JP2022543329A - マイクロ発光ダイオードのマストランスファー方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
Description
複数のマイクロ発光ダイオードが形成された素子基板を提供するステップと、
第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を用いて、前記素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回のピックアップの後に第2トランスファー基板上にトランスファーするステップと、
前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーするステップと、を含み、
前記第2トランスファー基板上の1つのマイクロ発光ダイオードは、前記目標基板の1つのサブ画素に対応する。
前記第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を形成することは、
第1トランスファー基板母板を切断して、第1トランスファー基板を得ることと、
前記第1トランスファー基板上に粘着材料層を形成することと、
1回のパターニングプロセスによって、前記粘着材料層をパターン化し、アレイ状に配列された複数の粘着構造を形成することと、を含むようにしてもよい。
前記第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を形成することは、
第1トランスファー基板母板上に粘着材料層を形成することと、
1回のパターニングプロセスによって、前記粘着材料層をパターン化し、アレイ状に配列された複数の粘着構造を形成することと、
粘着構造が形成された第1トランスファー基板母板を切断して、アレイ状に配列された複数の粘着構造が形成された第1トランスファー基板を得ることと、を含むようにしてもよい。
前記第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を用いて、前記素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回のピックアップの後に第2トランスファー基板上にトランスファーする前記ステップは、
各色のマイクロ発光ダイオードに対して、前記第1トランスファー基板を用いて、前記素子基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードを順次複数回ピックアップし、毎回ピックアップした前記色のマイクロ発光ダイオードを前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域にトランスファーすることを含むようにしてもよい。
前記第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を用いて、前記素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回のピックアップの後に第2トランスファー基板上にトランスファーする前記ステップは、
各色のマイクロ発光ダイオードに対して、前記色に対応する第1トランスファー基板を用いて、前記素子基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードを順次複数回ピックアップし、毎回ピックアップした前記色のマイクロ発光ダイオードを前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域にトランスファーすることを含むようにしてもよい。
前記第1トランスファー基板と前記素子基板とを位置合わせすることと、
位置合わせした前記第1トランスファー基板上の粘着構造を、前記素子基板上のピックアップ対象の前記色のマイクロ発光ダイオードに1対1で対応して粘着することと、
レーザ又は熱硬化プロセスによって、前記素子基板とピックアップ対象の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することで、前記第1トランスファー基板は粘着された前記色のマイクロ発光ダイオードをピックアップすることと、を含むようにしてもよい。
毎回ピックアップした前記色のマイクロ発光ダイオードを前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域にトランスファーすることは、
前記第1トランスファー基板と前記第2トランスファー基板とを位置合わせすることと、
位置合わせした前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードを、前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域に1対1で対応して粘着することと、
前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離し、前記色のマイクロ発光ダイオードを前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域にトランスファーすることと、を含むようにしてもよい。
前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することは、
ホットプレスプロセスによって、前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することを含むようにしてもよい。
前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することは、
レーザによって、前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することを含むようにしてもよい。
前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーするステップは、
前記第2トランスファー基板と前記目標基板とを位置合わせすることと、
