JP2010151614A - センサチップおよびその製造方法並びに圧力センサ - Google Patents
センサチップおよびその製造方法並びに圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010151614A JP2010151614A JP2008330070A JP2008330070A JP2010151614A JP 2010151614 A JP2010151614 A JP 2010151614A JP 2008330070 A JP2008330070 A JP 2008330070A JP 2008330070 A JP2008330070 A JP 2008330070A JP 2010151614 A JP2010151614 A JP 2010151614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- sensor chip
- substrate
- wiring
- longitudinal direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 285
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 95
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 85
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 70
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 65
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 179
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 179
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 179
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 57
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 36
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 32
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 15
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 15
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【解決手段】長手方向一端側にはセンシング部40aが形成されており、このセンシング部40aは、各歪みゲージ44が形成されてダイアフラム46として機能する薄肉部46と第2凹部42bを近接させるように第1のシリコン基板41と第2のシリコン基板42とを貼り合わせることで薄肉部46および第2凹部42bにより密閉されて形成される圧力基準室47を備えるとともに、この圧力基準室47の基準圧力と圧力媒体の圧力との圧力差に基づくダイアフラム46の変位に応じた信号が各歪みゲージ44から出力されるように構成されている。また、センサチップ40の長手方向他端側であって当該長手方向に直交する端面41eには、センシング部40aからの信号を出力するための各電極49が形成されている。
【選択図】図2
Description
したがって、配線作業を容易にするとともに当該作業によるセンサチップの破損を防止することができる。
したがって、配線作業を容易にするとともに当該作業によるセンサチップの破損を防止することができる。
したがって、配線作業を容易にするとともに当該作業によるセンサチップの破損を防止することができる。
したがって、配線作業を容易にするとともに当該作業によるセンサチップの破損を防止することができる。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態を図を参照して説明する。図1は、第1実施形態に係るセンサチップ40を採用する圧力センサ10の全体概略断面図である。図2は、図1のセンサチップ40の詳細断面図である。図3(A)は、センサチップ40の平面図であり、図3(B)は、図3(A)に示す3B−3B線相当の切断面による断面図であり、図3(C)は、センサチップ40を長手方向他端側から見た側面図である。なお、図1および図2において、長手方向一端側および長手方向他端側は図中の下側および上側を示し、図3(A),(B)において、長手方向一端側および長手方向他端側は図中の左側および右側を示す。
図2および図3に示すように、センサチップ40は、第1のシリコン基板41と第2のシリコン基板42とを後述するように絶縁層43を介して常温接合により貼り合せて構成されている。
まず、後述するように形成されるセンサチップ40を用意し、このセンサチップ40を、センシング部40aを含む長手方向一端側のみが圧力導入通路31内に露出するように、ハウジング30の開口部31bに接着剤50を介して支持する。
したがって、各電極49に対する配線作業を容易にするとともに当該作業によるセンサチップ40の破損を防止することができる。
図8(A)〜(C)に示すように、センサチップ40bにおいて、各第2配線部48は、段差部41dの表面のうち端面41eのみに形成されてもよい。具体的な製造方法として、図4(C)に示す工程において、各コンタクトホール48aを介して第1配線部45に電気的に接続される各第2配線部48を段差部41dの表面に形成する際、段差部41dの表面のうち端面41eのみに形成する。
