓ１を下向きにする。図２２のＡに示す工程ではさらに、基板５１の表面Ｓ１に、不図示のアノード電極５４やカソード電極５５が形成される。

次に、フォトリソグラフィおよびドライエッチングにより、基板５１の裏面Ｓ２にレンズ７１および構造物７２を形成する（図２２のＢ）。本実施形態のレンズ７１および構造物７２は、基板５１の裏面Ｓ２に、基板５１の一部として形成される。なお、レンズ７１および構造物７２は、本実施形態では同じエッチングにより同時に形成されるが、異なるエッチングにより順番に形成されてもよい。次に、基板５１の裏面Ｓ２に、レンズ７１および構造物７２を覆うように反射防止膜７３を形成する（図２２のＢ）。反射防止膜７３は例えば、スパッタにより形成される。

本実施形態のレンズ７１および構造物７２は、上述のように、各レンズ７１の最上部の高さが、構造物７２の最上部の高さよりも高くなるように形成される（図５のＡを参照）。その結果、本実施形態の反射防止膜７３は、上述のように、各レンズ７１上の第１部分Ｘ１の最上部の高さが、構造物７２上の第２部分Ｘ２の最上部の高さよりも高くなるように形成される（図５のＡを参照）。

次に、基板５１を、符号Ｌで示すようにダイシングする（図２２のＣ）。基板５１のダイシングは例えば、図９のＡ～Ｃに示す方法で行う。これにより、基板５１が、上述のスクライブ領域８２でカットされ、上述の複数のチップ領域８１に分割される。このようにして、本実施形態の発光装置１が製造される。

（２）第８実施形態
図２３は、第８実施形態の発光装置１の製造方法を示す断面図である。図２３に示す方法は、図２２のＢに示す工程の一例に相当する。ただし、図２３では、積層膜５２や発光素子５３等の図示が省略されている。

まず、基板５１の裏面Ｓ２にレジスト膜８５を形成し、フォトリソグラフィおよびドライエッチングによりレジスト膜８５をパターニングする（図２３のＡ）。その結果、レジスト膜８５が、複数のレンズ７１を形成するための複数の凸部８５ａと、複数の構造物７２を形成するための複数の凸部８５ｂとに加工される。図２３Ａは、複数の凸部８５ａのうちの２つと、複数の凸部８５ｂのうちの１つとを示している。

次に、レジスト膜８５を加熱する（図２３のＢ）。その結果、上記複数の凸部８５ａが、凸レンズのような縦断面形状を有する複数の凸部８５ｃに変化し、上記複数の凸部８５ｂも、凸レンズのような縦断面形状を有する複数の凸部８５ｄに変化する。図２３のＢに示す工程では、レジスト膜８５を例えば１５０℃程度に加熱する。

次に、レジスト膜８５をマスクとして用いたドライエッチングにより、レジスト膜８５のパターンを、基板５１の裏面Ｓ２に転写する（図２３のＣ）。その結果、基板５１の裏面Ｓ２に、複数のレンズ７１と複数の構造物７２とが形成される。図２３のＣに示す工程によれば、図１８のＡに示すレンズ７１と構造物７２とが形成される。よって、本実施形態の各レンズ７１は、凸レンズとなり、本実施形態の各構造物７２は、凸レンズ状の形状を有する凸部となる。

その後、基板５１の裏面Ｓ２に、レンズ７１および構造物７２を覆うように反射防止膜７３を形成する。このようにして、図２２のＢに示す構造が実現される。ただし、本実施形態の各構造物７２は、凸レンズ状の形状を有する凸部となる。本実施形態の構造物７２は、レンズ７１と同様の形状を有しているため、レンズ７１と同時に簡単かつ安価に形成することが可能である。

