JP2023049805A - 膜付き金属ステムおよび圧力センサ - Google Patents

Abstract

【課題】膜に剥離が生じていないことを効率的に確認できる膜付き金属ステム等を提供する。【解決手段】膜形成面を有する金属ステムと、前記膜形成面の上であって、第１の表面の一部を覆うように、前記第１の表面の上に形成される剥離検出パターンと、前記剥離検出パターンを前記第１の表面との間に挟み、前記第１の表面の少なくとも他の一部と前記剥離検出パターンの少なくとも一部とを覆うように、前記第１の表面および前記剥離検出パターンの上にこれらと直接接するように形成される上部膜と、を有し、前記上部膜の前記剥離検出パターンに対する密着力は、前記上部膜の前記第１の表面に対する密着力より小さい膜付き金属ステム。【選択図】図１

Description

本発明は、金属ステムの膜形成面に膜が形成される膜付き金属ステム等に関する。

圧力センサなどのセンサとして、金属ステムの膜形成面に、膜形成面の直上に形成される絶縁膜や、電極や抵抗を含む機能膜や、電極や抵抗の上面を覆う保護膜を形成する技術が提案されている（特許文献１等参照）。

このような膜が形成される金属ステムでは、たとえば膜形成面とその上に形成される膜や、形成される膜同士の間において、材質や線膨張係数の差などに起因して、膜の剥離が生じる場合がある。また、製造段階においては、金属ステムの膜形成面上に形成された膜に、剥離が生じていないことを確認し、膜の剥離が生じていないもののみを、次の工程に送る必要がある。

特開２００５－２４９２５０号公報

しかしながら、従来の膜付き金属ステムでは、剥離が膜の様々な位置で発生し得るため、膜に剥離が生じていないことを目視や画像解析などにより確認する際、確認しなければならない面積が広く、検査効率や検査精度を高められない問題がある。また、膜が薄く光を透過しやすい場合には、膜自体を光で認識しづらいため、このような問題が顕著になる傾向がある。

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、膜に剥離が生じていないことを効率的に確認できる膜付き金属ステム等を提供することである。

本発明に係る膜付き金属ステムは、膜形成面を有する金属ステムと、
前記膜形成面の上であって、第１の表面の一部を覆うように、前記第１の表面の上に形成される剥離検出パターンと、
前記剥離検出パターンを前記第１の表面との間に挟み、前記第１の表面の少なくとも他の一部と前記剥離検出パターンの少なくとも一部とを覆うように、前記第１の表面および前記剥離検出パターンの上にこれらと直接接するように形成される上部膜と、を有し、
前記上部膜の前記剥離検出パターンに対する密着力は、前記上部膜の前記第１の表面に対する密着力より小さい。

本発明に係る膜付き金属ステムは、上部膜に対する密着力が第１の表面より小さい剥離検出パターンを有するため、剥離検出パターンと上部膜との間に剥離が生じていないことを確認することにより、第１の表面と上部膜との間に剥離が生じていないことを効率的に確認することができる。すなわち、あえて上部膜との密着力の小さい剥離検出パターンを設け、その部分に剥離が生じていないことを確認することで、より密着力の高い第１の表面と上部膜との間に関しても剥離が生じていないことを保証することができる。

また、たとえば、前記第１の表面は、前記金属ステムの前記膜形成面を含んでいてもよく
前記上部膜は、前記膜形成面の上に形成される絶縁膜を含んでいてもよい。

このような膜付き金属ステムでは、膜形成面の上に形成される絶縁膜に剥離が生じていないことを、剥離検出パターンにより効率的に確認することができる。

また、たとえば、前記第１の表面は、前記膜形成面の上に形成される絶縁膜の上表面を含んでもよく、
前記上部膜は、前記絶縁膜の上に形成される前記絶縁膜とは異なる絶縁性の保護膜を含んでもよい。

このような膜付き金属ステムでは、膜形成面の上に形成される保護膜と絶縁膜との間に剥離が生じていないことを、剥離検出パターンにより効率的に確認することができる。

また、たとえば、前記剥離検出パターンの面積は、前記膜形成面の面積の１／５０以下であってもよい。

剥離検出パターンの面積を膜形成面の面積の１／５０以下とすることにより、隔離検出パターンを避けて、他の機能部分を配置する領域を、膜形成面上に容易に確保できる。また、剥離が無いことを確認するためにチェックすべき領域が限定されていることにより、効率的な確認に資する。

また、前記剥離検出パターンは、同一面上に互いに分離して配置される第１部分と第２部分とを有してもよい。

剥離検出パターンが、互いに分離した複数の部分を有し、いずれの部分にも剥離が生じていないことを確認することにより、上部膜全体に剥離がないことを、より確実に保証することができる。

前記剥離検出パターンは、前記上部膜の外縁の一部と重なっていてもよい。

上部膜の外縁は、他の部分より剥離が発生しやすい傾向があるため、このような剥離検出パターンは、上部膜全体に剥離がないことを、より確実に保証することができる。

前記金属ステムはステンレス鋼からなってもよく、
前記上部膜は、シリコンの酸化物、窒化物および酸窒化物のうち少なくとも１つを含んでもよい。

ステンレス鋼の金属ステムは、耐熱性および機械的強度が優れており、シリコン酸化物等の上部膜は耐熱性が優れているため、このような膜付き金属ステムは、高温環境でも好適に用いることができる。

また、たとえば、前記剥離検出パターンは白金族元素からなっていてもよい。

このような剥離検出パターンは、上部膜に対して、上部膜の前記第１の表面に対する密着力より適度に小さい密着力を有するため、第１の表面と上部膜との間に剥離が生じていないことを効率的に確認するチェッカーとして適している。

また、本発明に係る膜付き金属ステムは、前記剥離検出パターンと前記上部膜との剥離を電気的に検出する剥離検出回路を有してもよい。

このような膜付き金属ステムでは、画像解析や目視を行わなくても、剥離検出パターンと上部膜との剥離が生じているか否かを容易かつ確実に検出できるため、効率的な検出が可能である。また、製品化後の剥離の検出も、簡便に行うことができる。

また、たとえば、前記剥離検出回路は、
前記上部膜の膜上表面に配置され、前記第１の表面に垂直な方向から見て前記剥離検出パターンを横断する検出配線部と、
前記検出配線部の両端部に配置される検出端子部と、を有してもよい。

