JP2022546224A - 基板の化学処理用のモジュール - Google Patents

Abstract

本発明は、基板の化学処理用のモジュール、基板を化学処理する方法、及び基板、特に大型基板の化学処理用のモジュールの使用に関する。基板の化学処理用のモジュールは、浸漬チャンバ、スプレーユニット、及び運動ユニット（１４）を備える。浸漬チャンバは、第１の液体及び基板を収容して基板を液体に浸漬させるよう構成される。スプレーユニットは、浸漬チャンバ内に第２の液体を噴霧するよう構成された複数のスプレーノズルを含む。運動ユニットは、基板とスプレーユニットとを相対運動させるよう構成される。

Description

本発明は、基板の化学処理用のモジュール、基板を化学処理する方法、及び基板、特に大型基板の化学処理用のモジュールの使用に関する。

主に基板の薬液処理用の多目的用又はいわゆる「オールインワン」プロセスチャンバは、同じプロセスチャンバ内でさまざまなプロセス技術（例えば、リンス及び乾燥機能と組み合わせた液体噴霧及び浸漬型処理）の適用を可能にするはずである。これらのプロセスチャンバでは、被処理基板をチャンバからチャンバへ移動させる必要なく優れた基板処理結果を達成できるはずである。しかしながら、このような多目的用のチャンバの実現は大きな問題を呈し、これが現在に至るまでその導入を妨げてきた。問題／難題の顕著な例は以下の通りである。
（１）個々の処理ステップ毎に化学品を効率的に分離できないことにより、薬液ドレン内の望ましくない薬液混合が生じる。
（２）化学品の一部又は全部の再使用のための薬液回収が不十分なことで、非常に多い薬液消費及びこれに伴う機器にとって非常に高いＣｏＣ（消耗品費）につながる。
（３）リンス能力が不十分且つ無効である（チャンバ内の複雑な機械的設計及び実装が、薬液残渣から効果的にリンスし難い場所を発生させ且つ高いＤＩ（脱イオン）水消費（高ＣｏＣ）につながる）ことにより、プロセスチャンバ内の薬液残渣を通した化学的交差汚染が起こる。
（４）排気システムの複雑性により、化学的交差汚染が生じ、機器の至る所で残渣及び塩析出物が形成される可能性がある（特に、酸性及び塩基性等の後続の処理ステップ中の不適合薬液の使用時）。特に排気管内の塩析出物は、潜在的に安全でない状況及び基板の望ましくない汚染につながっている。プロセスフローにおける溶媒塗布（可燃性又は不燃性溶媒）の実施時にもさらなる問題がある。
（５）不十分且つ基板を汚染する可能性があると共に非常に低速の乾燥プロセスにより、歩留まりが低下し、且つプロセス時間が非常に長く時間当たりの基板処理量が低くなる（高ＣｏＣ、所有費）。
（６）チャンバ及び気流設計並びにチャンバ及び基板サイズに起因した、化学品に対する不均一な温度分布及び冷却効果。

これらの制限を克服するために提案されたシステムは、これまでいくつかあったが、従来技術のいずれも成功していない。

したがって、優れた基板処理結果を得るために単一の処理ユニット内で種々のプロセス技術の適用を可能にする、改良された基板の化学処理用のモジュールを提供する必要がある。

この課題は、独立請求項の主題により解決され、さらに他の実施形態は従属請求項に組み込まれる。以下に記載する本発明の態様が、基板の化学処理用のモジュール、基板を化学処理する方法、及び基板の化学処理用のモジュールの使用にも当てはまることに留意されたい。

本発明によれば、基板の化学処理用のモジュールが提示される。基板の化学処理用のモジュールは、浸漬チャンバと、スプレーユニットと、運動ユニットとを備える。

浸漬チャンバは、第１の液体及び基板を収容して、基板を液体に浸漬させるよう構成される。スプレーユニットは、浸漬チャンバ内に第２の液体を噴霧するよう構成された複数のスプレーノズルを含む。第１及び第２の液体は同じであっても異なっていてもよい。運動ユニットは、基板とスプレーユニットとを相対運動させるよう構成される。

結果として、さまざまなプロセス技術を統合し組み合わせることができる液体処理用の「オールインワン」多目的用のモジュール又はプロセスチャンバが提供される。例えば、同じチャンバ内での浸漬型処理、液体噴霧処理（順次又は同時／並行）、及び場合によっては超音波攪拌の適用が可能である。さらに、異なる処理容器間で基板を移動させる必要なく効率的且つ効果的なリンス及び乾燥が達成される。「オールインワン」多目的用のモジュールは、費用を抑えつつ多くの手順を加速させると同時に製品品質を向上させることができる。さらに、チャンバの機械的変更を必要とすることなく、多くの異なる基板サイズを処理することができる。

スプレーユニットのスプレーノズルは、第２の液体が基板の厚さ方向に、つまり基板の厚さ方向で基板の略正面に噴霧されるように配置されることが好ましい。特に、スプレーノズルは、被処理基板表面に対して略垂直又は法線方向に第２の液体を噴霧するよう構成される。「略垂直」は、基板と平行ではなく、好ましくは基板の表面に対して７０°～１１０°の範囲の液体の噴霧であると理解され得る。したがって、基板上の死角又は流れ交点が低減又は防止されることにより、基板の表面上の第２の液体の均一な分布が改善される。横からの、すなわち基板と平行な液体の噴霧と比べて、略垂直なスプレーは、被処理基板表面に対する薬液スプレーの衝撃エネルギーを大幅に増加させる。したがって、境界層厚の大幅な低減が達成される。つまり、表面に接触する第１の薬液の高粘度層の厚さを大幅に低減可能である。境界層厚の低減により、例えばこの粘性境界層に埋め込まれた粒子の除去をより容易にすることができる。薬液スプレーが表面に略垂直方向に向けられた場合、境界層を薄くすることでより速い化学交換が得られ、つまり第２の薬液及び第１の薬液の混合が大幅に速くなり得る。

概して、表面に向けたスプレー量及びスプレーエネルギーの選択による衝撃エネルギーの調整により、境界層厚を調整することができる。場合によっては、例えば境界層内に埋め込まれている粒子が大きく、非常に小さく脆弱な構造を有する表面に境界層が形成されている場合、境界層厚をごく僅かに減らすことが有利であろう。このように、大きい粒子を第２の液体の著しく高い衝撃エネルギーにより除去できると同時に、第１の薬液の依然として十分に厚い粘性境界層により脆弱構造が保護される。他の場合には、かなり大きくさほど敏感でない装置構造が基板表面上にあるまま、境界層内に埋め込まれた非常に小さい粒子を除去する必要があり得る。この場合、極めて高い衝撃エネルギーを有する略垂直の薬液スプレーが、このような粒子の除去に適当であろう。例えば両方の薬液の低速混合しか必要ない場合、又は例えば基板の表面上の第１の薬液と１つ又は複数の材料との間の化学反応を非常に急速に減速又は停止させるために高速の化学クエンチが必要な場合の、第１の薬液と第２の薬液との交換又は混合にも同じことが当てはまる。

