CN117637968A - 一种芯片转移方法和显示背板制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种芯片转移方法和显示背板制作方法。芯片转移方法包括提供芯片载板，芯片载板上设有多颗芯片；提供转移基板，转移基板上设置有粘接层，粘接层包括采用不同粘接材料的至少两种粘接区域，不同的粘接区域的粘接材料在不同波长的光线下解粘；将芯片载板上的芯片转移至转移基板的粘接区域上；将目标粘接区域的芯片转移至目标基板；在将目标粘接区域的芯片转移至目标基板的过程中，利用目标波长的光线照射转移基板，使目标粘接区域的粘接材料解粘以转移目标粘接区域的芯片。芯片转移方法实现了选择性的转移，且在转移的过程中，只需选择相应的光线进行照射，易于控制。

Description

一种芯片转移方法和显示背板制作方法

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种芯片转移方法和显示背板制作方法。

背景技术

Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)芯片将传统的LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片的像素点从毫米级降至了微米级。相比于其他显示技术，Micro LED芯片的显示器具有更高的分辨率等多方面的优势。

但Micro LED显示技术的商用难以推进，主要难点在于其巨量转移过程难度和成本高。在巨量转移的过程中，需要将大量的芯片转移到电路板上，然而实际的显示装置中的同种芯片并不是按照生长时的布局简单密集排列的，因此需要对芯片进行选择性的转移，以实现图案化转移的目的。

因此，如何对芯片进行选择性的转移是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片转移方法和显示背板制作方法，旨在实现对芯片进行选择性的转移。

一种芯片转移方法，包括：

提供芯片载板，所述芯片载板上设有多颗芯片；

提供转移基板，所述转移基板上设置有粘接层，所述粘接层包括采用不同粘接材料的至少两种粘接区域，不同的所述粘接区域的所述粘接材料在不同波长的光线下解粘；

将所述芯片载板上的所述芯片转移至所述转移基板的所述粘接区域上；

将目标粘接区域的所述芯片转移至目标基板；在所述将目标粘接区域的所述芯片转移至目标基板的过程中，利用目标波长的光线照射所述转移基板，使所述目标粘接区域的所述粘接材料解粘以转移所述目标粘接区域的所述芯片。

上述芯片转移方法，通过对芯片的粘接层进行差异化的设置，也即采用不同波长的光线下解粘的粘接材料，使得不同粘接区域的芯片能够在不同的波长的光线作用下被选择性的转移出来。由此实现了选择性的转移，且在转移的过程中，只需选择相应的光线进行照射，易于控制，在一些实施过程中，不同粘接区域之间的相互影响小，选择性转移的准确率和成功率高

可选地，所述将目标粘接区域的所述芯片转移至目标基板包括：

将所述转移基板置于所述目标基板的上方；

利用目标波长的光线照射所述转移基板，所述目标粘接区域的所述粘接材料解粘后，所述芯片落至所述目标基板。

利用重力将芯片进行转移，无需复杂的操作步骤以及额外装置，工艺较为简单直接。

可选地，所述芯片载板为所述芯片的生长基板，所述将所述芯片载板上的所述芯片转移至所述转移基板的所述粘接区域上包括：

提供临时基板，所述临时基板的一侧设有黏附层；

将所述临时基板设有黏附层的一侧与所述生长基板上生长所述芯片的一侧贴合；

剥离所述生长基板；

将所述临时基板设有所述芯片的一侧与所述转移基板设有所述粘接层的一侧贴合；

剥离所述临时基板。

通过上述步骤，可使得芯片的电极朝向目标基板进行转移，在一些实施过程中，方便后续芯片与目标基板进行键合。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示背板制作方法，包括：

提供驱动背板，所述驱动背板上包括用于键合发光芯片的导电层；

将所述发光芯片转移至所述驱动背板并键合；

所述将所述发光芯片转移至所述驱动背板的过程中，利用上述的芯片转移方法。

上述显示背板制作方法在芯片转移的过程中利用了上述的芯片转移方法，能够将各种颜色的发光芯片选择性的转移到预定的区域，且在转移的过程中，只需选择相应的光线进行照射，易于控制，在一些实施过程中，不同粘接区域之间的相互影响小，选择性转移的准确率和成功率高。