このような検出配線部と検出端子部とを有する剥離検出回路は、シンプルな構造で、剥離検出パターンと上部膜との剥離が生じているか否かを、容易かつ確実に検出できる。

本発明に係る圧力センサは、上記いずれかの膜付き金属ステムと、
前記金属ステムにおける前記膜形成面の上に配置される圧力検出部からの検出信号が伝えられる信号伝達部と、を有する。

このような圧力センサは、膜に剥離が生じていないことを効率的に確認できる膜付き金属ステムを用いているため、品質ばらつきが抑制されるとともに、良好な生産性を有する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサの概略断面図である。 図２は、図１に示す圧力センサを膜形成面の上方から見た上面図である。 図３は、図１に示す圧力センサが有する膜構造を、上面図と断面図を用いて説明した概念図である。 図４は、第２実施形態に係る圧力センサが有する膜構造を、上面図と断面図を用いて説明した概念図である。 図５は、第３実施形態に係る圧力センサが有する膜構造を、上面図と断面図を用いて説明した概念図である。 図６は、本発明の第４実施形態に係る圧力センサを膜形成面の上方から見た上面図である。 図７は、本発明の第５実施形態に係る圧力センサを膜形成面の上方から見た上面図である。 図８は、本発明の第６実施形態に係る圧力センサを膜形成面の上方から見た上面図である。 図９は、本発明の第７実施形態に係る圧力センサが有する膜構造を、上面図と断面図を用いて説明した概念図である。 図１０は、本発明の第８実施形態に係る圧力センサが有する膜構造を、上面図と断面図を用いて説明した概念図である。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。

第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る膜付き金属ステム１６を用いる圧力センサ１０の概略断面図である。図１に示すように、圧力センサ１０は、メンブレン２２を有する金属ステム２０および金属ステム２０の膜形成面２２ｂに形成される膜複合体２６を備える膜付き金属ステム１６を有している。金属ステム２０のメンブレン２２および膜形成面２２ｂに形成される膜複合体２６は、圧力に応じた変形を生じる。

メンブレン２２は、本実施形態では、中空筒状の金属ステム２０の一端に形成してある端壁で構成してある。金属ステム２０の他端は中空部の開放端となっており、金属ステム２０の中空部は、接続部材１２の流路１２ｂに連通してある。

なお、実施形態では、膜付き金属ステム１６として、メンブレン２２の上に圧力検出部３０（図２参照）が設けられており、圧力センサ１０として用いられるものを例に説明を行うが、膜付き金属ステム１６としては、圧力センサ１０に用いられるもののみには限定されない。たとえば、膜付き金属ステムは、歪ケージその他のセンサ等として用いられるものも含まれる。

図１に示すように、圧力センサ１０では、流路１２ｂに導入される流体が、金属ステム２０の中空部からメンブレン２２の内面２２ａに導かれて、流体圧をメンブレン２２に作用するようになっている。金属ステム２０は、たとえばステンレス鋼などの金属で構成される。

金属ステム２０の開放端の周囲には、フランジ部２１が形成してある。フランジ部２１は、金属ステム２０の周壁から半径方向外側に突出するように形成してある。フランジ部２１が、接続部材１２と抑え部材１４との間に挟まれて固定されることにより、メンブレン２２の内面２２ａへと至る流路１２ｂが密封されるようになっている。

接続部材１２は、圧力センサ１０を配管や外部流路などに接続するためのねじ溝１２ａを有する。圧力センサ１０は、測定対象となる流体が封入してある圧力室などに対して、ねじ溝１２ａを介して固定されている。これにより、接続部材１２の内部に形成されている流路１２ｂおよび金属ステム２０におけるメンブレン２２の内面２２ａは、測定対象となる流体が内部に存在する圧力室に対して、気密に連通する。

抑え部材１４の上面には、信号伝達部としての回路基板８０が取り付けてある。回路基板８０は、金属ステム２０の周囲を囲むリング状の形状を有しているが、回路基板８０の形状としてはこれに限定されない。回路基板８０には、金属ステム２０における膜形成面２２ｂの上に配置される圧力検出部３０（図２参照）からの検出信号が伝えられる回路などが内蔵してある。

金属ステム２０は、膜形成面２２ｂを有する。図１に示すように、金属ステム２０では、メンブレン２２の外面が膜形成面２２ｂとなっている。膜形成面２２ｂの上には、薄膜などの膜を含む膜複合体２６が形成されている。後述するように、膜複合体２６は、絶縁膜５０や圧力検出部３０などを含む。

図１に示す中間配線８２は、膜複合体２６の圧力検出部３０と、回路基板８０とを接続してある。中間配線８２は、ワイヤボンディングなどにより構成されるが、中間配線８２としては、ワイヤボンディング以外の配線構造であっても構わない。なお、金属ステム２０の説明では、膜形成面２２ｂを基準として金属ステム２０の内部へ向かう方向を下方向とし、膜形成面２２ｂを基準として金属ステム２０から離間する方向を上方向とする。

図２は、図１に示す圧力センサ１０を、膜形成面２２ｂの上方から見た上面図である。ただし、図２では、回路基板８０や中間配線８２等は図示していない。図２に示すように、膜複合体２６は、膜形成面２２ｂの全体に形成されており、絶縁膜５０と、圧力検出部３０と、剥離検出パターン４０（図３参照）とを有する。

図２に示すように、絶縁膜５０は、図１に示す金属ステム２０における膜形成面２２ｂ全体に形成されており、図２において、膜形成面２２ｂは、絶縁膜５０の下方に隠れている。圧力検出部３０は、電気配線３４によって接続される抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４や、抵抗Ｒ１～Ｒ４に電気的に接続する端子部３２等を有する。

圧力検出部３０の抵抗Ｒ１～Ｒ４は、メンブレン２２の所定位置に形成されており、メンブレン２２の変形に応じた歪を生じ、抵抗値が変化する。これらの抵抗Ｒ１～Ｒ４は、電気配線３４によりホイートストーンブリッジ回路を構成するように接続されている。圧力検出部３０は、絶縁性の膜である絶縁膜５０により、金属ステム２０の膜形成面２２ｂに対して絶縁されている。