複合化学（液体、蒸気、ガス）・物理（攪拌及び基板とスプレーユニットとの間の移動）システムの実装により、基板を化学処理する多くの手順を改善することができる。例えば、（１）フォトレジスト現像、（２）エッチング、及び（３）フォトレジスト除去というこれまで統合可能でなかった処理ステップを１つのチャンバ内で組み合わせることが可能となる。特に、フォトレジスト除去は、下地層の大きな材料損失なく改善し加速させることができる。

本モジュールは、基板ホルダに保持され得る少なくとも１つの基板を化学処理するよう構成される。基板は片面又は両面を処理され得る。基板ホルダは、２つの基板を保持することもでき、続いてそれらを本発明によるモジュールにより同時に処理することができる。

一実施形態において、基板の化学処理用のモジュールは、浸漬チャンバ内で第１の液体を攪拌する超音波を供給するよう構成された超音波ユニット又は音響攪拌ユニットをさらに備える。用語「超音波」は、ｋＨｚ～より低いＭＨｚ範囲の周波数範囲を表すものと理解され得る。超音波範囲は、１０ｋＨｚ～１００ＭＨｚ、好ましくは８０ｋＨｚ～１０ＭＨｚ、より好ましくは９００ｋＨｚ～３ＭＨｚを含み得る。

超音波ユニット又は音響攪拌ユニットは、１つのトランスデューサ、例えばフルエリアトランスデューサ、又は複数のより小さなトランスデューサを含み得る。２つ又は３つ又は４つの超音波ユニットがある場合もある。これらは、浸漬チャンバの２つ又は３つ又は４つの外面に分散され得る。当然ながら、より多くの数も可能である。トランスデューサ（単数又は複数）は、浸漬チャンバに直接又はトランスデューサプレート等により間接的に接続され取り付けられ得る。

一実施形態において、超音波ユニットは、浸漬チャンバの外面に配置される。換言すれば、超音波ユニットは、スプレーユニットのノズルバー又はスプレーバーからノズルバー又はスプレーバー間の開放空間を通して音響伝播を達成できるように、浸漬チャンバの外部に装着することができる。当然ながら、浸漬チャンバの内面への取付けも可能である。別の実施形態において、超音波ユニット及びスプレーユニットは、浸漬チャンバに対して移動するよう構成された着脱可能なプレート要素に少なくとも部分的に配置される。例えば、いくつかの超音波トランスデューサ及びいくつかのスプレーノズルをプレート要素に配置することができ、プレート要素は浸漬チャンバ壁とは別体である。プレート要素は、浸漬チャンバ内で可動且つ浸漬チャンバの内外にも可動とすることができる。いずれの場合も、超音波ユニットは、隣接するスプレーバー間に配置された複数の超音波トランスデューサを含み得る。

運動ユニットは、基板とスプレーユニットとを相対運動させるよう構成される。したがって、運動ユニットは、基板（場合によっては基板ホルダを含む）を移動させ且つ／又はスプレーユニット、特にスプレーノズル及び／又はスプレーバーを移動させることができる。

一実施形態において、運動ユニットは、浸漬チャンバ及びスプレーユニットに対して基板を第１の方向に移動させるよう構成され、第１の方向は、浸漬チャンバに鉛直方向に出入りするＺ方向と理解され得る。一実施形態において、運動ユニットは、追加として又は代替として浸漬チャンバに対して基板を別の又は第２の方向に移動させるよう構成され、この方向は、第１の方向とは異なり特に第１の方向に対して垂直なＸ方向と理解され得る。第２の又はＸ方向は、基板の厚さ、塗布層の成長、及び基板の表側から裏側への方向に水平と理解され得る。一実施形態において、運動ユニットは、浸漬チャンバに対して基板をさらに別の又は第３の方向又はＹ方向に移動させるようさらに構成され、この方向は、第１の方向及び第２の方向に対して垂直である。第３の又はＹ方向は、基板の幅の方向に水平と理解され得る。Ｚ方向及び／又はＹ方向の基板又は基板ホルダの移動又は振とうによりさらに、浸漬チャンバ壁から例えばスプレーユニットのスプレーバーを通して基板への超音波放射のシャドーイング効果を減らす又はなくすことができ、基板表面にわたってスプレーが均等化される。基板から超音波放射源までの距離は、プロセスに適用される周波数範囲に応じて制御され得る。

スプレーユニットは、例えば基板を洗浄する液体を噴霧するよう構成された複数のスプレーノズルを含む。スプレーユニットが１つ又は２つしかない場合もある。より多数のスプレーユニットも可能である。

一実施形態において、スプレーノズルは、浸漬チャンバの壁に少なくとも部分的に配置される。換言すれば、スプレーノズルは、超音波振とうされることができる浸漬チャンバの壁に組み込まれ得る。

一実施形態において、スプレーユニットは、基板及び／又は浸漬チャンバの壁に対して非垂直に傾斜したスプレー方向に第２の液体を噴霧するよう構成される。浸漬チャンバの壁は、被処理基板と平行であり得る。スプレーユニット及び特にスプレーノズルは、浸漬チャンバの底部へ向けたスプレー方向に第２の液体を噴霧するよう構成され得る。好ましくは、スプレー方向は、基板及び／又は浸漬チャンバの壁に対して２０°～７０°の範囲で、より好ましくは基板又は壁に対して約４５°で傾斜する。スプレーユニット又はスプレーノズルは、Ｚ方向に（浸漬チャンバの出入方向に）傾斜し且つ／又はＹ方向に（基板の幅に沿って）角度が付いたスプレー方向に第２の液体を噴霧するよう構成され得る。Ｚ方向の傾斜は、処理後のスプレーノズルから重力排液により残留薬液を排出することをさらに可能にする。換言すれば、スプレーノズルは、下向きに約４５°傾斜し横に約２５°の角度が付いている場合もある。スプレーノズルは、傾斜付きで設置固定される場合もあり、又は傾斜角の変化を示すように運動ユニットより可動である場合もある。

一実施形態において、スプレーノズルは、チャンバ壁への組込みの代替として又は追加として、浸漬チャンバ内に配置されたスプレーバーに少なくとも部分的に配置される。用語「スプレーバー」は、スプレーノズルとして働く複数の開口を有する中空棒及び／又は棒の長手方向に沿って少なくとも部分的に延びる少なくとも１つのスリットを有する中空棒（スリットバー）と理解され得る。一実施形態において、運動ユニット又は別の装置は、スプレーバーの少なくともいくつかを基板又は浸漬チャンバの壁に対して移動させるよう構成される。スプレーバーの移動は、スプレーバーからの液体の排出を可能にするよう構成され得る。したがって、運動ユニットは、スプレーバーの少なくともいくつかを非水平位置に回転傾斜させるよう構成され得る。３６０°回転も可能である。続いて、特に例えば水での清浄化リンス前に、液体を例えば再循環タンク内に排出することができる。これは、化学品の一部又は全部の再使用のための薬液回収が不十分なことで、非常に多い薬液消費及びこれに伴う機器にとって非常に高いＣｏＣ（消耗品費）につながることになるのを回避するのに役立ち得る。