前記第2トランスファー基板とマイクロ発光ダイオードを分離し、前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを前記目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーすることと、を含むようにしてもよい。
前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーするステップは、
前記第2トランスファー基板と前記目標領域とを順次位置合わせし、位置合わせするごとに、前記第2トランスファー基板とマイクロ発光ダイオードを分離し、前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを前記目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーすることを含むようにしてもよい。
前記第2トランスファー基板とマイクロ発光ダイオードを分離することは、
ホットプレスプロセスによって、前記第2トランスファー基板と前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードとを分離することを含むようにしてもよい。
前記第2トランスファー基板とマイクロ発光ダイオードを分離することは、
レーザによって、前記第2トランスファー基板と前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードとを分離することを含むようにしてもよい。
前記第2トランスファー基板と前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードとを分離すると同時に、又は分離した後、
前記第2トランスファー基板と分離したマイクロ発光ダイオードの電極を、対応するサブ画素中の異方性導電性接着剤に電気的に接続することをさらに含むようにしてもよい。
複数の粘着構造を有し、且つ前記複数の粘着構造を用いて、前記素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回のピックアップの後に第2トランスファー基板上にトランスファーするように構成される第1トランスファー基板と、
前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーするように構成される前記第2トランスファー基板と、を備え、
前記第2トランスファー基板上の1つのマイクロ発光ダイオードは、前記目標基板の1つのサブ画素に対応するマイクロ発光ダイオードのマストランスファーシステムをさらに提供する。
S101、複数のマイクロ発光ダイオードが形成された素子基板を提供する。
S102、第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を用いて、素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回のピックアップの後に第2トランスファー基板上にトランスファーする。
S103、第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーし、ここで、第2トランスファー基板上の1つのマイクロ発光ダイオードは、目標基板の1つのサブ画素に対応する。
第1トランスファー基板母板を切断して、第1トランスファー基板を得るステップと、
第1トランスファー基板上に粘着材料層を形成するステップと、
1回のパターニングプロセスによって、粘着材料層をパターン化し、アレイ状に配列された複数の粘着構造を形成するステップとを含んでもよい。このように、パターン化の各粘着構造310が1回のパターニングプロセスによって形成され、それにより、製造プロセスを簡素化させ、生産コストを削減させ、生産効率を向上させる。
第1トランスファー基板母板上に粘着材料層を形成するステップと、
1回のパターニングプロセスによって、粘着材料層をパターン化し、アレイ状に配列された複数の粘着構造を形成するステップと、
粘着構造が形成された第1トランスファー基板母板を切断して、アレイ状に配列された複数の粘着構造が形成された第1トランスファー基板を得るステップとを含んでもよい。このような場合、パターン化された各粘着構造310が1回のパターニングプロセスによって形成され、それにより、製造プロセスを簡素化させ、生産コストを削減させ、生産効率を向上させる。
第1トランスファー基板と素子基板とを位置合わせすることと、
位置合わせした第1トランスファー基板上の粘着構造を、素子基板上のピックアップ対象の該色のマイクロ発光ダイオードに1対1で対応して粘着することと、
レーザによって、素子基板とピックアップ対象の該色のマイクロ発光ダイオードとを分離することで、第1トランスファー基板は粘着された該色のマイクロ発光ダイオードをピックアップするか、又は、熱硬化プロセスによって、素子基板とピックアップ対象の該色のマイクロ発光ダイオードとを分離することで、第1トランスファー基板は粘着された該色のマイクロ発光ダイオードをピックアップすることを含んでもよい。
第1トランスファー基板と第2トランスファー基板とを位置合わせすることと、
位置合わせした第1トランスファー基板上の該色のマイクロ発光ダイオードを、第2トランスファー基板のうち色に対応するマイクロ発光ダイオード領域に1対1で対応して粘着することと、
第1トランスファー基板と第1トランスファー基板上の該色のマイクロ発光ダイオードとを分離することで、該色のマイクロ発光ダイオードを第2トランスファー基板のうち色に対応するマイクロ発光ダイオード領域にトランスファーすることと、を含んでもよい。
第2トランスファー基板と目標基板とを位置合わせすることと、
第2トランスファー基板と第2トランスファー基板上のマイクロ発光ダイオードとを分離することで、第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーすることとを含んでもよい。