図１に示す圧力センサ１０は、図２に示す圧力検出部３０の出力から、メンブレン２２に作用する流体圧を検出することができる。すなわち、抵抗Ｒ１～Ｒ４により構成されるホイートストーンブリッジの出力は、流体圧に伴うメンブレン２２の歪み量に応じて変化するように構成してある。信号伝達部としての回路基板８０は、圧力検出部３０の検出信号を、端子部３２および中間配線８２を介して取得することができる。

図３は、図２に示す圧力センサ１０が有する剥離検出パターン４０の機能を説明した概念図である。図３（ａ）は、図２と同様に、圧力センサ１０を膜形成面２２ｂの上方から見た上面図である。ただし、図３（ａ）では、圧力検出部３０については図示していない。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）の断面線ＡＡ’に沿って図３（ａ）に示す圧力センサ１０を切断した断面図である。

図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、金属ステム２０の膜形成面２２ｂ上には、剥離検出パターン４０と、絶縁膜５０とが形成してある。剥離検出パターン４０は、膜形成面２２ｂの上における所定の第１の表面（図３（ｂ）に示す例では膜形成面２２ｂ）と、第１の表面の直上に形成される所定の上部膜（図３（ｂ）に示す例では絶縁膜５０）との間の剥離の有無を検出する。

図３（ｂ）に示すように、剥離検出パターン４０は、膜形成面２２ｂの上であって、第１の表面としての膜形成面２２ｂの少なくとも一部を覆うように、金属ステム２０の膜形成面２２ｂの上に形成される。第１実施形態では、剥離検出パターン４０は、膜形成面２２ｂの直上に形成されるが、剥離検出パターン４０と膜形成面２２ｂ（第１の表面）との間に、他の層や膜が挟まれていてもよい。

図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、剥離検出パターン４０は、膜形成面２２ｂの全体ではなく、膜形成面２２ｂの一部に形成される。剥離検出パターン４０の面積は、特に限定されないが、膜形成面２２ｂの面積の１／５０以下であることが、剥離検出パターン４０に重ならないように、膜形成面２２ｂの上に圧力検出部３０（図２参照）を配置しやすく、好ましい。

図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、上部膜としての絶縁膜５０は、剥離検出パターン４０の上に重ねるように、膜形成面２２ｂの上に形成される。すなわち、絶縁膜５０（上部膜）は、剥離検出パターン４０を膜形成面２２ｂ（第１の表面）との間に挟み、膜形成面２２ｂ（第１の表面）の少なくとも他の一部（剥離検出パターン４０に覆われている部分以外の部分の少なくとも一部）を覆っている。

また、上部膜としての絶縁膜５０は、膜形成面２２ｂの一部に加えて、剥離検出パターン４０の少なくとも一部を覆う。図３（ａ）に示すように、第１実施形態では、絶縁膜５０が、膜形成面２２ｂと剥離検出パターン４０の全体を覆っているが、絶縁膜５０は、これとは異なり、膜形成面２２ｂと剥離検出パターン４０の一部を覆っていてもよい。

図３（ｂ）に示すように、絶縁膜５０（上部膜）は、膜形成面２２ｂ（第１の表面）および剥離検出パターン４０の上に、これらと直接接触するように形成される。したがって、絶縁膜５０の下表面は、膜形成面２２ｂに接触している部分（保証部分５４ａ）と、剥離検出パターン４０に接触している部分（検出部分５４ｂ）とを有する。

ここで、剥離検出パターン４０の材質等は、絶縁膜５０に対する密着力を考慮して決定される。すなわち、絶縁膜５０（上部膜）の剥離検出パターン４０に対する密着力は、絶縁膜５０（上部膜）の膜形成面２２ｂ（第１の表面）に対する密着力より小さい。

したがって、図３（ｃ）に示すように、仮に絶縁膜５０の下表面で剥離が発生する場合は、膜形成面２２ｂに接触している保証部分５４ａより先に、剥離検出パターン４０に接触している検出部分５４ｂ（図３（ｂ）参照）で発生する。そうすると、図１に示す圧力センサ１０では、絶縁膜５０（上部膜）と剥離検出パターン４０との間に剥離が生じていないことを確認することにより、より密着力の高い膜形成面２２ｂ（第１の表面）と絶縁膜５０（上部膜）との間に関しても剥離が生じていないことを保証することができる。なお、図３（ｃ）は、図３（ｂ）に示す圧力センサ１０において、絶縁膜５０の下表面で剥離が発生した状態を概念的に示したものである。

図２および図３に示すように、絶縁膜５０は、メンブレン２２の外面である膜形成面２２ｂのほぼ全体を覆うように形成してあり、たとえばシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などで構成されることが好ましい。絶縁膜５０の厚みは、好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは１～５μｍである。絶縁膜５０は、たとえばＣＶＤなどの蒸着法により、膜形成面２２ｂおよび剥離検出パターン４０の上に形成することができる。

剥離検出パターン４０は、絶縁膜５０を形成する前に、膜形成面２２ｂの一部に形成される。ただし、剥離検出パターン４０は、一旦膜形成面２２ｂ全体に形成された後、一部を残して他の部分を除去することにより、形成されてもよい。

剥離検出パターン４０の材質は、特に限定されないが、たとえば、剥離検出パターン４０が白金族元素からなることが、絶縁膜５０（上部膜）の剥離の有無を確認する観点から好ましい。剥離検出パターン４０が、化学的に安定な白金族元素からなることにより、絶縁膜５０（上部膜）の剥離検出パターン４０に対する密着力が適度に弱まり、剥離検出パターン４０と絶縁膜５０との接触部分が、剥離検出マーカーとして好適に機能する。

剥離検出パターン４０は、スパッタリングや蒸着などの薄膜法により形成することができるが、剥離検出パターン４０の形成方法は特に限定されない。また、剥離検出パターン４０の厚みは、好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．１～０．５μｍである。

図２に示す圧力検出部３０は、絶縁膜５０の上表面に、歪抵抗膜や電極膜を、所定の形状で形成することにより、作製することができる。歪抵抗膜としては、たとえば、CｒやＡｒを含む導電性の薄膜が挙げられるが、特に限定されない。圧力検出部３０の抵抗Ｒ１～Ｒ４は、たとえば、薄膜法により形成された歪抵抗膜を、所定の形状にパターニングすることにより、作製される。電極膜も、歪抵抗膜と同様に薄膜で構成され、電極膜の材質としては、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉのような金属などが挙げられる。