上述のように、運動ユニット又は別の装置は、スプレーバー又はスプレーノズルを基板又は浸漬チャンバの壁に対してスプレーバーの長手方向軸周りの回転運動で移動させることができる。運動ユニット又は別の装置は、追加として又は代替として、スプレーバー又はスプレーノズルを基板又は浸漬チャンバの壁に対してスプレーバーの長手方向軸に対して垂直な扇開運動で移動させることができる。これは、Ｙ方向（基板及び浸漬チャンバの幅）に沿って見た場合の左右運動及び／又はＺ方向（浸漬チャンバの出入方向）に沿って見た場合の上下移動と理解され得る。扇開運動範囲は、１０°～４０°、好ましくは２０°～３０°であり得る。回転運動及び扇開運動は、同時に又は交互に、つまり組み合わせて又は順に行うことができる。こうした運動により、処理の終了後にスプレーノズル下降位置で残留薬液をスプレーノズルから排出させることができ、つまり、例えばリンスプロセス前にスプレーバーを空にして薬液希釈及び廃棄物を減らすことができる。扇開運動の利点は、Ｙ方向に沿った基板ホルダ及び基板の移動又は振とうを低減又は完全に回避できることで、ハンドリングシステムにとって設計及び製造がより容易になることである。

傾斜位置へのスプレーノズル若しくはスプレーバーの傾斜又はスプレーノズル若しくはスプレーバーの運動により、例えば水での清浄化リンス前にスプレーバーから能率的に薬液を排出させることができる。傾斜を達成するための選択肢はいくつかある。例えば、スプレーノズルをスプレーバーに対して傾斜させる、又はスプレーノズルをチャンバ壁に対して傾斜させる、又はスプレーバーをチャンバ壁に対して傾斜させる等である。組み合わせも可能である。

一実施形態において、隣接する第１、第２、及び第３のスプレーノズルの列で、第１及び第３のスプレーノズルが相互に対して同様の方向に傾斜する一方で、第２のスプレーノズルは、第１及び第３のスプレーノズルとは異なる配置及び傾斜である。この状況では、スプレーノズル列は、Ｚ方向及び／又はＹ方向に沿って延び得る。換言すれば、傾斜又は向きが異なるスプレーノズルは、相互に上下に又は左右に配置されたノズルであり得る。

スプレーノズル配置が（浸漬チャンバ壁又はスプレーバーに配置された）複数列のスプレーノズルを含む場合、スプレーノズルは、水平及び垂直に整列し得る。代替として、スプレーノズルは、１つおきのスプレー列又はスプレーバーで垂直に整列する場合もある。隣接するスプレー列のスプレーノズル間に、例えば同じスプレー列の隣接するスプレーノズル間の距離の半分の変位がある場合もある。

スプレーユニット又はスプレーノズル若しくはスプレーバーは、浸漬チャンバ内に配置され得る。これらは、被処理基板に沿って延び得る。他方の「標準」スプレーノズル又はスプレーバー及び非処理基板の上方に延びる、追加の洗浄ユニット、バー、又はノズルがある場合もある。この追加の洗浄ユニット、バー、又はノズルは、下方の「標準」スプレーノズル又はスプレーバー及び基板を洗浄するよう構成され得る。したがって、追加の洗浄ユニット、バー、又はノズルは、浸漬チャンバの開口を向いたノズル列及び／又は他方の下方のスプレーノズル又はスプレーバーを向いたノズル列を設けることができ、且つ／又は上述のような扇開運動の能力を有することもできる。

基板の化学処理用のモジュールは、浸漬チャンバを高速充填するよう構成された高速充填入口又は弁をさらに備え得る。用語「高速」は、この状況では例えば液体２０リットルで１０秒未満と理解され得る。基板の化学処理用のモジュールは、代替として又は追加として、スプレーユニット及び特にスプレーバーにより充填され得る。

一実施形態において、基板の化学処理用のモジュールは、複数の弁を有する弁ユニットをさらに備える。各弁は、別個のタンク又はドレンに接続される。弁は、排液又は排気（スイッチ）用に構成され得る。弁ユニットは、プロセス均一性を高める急速排液用に構成される。急速は、この状況では例えば液体４０リットル～６０リットルで１０秒、５秒、又は３秒未満と理解され得る。弁ユニットは、個々の処理ステップ毎に化学品を効率的に分離できないことにより生じ得る薬液ドレン内の望ましくない薬液混合を回避するのに役立つ。弁ユニットは、排液制御用の弁ブロック、特にいわゆるクイックダンプリンス（ＱＤＲ）弁ブロックであり得る。

弁ユニット又は弁は、浸漬チャンバの底部又は下端に配置され得る。チャンバ底部は、弁に向かって傾斜し得る。モジュール内の液体の最下点は、弁内にあり得る。結果として、重力排液が用いられ、排液速度を高めるための任意の吸引でさらに強化することができる。弁は１つ、２つ、又は３つある場合もある。より多数も可能である。概して、ｎを異なる使用液体の数として、少なくともｎ＋１個の弁があり得る。少なくともｎ＋２個又はｎ＋３個の弁がある場合もある。追加の弁（単数又は複数）は、例えば浸漬チャンバの側壁毎の排気弁（単数又は複数）であり得る。

一実施形態において、基板の化学処理用のモジュールは、排気ユニットをさらに備える。排気ユニットは、化学煙霧が処理チャンバの外部を、最悪の場合には製作レベルを汚染するのを回避するために、処理チャンバ外部から製作レベルの廃棄システムまで所定の気圧勾配を与えることにより、例えば基板乾燥中の効果的且つ効率的な排気流をもたらし得る。製作レベルは、１つ、複数、又は多数のツールを同時に作動させる環境と定義される。機器レベルで良好に機能する排気ユニットの結果として、潜在的に安全でない状況及び基板の汚染につながり得る機器内、特に機器レベルから製作レベルの排気システムに通じる排気管内の化学的交差汚染、薬液残渣、及び塩形成が回避される。排気ユニットは、１つ、２つ、少なくとも２つ以上の排気装置を含み得る。一例では、上部及び下部排気装置が設けられ、これらを動作モードに応じて用いることができる。浸漬モードでは、液面の真上又は上方に配置された上部排気装置が用いられる。上部排気装置は、浸漬チャンバの上領域の、好ましくはアイドル排気装置の真下の「総合」排気装置であり得る。スプレーモードでは、浸漬チャンバの底部に配置された底部排気装置が用いられ得ることが好ましい。

各排気装置、特に底部排気装置は、１つ又は複数の排気弁を含むことができる。少なくとも１つの排気弁を開閉することができ、又は換言すれば開状態と閉状態との間で切り替え可能とすることができる。異なり且つ不適合でもある薬液をオールインワンチャンバと共に用いることができるので、その場合、排気弁（単数又は複数）を例えば酸性、塩基性、及び中性媒体間で切り替えることができる。弁の少なくとも１つ又は全部を、二方弁又は三方弁又はそれらの組合せとすることができる。弁は、リンス可能、閉鎖可能、及び／又は通気性である。

