JP2023033331A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7507620B2 (ja) * 2020-07-02 2024-06-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009064A (ja) * 2000-06-21 2002-01-11 Hitachi Ltd 試料の処理装置及び試料の処理方法
JP2003197609A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の監視方法及びプラズマ処理装置
JP2004247526A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及び方法
JP5183058B2 (ja) * 2006-07-20 2013-04-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 急速温度勾配コントロールによる基板処理
JP5203612B2 (ja) * 2007-01-17 2013-06-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR100978886B1 (ko) * 2007-02-13 2010-08-31 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치
JP2009087790A (ja) 2007-09-29 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 電子密度測定装置及び電子密度測定方法並びに記憶媒体
JP2009194032A (ja) 2008-02-12 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ測定方法及びプラズマ測定装置並びに記憶媒体
JP5433171B2 (ja) * 2008-06-16 2014-03-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料温度の制御方法
JP5059792B2 (ja) * 2009-01-26 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5237151B2 (ja) * 2009-02-23 2013-07-17 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置の基板支持台
JP6066728B2 (ja) * 2009-12-15 2017-01-25 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｃｄの均一性を向上させるための基板温度調整を行う方法及びプラズマエッチングシステム
US8847159B2 (en) 2011-03-28 2014-09-30 Tokyo Electron Limited Ion energy analyzer
US9263240B2 (en) * 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
US10049948B2 (en) * 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
JP6030994B2 (ja) * 2013-05-15 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP6180924B2 (ja) * 2013-12-26 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 熱流束測定方法、基板処理システム及び熱流束測定用部材
US10141166B2 (en) * 2014-08-15 2018-11-27 Applied Materials, Inc. Method of real time in-situ chamber condition monitoring using sensors and RF communication
JP2015092580A (ja) * 2014-11-28 2015-05-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料の温度を制御する温度制御装置、試料を載置する試料台及びこれらを備えたプラズマ処理装置
JP6361495B2 (ja) * 2014-12-22 2018-07-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6452449B2 (ja) * 2015-01-06 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
JP6525751B2 (ja) * 2015-06-11 2019-06-05 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法及びプラズマ処理装置
JP6570894B2 (ja) * 2015-06-24 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法
US10522377B2 (en) * 2016-07-01 2019-12-31 Lam Research Corporation System and method for substrate support feed-forward temperature control based on RF power
JP7068971B2 (ja) * 2017-11-16 2022-05-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム
US11236422B2 (en) * 2017-11-17 2022-02-01 Lam Research Corporation Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability

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