図１～図３で説明した第１実施形態に係る圧力センサ１０は、上述したように、剥離検出パターン４０を用いて検出する剥離面における下側の面である第１表面が、金属ステム２０の膜形成面２２ｂを含む。また、検出する剥離面における上側の面を含む上部膜が、膜形成面２２ｂの上に形成される絶縁膜５０を含む。

このような圧力センサ１０では、剥離検出パターン４０と絶縁膜５０との接触部分で剥離を生じていないことを確認することにより、膜形成面２２ｂと絶縁膜５０との間に剥離が生じていないことを保証することができる。なぜなら、絶縁膜５０の剥離検出パターン４０に対する密着力は、絶縁膜５０の膜形成面２２ｂに対する密着力より小さいため、絶縁膜５０の下表面において、保証部分５４ａより先に、検出部分５４ｂにおいて剥離が生じるからである。

したがって、このような圧力センサ１０では、絶縁膜５０と膜形成面２２ｂとの間に剥離が生じていないことを、効率的に確認することができる。なお、絶縁膜５０の剥離検出パターン４０および膜形成面２２ｂに対する密着力は、単位面積の絶縁膜５０を、剥離検出パターン４０または膜形成面２２ｂに対して垂直方向に引きはがすために要する力（直接引き剥がし法）により規定される。

第２実施形態
図４は、第２実施形態に係る圧力センサ１１０の膜構造を、上面図と断面図とを用いて説明した概念図である。圧力センサ１１０を上方から見た図である図４（ａ）に示すように、第２実施形態に係る圧力センサ１１０は、保護膜１６０を有する点と、剥離検出パターン１４０が絶縁膜１５０の下表面ではなく上表面１５２に形成される点で、第１実施形態に係る圧力センサ１０とは異なる。しかし、図４に示す圧力センサ１１０は、金属ステム２０や圧力検出部３０については、図１～図３に示す圧力センサ１１０と同様である。第２実施形態に係る圧力センサ１１０の説明では、第１実施形態に係る圧力センサ１０との相違点を中心に説明を行い。圧力センサ１０との共通点については、説明を省略する。

図４（ａ）は、第１実施形態の説明における図２と同様に、圧力センサ１１０を膜形成面２２ｂの上方から見た上面図である。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）の断面線ＡＡ’に沿って図４（ａ）に示す圧力センサ１１０を切断した断面図である。

図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、圧力センサ１１０は保護膜１６０を有する。保護膜１６０は、絶縁膜１５０の上に形成される絶縁膜１５０とは別の絶縁性の膜である。保護膜１６０は、絶縁膜１５０との間に圧力検出部３０の少なくとも一部を上下方向に挟み、圧力検出部３０の少なくとも一部を覆っている。ただし、図４（ａ）に示すように、圧力検出部３０のうち、端子部３２の少なくとも一部は、図１に示す中間配線が接続できるように、保護膜１６０から露出している。

図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、圧力センサ１１０において、絶縁膜１５０は金属ステム２０の膜形成面２２ｂの直上に形成されている。図３（ａ）に示す圧力センサ１０とは異なり、圧力センサ１０では、絶縁膜１５０と膜形成面２２ｂの間には、他の膜は配置されていない。

圧力センサ１１０では、剥離検出パターン１４０は、膜形成面２２ｂの直上ではなく、圧力検出部３０の抵抗Ｒ１、Ｒ２等と同様に、絶縁膜１５０の上表面１５２（絶縁膜１５０の直上）に配置されている。すなわち、剥離検出パターン１４０は、第１の表面としての絶縁膜１５０の上表面１５２と、第１の表面の上に形成される上部膜としての保護膜１６０との間の剥離の有無を検出する。

図４（ｂ）に示すように、剥離検出パターン１４０は、膜形成面２２ｂの上に形成される絶縁膜１５０の上表面１５２の少なくとも一部を覆うように、絶縁膜１５０の上表面１５２の直上に形成される。図４（ｂ）に示す例では、剥離検出パターン１４０は、絶縁膜１５０の直上に形成されるが、剥離検出パターン１４０の配置はこれのみには限定されず、剥離検出パターン１４０と絶縁膜１５０（第１の表面）との間に、他の層や膜が挟まれていてもよい。

図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、上部膜としての保護膜１６０は、剥離検出パターン１４０の上に重ねるように、絶縁膜１５０の上表面１５２の上に形成される。すなわち、保護膜１６０（上部膜）は、剥離検出パターン１４０を絶縁膜１５０の上表面１５２（第１の表面）との間に挟み、上表面１５２（第１の表面）の少なくとも他の一部（剥離検出パターン１４０に覆われている部分以外の部分の少なくとも一部）を覆っている。

また、上部膜としての保護膜１６０は、絶縁膜１５０の上表面１５２の一部に加えて、剥離検出パターン１４０の少なくとも一部を覆う。図４（ａ）に示すように、第２実施形態では、保護膜１６０が、絶縁膜１５０または絶縁膜１５０の下層にある膜形成面２２ｂの全体ではなく、一部を覆っている。

図４（ｂ）に示すように、保護膜１６０（上部膜）は、絶縁膜１５０の上表面１５２（第１の表面）および剥離検出パターン１４０の上に、これらと直接接触するように形成される。したがって、保護膜１６０の下表面は、絶縁膜１５０の上表面１５２に接触している部分（保証部分１６４ａ）と、剥離検出パターン１４０に接触している部分（検出部分１６４ｂ）とを有する。

ここで、剥離検出パターン１４０の材質等は、保護膜１６０に対する密着力を考慮して決定される。すなわち、保護膜１６０（上部膜）の剥離検出パターン１４０に対する密着力は、絶縁膜５０（上部膜）の絶縁膜１５０の上表面１５２（第１の表面）に対する密着力より小さい。剥離検出パターン１４０の材質は、特に限定されないが、剥離検出パターン４０と同様に、たとえば、白金族元素を含むことが好ましい。