排気ユニットは、液体又はガスでリンス、洗浄、又は充填可能な排気ラインも少なくとも含み得る。一例では、機器レベルと製作現場レベルとの間の切替点までの排気ラインを、例えば水で洗浄することができる。これは、排気ラインに水又はプロセスチャンバからの他の液体を充填すること、又は水又は他の液体を排気ライン内に噴霧すること等により行うことができる。２つ以上の排気ラインの場合、排気弁を異なる排気ラインに切り替えることができる。換言すれば、排気弁は、第１の排気ラインと第２の排気ラインとの間で切り替えられ得る。

洗浄水又は他の洗浄液を排気ラインから除去するために、排液ラインを１つ又は複数の排気ライン（の好ましくは最下点及び／又は最下共通点）に設けて接続することができる。排液ラインは、排液のオンオフを切り替えるよう構成された弁により切替え可能とすることができる。排気のオンオフを切り替えることができ、例えば酸性と塩基性との間で切り替えることができるので、製作レベルの排気ラインの負荷が大きく変わり得るが、これは他のシステム及びツールを含む製作レベルでの排気システムの全体的管理にとって問題となり得る。この状況を緩和するために、機器レベルの排気ユニットは、チャンバが排気を用いていない場合には開くことができ且つ／又は排気負荷に応じて機器レベルの排気調節システムにより調節することができるバイパスをさらに含み得る。

基板の化学処理用のモジュールは、モジュール及び排気ユニットの下側部分に配置された液体分離器をさらに備え得る。液体分離器は、好ましくはリンスユニットの必要さえなく、システム及び特に排気ユニットの目詰まりを回避するのを助けることができる。

一実施形態において、基板の化学処理用のモジュールは、排液・リンス・乾燥ユニットをさらに備える。排液・リンス・乾燥ユニットは、排液及び／又はリンス及び／又は乾燥用に構成されたユニットと理解され得る。換言すれば、全機能が設けられる必要はない。排液・リンス・乾燥ユニットは、例えばスプレーリンス、超音波攪拌あり／なしのオーバーフローリンス、スプレー及びオーバーフローリンスの組合せ、ウォーターフォールリンス、ウォーターフォール化学処理、ウォーターフォールクエンチ等による、異なる薬液の塗布間のリンス用に構成され得る。リンス・乾燥ユニットは、浸漬チャンバの２つの対向する側面に配置された４つの弁を含み得る。例えば、排液・リンス・乾燥ユニットは、追加として又は代替として基板のウォーターフォール化学処理に備えたものであり得る、つまり水又は薬液を基板の上から下まで重力の作用により流すようにし得る。排液・リンス・乾燥ユニットを用いて、化学反応をクエンチ又は停止することができる。

排液・リンス・乾燥ユニットは浸漬チャンバをリンス及び洗浄するようにも構成され得る。排液・リンス・乾燥ユニットの少なくとも一部を、浸漬チャンバの頂部又は上側部分及び／又はチャンバカバーユニットの頂部又は上側部分に配置して、浸漬チャンバ及び／又はチャンバカバーユニットの洗浄を可能にすることができる。換言すれば、カバーのリンスが可能であり、つまり最上部の又は追加のスプレー又はノズルバーが可動のカバー要素のリンス用に実装され得る。これは、上２つのスプレー又はノズルバーの下方の液面溢流部と共に両側指向のスプレー方向により行われる場合もある。換言すれば、カバーユニットのリンス用の最上スプレー又はノズルバーが、２つの異なるスプレー方向用に構成され得る。最上より１つ下の第２のスプレー又はノズルバーは、基板の方向に噴霧し得る。上２つのスプレー又はノズルバーは、代替として前述のような扇開運動の能力も有することができる。排液・リンス・乾燥ユニットにより提供される液体又はガスをガイドし且つ／又は流れを改善するよう構成された誘導板がある場合もある。排液・リンス・乾燥ユニットは、プロセスチャンバ内の薬液残渣を通した化学的交差汚染を回避するのに役立ち得る。これは、効率的且つ効果的なそのリンス能力により達成され、この能力は、従来は薬液残渣からリンスし難く、高いＤＩ（脱イオン）水消費及び高いＣｏＣにつながることになるチャンバ内の複雑な機械的設計にも対処し得る。

排液・リンス・乾燥ユニットは、浸漬チャンバ及び／又はスプレーユニットに液体及び／又はガスを吹き込み且つ／又は浸漬チャンバ及び／又はスプレーユニットから液体及び／又はガスを吸い出すようさらに構成され得る。排液・リンス・乾燥ユニットは、例えばスプレーバー及び／又はスプレーノズルからの液体のバックサクションを例えば可能にし得る。排液・リンス・乾燥ユニットは、追加として又は代替として、スプレーバー又は任意の種類のノズルチューブからの薬液の吹出しを可能にし得る。排液・リンス・乾燥ユニットは、バックサクション及び吹出しを同時に可能にもし得る。結果として、化学品の一部又は全部の再使用のための効率的な薬液回収が可能であり、つまり薬液消費が減りＣｏＣが低減する。

排液・リンス・乾燥ユニットはさらに、基板及び／又は基板ホルダの効率的且つ効果的な乾燥用に構成され得る。これは、基板及び／基板ホルダが浸漬チャンバの頂部の乾燥区域を（反復可能に）通過する間に上から下への層流により例えば行うことができる。層流は、エアナイフにより与えられるものと理解され得る。エアナイフは、異なる基板及び基板ホルダ形状毎に固定又は非固定／可動である場合もある。エアナイフは、空気とは異なるガスでのガスナイフとすることができる。乾燥中の排気最適化用にエアナイフの背後に追加の排気開口（単数又は複数）がある場合もある。さらに、乾燥のみのステップ中の排気用に浸漬チャンバの底側に２つの追加の弁が例えばある場合もある。これらの追加の弁は、他のプロセスステップ中に閉じることができる。結果として、不十分な乾燥プロセス及び／又は基板を汚染する可能性があり且つ／又は低速である乾燥プロセスが回避されることで、プロセス時間が短くなり時間当たりの基板処理量が高くなる。

一実施形態において、排液・リンス・乾燥ユニットは、浸漬チャンバ及び／又はスプレーユニットを通して吹き込まれるか又は吸い出される液体及び／又はガスを加熱又は冷却するよう構成された温度制御素子を含む。温度制御素子は、例えばプレリンス液を加熱してモジュール全体を実際の化学品の吐出前の温度にするよう構成され得る。温度制御素子は、例えばポストリンス液を加熱して異なるプロセスステップ間でのモジュール全体の冷却を回避するようにも構成され得る。温度制御素子は、チャンバ壁の少なくとも１つを加熱又は冷却するチャンバ加熱装置でもあり得る。結果として、温度制御素子は、基板表面、浸漬チャンバ、及び／又はスプレーユニット内に沿った不均一な温度分布を回避するのに役立つ。特に、温度制御素子は、チャンバ及び気流設計、チャンバ及び基板サイズに起因した化学品に対する冷却効果又は化学品による冷却効果又は化学品を介した冷却効果を回避するのに役立つ。