附图说明

图1为本申请实施例提供的芯片转移方法的基本流程示意图；

图2为本申请实施例提供的芯片载板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的转移基板的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的粘接区域的一种结构示意图；

图5为本申请实施例提供的粘接区域的另一种结构示意图；

图6为图5转移有芯片的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的转移基板转移有芯片的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的解粘目标粘接区域使芯片落下的示意图；

图9为本申请实施例提供的制作转移基板的流程示意图；

图10为本申请实施例提供的转移基板制作过程的示意图一；

图11为本申请实施例提供的转移基板制作过程的示意图二；

图12为本申请实施例提供的芯片转移方法的一种示例过程的流程示意图；

图13为本申请实施例提供的临时基板的一种结构示意图；

图14为本申请实施例提供的芯片与临时基板粘接的示意图；

图15为图14的生长基板被剥离后的示意图；

图16为图15的芯片与转移基板粘接的示意图；

图17为图16的临时基板被剥离后的示意图；

图18为图17的转移基板置于目标基板的上方的示意图；

图19为图18的转移基板向目标基板选择性转移芯片的示意图；

图20为本申请实施例提供的芯片转移方法的另一种示例过程的流程示意图；

图21为本申请实施例提供生长基板直接向转移基板转移芯片的示意图；

图22为本申请实施例提供的拾取装置拾取芯片的示意图；

图23为本申请实施例提供的利用拾取装置转移芯片的示意图；

图24为本申请另一可选实施例提供的显示背板制作方法的基本流程示意图；

附图标记说明：

11-芯片载板；12-芯片；13-转移基板；14-目标基板；15-电极；16-临时基板；17-黏附层；18-焊盘；19-拾取装置；21-第一粘接区域；22-第二粘接区域；23-第三粘接区域；131-基板基材；211-第一光刻胶；221-第二光刻胶；L-曝光光线；L1-第一波长的光线。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

在巨量转移的过程中，需要对芯片进行选择性的转移。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

实施例：

本实施例提供一种芯片转移方法，参见图1，包括：

S101、提供设有多颗芯片的芯片载板；

如图2，芯片12设置在芯片载板11的一侧，芯片载板11可以是直接生长芯片12的生长基板，也可以是将生长基板上生长的芯片12转移后用来接收芯片12的其他基板，也即可以是承载有芯片12的任意基板。

S102、提供存在至少两种粘接区域的转移基板；

本申请中不同的粘接区域采用不同的粘接材料。应当说明的是，本申请中的不同粘接材料是指能够在不同波长的光线下解粘。本申请并不限定构成粘接材料的组分是否存在差异，也即粘接材料的组分可以相同，但这些组分不同的配比含量或不同的加工处理使得其能够被配置为在不同的波长下解粘，则这些不同配比含量或不同加工处理所形成的粘接材料之间必然是不同的。

解粘指解除或降低与芯片12之间的粘接，可以是完全失去粘性，也可以是一定程度的降低粘性。另外，若粘接材料能够被分解去除，则其同样失去了与芯片12之间的粘接，也是一种有效的解粘方式。

各个粘接区域之间可以紧挨设置，也即不存在间隔，粘接层能够将转移基板13的表面铺满。一些实施方式中，粘接层也可以是多个相互间隔开的粘接区域。示例性的，参见图3，转移基板13上存在第一粘接区域21、第二粘接区域22以及第三粘接区域23，这三种粘接区域分别采用不同的粘接材料，这些粘接材料在不同的波长的光线照射下分解，从而降低对芯片12的粘性或被完全分解。第一粘接区域21、第二粘接区域22以及第三粘接区域23之间相互间隔设置，互不接触，这保证这些粘接区域之间的独立，避免在其中一处粘接区域的粘接材料分解的过程中因结构的松动或芯片12掉落时对残余的粘接材料的扯动等情况对其他区域造成影响。可以理解的是，每种粘接区域在转移基板13上可以设置多个，也即可以设置多个第一粘接区域21，多个第二粘接区域22，多个第三粘接区域23等，同种粘接区域之间可以间隔其他粘接区域设置，以形成需要的图案。这能够使得芯片12在转移时，按照所需的图案进行转移，例如转移基板13上的所有第一粘接区域21形成的图案，在转移芯片12时，将第一粘接区域21作为目标粘接区域，使第一粘接区域21解粘并使第一粘接区域21这些芯片12保持当前的布局整体转移，即可使得转移后的芯片12仍然保持为该图案。