したがって、図４（ｃ）に示すように、仮に保護膜１６０の下表面で剥離が発生する場合は、絶縁膜１５０の上表面１５２に接触している保証部分１６４ａより先に、剥離検出パターン１４０に接触している検出部分１６４ｂ（図４（ｂ）参照）で発生する。そうすると、第２実施形態に係る圧力センサ１１０では、保護膜１６０（上部膜）と剥離検出パターン１４０との間に剥離が生じていないことを確認することにより、より密着力の高い絶縁膜１５０の上表面１５２（第１の表面）と保護膜１６０（上部膜）との間に関しても剥離が生じていないことを保証することができる。なお、図４（ｃ）は、図４（ｂ）に示す圧力センサ１１０において、絶縁膜５０の下表面で剥離が発生した状態を概念的に示したものである。

保護膜１６０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などで構成されることが好ましい。保護膜１６０の厚みは、好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは0.１～1μｍである。保護膜１６０は、絶縁膜１５０の上表面１５２の上に、圧力検出部３０および剥離検出パターン４０を形成した後に形成される。保護膜１６０は、絶縁膜１５０と同様に、たとえばＣＶＤなどの蒸着法により、絶縁膜１５０、圧力検出部３０および剥離検出パターン４０の上に形成することができる。なお、保護膜１６０の材質は、絶縁膜１５０と同様であってもよく、異なっていてもよい。

図４で説明した第２実施形態に係る圧力センサ１１０は、上述したように、剥離検出パターン１４０を用いて検出する剥離面における下側の面である第１表面が、膜形成面２２ｂの上に形成される絶縁膜１５０の上表面１５２を含む。また、検出する剥離面における上側の面である上部膜が、絶縁膜１５０の上に形成される保護膜１６０を含む。

したがって、このような圧力センサ１１０では、保護膜１６０と絶縁膜１５０との間に剥離が生じていないことを、効率的に確認することができる。また、第２実施形態に係る圧力センサ１１０は、圧力センサ１０との共通点については、圧力センサ１０と同様の効果を奏する。

第３実施形態
図５は、第３実施形態に係る圧力センサ２１０の膜構造を、上面図と断面図とを用いて説明した概念図である。第３実施形態に係る圧力センサ２１０は、剥離検出パターン１４０に加えて、剥離検出パターン２４０を有する点で、第２実施形態に係る圧力センサ１１０とは異なる。しかし、図５に示す圧力センサ２１０は、金属ステム２０、圧力検出部３０、保護膜１６０および剥離検出パターン１４０を有する点については、図４に示す圧力センサ１１０と同様である。第３実施形態に係る圧力センサ２１０の説明では、第２実施形態に係る圧力センサ１１０との相違点を中心に説明を行い。圧力センサ１１０との共通点については、説明を省略する。

図５（ａ）は、第２実施形態の説明における図４（ａ）と同様に、圧力センサ２１０を膜形成面２２ｂの上方から見た上面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）の断面線ＡＡ’に沿って図５（ａ）に示す圧力センサ１１０を切断した断面図である。

図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、圧力センサ２１０は、膜形成面２２ｂと絶縁膜２５０との間の剥離を検出する剥離検出パターン２４０と、絶縁膜２５０と保護膜１６０との間の剥離を検出する剥離検出パターン１４０とを有する。剥離検出パターン１４０については、図４（ｂ）に示す圧力センサ１１０が有する剥離検出パターン１４０と同様である。

図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、剥離検出パターン２４０は、膜形成面２２ｂの上であって、第１の表面としての膜形成面２２ｂの少なくとも一部を覆うように、金属ステム２０の膜形成面２２ｂの上に形成される。また、図５（ａ）に示すように、膜形成面２２ｂの上から見て、剥離検出パターン２４０は、剥離検出パターン１４０に対して重ならないように配置されている。

絶縁膜２５０は、図３に示す絶縁膜５０と同様に、剥離検出パターン２４０の上に重ねるように、膜形成面２２ｂの上に形成されている。すなわち、剥離検出パターン２４０の上部膜としての絶縁膜２５０は、、剥離検出パターン２４０を膜形成面２２ｂ（第１の表面）との間に挟み、膜形成面２２ｂ（第１の表面）の他の一部（剥離検出パターン２４０に覆われている部分以外の部分）を覆っている。

また、上部膜としての絶縁膜２５０は、膜形成面２２ｂの一部に加えて、剥離検出パターン２４０を覆う。図５（ａ）に示すように、第３実施形態では、絶縁膜２５０が、膜形成面２２ｂと剥離検出パターン２４０の全体を覆っている。

図５（ｂ）に示すように、絶縁膜２５０（上部膜）は、膜形成面２２ｂ（第１の表面）および剥離検出パターン２４０の上に、これらと直接接触するように形成される。したがって、絶縁膜２５０の下表面は、膜形成面２２ｂに接触している部分と、剥離検出パターン２４０に接触している部分とを有する（図３（ｂ）の保証部分５４ａおよび検出部分５４ｂ参照）。

ここで、剥離検出パターン２４０の材質等は、図３に示す剥離検出パターン４０と同様に、絶縁膜２５０に対する密着力を考慮して決定される。すなわち、絶縁膜２５０（上部膜）の剥離検出パターン２４０に対する密着力は、絶縁膜２５０（上部膜）の膜形成面２２ｂ（第１の表面）に対する密着力より小さい。

したがって、図５（ｂ）に示す剥離検出パターン２４０は、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示す剥離検出パターン４０と同様に、絶縁膜２５０（上部膜）と剥離検出パターン２４０との間に剥離が生じていないことを確認することにより、より密着力の高い膜形成面２２ｂ（第１の表面）と絶縁膜２５０（上部膜）との間に関しても剥離が生じていないことを保証することができる。

また、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、剥離検出パターン２４０は、膜形成面２２ｂの上から見て、保護膜１６０に対して重ならないように配置されている。このように、上部膜である絶縁膜２５０における剥離検出パターン２４０の直上にある部分が、他の膜に覆われておらず露出していることにより、絶縁膜２５０と剥離検出パターン２４０との間の剥離の有無を、精度よく検出することができる。