一実施形態において、基板の化学処理用のモジュールは、複数のカバー要素、好ましくは可動カバー要素、例えば４つのカバー要素を含むチャンバカバーユニットをさらに備える。カバー要素は、浸漬チャンバの開口を閉位置に閉じるよう構成される。カバー要素は、開口を通した移送時の基板を移送位置で密接に囲むようさらに構成される。カバー要素は、開口を開位置に開くようさらに構成される。つまり、カバー要素は横に動くか又は横にめくれて開口を開くことができる。

一実施形態において、チャンバカバーユニットは、開口を全開位置に全開するようさらに構成される。前述の標準「開」位置とは異なり、チャンバカバーユニットには、例えば浸漬チャンバの上角部における乱気流領域を回避するために、浸漬チャンバを完全に開く追加の自由度が「全開」位置用に与えられる。追加の自由度は、Ｙ方向の運動ユニット及びその基板ハンドリング／振とうにつながるＹ方向のカバー移動に加えて、浸漬チャンバの上部を完全に開くために運動ユニット及びその基板ハンドリング／振とうから独立したＸ方向及び／又はＹ方向の追加のカバー移動が可能であることを意味する。この全開位置は、乾燥、基板の出し入れ、保守、モジュールの保守及び修理等に特に好適である。

可動カバー要素は、浸漬チャンバに対して、相互に対して、且つ／又は浸漬チャンバ内に収容された基板に対して押し当たり得る。押圧力は、少なくともばね、空気圧シリンダ、油圧シリンダ等により加えることができる。可動カバー要素を基板に押し当てると、可動カバー要素と浸漬チャンバのリムとの間に隙間が空く場合もある。隙間は、機械的に閉じられるのではなく、浸漬チャンバの内部から外部への汚染ガス流を防止するためにシールエア又は別のシールガスの流れにより制御され得る。したがって、シールエア／ガス流は、浸漬チャンバの外部から内部へ向けられ得る。シールエア／ガス流は、３ｍ／ｓ～１０ｍ／ｓの範囲、好ましくは約５ｍ／ｓであり得る。可動カバー要素と浸漬チャンバのリムとの間の隙間を制御するための別の選択肢は、排気ユニットを対応して用いて、浸漬チャンバの外部から内部へシールエア／ガス流を供給して内部から外部への汚染ガス流を防止することである。

カバー要素は、浸漬チャンバ又は浸漬チャンバのリム若しくは接触面に対してシールされ得る。シールは、例えば少なくとも弾性リップ、ラビリンスシール等としてのシール要素により行うことができる。シールは、液密及び／又は気密であり得る。任意のシールを有するチャンバカバーユニットにより、環境に対する化学的汚染、特に浸漬チャンバの外部への薬液飛沫を減らす又はなくすことができる。

一実施形態において、チャンバカバーユニットは、基板とスプレーユニットとの間の相対運動を制御する運動ユニットから受け取った運動データに応じてチャンバカバー要素の移動を制御するよう構成された処理素子をさらに含む。換言すれば、カバーユニット又は要素（単数又は複数）は、基板運動システムと一体的に又は基板運動システムと共に例えばＸ方向及び／又はＹ方向に移動することができる。この相関的な移動は、機械的結合により、又は少なくとも例えばチャンバカバー要素を移動させる電気モータ等のモータ制御により伝送された運動データに基づき得る。

一実施形態において、基板の化学処理用のモジュールは、浸漬チャンバの少なくとも一部又は側部又は角部を持ち上げてスプレーユニットから液体を排出するよう構成された持上げユニットをさらに備える。浸漬チャンバの例えば片側を、Ｙ方向に数度持ち上げることができるので、液体又は薬液が重力により「当初」水平のチューブ又はバーから流出し、続いてこれらが非水平方向に傾けられる。結果として、浸漬チャンバを持ち上げる又は傾けることで、浸漬チャンバ、スプレーバー等から排液して薬液を節約することができる。したがって、化学品の一部又は全部の再使用のための薬液回収がさらにより効率化され、つまり薬液消費が減りＣｏＣが低減する。

一実施形態において、基板の化学処理用のモジュールは、複数のスプレーノズルのアレイを遮蔽するよう構成された遮蔽ユニットをさらに備える。遮蔽ユニットは、流体又はガス流を方向付けて、例えば特定の領域の保護、アクセス困難な領域のリンス、向けられた方向への排液等もできるようにする。

本発明によれば、基板を化学処理する方法も提示される。基板を化学処理する方法は、必ずしもこの順ではないが、
第１の液体及び基板を浸漬チャンバに挿入して、基板を液体に浸漬させるステップと、
第１の液体を浸漬チャンバから除去するステップと、
スプレーノズルを含むスプレーユニットにより浸漬チャンバ内に第２の液体を噴霧するステップと、
運動ユニットにより基板及び／又はスプレーユニットを相対移動させるステップと
を含む。

一実施形態において、基板を化学処理する方法は、第１の液体を攪拌する超音波を供給するステップをさらに含む。

一実施形態において、第２の液体を噴霧するステップは、基板を第１の液体に少なくとも部分的に浸漬させている間に行われる。つまり、浸漬及び噴霧は同時に行われ得る。噴霧は、第１の液体を浸漬チャンバから除去する前に行われてもよい。

一実施形態において、基板を化学処理する方法は、同じ基板の後続処理のための浸漬チャンバのリンス又は洗浄中に基板を浸漬チャンバから取り出すステップをさらに含む。さらに、基板が空の浸漬チャンバ内及び浸漬チャンバ外にあるか又は浸漬チャンバの開口を通過中に、基板のリンス及び／又は乾燥ステップも可能である。さらに、基板は、浸漬チャンバからの取出し中に散布を受け続ける場合もある。散布は、任意の液体で、特に液体を変更して、例えば最初に薬液、次に水で行われ得る。さらに、基板表面上での（例えば、液体変更時の）化学反応のクエンチ（停止）、基板の冷却又は加熱が可能である。

本発明によれば、上記基板の化学処理用のモジュールの使用も提示される。上記モジュールは、３００ｍｍ×３００ｍｍ以上の範囲の寸法を有する大型基板に特に用いることができる。好ましくは、対角線又は直径が、３５０ｍｍ以上、より好ましくは５００ｍｍ以上、さらにより好ましくは８００ｍｍ以上、さらになおより好ましくは１０００ｍｍ以上である。

独立請求項に記載のモジュール、使用、及び方法は、特に従属請求項に記載の同様且つ／又は同一の好ましい実施形態を有することを理解されたい。本発明の好ましい実施形態は、従属請求項と各独立請求項との任意の組合せでもあり得ることを理解されたい。

本発明のこれら及び他の態様は、以下に記載する実施形態から明らかとなり、これらを参照して説明される。

本発明の例示的な実施形態を、添付図面を参照して以下で説明する。

本発明による基板の化学処理用のモジュールの実施形態を概略的且つ例示的に示す。 本発明による基板の化学処理用のモジュールの実施形態を概略的且つ例示的に示す。 本発明による基板の化学処理用のモジュールの断面を概略的且つ例示的に示す。 本発明による基板の化学処理用のモジュールの側面図を概略的且つ例示的に示す。 本発明による基板の化学処理用のモジュールの断面を概略的且つ例示的に示す。 スプレーユニットに注目した図２ａの詳細を概略的且つ例示的に示す。 弁ユニットに注目した詳細図を概略的且つ例示的に示す。 チャンバカバーユニットに注目した詳細図を概略的且つ例示的に示す。

図１ａ、図１ｂは、本発明による基板２０の化学処理用のモジュール１０の実施形態を概略的且つ例示的に示す。図２ａ、図２ｂ、図２ｃは、本発明の種々の実施形態を基板２０の化学処理用のモジュール１０の断面、側面、及び別の断面で概略的且つ例示的に示す。基板２０の化学処理用のモジュール１０は、浸漬チャンバ１１、スプレーユニット１３、及び運動ユニット１４を備える。

基板２０は、基板ホルダ２１又はチャックに保持され、浸漬チャンバ１１に挿入される。浸漬チャンバ１１は、第１の液体として薬液を収容することができるので、基板２０は液体に浸漬される。基板２０は、片側又は両側を処理され得る。つまり、基板の一方の表面又は相互に反対側の基板の２つの表面が処理され得る。

スプレーユニット１３は、複数のスプレーノズル１５を含み、これらが第２の液体２２を浸漬チャンバ１１内及び基板２０に噴霧し、第２の液体２２は、基板２０の両側に略垂直に当たることにより、基板の２つの反対面を処理／加工する。第１及び第２の液体２２は、同じであっても異なっていてもよい。スプレーノズル１５は、浸漬チャンバ１１の２つの長側壁に沿って配置されたスプレーバー１６に配置され、スプレーノズル１５が相互に対向して配置され、基板２０がその間に配置されることで、スプレーノズルが第２の液体を基板２０の２つの反対面に略垂直に噴霧する。「略垂直」は、基板と平行ではなく、好ましくは基板２０の表面のそれぞれに対して７０°～１１０°の範囲の液体の噴霧であると理解され得る。スプレーノズル１５は、浸漬チャンバ１１の壁に配置することもできる。図３は、スプレーユニット１３の詳細図を概略的且つ例示的に示す。スプレーノズル１５は、スプレーを方向付けるか又は排液を可能にするように基板２０又は浸漬チャンバ１１に対して傾斜し得る。傾斜を達成するための選択肢はいくつかある。例えば、スプレーノズル１５をスプレーバー１６に対して傾斜させる、又はスプレーノズル１５をチャンバ壁に対して傾斜させる、又はスプレーバー１６をチャンバ壁に対して傾斜させる等である。組み合わせも可能である。傾斜運動は、Ｙ軸及び／又はＺ軸（図１参照）周りの回転運動に対応することが好ましい。

図１ａ、図１ｂ、及び図２ａ、図２ｂ、図２ｃに示すように、運動ユニット１４は、基板２０とスプレーユニット１３とを相対運動させることができる。したがって、運動ユニット１４は、基板ホルダ２１を含む基板２０を移動させ且つ／又はスプレーユニット１３を移動させることができる。基板ホルダ２１を含む基板２０移動させるために、運動ユニット１４は、基板２０のＺ方向の上下移動を可能にする門又は枠組として図示されている。

スプレーユニット１３を移動させることは、スプレーユニット１３のスプレーノズル１５及び／又はスプレーバー１６を基板２０又は浸漬チャンバ１１の壁に対して移動させることと理解され得る。スプレーノズル１５及び／又はスプレーバー１６を移動させて、液体のスプレーを特定の角度で基板２０に又は浸漬チャンバ１１内に向けることができる。目的は、基板２０の化学処理又は基板２０、浸漬チャンバ１１、及び／又はモジュール１０の他のコンポーネントの洗浄であり得る。目的は、スプレーノズル１５及び／又はスプレーバー１６からの液体の重力排液を可能にすることでもあり得る。したがって、スプレーバー１６は、各自の長手方向軸周りに回転され得る。スプレーバー１６は、スプレーバー１６の長手方向軸に対して垂直な扇開運動も行い得る。これは、Ｙ方向と基板２０及び浸漬チャンバ１１の幅とに沿って見た場合の左右運動と理解され得る。

基板２０を移動させることは、
・浸漬チャンバ１１に対して鉛直方向に出入りする第１のＺ方向で、
・基板２０の表側から裏側への基板の厚さ方向に水平な第２のＸ方向で、且つ／又は
・基板２０の幅方向に水平なＹ方向で、
基板ホルダ２１を含む基板２０を浸漬チャンバ１１及びスプレーユニット１３に対して移動させることと理解され得る。

基板２０の化学処理用のモジュール１０は、浸漬チャンバ１１内の第１の液体を攪拌する超音波を供給する超音波ユニット１２をさらに備える。超音波ユニット１２は、１つのフルエリアトランスデューサ又は複数のより小さなトランスデューサを含み得る。ここでは、図示のように、２つのフルエリアトランスデューサが超音波ユニット１２として設けられる。トランスデューサ（単数又は複数）は、浸漬チャンバ１１に直接又はトランスデューサプレートにより間接的に接続され得る。トランスデューサ（単数又は複数）は、浸漬チャンバ１１の外面に配置され得るか、又はスプレーユニット１３の隣接するスプレーバー１６間に配置され得る。ここでは、図示のように、超音波ユニット１２の２つのトランスデューサは、浸漬チャンバ１１の外（外側）面に配置される。

結果として、さまざまなプロセス技術を組み込むことが可能な液体処理用の「オールインワン」多目的用のモジュール１０又はプロセスチャンバが提供される。例えば、同じチャンバ内での浸漬型処理、液体噴霧処理（順次又は同時／並行）、及び超音波攪拌の適用が可能である。さらに、異なる処理容器間で基板２０を移動させる必要なく効率的且つ効果的なリンス及び乾燥が達成される。「オールインワン」多目的用のモジュール１０は、費用を抑えつつ多くの手順を加速させると同時に製品品質を向上させることができる。さらに、チャンバの機械的変更を必要とすることなく、多くの異なる基板サイズを処理することができる。

図１ｂ及び図２ｂ、図２ｃに示すように、基板２０の化学処理用のモジュール１０は、例えば基板乾燥中の排気流用の排気ユニット２５をさらに備える。排気ユニット２５は、浸漬チャンバ１１の底部に配置された底部排気管をここでは含む。排気ユニット２５は、排気弁及び複数の排気ライン２６を含む。排気ライン２６は、液体又はガスでリンス、洗浄、又は充填可能である。排気弁は、ここでは異なる排気ライン２６間で切替え可能である。

基板２０の化学処理用のモジュール１０は、排液・リンス・乾燥ユニットをさらに備える。排液・リンス・乾燥ユニットは、例えば薬液間の又はプロセスステップの完了後の排液、リンス、及び／又は乾燥を制御するよう構成される。排液、リンス・乾燥ユニットは、浸漬チャンバ１１及び／又はスプレーユニット１３に液体及び／又はガスを吹き込み且つ／又は浸漬チャンバ１１及び／又はスプレーユニット１３から液体及び／又はガスを吸い出すようさらに構成され得る。例として、排液・リンス・乾燥ユニットは、スプレーバー１６及び／又はスプレーノズル１５からの液体のバックサクション及び／又はスプレーバー１６からの薬液の吹出しを順次に又は同時に可能にする。

図１ｂ及び図２ｂ、図２ｃに示すように、排液・リンス・乾燥ユニットは、例えば基板２０及び／又は基板ホルダ２１の乾燥用のエアナイフ３２をここではさらに含む。エアナイフ３２は、図２ｃに示され、基板２０及び／又は基板ホルダ２１が浸漬チャンバ１１の頂部の乾燥区域を（反復可能に）通過する間に上から下への層流を提供する。

排液・リンス・乾燥ユニットは、ウォーターフォール要素３３、３４をここではさらに含む。ウォーターフォール要素３３、３４は、滝の形態の液体を供給するスプレー又はノズルバー若しくはスリットバーと理解され得る。上側のウォーターフォール要素３３は、チャンバカバーユニット１７の上側部分に配置されてチャンバカバーユニット１７の可動カバー要素１８及び／又は浸漬チャンバ１１の洗浄を可能にする。下側のウォーターフォール要素３４は、浸漬チャンバ１１内の例えば２つの対向する側面に配置されて、ウォーターフォールリンス、ウォーターフォール化学処理、ウォーターフォールクエンチ等を可能にする。下側のウォーターフォール要素３４は、水又は薬液を基板の上から下まで重力の作用により流す。これらを用いて、浸漬チャンバ１１をリンス及び洗浄することもできる。排液・リンス・乾燥ユニットは、例えば上２つのウォーターホールスプレー又はノズルバー３３、３４の下に液面溢流部としての溢流部３５をここではさらに含む。

基板２０の化学処理用のモジュール１０は、弁ユニット３０をさらに備える。図４は、弁ユニット３０の詳細図を概略的且つ例示的に示す。弁ユニット３０は、ここでは排液及び排気用のクイックダンプリンス（ＱＤＲ）弁ブロックである。弁ユニット３０は、複数の弁３１を有する。各弁３１は、別個のタンク又はドレンに接続される。弁３１は、浸漬チャンバ１１の底部又は下端に配置される。モジュール１０内の液体の最下点は、弁３１内にある。結果として、重力排液を用いることができる。

図５は、チャンバカバーユニット１７の詳細図を概略的且つ例示的に示す。基板２０の化学処理用のモジュール１０は、４つの可動カバー要素１８を含むチャンバカバーユニット１７をさらに備える。可動カバー要素１８は、浸漬チャンバ１１の頂部の開口を閉位置に閉じることができる。可動カバー要素１８はさらに、開口を通した移送時の基板２０を移送位置で密接に囲むことができる。可動カバー要素１８はさらに、開口を開位置に開くことができる。可動カバー要素１８は、例えば空気圧シリンダ１９により基板２０又は基板ホルダ２１に押し当てられる。

閉位置では、可動カバー要素１８は、浸漬チャンバ１１又は浸漬チャンバ１１のリム若しくは接触面に対してシールされ得る。可動カバー要素１８と浸漬チャンバ１１との間のシールは、例えば有毒ガスの漏れを回避するために本質的には液密及び／又は気密である。シールは、例えば少なくとも弾性リップ、ラビリンスシール等としてのシール要素により行うことができる。シールは、
・特に実装が容易な伸縮性のシール、
・容易に完全に密閉することができる、上領域又はタンクの封入、
・モジュール１０のあらゆる種類の動きに容易に対処できる、液溜めを有するカラー継手、
・調整可能なカバー、
・基板ホルダ２１の上側部分全体を本質的に覆い且つ例えばレール及びステップモータ並びに可動ノズルにより水平及び垂直方向に可動であるカバー、
・容易に完全に密閉することができる、基板ホルダ２１に例えば結合されたばね式縦型ブラインド、
・容易に完全に密閉することができ且つモジュール１０のあらゆる種類の動きに容易に対処することができる、運動ユニット１４及び基板ホルダ２１の装填位置の完全封入、
・大きな移動を可能にするエアカーテン、
・任意の位置に移動、傾斜、且つ／又は回転し得ると共に別個に制御できる、複数のスプレーノズル１５を有する固定された基板ホルダ２１の単純なカバー、
・複数のスプレーノズル１５を有し、スプレーノズル１５は、浸漬チャンバ１１内のマニホルド又はプレートに配置され、例えば突き棒により水平及び垂直に変位させることができる、固定された基板ホルダ２１の別の単純なカバー、
・その他
により行うこともできる。

移送位置では、可動カバー要素は基板に押し当たり、可動カバー要素と浸漬チャンバのリムとの間に隙間が空く。隙間は、浸漬チャンバの内部から外部への汚染ガス流を防止するために外部から内部へのシールガスの流れにより制御される。隙間は機械的に閉じられるのではない。

本発明の実施形態が種々の主題を参照して記載されることに留意されたい。特に、方法請求項を参照して記載されている実施形態があるのに対し、装置請求項を参照して記載れている実施形態もある。しかしながら、以上及び以下の記載から、特に断りのない限り、１つのタイプの主題に属する特徴の任意の組み合わせに加えて、異なる主題に関する特徴間の任意の組み合わせも本願に開示されているとみなされることが、当業者には分かるであろう。しかしながら、全ての特徴を組み合わせて、特徴の単なる総和を超える相乗効果を提供することができる。

本発明を図面及び上記説明に詳細に図示し記載したが、かかる図示及び記載は説明的又は例示的なものであり、限定的ではないものとする。本発明は、本開示の実施形態に限定されない。請求項に係る発明を実施する当業者であれば、図面、開示及び従属請求項の検討から、本開示の実施形態に対する他の変形形態を理解し達成することができる。

請求項において、単語「含む（comprising）」は他の要素又はステップを除外するものではなく、不定冠詞「a」又は「an」は、複数を除外するものではない。単一のプロセッサ又は他のユニットが、請求項に記載された複数の事項の機能を果たしてもよい。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているというだけで、これらの手段の組合せを有利に用いることができないことを示すわけではない。請求項におけるいかなる参照符号も範囲を限定すると解釈されるべきではない。

Claims (26)

1. 基板（２０）の化学処理用のモジュール（１０）であって、
   浸漬チャンバ（１１）と、
   スプレーユニット（１３）と、
   運動ユニット（１４）と
   を備え、前記浸漬チャンバ（１１）は、第１の液体及び前記基板（２０）を収容して、該基板（２０）を前記第１の液体に浸漬させるよう構成され、
   前記スプレーユニット（１３）は、前記浸漬チャンバ（１１）内に第２の液体（２２）を噴霧するよう構成された複数のスプレーノズル（１５）を含み、且つ
   前記運動ユニット（１４）は、前記基板（２０）と前記スプレーユニット（１３）とを相対運動させるよう構成される基板の化学処理用のモジュール。
2. 請求項１に記載のモジュール（１０）において、前記浸漬チャンバ（１１）内で第１の液体を攪拌する超音波を供給するよう構成された超音波ユニット（１２）をさらに備えるモジュール。
3. 請求項２に記載のモジュール（１０）において、前記超音波ユニット（１２）は、前記浸漬チャンバ（１１）の外面に配置されるモジュール。
4. 請求項２に記載のモジュール（１０）において、前記超音波ユニット（１２）及び前記スプレーユニット（１３）は、前記浸漬チャンバ（１１）に対して移動するよう構成された着脱可能なプレート要素に少なくとも部分的に配置されるモジュール。
5. 請求項１～４のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記第１の液体の上方に配置された上部排気装置及び前記浸漬チャンバの底部に配置された下部排気装置を好ましくは含む排気ユニット（２５）をさらに備えたモジュール。
6. 請求項１～５のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記運動ユニット（１４）は、前記浸漬チャンバ（１１）に出入りする第１の方向（Ｚ）で前記基板（２０）を前記浸漬チャンバ（１１）に対して移動させるよう構成されるモジュール。
7. 請求項１～６のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記運動ユニット（１４）は、前記第１の方向に対して垂直な第２の方向で前記基板（２０）を前記浸漬チャンバ（１１）に対して移動させるよう構成されるモジュール。
8. 請求項１～７のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記スプレーノズル（１５）は、前記浸漬チャンバ（１１）の壁に少なくとも部分的に配置されるモジュール。
9. 請求項１～８のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記スプレーノズル（１５）は、前記浸漬チャンバ（１１）内に配置されたスプレーバー（１６）に少なくとも部分的に配置されるモジュール。
10. 請求項１～９のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記運動ユニット（１４）は、前記スプレーバー（１６）の少なくともいくつかを前記基板（２０）に対して移動させるよう構成されるモジュール。
11. 請求項２～４及び９又は１０に記載のモジュール（１０）において、前記超音波ユニット（１２）は、隣接するスプレーバー（１６）間に配置された複数の超音波トランスデューサを含むモジュール。
12. 請求項１～１１のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記スプレーユニット（１３）は、好ましくは前記浸漬チャンバ（１１）の壁に対して２０°～７０°の範囲で前記浸漬チャンバ（１１）の壁に対して非垂直に傾斜し且つ前記浸漬チャンバ（１１）の底部へ向けたスプレー方向に、前記第２の液体（２２）を噴霧するよう構成されるモジュール。
13. 請求項１～１２のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、隣接する第１、第２、及び第３のスプレーノズル（１５）の列で、前記第１及び前記第３のスプレーノズル（１５）は同様に傾斜し、前記第２のスプレーノズルは、前記第１及び前記第３のスプレーノズル（１５）とは異なる配置であるモジュール。
14. 請求項１～１３のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記浸漬チャンバ（１１）の開口を閉位置に閉じるよう構成され且つ前記開口を通して移送される基板（２０）を移送位置で密接に囲むよう構成された複数のカバー要素（１８）を含むチャンバカバーユニット（１７）をさらに備えたモジュール。
15. 請求項１～１４のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記カバー要素と前記浸漬チャンバのリムとの間の隙間が、シールガス流により制御されるモジュール。
16. 請求項１４又は１５に記載のモジュール（１０）において、前記チャンバカバーユニット（１７）は、前記開口を開位置で本質的に全開するようさらに構成されるモジュール。
17. 請求項１４～１６のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記チャンバカバーユニット（１７）は、前記基板（２０）と前記スプレーユニット（１３）との間の相対運動を制御する前記運動ユニット（１４）から受け取った運動データに応じて前記チャンバカバー要素（１８）の移動を制御するよう構成された処理素子をさらに含むモジュール。
18. 請求項１～１７のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、複数の弁（３１）を有する弁ユニット（３０）をさらに備え、各弁（３１）は、別個のタンク又はドレンに接続され、前記弁（３１）は、排液及び排気用に構成されるモジュール。
19. 請求項１～１８のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記浸漬チャンバ（１１）及び／又は前記スプレーユニット（１３）に液体及び／又はガスを吹き込み且つ／又は前記浸漬チャンバ（１１）及び／又は前記スプレーユニット（１３）から液体及び／又はガスを吸い出すよう構成された排液・リンス・乾燥ユニットをさらに備えたモジュール。
20. 請求項１～１９のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記排液・リンス・乾燥ユニットは、ウォーターフォールリンス、ウォーターフォール薬液処理、及び／又はウォーターフォールクエンチ用に構成されるモジュール。
21. 請求項１９又は２０に記載のモジュール（１０）において、前記排液・リンス・乾燥ユニットは、前記浸漬チャンバ（１１）及び／又は前記スプレーユニット（１３）を通して吹き込まれるか又は吸い出される液体及び／又はガスを加熱又は冷却するよう構成された温度制御素子を含むモジュール。
22. 請求項１～２１のいずれか１項に記載のモジュール（１０）において、前記浸漬チャンバ（１１）の少なくとも一部を持ち上げて前記スプレーユニット（１３）から排液するよう構成された持上げユニットをさらに備えたモジュール。
23. 基板（２０）を化学処理する方法であって、必ずしもこの順ではないが、
    第１の液体及び基板（２０）を浸漬チャンバ（１１）に挿入して、前記基板（２０）を前記第１の液体に浸漬させるステップと、
    前記第１の液体を前記浸漬チャンバ（１１）から除去するステップと、
    スプレーノズル（１５）を含むスプレーユニット（１３）により前記浸漬チャンバ（１１）内に第２の液体（２２）を噴霧するステップと、
    運動ユニット（１４）により前記基板（２０）及び前記スプレーユニット（１３）を相対移動させるステップと
    を含む方法。
24. 請求項２３に記載の方法において、前記第２の液体（２２）を噴霧するステップは、前記基板（２０）を前記第１の液体に少なくとも部分的に浸漬させている間且つ前記第１の液体を前記浸漬チャンバ（１１）から除去する前に行われる方法。
25. 請求項２３又は２４に記載の方法において、同じ基板（２０）の後続処理のための前記浸漬チャンバ（１１）のリンス中に前記基板（２０）を前記浸漬チャンバ（１１）から取り出すステップをさらに含む方法。
26. 基板（２０）、特に対角線又は直径が３００ｍｍ以上、好ましくは８００ｍｍ以上、より好ましくは１０００ｍｍ以上の範囲である大型基板（２０）の化学処理用の請求項１～２２のいずれか１項に記載のモジュール（１０）の使用。

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