図9に示すように、センサチップ40cにおいて、各電極49が形成される端面41eは、長手方向に対して所定の傾斜角度(X度)を有するようにテーパ状に形成されてもよい。例えば1〜45度程度で形成することができる。これにより、この傾斜角度を調整することで配線作業時における各電極49に電気的に接続されるボンディングワイヤ26等の配線部材の引き出し方向を所望の方向に設定できるので、配線作業をより容易にすることができる。また、センサチップ40cに対して長手方向に平行な方向から配線作業が実施されるので、当該作業時にセンサチップ40cに生じる曲げ応力等が抑制されて、センサチップ40cの変形や破損を防止することができる。
図10に示すように、隣接するセンサチップ40同士が長手方向一端側と長手方向他端側とを連結させた状態にて、1枚のウエハWに複数のセンサチップ40が形成されてもよい。
図12に示すように、ハウジング30の開口部31bの一部は、圧力導入通路31に沿う方向(長手方向)に長くなるように形成されてもよい。これにより、ハウジング30において、センサチップ40との間に介在する接着剤50と接触する接触面積が増加するため、センサチップ40の支持が強固となり、上述した各電極49に対する配線作業が容易になる。
具体的には、図13に示すように、図6(G)に示す工程により各第2配線部48が露出するまで平坦化した後(図13中の二点鎖線α1参照)、一方のセンサチップ40の各第2配線部48と他方のセンサチップ40の各第2配線部48との間における段差部41dを、幅の広いダイシングソーを用いたダイシングを施して切断する(図13中の二点鎖線α2参照)。これにより、1度の切断作業にて、第2配線部48を切断することなく端面41eを除く段差部41dをより多く除去することができる。または幅の狭いダイシングソーでα2の線に沿って2回で切断することもできる。
具体的には、図14に示すように、各第2配線部48が露出するように第2のシリコン基板42の第3凹部42cの長手方向両端側近傍に対応する部位をダイシングを施すことでそれぞれ切断した後(図14中の二点鎖線β1参照)、一方のセンサチップ40の各第2配線部48と他方のセンサチップ40の各第2配線部48との間における段差部41dを、ダイシングを施して切断する(図14中の二点鎖線β2参照)。これにより、ダイシング工程のみで、1枚のウエハを複数のセンサチップ40に分断することができる。特に、幅の広いダイシングソーを用いたダイシングを実施することにより、上述した第1の分断変形例の作用・効果をも奏する。または幅の狭いダイシングソーで2回で切断することもできる。
次に、本発明の第2実施形態を図15〜図17を参照して説明する。図15は、第2実施形態に係るセンサチップ60の断面図である。図16(A)〜(C)および図17(D)〜(F)は、第2実施形態におけるセンサチップ60の製造方法の工程を示す説明図である。
まず、図16(A)に示すように、例えば、(110)面方位のn型単結晶シリコンからなる第1のシリコン基板61を用意する。そして、この第1のシリコン基板61の一側面61aに、上記第1実施形態と同様に各歪みゲージ44および各第1配線部45を形成するとともに、公知の半導体プロセス等により回路部64を形成する。そして、絶縁層43に形成されるコンタクトホール65aを介して回路部64からの信号を取り出すための第3配線部65を一側面61a上に形成する。
図18に示すように、センサチップ60bにおいて、第2のシリコン基板62の第2凹部62bを廃止してもよい。すなわち、図16(C)に示す工程において、第2凹部62bを形成する工程を廃止する。
次に、本発明の第3実施形態を図19〜図21を参照して説明する。図19は、第3実施形態に係るセンサチップ70の断面図である。図20(A)〜(C)および図21(D)〜(F)は、第3実施形態におけるセンサチップ70の製造方法の工程を示す説明図である。
まず、図20(A)に示すように、上記第2実施形態と同様に、第1のシリコン基板61を用意し、この第1のシリコン基板61の一側面61aに、各歪みゲージ44、各第1配線部45および回路部64を形成する。そして、絶縁層43に形成されるコンタクトホール65aを介して回路部64からの信号を取り出すための第3配線部65を一側面61a上に形成する。
次に、本発明の第4実施形態を図22〜図25を参照して説明する。図22は、第4実施形態に係るセンサチップ80の断面図である。図23(A)〜(D)および図24(E)〜(G)は、第4実施形態におけるセンサチップ80の製造方法の工程を示す説明図である。図25は、第2封止部87と第2支持部88との配置関係を説明するための概念図である。
まず、図23(A)に示すように、例えば、(110)面方位のn型単結晶シリコンからなる第1のシリコン基板81を用意する。そして、この第1のシリコン基板81の一側面81aに各歪みゲージ44および各第1配線部45を形成する。
これにより、図22に示すセンサチップ80が複数完成する。
上述した第4実施形態において、第1支持部85および第2支持部88は、第1封止部84および第2封止部87を囲むように環状に形成されてもよい(図26参照)。これにより、圧力基準室47の気密性をより高めることができる。
次に、本発明の第5実施形態を図27を参照して説明する。図27は、第5実施形態に係るセンサチップ90を示す説明図であり、図27(A)は、センサチップ90の平面図であり、図27(B)は、図27(A)に示す27B−27B線相当の切断面による断面図であり、図27(C)は、センサチップ90を長手方向他端側から見た側面図である。
次に、本発明の第6実施形態を図28を参照して説明する。図28は、第6実施形態に係るセンサチップ100を示す説明図であり、図28(A)は、センサチップ100の平面図であり、図28(B)は、図28(A)に示す28B−28B線相当の切断面による断面図であり、図28(C)は、図28(A)に示す28C−28C線相当の切断面による断面図であり、図28(D)は、センサチップ100を長手方向他端側から見た側面図である。