每个粘接区域的大小可以与单颗芯片12相适配，也即能够粘接单颗芯片12，但不粘接更多的芯片12。与单颗芯片12适配的粘接区域可以小于与芯片12的接触面，也可以大于与芯片12的接触面，但并不延伸到该芯片12邻近的其他芯片12。一些示例中，每个粘接区域也可以同时粘接多颗芯片12，在转移的过程中，这些设于同一个粘接区域的芯片12被同步的解粘，可以作为同一批转移的芯片12。一些实施方式中，各粘接区域的整体布局与芯片12在芯片载板11上的布局是一致的，也即芯片载板11与转移基板13对准后，每颗芯片12都能够正对于一个粘接区域，芯片12能够全部被转移至转移基板13上，保证芯片12的转移效率和利用率。在目前的显示技术中，较为常见的单个像素中可包括三种颜色的发光芯片，像素中三种颜色的发光芯片依次排列，对于显示背板整体而言，每种颜色的发光芯片之间通常间隔了两个发光芯片的位置以供设置另外两种颜色的发光芯片。因此，为配合这样的像素布置，在一些实施方式中，转移基板13上的粘接区域包括第一粘接区域21、第二粘接区域22以及第三粘接区域23，其中第一粘接区域21、第二粘接区域22以及第三粘接区域23沿第一方向依次循环排列。

作为一种示例，参见图4所示，在横向(以图示方向为参考)的方向上，第一粘接区域21、第二粘接区域22以及第三粘接区域23依次循环的排列，而纵向方向上，每种相同的粘接区域处于同一列。在实际应用中，第一粘接区域21、第二粘接区域22以及第三粘接区域23每种粘接区域分别能够转移芯片12总数的三分之一，且每种粘接区域的之间留出了足以容纳另外两个芯片12的间隔，能够有效满足前述的像素结构的显示面板的芯片转移要求。当然，一些具体示例中，每种粘接区域在纵向方向上也可以错位设置。

对应于前一示例，一些具体实施方式中，同一列的同种粘接区域可以合并为一个更大的粘接区域，例如图5和图6所示例的，这样的实施方式中，同一个粘接区域所对应芯片12则不止一个，可以是同一列方向上排列的至少两个芯片12。相邻近的同种粘接区域合并为更大的粘接区域，转移基板13上的粘接区域所形成的图案更为简单且大块，一些实施过程中会相对容易制作。

S103、将芯片载板上的芯片转移到转移基板；

如图7所示，转移到转移基板13上的芯片12与粘接区域相粘接。实际应用中，为了实现选择性的转移，至少两种粘接区域上粘接有芯片12，这使得这些转移到转移基板13上的芯片12可以被分为至少两个批次解粘，从而进行至少两个批次的转移。

S104、将目标粘接区域的芯片转移目标基板；

目标粘接区域即是转移基板13上的各种粘接区域中的一个或几个，目标粘接区域上设置的芯片12为本次要转移的芯片12。在此过程中，通过目标波长的光线照射转移基板13，使目标粘接区域的粘接材料解粘以转移芯片12。

目标波长即是能够使得目标粘接区域中的粘接材料解粘的波长，根据选择的目标粘接区域以及其实际采用的粘接材料决定。

在转移的过程中，目标粘接区域的芯片12与粘接区域或者说与转移基板13之间的粘黏被解除或减弱。在一些转移的过程中，要进行转移的芯片12可以通过拾取装置19进行拾取，这些解粘的芯片12能够被轻易的拾取，只需控制好拾取的力度，例如吸附力度或拾取装置19的粘性强度，或控制好拾取装置19的作用范围，即可在不影响其他粘接区域的芯片12的情况下将目标粘接区域的芯片12拾取到，从而将这些芯片12进行转移。另一些转移的过程中，要转移的芯片12可以利用重力自行脱离转移基板13。如图8示例，这些转移过程中，转移基板13设置有芯片12的一面朝下放置，目标基板14设置在转移基板13的下方，目标粘接区域为第一粘接区域21，通过第一波长的光线L1进行照射，第一粘接区域21的粘接材料解粘后，由于粘性减弱或失去粘性，这些芯片12在重力的作用下掉落到目标基板14上，完成转移。而其他粘接区域的芯片12，仍然存留在转移基板13上。