第2トランスファー基板と目標領域とを順次位置合わせし、位置合わせするごとに、第2トランスファー基板とマイクロ発光ダイオードとを分離し、第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーすることを含んでもよい。
複数の粘着構造310を有し、且つ複数の粘着構造310を用いて、素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回のピックアップの後に第2トランスファー基板400上にトランスファーするように構成される第1トランスファー基板300と、
第2トランスファー基板400上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーするように構成される第2トランスファー基板400と、を備え、第2トランスファー基板上の1つのマイクロ発光ダイオードは、目標基板の1つのサブ画素に対応する。
Claims (19)
- 複数のマイクロ発光ダイオードが形成された素子基板を提供するステップと、
第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を用いて、前記素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回のピックアップの後に第2トランスファー基板上にトランスファーするステップと、
前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーするステップと、を含み、
前記第2トランスファー基板上の1つのマイクロ発光ダイオードは、前記目標基板の1つのサブ画素に対応する、マイクロ発光ダイオードのマストランスファー方法。 - 1つの前記粘着構造は前記目標基板の1つのサブ画素に対応し、
前記第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を形成することは、
第1トランスファー基板母板を切断して、第1トランスファー基板を得ることと、
前記第1トランスファー基板上に粘着材料層を形成することと、
1回のパターニングプロセスによって、前記粘着材料層をパターン化し、アレイ状に配列された複数の粘着構造を形成することと、を含む、請求項1に記載のマストランスファー方法。 - 1つの前記粘着構造は、前記目標基板の1つのサブ画素に対応し、
前記第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を形成することは、
第1トランスファー基板母板上に粘着材料層を形成することと、
1回のパターニングプロセスによって、前記粘着材料層をパターン化し、アレイ状に配列された複数の粘着構造を形成することと、
粘着構造が形成された第1トランスファー基板母板を切断して、アレイ状に配列された複数の粘着構造が形成された第1トランスファー基板を得ることと、を含む、請求項1に記載のマストランスファー方法。 - 前記第2トランスファー基板上に載置されたマイクロ発光ダイオードの数が、前記第1トランスファー基板上に載置されたマイクロ発光ダイオードの数よりも多い、請求項1~3のいずれか1項に記載のマストランスファー方法。
- 前記マイクロ発光ダイオードは、少なくとも1種の色のマイクロ発光ダイオードを含み、前記第1トランスファー基板は1つであり、
前記第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を用いて、前記素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回ピックアップした第2トランスファー基板上にトランスファーする前記ステップは、
各色のマイクロ発光ダイオードに対して、前記第1トランスファー基板を用いて、前記素子基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードを順次複数回ピックアップし、毎回ピックアップした前記色のマイクロ発光ダイオードを前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域にトランスファーすることを含む、請求項1~4のいずれか1項に記載のマストランスファー方法。 - 前記マイクロ発光ダイオードは、少なくとも1種の色のマイクロ発光ダイオードを含み、1種の色は1つの前記第1トランスファー基板に対応し、
前記第1トランスファー基板上の複数の粘着構造を用いて、前記素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回ピックアップした第2トランスファー基板上にトランスファーする前記ステップは、
各色のマイクロ発光ダイオードに対して、前記色に対応する第1トランスファー基板を用いて、前記素子基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードを順次複数回ピックアップし、毎回のピックアップの後に前記色のマイクロ発光ダイオードを前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域にトランスファーすることを含む、請求項1~4のいずれか1項に記載のマストランスファー方法。 - 前記素子基板上のピックアップ対象の前記色のマイクロ発光ダイオードをピックアップすることは、
前記第1トランスファー基板と前記素子基板とを位置合わせすることと、
位置合わせした前記第1トランスファー基板上の粘着構造を、前記素子基板上のピックアップ対象の前記色のマイクロ発光ダイオードに1対1で対応して粘着することと、
レーザ又は熱硬化プロセスによって、前記素子基板とピックアップ対象の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することで、前記第1トランスファー基板は粘着された前記色のマイクロ発光ダイオードをピックアップすることと、を含む、請求項5又は6に記載のマストランスファー方法。 - 前記第2トランスファー基板は、前記第2トランスファー基板を覆う粘着膜層を含み、
