JP4634197B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置、半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
2 載置台
3 ウェーハ
4 温度測定用放射温度計
7 AD変換器
8,8a マイクロコンピュータ
9 DA変換器
10 設定値
11a,11b 乗算演算処理部
101,201,301 Probe
102,202,302 AD
103,203,303 PID
104,204,304,404 BIAS
105,205,305,405 DA
106,206,306,406 SCR
107,207,307,407 ゾーン
Claims (2)
- 基板を処理する処理室と、複数のゾーンに分割して配置された複数の加熱体によって前記処理室内を加熱する加熱手段と、前記複数のゾーンの各ゾーンに対向するように配置された複数の温度検出手段と、前記複数のゾーンのうち第1のゾーンに含まれる加熱体に対して、あらかじめ設定した目標温度となるように、前記第1のゾーンに対向する第1の温度検出手段の検出値に基づいて演算を行って第1の操作量を求め、該第1の操作量に応じて前記第1のゾーンに含まれる加熱体の加熱制御を行う第1の制御手段と、前記複数のゾーンのうち第2のゾーンに対向する第2の温度検出手段の検出値に基づいて演算を行って操作比率を求め、前記第1の操作量に前記操作比率を乗算することにより第2の操作量を算出し、該第2の操作量に応じて前記第2のゾーンに含まれる加熱体の加熱制御を行う第2の制御手段とを備えてなることを特徴とする基板処理装置。
- 基板を処理する処理室と、処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、処理室内を排気する排気手段と、複数のゾーンに区分けされ配置された複数の加熱体によって処理室内を加熱する加熱手段と、複数のゾーンのそれぞれのゾーンに対向するよう配置された複数の温度検出手段とを備えた基板処理装置を用いて基板を処理する半導体装置の製造方法において、複数のゾーンのうちの所定のゾーンに含まれる加熱体に対して、あらかじめ設定した目標温度となるように所定のゾーンに対向する第1の温度検出手段の検出値に基づいて演算して第1の操作量を求め、第1の操作量に応じて電力量の制御を行う工程と、複数のゾーンのうちのその他の各ゾーンそれぞれに対向する第2の温度検出手段の検出値に基づいて演算して操作比率を求める工程と、第1の操作量に操作比率を乗算することによりその他の各ゾーンそれぞれの第2の操作量を求め、第2の操作量に応じて電力量を制御する工程と、処理室にガスを供給しつつ排気して基板を処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。
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