本实施例的芯片转移方法，通过对芯片12的粘接层进行差异化的设置，也即采用不同波长的光线下解粘的粘接材料，使得不同粘接区域的芯片12能够在不同的波长的光线作用下被选择性的转移出来。由此，本实施例的芯片转移方法实现了选择性的转移，且在转移的过程中，只需选择相应的光线进行照射，易于控制，在一些实施过程中，不同粘接区域之间的相互影响小，选择性转移的准确率和成功率高。

本实施例中，粘接区域所采用的粘接材料可以为光刻胶，且这些光刻胶可以在预设波长的光线照射下分解。本实施例需要至少两种不同的光刻胶，分别在不同的波长的光线照射下分解。其他示例中，粘接材料包括但不限于各种其他能够被光照解除粘性的光敏感胶材。

且可以理解的是，本实施例的芯片转移方法不仅适用于Micro LED芯片的转移，在一些实施过程中，对于其他LED芯片或其他类型的芯片也可以适用。

参见图9，示例出转移基板13的一种制作方式，包括：

S201、提供基板基材；

本实施例的基板基材131可以是蓝宝石等能够透过光线的材料。

S202、在基板基材的一面设置第一光刻胶，并图案化第一光刻胶；

如图10，第一光刻胶211匀涂在基板基材131上，并通过曝光光线L对其进行曝光显影，曝光的区域按照粘接区域的需求而定。图案化后的第一光刻胶211为转移基板13上的一种粘接区域。

S203、在基板基材设有第一光刻胶的一面设置第二光刻胶，图案化第二光刻胶；

如图11，第二光刻胶221匀涂在基板基材131上，并通过曝光光线L(本步骤中的曝光光线L与前一步骤可能相同也可能不同，实际应用中的曝光光线L根据采用的具体光刻胶材料而定)对其进行曝光显影，曝光的区域同样按照粘接区域的需求而定。图案化后的第二光刻胶221为转移基板13上的另一种粘接区域。第一光刻胶211已经完成曝光显影的过程，在第二光刻胶221曝光显影的过程中，基板板材131上留下的第一光刻胶211并不受到明显的影响，从而能够实现图案化的粘接区域的布置。

当转移基板13上需要设置更多粘接区域时，则同样参照上述步骤设置第三光刻胶甚至第四光刻胶等，依次形成更多的粘接区域，对此不再赘述。可以理解的是，每次采用的光刻胶的性质均存在一定差异，第一光刻胶211在第一波长的光线照射下分解，第二光刻胶221在不同于第一波长的第二波长的光线照射下分解，第三光刻胶甚至第四光刻胶在不同于其他光刻胶的分解波长的光照下分解。

下面结合具体的示例和附图，对本实施例的芯片转移方法的具体转移过程进行说明。

示例一：

本示例中，芯片载板11为芯片12的生长基板，可以理解的是，芯片12在生长基板上制作成型时，芯片12的电极15处于远离生长基板的一侧，可以通过相应的转移过程，使得最终转移到目标基板14上的芯片12的朝向符合需求，例如使芯片12的电极15处于靠近目标基板14的一侧。参见图12，本示例的芯片转移方法具体包括：

S301、提供芯片的生长基板；

在生长基板上形成芯片12的方式可以是现有的任意方式，本实施例对此不做限制。

S302、提供临时基板；

如图13所示，本示例的临时基板16的一侧设有黏附层17，这层黏附层17主要用于将芯片12保持在临时基板16上。为了便于后续转移工作，临时基板16的黏附层17也可以采用能够被解粘的材料，但在不影响芯片12结构及其转移过程的情况下，临时基板16的黏附层17的解粘条件可以是任意的，例如包括但不限于光照、加热等。示例性的，黏附层17可以采用UV(ultraviolet，紫外线)膜，UV膜包括两面，其中一面是可UV解胶的一面，在紫外线照射下能够降低粘性，另一面为普通粘性的一面，普通粘性的一面朝向临时基板16，可UV解胶的一面设置在远离临时基板16的一侧。对应于这类需要光照进行解粘的黏附层17，临时基板16可采用包括但不限于蓝宝石基板等能够透过光线的材料。