毎回のピックアップの後に前記色のマイクロ発光ダイオードを前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域にトランスファーすることは、
前記第1トランスファー基板と前記第2トランスファー基板とを位置合わせすることと、
位置合わせした前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードを、前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域に1対1で対応して粘着することと、
前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離し、前記色のマイクロ発光ダイオードを前記第2トランスファー基板のうち前記色に対応するマイクロ発光ダイオード領域にトランスファーすることと、を含む、請求項5~7のいずれか1項に記載のマストランスファー方法。 - 前記粘着構造の材料は熱分解接着剤を含み、
前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することは、
ホットプレスプロセスによって、前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することを含む、請求項8に記載のマストランスファー方法。 - 前記粘着構造の材料は光分解接着剤を含み、
前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することは、
レーザによって、前記第1トランスファー基板と前記第1トランスファー基板上の前記色のマイクロ発光ダイオードとを分離することを含む、請求項8に記載のマストランスファー方法。 - 前記第2トランスファー基板の寸法が、前記目標基板の寸法以上であり、
前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーする前記ステップは、
前記第2トランスファー基板と前記目標基板とを位置合わせすることと、
前記第2トランスファー基板とマイクロ発光ダイオードを分離し、前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを前記目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーすることと、を含む、請求項1~10のいずれか1項に記載のマストランスファー方法。 - 前記目標基板は、同じ寸法の少なくとも2つの目標領域を含み、1つの前記第2トランスファー基板の寸法が、1つの前記目標領域の寸法とほぼ同じであり、
前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーする前記ステップは、
前記第2トランスファー基板と前記目標領域とを順次位置合わせし、位置合わせするごとに、前記第2トランスファー基板とマイクロ発光ダイオードを分離し、前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを前記目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーすることを含む、請求項1~10のいずれか1項に記載のマストランスファー方法。 - 第2トランスファー基板上の粘着膜層の材料は熱分解接着剤を含み、
前記第2トランスファー基板とマイクロ発光ダイオードを分離することは、
ホットプレスプロセスによって、前記第2トランスファー基板と前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードとを分離することを含む、請求項11又は12に記載のマストランスファー方法。 - 第2トランスファー基板上の粘着膜層の材料は光分解接着剤を含み、
前記第2トランスファー基板とマイクロ発光ダイオードを分離することは、
レーザによって、前記第2トランスファー基板と前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードとを分離することを含む、請求項11又は12に記載のマストランスファー方法。 - 前記目標基板は、予め形成されている第1電極と第2電極、及び前記第1電極と第2電極の前記目標基板から離間した側にそれぞれ位置する異方性導電性接着剤を含むサブ画素を複数含み、
前記第2トランスファー基板と前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードとを分離すると同時に、又は分離した後、
前記第2トランスファー基板と分離したマイクロ発光ダイオードの電極を、対応するサブ画素中の異方性導電性接着剤に電気的に接続することをさらに含む、請求項13又は14に記載のマストランスファー方法。 - 複数の粘着構造を有し、且つ前記複数の粘着構造を用いて、前記素子基板上のマイクロ発光ダイオードを少なくとも1回ピックアップし、毎回のピックアップの後に第2トランスファー基板上にトランスファーするように構成される第1トランスファー基板と、
前記第2トランスファー基板上の各マイクロ発光ダイオードを、目標基板のうち対応するサブ画素内に一括してトランスファーするように構成される第2トランスファー基板と、を備え、
前記第2トランスファー基板上の1つのマイクロ発光ダイオードは、前記目標基板の1つのサブ画素に対応する、マイクロ発光ダイオードのマストランスファーシステム。 - 前記第2トランスファー基板上に載置されたマイクロ発光ダイオードの数が、前記第1トランスファー基板上に載置されたマイクロ発光ダイオードの数よりも多い、請求項16に記載のマストランスファーシステム。
- 前記第2トランスファー基板の寸法が、前記目標基板の寸法以上である、請求項16又は17に記載のマストランスファーシステム。
- 前記目標基板は、同じ寸法の少なくとも2つの目標領域を含み、1つの前記第2トランスファー基板の寸法が、1つの前記目標領域の寸法とほぼ同じである、請求項16又は17に記載のマストランスファーシステム。
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