なお、剥離検出パターン２４０と第１の表面としての膜形成面２２ｂとの間の密着力は、剥離検出パターン２４０と上部膜としての絶縁膜２５０との密着力より大きいことが好ましい。剥離検出パターン２４０自体が膜形成面２２ｂから剥離してしまうと、剥離検出パターン２４０と絶縁膜２５０との剥離が、適切な条件で生じない可能性があるためである。また、剥離検出パターン２４０と第１の表面としての膜形成面２２ｂとの間の密着力は、上部膜としての絶縁膜２５０と膜形成面２２ｂとの密着力より大きいことも、剥離の検出精度を高めるために好ましい。

また、第２実施形態に係る圧力センサ２１０は、圧力センサ１０や圧力センサ１１０との共通点については、圧力センサ１０または圧力センサ１１０と同様の効果を奏する。

第４実施形態
図６は、第４実施形態に係る圧力センサ３１０を、メンブレン２２の膜形成面２２ｂ（図１参照）の上方から見た上面図である。第４実施形態に係る圧力センサ３１０は、剥離検出パターン３４０が、同一面上に互いに分離して配置される第１部分３４０ａと第２部分３４０ｂとを有する点で、第１実施形態に係る圧力センサ１０とは異なるが、その他の点では圧力センサ１０と同様である。圧力センサ３１０については、圧力センサ１０との相違点を中心に説明を行い、圧力センサ１０との共通点については説明を省略する。

圧力センサ３１０が有する剥離検出パターン３４０は、図３に示す剥離検出パターン４０と同様に、金属ステム２０の膜形成面２２ｂと絶縁膜３５０との間の剥離の有無を検出する。剥離検出パターン３４０は、図３に示す剥離検出パターン４０と同様に、金属ステム２０の膜形成面２２ｂと絶縁膜３５０との間に挟まれている。

ここで、圧力センサ３１０が有する剥離検出パターン３４０は、図２および図３に示す剥離検出パターン４０とは異なり、同一面上に互いに分離して配置される第１部分３４０ａと、第２部分３４０ｂとを有する。このような圧力センサ３１０では、いずれの部分３４０ａ、３４０ｂについても、剥離検出パターン３４０と絶縁膜３５０との間に剥離が生じていないことを確認することにより、絶縁膜３５０全体に剥離が無いことを、より確実に保証することができる。なお、圧力センサ３１０の絶縁膜３５０は、剥離検出パターン３４０の配置に伴い下表面の形状が異なることを除き、図３に示す圧力センサ１０の絶縁膜５０と同様である。

圧力センサ３１０では、たとえば絶縁膜３５０と膜形成面２２ｂとの間に、膜形成面２２ｂにおける異なる場所で、異なるモードの剥離が生じる傾向がある場合などに、第１部分３４０ａと第２部分３４０ｂを、各剥離モードに対応する場所に、分離して配置することができる。また、第４実施形態に係る圧力センサ３１０は、圧力センサ１０等との共通点については、圧力センサ１０等と同様の効果を奏する。

第５実施形態
図７は、第５実施形態に係る圧力センサ４１０を、メンブレン２２の膜形成面２２ｂ（図１参照）の上方から見た上面図である。図７では、図３（ａ）と同様に、絶縁膜４５０の上に配置される圧力検出部３０については図示していない。第５実施形態に係る圧力センサ４１０は、剥離検出パターン４４０が、上部膜である絶縁膜４５０の外縁４５６の一部と重なっている点で第１実施形態に係る圧力センサ１０と異なるが、その他の点では圧力センサ１０と同様である。圧力センサ４１０については、圧力センサ１０との相違点を中心に説明を行い、圧力センサ１０との共通点については説明を省略する。

圧力センサ４１０が有する剥離検出パターン４４０は、図３に示す剥離検出パターン４０と同様に、金属ステム２０の膜形成面２２ｂと絶縁膜３５０との間の剥離の有無を検出する。剥離検出パターン４４０は、図３に示す剥離検出パターン４０と同様に、金属ステム２０の膜形成面２２ｂと絶縁膜４５０との間に挟まれている。

一方、圧力センサ４１０が有する剥離検出パターン４４０は、図２および図３に示す剥離検出パターン４０とは異なり、上部膜としての絶縁膜４５０の外縁４５６の一部と重なっている。また、圧力センサ４１０の絶縁膜４５０は、膜形成面２２ｂの外縁と略一致しているため、剥離検出パターン４０は、膜形成面２２ｂの外縁の一部にも重なっている。

ここで、上部膜としての絶縁膜４５０の外縁４５６は、絶縁膜４５０の他の部分に比べて剥離が生じやすい傾向を有する場合がある。したがって、図７に示すように、剥離検出パターン４４０が絶縁膜４５０の外縁４５６の一部と重なっている圧力センサ４１０は、絶縁膜４５０と剥離検出パターン４４０との間に剥離が生じていないことを確認することにより、絶縁膜４５０全体に剥離が無いことを、より確実に保証することができる。なお、圧力センサ４１０の絶縁膜４５０は、剥離検出パターン４４０の配置に伴い下表面の形状が異なることを除き、図３に示す圧力センサ１０の絶縁膜５０と同様である。

また、第５実施形態に係る圧力センサ４１０は、圧力センサ１０等との共通点については、圧力センサ１０等と同様の効果を奏する。

第６実施形態
図８は、第６実施形態に係る圧力センサ５１０を、メンブレン２２の膜形成面２２ｂ（図１参照）の上方から見た上面図である。第６実施形態に係る圧力センサ５１０は、上部膜としての保護膜５６０と剥離検出パターン５４０の形状が異なることを除き、図４に示す圧力センサ１１０と同様である。圧力センサ５１０については、圧力センサ１１０との相違点を中心に説明を行い、圧力センサ１１０との共通点については、説明を省略する。なお、図８では、圧力センサ５１０の圧力検出部３０（図４参照）については、図示を省略している。

図８に示す圧力センサ５１０の剥離検出パターン５４０は、絶縁膜１５０の上表面（絶縁膜１５０の直上）に配置されており、第１の表面としての絶縁膜１５０の上表面１５２と、第１の表面の上に形成される上部膜としての保護膜５６０との間の剥離の有無を検出する。

図８に示すように、保護膜５６０は、単純な円形状ではなく切り込み部を有しており、図４に示す保護膜１６０より複雑な形状の外縁５６２を有する。このように、保護膜５６０は、たとえば絶縁膜１５０の上に形成される圧力検出部３０の端子部を露出させる必要があるなどの理由により、切り込みや突起のある外縁５６２を有する場合がある。

圧力センサ５１０の剥離検出パターン５４０は、図８に示すように、保護膜５６２の外縁５６２のうち、特に切り込みや突起部分に重なるように配置されている。ここで、図８に示すような保護膜５６０の場合、外縁５６２の切り込みや突起部分において、他の部分より剥離を生じやすい傾向が生じる場合がある。

したがって、図８に示すように、剥離検出パターン５４０が保護膜５６０の切り込みや突起部と重なっている圧力センサ５１０は、保護膜５６０と剥離検出パターン５４０との間に剥離が生じていないことを確認することにより、保護膜５６０全体に剥離が無いことを、より確実に保証することができる。また、第６実施形態に係る圧力センサ５１０は、圧力センサ１１０等との共通点については、圧力センサ１１０等と同様の効果を奏する。

第７実施形態
図９は、第７実施形態に係る圧力センサ６１０の膜構造を、上面図と断面図とを用いて説明した概念図である。図９（ａ）に示すように、第７実施形態に係る圧力センサ６１０は、剥離検出パターン４０と上部膜である絶縁膜５０との剥離を電気的に検出する剥離検出回路６７０を有する点で、図１～３に示す圧力センサ１０とは異なるが、その他の点では、圧力センサ１０と同様である。第７実施形態に係る圧力センサ６１０の説明では、第１実施形態に係る圧力センサ１０との相違点を中心に説明を行い。圧力センサ１０との共通点については、説明を省略する。

図９（ａ）は、圧力センサ６１０を膜形成面２２ｂの上方から見た上面図である。ただし、図９（ａ）では、図３（ａ）と同様に、圧力検出部３０については図示していない。また、図９（ｂ）は、図９（ａ）の断面線ＡＡ’に沿って図９（ａ）に示す圧力センサ６１０を切断した断面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、圧力センサ６１０の剥離検出パターン４０は、金属ステム２０の膜形成面２２ｂと絶縁膜５０との間の剥離の有無を検出する。すなわち、剥離検出パターン４０は、図３に示す剥離検出パターン４０と同様に、金属ステム２０の膜形成面２２ｂと絶縁膜５０との間に挟まれている。

図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、圧力センサ６１０は、剥離検出パターン４０と絶縁膜５０との剥離を電気的に検出する剥離検出回路６７０を有する。剥離検出回路６７０は、絶縁膜５０の上表面５２（上部膜の膜上表面）に配置されており、検出配線部６７２と検出端子部６７４とを有する。

検出配線部６７２は、絶縁膜５０の上表面５２に配置され、第１の表面である膜形成面２２ｂに垂直な方向から見て剥離検出パターン４０を横断するように形成されている。検出端子部６７４は、検出配線部６７２の両端部に配置される。検出端子部６７４には、図１に示す回路基板８０へ繋がる中間配線（不図示）が接続される。

検出端子部６７４は、検出配線部６７２とは異なり、膜形成面２２ｂに垂直な方向から見て、剥離検出パターン１４０に重複しないように形成される。剥離検出回路６７０に含まれる検出配線部６７２および検出端子部６７４は、たとえば導電性の薄膜等を、絶縁膜５０の上表面５２に形成することにより、作製される。

図９（ｃ）は、図９（ｂ）に示す圧力センサ６１０において、絶縁膜５０の下表面、特に絶縁膜５０と剥離検出パターン４０との接触面において剥離が生じた状態を、概念的に示したものである。図９（ｃ）に示すように、圧力センサ６１０において、絶縁膜５０と剥離検出パターン４０との間に剥離が生じると、剥離検出パターン４０上の絶縁膜５０および検出配線部６７２の一部が欠損または脱落する。したがって、圧力センサ５１０において、たとえば２つの検出端子部６７４間の抵抗変化を検出することにより、絶縁膜５０と剥離検出パターン４０との間で剥離が生じているか否かを、電気的に検出することが可能である。

このように、圧力センサ６１０では、絶縁膜５０と剥離検出パターン４０との接触面において剥離が生じていないことを電気的に検出することができ、これにより、絶縁膜５０と膜形成面２２ｂ（第１の表面）との間に関しても、剥離が生じていないことを保証することができる。また、圧力センサ６１０は、剥離の有無を電気的に検出する剥離検出回路６７０を有するため、製造工程内での検査だけでなく、出荷後において圧力センサ６１０をユーザーが使用している状態においても、比較的単純でシンプルな構成で剥離を検出することができる。

また、第７実施形態に係る圧力センサ６１０は、圧力センサ１０等との共通点については、圧力センサ１０等と同様の効果を奏する。

第８実施形態
図１０は、第８実施形態に係る圧力センサ７１０の膜構造を、上面図と断面図とを用いて説明した概念図である。図１０（ａ）に示すように、第８実施形態に係る圧力センサ７１０は、剥離検出パターン１４０と上部膜である保護膜１６０との剥離を電気的に検出する剥離検出回路７７０を有する点で、図４に示す圧力センサ１１０とは異なるが、その他の点では、圧力センサ１１０と同様である。第８実施形態に係る圧力センサ７１０の説明では、第２実施形態に係る圧力センサ１１０との相違点を中心に説明を行い。圧力センサ１１０との共通点については、説明を省略する。

図１０（ａ）は、圧力センサ７１０を膜形成面２２ｂの上方から見た上面図である。また、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の断面線ＡＡ’に沿って図１０（ａ）に示す圧力センサ７１０を切断した断面図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、圧力センサ７１０の剥離検出パターン１４０は、絶縁膜１５０と絶縁膜１５０の上に形成される保護膜１６０との間の剥離の有無を検出する。剥離検出パターン１４０は、図１０（ｂ）に示すように、絶縁膜１５０と保護膜１６０の間に挟まれている。

図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、圧力センサ７１０は、剥離検出パターン４０と保護膜１６０との剥離を電気的に検出する剥離検出回路７７０を有する。剥離検出回路７７０は、保護膜１６０の上表面１５２（上部膜の膜上表面）に配置されており、検出配線部７７２と検出端子部７７４とを有する。

検出配線部７７２は、保護膜１６０の上表面１６２に配置され、第１の表面である絶縁膜１５０の上表面１５２に垂直な方向から見て剥離検出パターン１４０を横断するように形成されている。検出端子部７７４は、検出配線部７７２の両端部に配置される。検出端子部７７４には、図１に示す回路基板８０へ繋がる中間配線（不図示）が接続される。

検出端子部７７４は、検出配線部７７２とは異なり、絶縁膜１５０の上表面１５２に垂直な方向から見て、剥離検出パターン１４０に重複しないように形成される。剥離検出回路７７０に含まれる検出配線部７７２および検出端子部７７４は、たとえば導電性の薄膜等を、保護膜１６０の上表面１６２に形成することにより、作製される。

図１０（ｃ）は、図１０（ｂ）に示す圧力センサ７１０において、保護膜１６０と剥離検出パターン１４０との接触面において剥離が生じた状態を、概念的に示したものである。図１０（ｃ）に示すように、圧力センサ７１０において、保護膜１６０と剥離検出パターン１４０との間に剥離が生じると、剥離検出パターン１４０上の保護膜１６０および検出配線部７７２の一部が欠損または脱落する。したがって、圧力センサ７１０において、たとえば２つの検出端子部７７４間の抵抗変化を検出することにより、絶縁膜５０と剥離検出パターン４０との間で剥離が生じているか否かを、電気的に検出することが可能である。

このように、圧力センサ７１０では、保護膜１６０と剥離検出パターン１４０との接触面において剥離が生じていないことを電気的に検出することができ、これにより、保護膜１６０と絶縁膜１５０（第１の表面）との間に関しても、剥離が生じていないことを保証することができる。また、圧力センサ７１０は、剥離の有無を電気的に検出する剥離検出回路７７０を有するため、製造工程内での検査だけでなく、出荷後において圧力センサ７１０をユーザーが使用している状態においても、比較的単純でシンプルな構成で剥離を検出することができる。

また、第８実施形態に係る圧力センサ７１０は、圧力センサ１１０等との共通点については、圧力センサ１１０等と同様の効果を奏する。

以上、実施形態を挙げて本発明に係る膜付き金属ステム１６および圧力センサ１０～７１０を説明したが、本発明はこれらの実施形態のみには限定されず、他の多くの実施形態や変形例を含むことは言うまでもない。たとえば、剥離検出パターンが剥離を検出対象とする膜は、絶縁膜や保護膜のみには限定されず、他の絶縁性または導電性の膜の剥離を、検出対象とするものであってもよい。

１０、１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０…圧力センサ
１２…接続部材
１２ａ…ねじ溝
１２ｂ…流路
１４…抑え部材
１６、１１６…膜付き金属ステム
２０…金属ステム
２１…フランジ部
２２…メンブレン
２２ａ…内面
２２ｂ…膜形成面
２６…膜複合体
３０…圧力検出部
３２…端子部
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４…抵抗
３４…電気配線
４０、１４０、２４０、３４０、４４０、５４０…剥離検出パターン
３４０ａ…第１部分
３４０ｂ…第２部分
５０、１５０、２５０、３５０、４５０…絶縁膜
５４ａ、１６４ａ…保証部分
５４ｂ、１６４ｂ…検出部分
４５６、５６２…外縁
１５２、１６２、２５２…上表面
１６０、５６０…保護膜
６７０、７７０…剥離検出回路
６７２、７７２…検出配線部
６７４、７７４…検出端子部
８０…回路基板
８２…中間配線

Claims (11)

1. 膜形成面を有する金属ステムと、
   前記膜形成面の上であって、第１の表面の一部を覆うように、前記第１の表面の上に形成される剥離検出パターンと、
   前記剥離検出パターンを前記第１の表面との間に挟み、前記第１の表面の少なくとも他の一部と前記剥離検出パターンの少なくとも一部とを覆うように、前記第１の表面および前記剥離検出パターンの上にこれらと直接接するように形成される上部膜と、を有し、
   前記上部膜の前記剥離検出パターンに対する密着力は、前記上部膜の前記第１の表面に対する密着力より小さい膜付き金属ステム。
2. 前記第１の表面は、前記金属ステムの前記膜形成面を含み、
   前記上部膜は、前記膜形成面の上に形成される絶縁膜を含む請求項１に記載の膜付き金属ステム。
3. 前記第１の表面は、前記膜形成面の上に形成される絶縁膜の上表面を含み、
   前記上部膜は、前記絶縁膜の上に形成される前記絶縁膜とは異なる絶縁性の保護膜を含む請求項１に記載の膜付き金属ステム。
4. 前記剥離検出パターンの面積は、前記膜形成面の面積の１／５０以下である請求項１から請求項３までのいずれかに記載の膜付き金属ステム。
5. 前記剥離検出パターンは、同一面上に互いに分離して配置される第１部分と第２部分とを有する請求項１から請求項４までのいずれかに記載の膜付き金属ステム。
6. 前記剥離検出パターンは、前記上部膜の外縁の一部と重なっている請求項１から請求項５までのいずれかに記載の膜付き金属ステム。
7. 前記金属ステムはステンレス鋼からなり、
   前記上部膜は、シリコンの酸化物、窒化物および酸窒化物のうち少なくとも１つを含む請求項１から請求項６までのいずれかに記載の膜付き金属ステム。
8. 前記剥離検出パターンは白金族元素からなる請求項１から請求項７までのいずれかに記載の膜付き金属ステム。
9. 前記剥離検出パターンと前記上部膜との剥離を電気的に検出する剥離検出回路を有する請求項１から請求項８までのいずれかに記載の膜付き金属ステム。
10. 前記剥離検出回路は、
    前記上部膜の膜上表面に配置され、前記第１の表面に垂直な方向から見て前記剥離検出パターンを横断する検出配線部と、
    前記検出配線部の両端部に配置される検出端子部と、を有する請求項９に記載の膜付き金属ステム。
11. 請求項１から請求項１０までのいずれかに記載の膜付き金属ステムと、
    前記金属ステムにおける前記膜形成面の上に配置される圧力検出部からの検出信号が伝えられる信号伝達部と、を有する圧力センサ。

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