次に、本発明の第7実施形態を図29〜図32を参照して説明する。図29は、本第7実施形態に係るセンサチップ110を採用する圧力センサ10aの全体概略断面図である。図30は、第7実施形態に係るセンサチップ110の概念図である。図31は、図29のセンサチップ110の詳細断面図である。図32は、第7実施形態に係る複数のセンサチップ110が1枚のウエハに形成された状態を示す平面図である。
図31に示すように、センサチップ110は、上述した第2のシリコン基板62と第1のシリコン基板111とを低融点ガラス層63を介して貼り合せて構成されている。第1のシリコン基板111は、上述した各歪みゲージ44、各第1配線部45や回路部64が形成されるとともに、長手方向一端側に圧力媒体の温度を検出可能な温度検出部112が公知の半導体プロセスにより形成されている。この温度検出部112は、配線部113等を介して回路部64に電気的に接続されている。
図33に示すように、センサチップ110aにおいて、温度検出部112を保護するように第2のシリコン基板62と第1のシリコン基板111とを貼り合わせてもよい。これにより、温度検出部112が形成される第1のシリコン基板111の部位の強度を向上させることができる。
次に、本発明の第8実施形態を図34〜図35を参照して説明する。図34は、第8実施形態に係るセンサチップ110の概念図である。
上記第1実施形態において、薄肉部46および歪みゲージ44が同一の基板(第1のシリコン基板101)に形成されていた。しかし、図34に示すように、本第8実施形態に係るセンサチップ110は、歪みゲージ44がSOI層200に形成されている点で、第1実施形態と異なる。また、本第8実施形態では、SOI層200に、互いが絶縁体分離トレンチで区画された複数の素子形成領域が設けられており、各素子形成領域にはトランジスタなどの回路が形成されている点で、前述の各実施形態と異なる。したがって、前述の各実施形態と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
まず、図35(A)に示すように、第1のシリコン基板101とSOI層200との間に絶縁層43が配置された所謂SOI基板を準備する。そして、このSOI基板のSOI層200に絶縁体分離トレンチ202を形成し、さらに区画された素子形成領域に歪みゲージ44、温度検出部112、回路部64を不純物拡散などにより形成する。そして、素子形成領域の上面に絶縁層43を形成した後、該当箇所にコンタクトホール65a等を開け、配線部113、第3配線部65、第2配線部48、電極49を形成することで、歪みゲージ44や温度検出部112を回路部64と導通させるとともに、回路部64を電極49と導通させる。その後、素子形成領域上の絶縁層43及び配線部113、第3配線部65、第2配線部48の上にパッシベーション層203を形成する。
次に、本発明の第9実施形態を図37〜図38を参照して説明する。図37は、第9実施形態に係るセンサチップ110の概念図である。
前述第2実施形態の図15に示した第1のシリコン基板61が、本実施形態9ではSOI層200となっている点で第2実施形態と異なる。したがって、前述の各実施形態と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
まず、図38(A)に示すように、埋込絶縁層201を介して支持基板206とSOI層200とが接合されたSOI基板を準備する。そして、このSOI基板のSOI層200に絶縁体分離トレンチ202を形成し、さらに区画された素子形成領域に歪みゲージ44、温度検出部112、回路部64を不純物拡散などにより形成する。そして、素子形成領域の上面に絶縁層43を形成した後、該当箇所にコンタクトホールを開け、配線部113および第3配線部65等を形成することで、歪みゲージ44や温度検出部112等を回路部64と導通させる。さらに、歪みゲージ44が配置されている領域を除いて、回路部64や配線を覆うように、低融点ガラス63を塗布する。
まず、図40(A)に示すように、前述した図38(A)の工程と同等の工程を行い、SOI層200に温度検出部112、歪みゲージ44、回路部64、配線を形成する。その後、図38(A)の工程とは異なり、温度検出部112、歪みゲージ44、回路部64、配線の上に、パッシベーション層203を形成する。そして、パッシベーション層203をCMPなどの方法で平坦化する。
11…ケース
20…コネクタケース
24…リード
26…ボンディングワイヤ(配線部材)
30…ハウジング
31…圧力導入通路
40,40b,40c,60,60b,70,80…センサチップ
40a,60a,70a,80a…センシング部
41,61,81…第1のシリコン基板(第1の基板)
41a,61a,81a…一側面
41b…他側面
41c…第1凹部
41d…段差部
41e,62d,72d,82d…端面
42,62,72,82…第2のシリコン基板(第2の基板)
42a,62a,72a,82a…一側面
42b,62b,72b,82b…第2凹部
42c,62c,72c,82c…第3凹部
43…絶縁層
44…歪みゲージ(圧力検出部)
45…第1配線部
46…薄肉部,ダイアフラム
47…圧力基準室
48…第2配線部
49…電極
50…接着剤(封止部材)
63…低融点ガラス層,低融点ガラス
64…回路部
83,86…導通部
84,87…封止部
85,88…支持部
112…温度検出部
200…SOI層
201…埋込絶縁層
202…絶縁体分離トレンチ
203…パッシベーション層
204…緩衝部
205…スリット
206…支持基板
207…ガラス逃げ通路
208…ガラス溜まり
209…残し部
210…外周部
Claims (13)
- 圧力媒体の圧力を検出可能なセンシング部が長手方向一端側に形成されるセンサチップであって、
圧力検出部が形成されてダイアフラムとして機能する薄肉部を有する第1の基板と凹部が形成される第2の基板とを備えており、