S303、将临时基板设有黏附层的一侧与生长基板上生长芯片的一侧贴合；

如图14所示，芯片12的电极15与黏附层17粘接从而设置到临时基板16上。

S304、剥离生长基板；

生长基板的剥离通常可以通过激光实现，透过生长基板向芯片12照射预定的激光，使芯片12与生长基板临界处的半导体材料发生分解，从而实现芯片12与生长基板的分离。芯片12与生长基板分离后移开生长基板即可。

如图15所示，生长基板被剥离，芯片12转移到临时基板16上。

S305、将临时基板设有芯片的一侧与转移基板设有粘接层的一侧贴合；

如图16所示，芯片12没有设置电极15的一侧与粘接层接触从而粘接到转移基板13。实际应用中，该过程还包括将芯片12与粘接层上的粘接区域对准，保证芯片12能够被转移到正确的位置上。

S306、剥离临时基板；

如图17所示，临时基板16被剥离，芯片12转移到转移基板13上，此时，芯片12的电极15在远离转移基板13的一侧。本示例中，通过紫外线照射临时基板16上的UV膜，UV膜在可UV解胶的一面降低粘性，也即芯片12与UV膜接触的位置上的粘性降低。具体而言，芯片12与UV膜之间的粘性小于与转移基板13上的粘接区域之间的粘性，移开临时基板16时，芯片12被留存在转移基板13上。而UV膜与临时基板16粘接的一面为正常的粘性，UV膜会随临时基板16一起被移除。

S307、将转移基板置于目标基板的上方；

如图18，芯片12的电极15靠近目标基板14，一些实施方式中，目标基板14上设置有焊盘18等用来与芯片12的电极15连接的结构，则在此过程中，还包括将芯片12与目标基板14上的对应结构对准的步骤。

S308、利用目标波长的光线照射转移基板，目标粘接区域的粘接材料解粘后，芯片落至目标基板；

如图19，目标粘接区域为第一粘接区域21，采用第一波长的光线L1照射转移基板13，光线能够透过转移基板13照射到第一粘接区域21的粘接材料，第一粘接区域21的粘接材料解粘后，由于粘性减弱或失去粘性，第一粘接区域21上设置的芯片12在重力的作用下掉落到目标基板14上，完成转移。示例性的，芯片12的电极15靠近目标基板14，掉落至目标基板14时，芯片12的电极15可以直接落到目标基板14上的焊盘18上，方便后续直接进行键合。实际应用中，为了保证芯片12落下后的稳定，还可以在目标基板14上设置缓冲胶材来接收芯片12，避免芯片12直接撞击到目标基板14或其上的焊盘18，对此本实施例不做具体限制。

上述示例中，能够将生长基板上的芯片12转移至目标基板14，有效的实现了芯片12的选择性转移过程，且使得芯片12的电极15朝向目标基板14的一侧，一些实施过程中便于进行键合。

示例二：

本示例中，芯片载板11同样为芯片12的生长基板，本示例采用转移基板13直接从生长基板上接收芯片12。参见图20，本示例的芯片转移方法具体包括：

S401、提供芯片的生长基板；

S402、将转移基板设有粘接层的一侧与生长基板上生长芯片的一侧贴合；

如图21所示，不同于前一示例，本示例中芯片12的电极15与粘接层接触。

S403、剥离生长基板；

S404、利用目标波长的光线照射转移基板，目标粘接区域的粘接材料解粘；

S405、利用拾取装置拾取目标粘接区域的芯片；

如图22所示，本示例的目标粘接区域为第一粘接区域21，拾取装置19从芯片12远离电极15的一侧将第一粘接区域21的芯片12拾取，拾取的方式包括但不限于吸附、黏附等。示例性的，拾取装置19上可以涂覆胶材，该胶材的粘性小于粘接区域正常状态下对芯片12的粘性，也即不会将目标粘接区域以外的芯片12拾取，但足以将解粘后的粘接区域上的芯片12取下。或在一些示例中，拾取装置19上布置有凸起图案，各凸起对应于目标粘接区域，当拾取装置19进行拾取时，只有凸起能够接触到芯片12并拾取，其余粘接区域的芯片12则不会被拾取。

在此步骤中，芯片12被选择性的拾取到拾取装置19上。

S406、利用拾取装置将芯片转移至目标基板；

如图23所示，拾取装置19将芯片12放置到目标基板14上，此时，拾取装置19上的芯片12的电极15同样朝向目标基板14的一侧，且这些芯片12在拾取装置19上已经被选择性的按预定粘接区域的图案排列，能够保持该布局整体的转移到目标基板14后。

前述示例中，均示例出芯片12的电极15朝向目标基板14的转移过程。实际应用中，本实施例的芯片转移方法同样可以被实施为是芯片12的电极15处于远离目标基板14的一侧，本实施例并不限制芯片12在转移过程中的具体姿态。本领域技术人员也可根据实际需求，在转移过程中增加调整芯片12的电极15朝向的转移步骤或适应性的改变上述示例中的至少一个步骤，以实现需要的转移结果。

本申请另一可选实施例：

本实施例在前述芯片转移方法的基础上，提供一种显示背板制作方法，可以理解的是，在本实施例中，转移的芯片为发光芯片，参见图24，显示背板制作方法包括：

S501、提供驱动背板；

驱动背板上包括用于键合发光芯片的导电层，实际应用中，驱动背板上的导电层形成有对应的电路图形以对发光芯片进行驱动控制。

S502、将发光芯片转移到驱动背板上并键合；

应当说明的是，本实施例中将发光芯片转移到驱动背板上的过程中，利用了前述实施例中的芯片转移方法。前述实施例的芯片转移方法可以是直接将发光芯片转移到驱动背板上，也即驱动背板可以作为前述芯片转移方法的目标基板。另一些示例中，前述实施例的芯片转移方法也可以仅仅是将发光芯片转移到驱动背板上中的一部分转移过程，例如通过前述实施例的芯片转移方法先将发光芯片都转移到一个载板上，经过几次转移后，载板上可被转移有各种发光芯片且按照预定的排列方式排列好。当所有的发光芯片都向载板上转移完成后，再将载板上的全部发光芯片整体转移至驱动背板，这样可以使得驱动背板上的所有发光芯片在一次键合的过程中完成键合，减少键合次数，且对于每种发光芯片而言，同样完成了选择性的转移。

为了实现发光芯片的键合，发光芯片在转移到驱动基板时，其电极的一侧靠近驱动基板并与驱动基板上的导电层对准。

一些实施方式中，显示背板中包括至少三种颜色的发光芯片，上述步骤S502具体可以包括：

S5021、将第一种颜色的发光芯片转移至驱动背板的第一区域；

S5022、将第二种颜色的发光芯片转移至驱动背板的第二区域；

S5023、将第三种颜色的发光芯片转移至驱动背板的第三区域；

上述的第一区域、第二区域和第三区域均是不同的区域，应当说明的是，上述实施方式的步骤中，发光芯片被直接转移到驱动背板上，也即驱动背板作为前述实施例的目标基板。

示例性的，当显示背板中包括三种颜色的发光芯片时，这三种颜色分别为红、绿和蓝，这些发光芯片在显示背板上按照预定的像素规则排列。可以理解的是，当显示背板中包括更多中颜色的发光芯片(例如黄色、白色等)时，则继续将其他种类的颜色的发光芯片转移至驱动背板的对应区域。

作为更具体的示例，以三种颜色的发光芯片为例，示例性的，可选用图4或图5所示的转移基板，包括第一粘接区域、第二粘接区域以及第三粘接区域，能够应用于三种颜色的显示背板制作过程的转移。本示例中，三种颜色的发光芯片所采用的转移基板可以是相同的，包括其上粘接区域所采用的粘接材料以及粘接区域的划分等。

在转移第一种颜色的发光芯片时，选择任一粘接区域作为目标粘接区域。在转移第二种以及第三种颜色的发光芯片时，同样可选择选择任一粘接区域作为目标粘接区域，但保证目标粘接区域的发光芯片与驱动背板上已经存在的发光芯片的位置错开。对于转移基板，其上的其他粘接区域的发光芯片同样能够被选择性的转移掉，转移基板完成一次转移后还可以用于制作另一显示背板，按照本示例的制作方式，每一块转移基板可以应用到三块显示背板的制作中。

通过上述实施例的芯片转移方法，能够将各种颜色的发光芯片选择性的转移到预定的区域，且在转移的过程中，只需选择相应的光线进行照射，易于控制，在一些实施过程中，不同粘接区域之间的相互影响小，选择性转移的准确率和成功率高。

应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：

提供芯片载板，所述芯片载板上设有多颗芯片；

提供转移基板，所述转移基板上设置有粘接层，所述粘接层包括采用不同粘接材料的至少两种粘接区域，不同的所述粘接区域的所述粘接材料在不同波长的光线下解粘；

将所述芯片载板上的所述芯片转移至所述转移基板的所述粘接区域上；

将目标粘接区域的所述芯片转移至目标基板；在所述将目标粘接区域的所述芯片转移至目标基板的过程中，利用目标波长的光线照射所述转移基板，使所述目标粘接区域的所述粘接材料解粘以转移所述目标粘接区域的所述芯片。

2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，每一个所述粘接区域的尺寸与单颗所述芯片相适配，且各所述粘接区域的整体布局与所述芯片在所述芯片载板上的布局一致。

3.如权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述粘接区域包括第一粘接区域、第二粘接区域以及第三粘接区域，所述第一粘接区域、第二粘接区域以及第三粘接区域沿第一方向依次循环排列。

4.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述将目标粘接区域的所述芯片转移至目标基板包括：

将所述转移基板置于所述目标基板的上方；

利用目标波长的光线照射所述转移基板，所述目标粘接区域的所述粘接材料解粘后，所述芯片落至所述目标基板。

5.如权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，所述芯片载板为所述芯片的生长基板，所述将所述芯片载板上的所述芯片转移至所述转移基板的所述粘接区域上包括：

提供临时基板，所述临时基板的一侧设有黏附层；

将所述临时基板设有黏附层的一侧与所述生长基板上生长所述芯片的一侧贴合；

剥离所述生长基板；

将所述临时基板设有所述芯片的一侧与所述转移基板设有所述粘接层的一侧贴合；

剥离所述临时基板。

6.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述将目标粘接区域的所述芯片转移至目标基板包括：

利用目标波长的光线照射所述转移基板，所述目标粘接区域的所述粘接材料解粘；

利用拾取装置拾取所述目标粘接区域的所述芯片；

利用所述拾取装置将所述芯片转移至所述目标基板。

7.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，各所述粘接材料为预设波长的光线照射下分解的光刻胶。

8.如权利要求7所述的芯片转移方法，其特征在于，所述提供转移基板包括：

提供基板基材；

在所述基板基材的一面设置第一光刻胶，图案化所述第一光刻胶；

在所述基板基材设有所述第一光刻胶的一面设置第二光刻胶，图案化所述第二光刻胶；

所述第一光刻胶在第一波长的光线照射下分解，所述第二光刻胶在不同于所述第一波长的第二波长的光线照射下分解。

9.一种显示背板制作方法，其特征在于，包括：

提供驱动背板，所述驱动背板上包括用于键合发光芯片的导电层；

将所述发光芯片转移至所述驱动背板并键合；

所述将所述发光芯片转移至所述驱动背板的过程中，利用权利要求1-8任一项所述的芯片转移方法。

10.如权利要求9所述的显示背板制作方法，其特征在于，所述发光芯片包括至少三种颜色的发光芯片，所述将所述发光芯片转移至所述驱动背板包括：

利用权利要求1-8任一项所述的芯片转移方法直接将第一种颜色的所述发光芯片转移至所述驱动背板的第一区域；

利用权利要求1-8任一项所述的芯片转移方法直接将第二种颜色的所述发光芯片转移至所述驱动背板的第二区域；

利用权利要求1-8任一项所述的芯片转移方法直接将第三种颜色的所述发光芯片转移至所述驱动背板的第三区域。