なお、本実施形態の発光装置１の製造方法は、図１８のＡに示す発光装置１以外の発光装置１を製造することにも適用可能である。

（第９および第１０実施形態）
（１）第９実施形態
図２４は、第９実施形態の発光装置１の構造を示す断面図および平面図である。

図２４のＡは、図５のＡと同様に、発光装置１内のＬＤチップ４１とＬＤＤ基板４２の断面を示している。本実施形態のＬＤチップ４１は、図５のＡに示す構成要素に加え、構造物形成膜７５を備えている。図２４のＡの反射防止膜７３および構造物形成膜７５は、本開示の膜の例である。なお、図２４のＡは、図５のＡと同様に、アノード電極５４、カソード電極５５、および接続パッド６２の図示を省略している。

図５のＡに示す構造物７２が、基板５１の一部により形成されているのに対し、本実施形態の構造物７２は、構造物形成膜７５により形成されている。構造物形成膜７５は、基板５１の裏面Ｓ２上に反射防止膜７３を介して形成されている。構造物形成膜７５は、例えば光吸収膜、無機膜、または有機膜である。本実施形態の構造物７２は、図５のＢに示す構造物７２と同様に、基板５１上の全レンズ７１を環状に包囲する形状を有している。

以上のように、本実施形態のＬＤチップ４１は、基板５１の裏面Ｓ２に反射防止膜７３および構造物形成膜７５を備えている。本実施形態の反射防止膜７３および構造物形成膜７５は、レンズ７１上に配置された第１部分Ｚ１と、構造物７２を形成している第２部分Ｚ２とを含んでいる。第１部分Ｚ１は、反射防止膜７３および構造物形成膜７５のうちの反射防止膜７３のみを含んでいる。第２部分Ｚ２は、反射防止膜７３および構造物形成膜７５のうちの構造物形成膜７５のみを含んでいる。

本実施形態では、第１実施形態（図５のＡ）と同様、各レンズ７１の最上部の高さが、構造物７２の最上部の高さより高くなっている。別言すると、各レンズ７１の最上部のＺ座標が、構造物７２の最上部のＺ座標より大きくなっている。本実施形態の各レンズ７１は凸レンズであるため、各レンズ７１の最上部は、各レンズ７１の頂部である。一方、本実施形態の構造物７２は凸型の形状を有しかつ平坦な上面を有しているため、構造物７２の最上部は、構造物７２の上面である。よって、本実施形態では、各レンズ７１の頂部の高さが、構造物７２の上面の高さより高くなっている。また、本実施形態では、各レンズ７１上の第１部分Ｚ１の最上部の高さが、構造物７２内の第２部分Ｚ２の最上部の高さより高くなっている。よって、本実施形態によれば、ダイシングテープ８３の剥がれの進行を構造物７２により止めることや、ダイシングテープ８３を貼る際の荷重が構造物７２に集中するのを抑制することが可能となる。

図２４のＢは、基板５１の裏面Ｓ２に設けられたレンズ７１や構造物７２のレイアウトを示している。本実施形態のレンズ７１や構造物７２のレイアウトは、第１実施形態（図５のＢ）のレンズ７１や構造物７２のレイアウトと同様である。図２４のＡは、図２４のＢに示すＡ－Ａ’線に沿った断面を示している。

構造物形成膜７５は例えば、光を吸収する機能を有する光吸収膜である。これにより、基板５１内の迷光が構造物形成膜７５で反射することを抑制することが可能となり、混色の発生を抑制することが可能となる。

構造物形成膜７５は例えば、無機材料で形成された無機膜でもよい。一般に、無機膜は剛性を有する膜であるため、構造物形成膜７５を無機材料で形成することで、構造物形成膜７５に剛性を与えることができる。これにより、基板５１にダイシングテープ８３を貼る際に、ダイシングテープ８３からの圧力で基板５１が反ることを抑制することが可能となる。

構造物形成膜７５は例えば、有機材料で形成された有機膜でもよい。一般に、有機膜は弾性を有する膜であるため、構造物形成膜７５を有機材料で形成することで、構造物形成膜７５に弾性を与えることができる。これにより、基板５１にダイシングテープ８３を貼る際に、ダイシングテープ８３から基板５１への圧力を分散させることが可能となる。

（２）第１０実施形態
図２５は、第１０実施形態の発光装置１の製造方法を示す断面図である。第９実施形態の発光装置１は、例えば本実施形態の方法により製造可能である。

まず、基板５１の表面Ｓ１に積層膜５２を形成し、積層膜５２に、発光素子５３を含むメサ部Ｍを形成する（図２５のＡ）。具体的には、基板５１の表面Ｓ１を上向きにした状態で基板５１の表面Ｓ１に積層膜５２やメサ部Ｍを形成し、その後に基板５１の表面Ｓ１を下向きにする。図２５のＡに示す工程ではさらに、基板５１の表面Ｓ１に、不図示のアノード電極５４やカソード電極５５が形成される。

次に、フォトリソグラフィおよびドライエッチングにより、基板５１の裏面Ｓ２にレンズ７１を形成する（図２５のＢ）。本実施形態のレンズ７１は、基板５１の裏面Ｓ２に、基板５１の一部として形成される。次に、基板５１の裏面Ｓ２に、レンズ７１を覆うように反射防止膜７３を形成する（図２５のＢ）。反射防止膜７３は例えば、スパッタにより形成される。次に、反射防止膜７３上に構造物形成膜７５を形成し、フォトリソグラフィおよびドライエッチングにより、構造物形成膜７５を構造物７２に加工する（図２５のＢ）。

本実施形態のレンズ７１および構造物７２は、上述のように、各レンズ７１の最上部の高さが、構造物７２の最上部の高さよりも高くなるように形成される。その結果、各レンズ７１上に配置された第１部分Ｚ１の最上部の高さが、構造物７２を形成している第２部分Ｚ２の最上部の高さよりも高くなる（図２４のＡを参照）。

次に、基板５１を、符号Ｌで示すようにダイシングする（図２５のＣ）。基板５１のダイシングは例えば、図９のＡ～Ｃに示す方法で行う。これにより、基板５１が、上述のスクライブ領域８２でカットされ、上述の複数のチップ領域８１に分割される。このようにして、本実施形態の発光装置１が製造される。

なお、第１～第１０実施形態の発光装置１は、測距装置１０１の光源として使用されているが、その他の態様で使用されてもよい。例えば、これらの実施形態の発光装置１は、プリンタなどの光学機器の光源として使用されてもよいし、照明装置として使用されてもよい。

以上、本開示の実施形態について説明したが、これらの実施形態は、本開示の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の変更を加えて実施してもよい。例えば、２つ以上の実施形態を組み合わせて実施してもよい。

なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。

（１）
第１基板と、
前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物と、
前記第１基板の上面に設けられた膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記構造物上に配置されているかまたは前記構造物を形成している第２部分と、を含む膜とを備え、
前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、
前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する、
発光装置。

（２）
前記レンズは、凸レンズ、凹レンズ、フレネルレンズ、またはバイナリレンズである、（１）に記載の発光装置。

（３）
前記第１基板の下面には、１つ以上の前記発光素子が設けられており、
前記第１基板の上面には、１つ以上の前記レンズが設けられており、
前記発光素子と前記レンズは、１：１で、Ｎ：１で、または１：Ｎで対応している（Ｎは２以上の整数）、（１）に記載の発光装置。

（４）
前記構造物は、前記レンズを環状に包囲する形状を有する、（１）に記載の発光装置。

（５）
前記構造物は、内周側または外周側の角が丸められた形状を有する、（４）に記載の発光装置。

（６）
前記構造物として、前記第１基板の上面の複数の角または辺に設けられた複数の構造物を備える、（１）に記載の発光装置。

（７）
前記複数の構造物は、前記レンズを環状に包囲するように環状に並べられている、（６）に記載の発光装置。

（８）
前記構造物の縦断面の形状は、四角形、三角形、凸レンズ状の形状、または凹レンズ状の形状である、（１）に記載の発光装置。

（９）
前記第１基板の側面と前記構造物との距離は、１０～１００μｍである、（１）に記載の発光装置。

（１０）
前記第１基板の側面に設けられた改質層をさらに備える、（１）に記載の発光装置。

（１１）
前記膜は、前記レンズ上に設けられた反射防止膜を含む、（１）に記載の発光装置。

（１２）
前記膜は、前記レンズ上に設けられた反射防止膜と、前記反射防止膜とは異なる光吸収膜、無機膜、または有機膜とを含む、（１）に記載の発光装置。

（１３）
前記光吸収膜、前記無機膜、または前記有機膜は、前記反射防止膜上に設けられている、（１３）に記載の発光装置。

（１４）
前記第１基板は、ガリウム（Ｇａ）およびヒ素（Ａｓ）を含む半導体基板である、（１）に記載の発光装置。

（１５）
前記発光素子から出射された光は、前記第１基板の下面から上面へと前記第１基板内を透過し、前記レンズに入射する、（１）に記載の発光装置。

（１６）
前記発光素子を介して前記第１基板が搭載された第２基板をさらに備える、（１）に記載の発光装置。

（１７）
前記第２基板は、シリコン（Ｓｉ）を含む半導体基板である、（１６）に記載の発光装置。

（１８）
第１基板と、
前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物とを備え、
前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記レンズの最上部の高さは、前記構造物の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、
前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する、
発光装置。

（１９）
光を発生させる発光素子を含み、前記発光素子からの光を被写体に照射する発光部と、
前記被写体から反射した光を受光する受光部と、
前記受光部により受光された光に基づいて、前記被写体との距離を測定する測距部とを備え、
前記発光部は、
第１基板と、
前記第１基板の下面に設けられた前記発光素子と、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物と、
前記第１基板の上面に設けられた膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記構造物上に配置されているかまたは前記構造物を形成している第２部分と、を含む膜とを備え、
前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、
前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する、
測距装置。

（２０）
光を発生させる発光素子を含み、前記発光素子からの光を被写体に照射する発光部と、
前記被写体から反射した光を受光する受光部と、
前記受光部により受光された光に基づいて、前記被写体との距離を測定する測距部とを備え、
前記発光部は、
第１基板と、
前記第１基板の下面に設けられた前記発光素子と、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物とを備え、
前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記レンズの最上部の高さは、前記構造物の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、
前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する、
測距装置。

１：発光装置、４１：ＬＤチップ、４２：ＬＤＤ基板、
４３：実装基板、４４：放熱基板、４５：補正レンズ保持部、
４６：補正レンズ、４７：配線、４８：バンプ、
５１：基板、５２：積層膜、５３：発光素子、５４：アノード電極、
５５：カソード電極、６１：基板、６２：接続パッド、
７１：レンズ、７２：構造物、７３：反射防止膜、
７４：半導体膜、７５：構造物形成膜、
８１：チップ領域、８１ａ：レンズ領域、８１ｂ：周辺領域、
８２：スクライブ領域、８２ａ：スクライブライン、８２ｂ：スクライブライン、
８３：ダイシングテープ、８３ａ：基材、８３ｂ：糊材、８４：改質層、
８５：レジスト膜、８５ａ：凸部、８５ｂ：凸部、８５ｃ：凸部、８５ｄ：凸部、
１０１：測距装置、１０２：発光部、１０２ａ：発光素子、１０３：駆動部、
１０４：電源回路、１０５：発光側光学系、１０６：受光側光学系、１０７：受光部、
１０８：信号処理部、１０９：制御部、１０９ａ：測距部、１１０：温度検出部

Claims

第１基板と、
前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物と、
前記第１基板の上面に設けられた膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記構造物上に配置されているかまたは前記構造物を形成している第２部分と、を含む膜とを備え、
前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、
前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する、
発光装置。
前記レンズは、凸レンズ、凹レンズ、フレネルレンズ、またはバイナリレンズである、請求項１に記載の発光装置。
前記第１基板の下面には、１つ以上の前記発光素子が設けられており、
前記第１基板の上面には、１つ以上の前記レンズが設けられており、
前記発光素子と前記レンズは、１：１で、Ｎ：１で、または１：Ｎで対応している（Ｎは２以上の整数）、請求項１に記載の発光装置。
前記構造物は、前記レンズを環状に包囲する形状を有する、請求項１に記載の発光装置。
前記構造物は、内周側または外周側の角が丸められた形状を有する、請求項４に記載の発光装置。
前記構造物として、前記第１基板の上面の複数の角または辺に設けられた複数の構造物を備える、請求項１に記載の発光装置。
前記複数の構造物は、前記レンズを環状に包囲するように環状に並べられている、請求項６に記載の発光装置。
前記構造物の縦断面の形状は、四角形、三角形、凸レンズ状の形状、または凹レンズ状の形状である、請求項１に記載の発光装置。
前記第１基板の側面と前記構造物との距離は、１０～１００μｍである、請求項１に記載の発光装置。
前記第１基板の側面に設けられた改質層をさらに備える、請求項１に記載の発光装置。
前記膜は、前記レンズ上に設けられた反射防止膜を含む、請求項１に記載の発光装置。
前記膜は、前記レンズ上に設けられた反射防止膜と、前記反射防止膜とは異なる光吸収膜、無機膜、または有機膜とを含む、請求項１に記載の発光装置。
前記光吸収膜、前記無機膜、または前記有機膜は、前記反射防止膜上に設けられている、請求項１２に記載の発光装置。
前記第１基板は、ガリウム（Ｇａ）およびヒ素（Ａｓ）を含む半導体基板である、請求項１に記載の発光装置。
前記発光素子から出射された光は、前記第１基板の下面から上面へと前記第１基板内を透過し、前記レンズに入射する、請求項１に記載の発光装置。
前記発光素子を介して前記第１基板が搭載された第２基板をさらに備える、請求項１に記載の発光装置。
前記第２基板は、シリコン（Ｓｉ）を含む半導体基板である、請求項１６に記載の発光装置。
第１基板と、
前記第１基板の下面に設けられた発光素子と、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物とを備え、
前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記レンズの最上部の高さは、前記構造物の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、
前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する、
発光装置。
光を発生させる発光素子を含み、前記発光素子からの光を被写体に照射する発光部と、
前記被写体から反射した光を受光する受光部と、
前記受光部により受光された光に基づいて、前記被写体との距離を測定する測距部とを備え、
前記発光部は、
第１基板と、
前記第１基板の下面に設けられた前記発光素子と、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物と、
前記第１基板の上面に設けられた膜であって、前記レンズ上に配置されているかまたは前記レンズを形成している第１部分と、前記構造物上に配置されているかまたは前記構造物を形成している第２部分と、を含む膜とを備え、
前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記第１部分の最上部の高さは、前記第２部分の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、
前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する、
測距装置。
光を発生させる発光素子を含み、前記発光素子からの光を被写体に照射する発光部と、
前記被写体から反射した光を受光する受光部と、
前記受光部により受光された光に基づいて、前記被写体との距離を測定する測距部とを備え、
前記発光部は、
第１基板と、
前記第１基板の下面に設けられた前記発光素子と、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有するレンズと、
前記第１基板の上面に設けられ、凸型または凹型の形状を有し、前記レンズとは異なる構造物とを備え、
前記レンズが凸型の形状を有する場合、前記構造物は凸型の形状を有し、前記レンズの最上部の高さは、前記構造物の最上部の高さよりも高いか、または前記構造物は凹型の形状を有し、
前記レンズが凹型の形状を有する場合、前記構造物は凹型の形状を有する、
測距装置。