前記センシング部は、前記薄肉部および前記凹部を近接させるように前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせることで前記薄肉部および前記凹部により密閉されて形成される圧力基準室を備えるとともに、この圧力基準室の基準圧力と前記圧力媒体の圧力との圧力差に基づく前記ダイアフラムの変位に応じた信号が前記圧力検出部から出力されるように構成され、
前記センサチップの長手方向他端側であって当該長手方向に交差する端面には、前記センシング部からの信号を出力するための電極が形成されることを特徴とするセンサチップ。 - 前記電極が形成される前記端面は、前記長手方向に対して直交するように形成されることを特徴とする請求項1に記載のセンサチップ。
- 前記電極が形成される前記端面は、前記長手方向に対して所定の傾斜角度を有するようにテーパ状に形成されることを特徴とする請求項1に記載のセンサチップ。
- 前記圧力媒体の温度を検出可能な温度検出部を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のセンサチップ。
- 圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部を備えるセンシング部が長手方向一端側に形成されるとともに、前記センシング部からの信号を出力するための電極が長手方向他端側に形成されるセンサチップの製造方法であって、
前記圧力検出部とこの圧力検出部から信号を取り出すための第1配線部とを第1の基板の一側面に形成する第1工程と、
前記第1の基板の前記第1配線部近傍であって前記圧力検出部から長手方向に離間する部位に前記一側面から他側面に向けて段差部を形成する第2工程と、
前記第1配線部に電気的に接続されるとともに前記段差部の表面のうち少なくとも前記第1配線部に近接する端面に配置されて前記電極を構成するための第2配線部を形成する第3工程と、
前記第1の基板のうち少なくとも前記圧力検出部近傍の厚さを薄くすることにより前記ダイアフラムとして機能する薄肉部を形成する第4工程と、
第2の基板の一側面に凹部を形成する第5工程と、
前記薄肉部と前記凹部とを近接させるように前記第1の基板の前記一側面と前記第2の基板の前記一側面とを貼り合わせることにより前記薄肉部と前記凹部とでもって前記圧力基準室を形成する第6工程と、
を備えることを特徴とするセンサチップの製造方法。 - 前記第3工程は、前記電極が前記段差部の前記表面のうち前記第1配線部に近接する端面のみに配置されるように前記第2配線部を形成することを特徴とする請求項5に記載のセンサチップの製造方法。
- 前記第2工程は、前記段差部の前記表面のうち前記第1配線部に近接する端面を、当該第1の基板の前記一側面から前記他側面に向けて前記第1配線部に対して徐々に離間するように傾斜させて形成することを特徴とする請求項5または6に記載のセンサチップの製造方法。
- 圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部を備えるセンシング部が長手方向一端側に形成されるとともに、前記センシング部からの信号を出力するための電極が長手方向他端側に形成されるセンサチップの製造方法であって、
前記圧力検出部とこの圧力検出部から信号を取り出すための第1配線部とを第1の基板の一側面に形成する第1工程と、
前記第1の基板のうち少なくとも前記圧力検出部近傍の厚さを薄くすることにより前記ダイアフラムとして機能する薄肉部を形成する第2工程と、
凹部を第2の基板の一側面に形成するとともにこの一側面に対して交差する端面を当該第2の基板に前記凹部から長手方向に離間させて形成する第3工程と、
前記薄肉部と前記凹部とを近接させるように前記第1の基板の前記一側面と前記第2の基板の前記一側面とを貼り合わせることにより前記薄肉部と前記凹部とでもって前記圧力基準室を形成する第4工程と、
前記第1配線部に電気的に接続されるとともに前記端面に配置されて前記電極を構成するための第2配線部を形成する第5工程と、
を備えることを特徴とするセンサチップの製造方法。 - 前記第3工程は、前記凹部を形成することなく前記端面を前記第2の基板に形成し、
前記第4工程は、前記薄肉部近傍を除くように設けられる接着層を介して前記第1の基板の前記一側面と前記第2の基板の前記一側面とを貼り合わせることにより前記薄肉部と前記第2の基板の前記一側面と前記接着層とでもって前記圧力基準室を形成することを特徴とする請求項8に記載のセンサチップの製造方法。 - 圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部を備えるセンシング部が長手方向一端側に形成されるとともに、前記センシング部からの信号を出力するための電極が長手方向他端側に形成されるセンサチップの製造方法であって、
圧力検出部とこの圧力検出部から信号を取り出すための第1配線部とを第1の基板の一側面に形成する第1工程と、
前記第1の基板のうち少なくとも前記圧力検出部近傍の厚さを薄くすることにより前記ダイアフラムとして機能する薄肉部を形成する第2工程と、
凹部を第2の基板の一側面に形成する第3工程と、
前記薄肉部と前記凹部とを近接させるように前記第1の基板の前記一側面と前記第2の基板の前記一側面とを貼り合わせることにより前記薄肉部と前記凹部とでもって前記圧力基準室を形成する第4工程と、
前記第2の基板において前記凹部から離間する端面を、前記第1配線部の一部を露出させるように除去するとともに前記一側面に対して交差するように傾斜させて形成する第5工程と、
前記第1配線部に電気的に接続されるとともに前記端面に配置されて前記電極を構成するための第2配線部を形成する第6工程と、
を備えることを特徴とするセンサチップの製造方法。 - 圧力媒体の圧力と密閉される圧力基準室の基準圧力との圧力差に基づくダイアフラムの変位に応じた信号を出力可能な圧力検出部を備えるセンシング部が長手方向一端側に形成されるとともに、前記センシング部からの信号を出力するための電極が長手方向他端側に形成されるセンサチップの製造方法であって、
前記圧力検出部とこの圧力検出部から信号を取り出すための第1配線部とを第1の基板の一側面に形成する第1工程と、
前記第1の基板の前記一側面に絶縁層を形成するとともにこの絶縁層上に前記第1配線部に導通する第1導通部と前記圧力検出部を囲む環状の第1封止部とを同一の厚さで同質の導電材料にて形成する第2工程と、
前記第1の基板のうち少なくとも前記圧力検出部近傍の厚さを薄くすることにより前記ダイアフラムとして機能する薄肉部を形成する第3工程と、
凹部と前記圧力検出部からの信号を処理可能な回路部とを第2の基板の一側面に形成するとともに当該一側面に対して交差する端面を前記回路部近傍に形成する第4工程と、
前記第2の基板の前記一側面に絶縁層を形成し、この絶縁層上に前記第1導通部を介して前記第1配線部および前記回路部を電気的に接続するための第2導通部と前記凹部の周囲であって前記第1封止部に対向する環状の第2封止部とを同一の厚さで前記第1封止部と同質の導電材料にて形成するとともに、前記回路部に電気的に接続されて前記端面に配置されて前記電極を構成するための第2配線部を形成する第5工程と、
前記薄肉部および前記凹部を近接させるように前記第1導通部および前記第2導通部と前記第1封止部および前記第2封止部とをそれぞれ融着させることにより前記圧力検出部と前記回路部とを電気的に接続するとともに前記薄肉部と前記凹部と前記両封止部とでもって前記圧力基準室を形成する第6工程と、
を備えることを特徴とするセンサチップの製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のセンサチップ又は請求項5〜11のいずれか一項に記載のセンサチップの製造方法にて製造されるセンサチップと、
前記圧力媒体を導入するための圧力導入通路が形成されるケースと、
前記センサチップのうち前記センシング部を含む長手方向一端側のみが前記圧力導入通路に露出するように前記センサチップと前記ケースとの間に介在する封止部材と、
前記センサチップの長手方向他端側の前記端面に形成される前記電極に配線部材を介して電気的に接続されて当該電極を介して前記センシング部からの信号を取り出すためのリードと、
を備えることを特徴とする圧力センサ。 - 前記ケースは、前記センサチップの前記長手方向一端側であって前記センシング部から離間する部位に前記封止部材を介して近接するように形成されることを特徴とする請求項12に記載の圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008330070A JP5200919B2 (ja) | 2008-12-25 | 2008-12-25 | センサチップおよびその製造方法並びに圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008330070A JP5200919B2 (ja) | 2008-12-25 | 2008-12-25 | センサチップおよびその製造方法並びに圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010151614A true JP2010151614A (ja) | 2010-07-08 |
JP5200919B2 JP5200919B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=42570885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008330070A Expired - Fee Related JP5200919B2 (ja) | 2008-12-25 | 2008-12-25 | センサチップおよびその製造方法並びに圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5200919B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013193422A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Ricoh Co Ltd | 板状部材の製造方法、液滴吐出ヘッド及び画像形成装置 |
JP2015129643A (ja) * | 2014-01-06 | 2015-07-16 | アルプス電気株式会社 | Memsセンサ |
WO2019159837A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 慣性力センサ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6064837B2 (ja) * | 2013-08-22 | 2017-01-25 | 株式会社デンソー | センサチップおよびその製造方法並びに圧力センサ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5462675U (ja) * | 1977-10-12 | 1979-05-02 | ||
JPH02138776A (ja) * | 1988-08-07 | 1990-05-28 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体圧力センサ |
JPH10321874A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Nippon Seiki Co Ltd | 半導体式圧力センサ及びその製造方法 |
JP2007057455A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |
JP2008002994A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Denso Corp | 半導体式圧力センサおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-12-25 JP JP2008330070A patent/JP5200919B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5462675U (ja) * | 1977-10-12 | 1979-05-02 | ||
JPH02138776A (ja) * | 1988-08-07 | 1990-05-28 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体圧力センサ |
JPH10321874A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Nippon Seiki Co Ltd | 半導体式圧力センサ及びその製造方法 |
JP2007057455A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |
JP2008002994A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Denso Corp | 半導体式圧力センサおよびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013193422A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Ricoh Co Ltd | 板状部材の製造方法、液滴吐出ヘッド及び画像形成装置 |
JP2015129643A (ja) * | 2014-01-06 | 2015-07-16 | アルプス電気株式会社 | Memsセンサ |
WO2019159837A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 慣性力センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5200919B2 (ja) | 2013-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8714021B2 (en) | Catheter die and method of fabricating the same | |
EP2047224B1 (en) | Pressure sensor and manufacturing method thereof | |
US7382599B2 (en) | Capacitive pressure sensor | |
JP5342236B2 (ja) | 圧力センサ及び製造方法 | |
US7644623B2 (en) | Semiconductor sensor for measuring a physical quantity and method of manufacturing the same | |
JP4337656B2 (ja) | 圧力センサ | |
US20110147859A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
EP2871456A1 (en) | Pressure sensor | |
US6688181B1 (en) | Membrane pressure sensor comprising silicon carbide and method for making same | |
JP2007335857A (ja) | 室を有する圧力センサおよびその製造方法 | |
US7191659B2 (en) | Sealed diaphragm pressure sensor | |
JP5200919B2 (ja) | センサチップおよびその製造方法並びに圧力センサ | |
JP2007240250A (ja) | 圧力センサ、圧力センサパッケージ、圧力センサモジュール、及び電子部品 | |
EP2725334A1 (en) | A pressure sensor having a membrane and a method for fabricating the same | |
JP2008082952A (ja) | 半導体感歪センサ | |
JP5494741B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP2010190819A (ja) | センサ装置 | |
JP2014102225A (ja) | 物理量センサおよびその製造方法 | |
JP5251498B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP5200947B2 (ja) | センサ装置の製造方法およびセンサ装置 | |
JP7343343B2 (ja) | センサチップ | |
JP5200951B2 (ja) | 圧力センサおよびその製造方法 | |
JP5067360B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP6642036B2 (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP5070967B2 (ja) | 圧力センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130128 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5200919 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |